close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

Презентация направлений деятельности

код для вставкиСкачать
наши технологии и возможности

Yritys-ij yhteicotunnus: 2191501-5, c/o Altervic Oy, 8 krs, Mikonkatu 8a, 00100 HELSINKI
(Филиал в РФ: 690000, Красного Знамени 111а, офис 11, г. Владивосток Приморского края)
e-mail: hrs.fin@gmail.com Bodies: 8(4232) 605973, 605977; 8-921-944-66-18
Направления, намеченные к реализации HRS на 2012-2015 годы
1. Применение Молекулярного Наслаивания (Atomic Layer Deposition) для повышения эффективности солнечных преобразователей.
У нас есть собственные экспериментальные данные о заметном (до 30%) возрастании эффективности преобразования солнечной энергии кремниевыми солнечными батареями при нанесении на них в процессе изготовления тонких диэлектрических пленок. Пленки наносились на стандартной малогабаритной установке молекулярного наслаивания, изготовленной на базе нашего научного предприятия руководителем направления совместно с сотрудниками отдела. Введение в процесс изготовления солнечных элементов дополнительной стадии покрытия диэлектрической пленкой по нашей технологии, приводит к 30% увеличению эффективности при незначительном удорожании солнечного элемента (не более чем на 2,5 % стандартной стоимости). Указанная технология весьма перспективна для применения на подложках солнечных элементов из арсенида галлия. НИОКР предполагает работу для выбора оптимальных условий нанесения слоев и выбора материала оксидных слоев.
Установка для проведения технологических экспериментов имеется.
Для выполнения работы первой стадии требуется:
- оплата работы 7 специалистов со средней зарплатой 1500 евро в месяц в течение 6 месяцев.
- приобретение расходных материалов на сумму порядка 7000 евро.
Стадия внедрения
На предприятии по производству солнечных элементов создается камера большого объема по нашей технологии для массовой обработки элементов в цикле изготовления.
Необходимое финансирование - 500-800 тысяч евро уточняется по результатам НИОКР и с учетом особенностей технологии, используемой для производства солнечных элементов.
2. Молекулярное Наслаивание (Atomic Layer Deposition) - нанотехнология получения пленок соединений II-VI для фотоприемников ИК диапазона
Тепловизионная техника, основанная на применении фотоприемников инфракрасного (ИК)-диапазона на длины волн 3-12 мкм, используются в различных областях народного хозяйства: • в медицине, • сельском хозяйстве, • химической промышленности, • металлургии черных и цветных металлов, • топливодобывающей промышленности и других областях народного хозяйства, включая оборонную отрасль промышленности.
Ключевым материалом для создания ИК фотоприемников является CdxHg1-xTe (КРТ - кадмий-ртуть-теллур) узкозонный полупроводник, с управляемой шириной зоны в широком диапазоне (0 - 1,6 эВ). Стандартной проблемой изготовителей является получение пленок КРТ на подложках большой площади с заданными составом и свойствами. Высокое содержание ртути в составе пленки приводит к дороговизне получаемых слоев не только из-за ее токсичности, но и вследствие ее летучести при повышении температуры. Это приводит изменению параметров полученной пленки в процессе изготовления конечных структур, а также в процессе их эксплуатации. В настоящее время в мировой практике для изготовления пленок КРТ применяют два технологических способа - МВЕ (молекулярно-пучковую эпитаксию) и CVD (нанесение из паров химических соединений). Первый способ требует условий высокого вакуума и дорогостоящего оборудования, но позволяет получать пленки на подложках диаметром до 76 мм с приемлемыми характеристиками. Этот способ используется в отечественных разработках. Второй способ развивается за рубежом в Англии, Франции, Японии и США. Оба стандартных способа являются дорогостоящими, а полученные образцы стоят немалых денег. На основе полученных эпитаксиальных пленок изготавливаются многоэлементные структуры, так как КРТ является твердым раствором двух полупроводников - CdTe и HgTe (теллурида кадмия и теллурида ртути), то задача получения КРТ состоит из двух частей - синтеза теллурида кадмия и теллурида ртути и объединение их единый цикл. Нами разработана и изготовлена высокоскоростная установка для синтеза различных полупроводниковых слоев и экспериментально получены на ней пленки теллурида кадмия (CdTe) необходимой толщины в несколько микрон с гладкой зеркальной поверхностью и исследованы их основные свойства. Отличительной особенностью нашей разработки является относительная простота и надежность технологии МН в сочетании с оригинальным, защищенным патентом, ее решением, дающем возможность устранить главный недостаток метода МН, а именно, повысить скорость роста слоев более чем на порядок. Стоимость ноу-хау разработки (плюс цена патента ЕС, если партнер-заказчик посчитает целесообразным его сделать) составляет 120 млн руб. в нынешних ценах.
Для выполнения работ с целью получения слоев КРТ толщиной в несколько микрон необходимо:
- доработать высокоскоростную установку для использования ее в целях промышленного применения для роста структур КРТ - стоимость работ 70 тыс. евро;
- приобретение расходных материалов на сумму около 20 тыс. евро
- оплата работы 9 специалистов со средней зарплатой 1500 евро в месяц.
Первые результаты по созданию структур КРТ будут представлены через 1 год.
Полный цикл работ по созданию прототипа промышленной установки для создания слоев, пригодных к применению в ИК- приемниках, - 3 года. 3. Электронная нанотомография в растровых электронных микроскопах.
