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Осаждение металлов в нанопоры кремния при формировании стоковой области силового транзистора.

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Abstract. In the paper drawing of metals in silicon nanosize pores formed due to sandblasting at contact with the
drain region of transistor structure has been investigated. Results of research of silicon structure substrate after
precipitation of the composition "chrome ? nickel ? tin ? silver" have been shown. The scanning electronic x-ray
microanalyzer and x-ray microdifractometer were used for research. It has been shown that the received nanosize
pores improve adhesive properties of the silicon substrate surface.
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Key words: nanosize pore, thickening, adhesion, crystal, crystal triode
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