В формировании изображения поверхности образцов в растровых электронных микроскопах (РЭМ) важную роль играют обратнорассеянные электроны (ОРЭ).
Значительный интерес вызывает возможность использования ОРЭ для анализа образцов по глубине. Оптимальным считают метод, основанный на разделении ОРЭ по энергии.
Однако, распространению этого метода препятствуют технические проблемы - так необходимо размещение в камере РЭМ высоковольтного фильтра-анализатора, существенное (на несколько порядков) увеличение тока пучка по сравнению со стандартным режимом и т.д. Выполнение этих требований ограничивает функциональные возможности РЭМ.
Реализация предлагаемого нами метода не требует конструктивных изменений камеры РЭМ и не ограничивает возможности использования прибора для решения других задач. В основе метода лежит использование зависимости диаграммы эмиссии ОРЭ и их пространственного распределения от плотности и элементного состава слоев, пересекаемых ОРЭ. Измеряемые характеристики сравниваются с полученными путем моделирования рассеяния электронов в образцах с варьируемым распределением состава по глубине. При изменении ускоряющего напряжения в анализ вовлекаются слои, находящиеся на различной глубине. Предельная глубина анализа определяется "информационной глубиной " ОРЭ и для кремния при типичных ускоряющих напряжениях составляет около 1 мкм.
Испытания, проведенные на массивных подложках, в том числе на кремнии и арсениде галлия, с двухслойным покрытием, а также анализ модели показали возможность различения материала подложки и определения толщины покрытия с разрешением по глубине 10...100 нм. Разрешение по горизонтали зависит от различных параметров, включая особенности 3D-структуры образца, и должно рассматриваться применительно к конкретной системе.
Предлагаемый нами метод может найти применение для неразрушающей диагностики многослойных структур, включая определение толщины и плотности слоев, выявление подповерхностных включений материалов с другой плотностью, оценке качества межсоединений и т.д.
Цель 3 проекта - при помощи специального программного продукта трансформировать электронный микроскоп в электронный нанотомограф.
Уникальность - данная технология позволит изучать не только поверхность, но и внутреннюю структуру объекта, не разрушая его. Суть проекта - разрабатывается програмный продукт и создается библиотека (база) данных, которые позволяют заглянуть внутрь нанообъектов, выявить их структуру и материалы, из которых эти структуры сделаны.
Стоимость проекта - 450 тыс. евро, средства все сразу не нужны и могут выделяться по согласованному графику.
Срок выполнения работ - 1 год создание программного продукта пригодного тк установке на все типы РЭМ + 1 - 1,5 года наработка базы данных.
4. Высокоэффективный квазинепрерывный излучатель пикосекундных импульсов терагерцового диапазона
Области применения:
1. Безопасность и разведка
* Проверка пассажиров на наличие взрывчатки и оружия (Терагерцовая томография динамических сцен)
* Проверка багажа
* Проверка почтовых отправлений
* Обнаружение мин
* Определение положения водяных знаков в деньгах
* Чтение перекрытого или закрашенного текста 2. Медицина
* Ранняя диагностика поверхностных злокачественных новообразований * Стоматология 3. Производство
* Полимерных составов
* Исследование внутренних цепей в упакованных интегральных схемах
* Конечный контроль упакованной продукции
* Контроль качества при производстве пищи
За последнее время с 2008 по 2010г. в технике терагерцовой генерации нами был достигнут каскад успехов, связанных с привлечением ряда новых органических сред, обладающих чрезвычайно высокой электрооптической и нелинейной оптической восприимчивостью (2). Заявляемые значения достигнутых эффективностей преобразования находятся в области значений, ожидаемых для метода генерации, предложенного в нашем проекте. Ясно, что в создавшейся ситуации выбор направления работ должен определяться, исходя из анализа конечной стоимости излучателя и дополнительных преимуществ в наборе актуальных характеристик системы в целом. Однако такой анализ потребует времени и средств для тщательной проработки. В связи с этим, мы предлагаем потенциальным инвесторам и заказчикам:
* Ввести в план работ нулевой этап со сроком выполнения 1 год и ценой 15,0 млн.руб. с задачей выбора оптимальных технологических путей и технических схем создания ТНz- излучателя для задач, перечисленных в первом разделе Областей применения. * Зарезервировать необходимые для выполнения проекта по созданию ТНz- излучателя средства в объеме, предусматривающем приобретение недостающего у исполнителей технологического и аналитического оборудования и оплату труда исполнителей в объеме 170 млн.р. * Принять решение о развертывании (или не развертывании) работ по созданию THz-излучателя силами заявителя на основании результатов нулевого этапа и в случае положительного решения активировать зарезервированные средства.
(стоимость работ указана в Рублях РФ в связи с размещением научных лабораторий корпорации на территории СПб РФ, оплата в Евро или Долларах США производится по курсу ЦБ РФ на день зачисления средств на банковский счет исполнителя проектов).
Указанный проект во всех направлениях предлагаем рассматривать как оферту к ведению переговоров в той части технологий, применение которой Вас заинтересовало.
Председатель правления
Hood River Suomi Oy. Sergey Chikishev.
1
Автор
hoodriver
Документ
Категория
Без категории
Просмотров
84
Размер файла
254 Кб
Теги
направления, деятельности, презентация
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа