close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

Модули оперативной памяти

код для вставкиСкачать
Модули оперативной памяти
Стандарты памяти
DDR 1
PC-3200 (DDR 400 МГц)
PC-2700 (DDR 333 МГц)
PC-2100 (DDR 266 МГц)
DDR 2
PC2-6400 (DDR2 800 МГц)
PC2-5300 (DDR2 667 МГц)
PC2-3200 (DDR2 400 МГц)
DDR 3
PC3-22400 (DDR3 2800 МГц)
PC3-19200 (DDR3 2400 МГц)
PC3-17000 (DDR3 2133 МГц)
PC3-16000 (DDR3 2000 МГц)
PC3-15000 (DDR3 1866 МГц)
PC3-12800 (DDR3 1600 МГц)
PC3-10600 (DDR3 1333 МГц)
PC3-8500 (DDR3 1066 МГц)
DDR 4
PC4-19200 (DDR4 2400 МГц)
PC4-17000 (DDR4 2133 МГц)
Характеристики памяти DDR3
Стандартное
название
Частота
памяти, МГц
Время цикла, Частота
нс
шины, МГц
Эффективная
(удвоенная)
Название
скорость,
модуля
млн.
передач/с
DDR3-800
DDR3-1066
DDR3-1333
DDR3-1600
DDR3-1866
DDR3-2133
DDR3-2400
100
133
166
200
233
266
300
10,00
7,50
6,00
5,00
4,29
3,75
3,33
800
1066
1333
1600
1866
2133
2400
400
533
667
800
933
1066
1200
PC3-6400
PC3-8500
PC3-10600
PC3-12800
PC3-14900
PC3-17000
PC3-19200
Пиковая
скорость
передачи
данных при 64битной шине
данных в
одноканальном
режиме, МБ/с
6400
8533
10667
12800
14933
17066
19200
Латентность оперативной памяти
Латентность (англ. CAS Latency, CL; жарг. тайминг) — временна́я задержка сигнала. В просторечии эти
временны́е задержки называют — тайминги и для краткости записывают в виде трех чисел, по порядку:
CAS Latency, RAS to CAS Delay и RAS Precharge Time. Они могут принимать значения от 2 до 13. От них в
значительной степени зависит пропускная способность участка «процессор-память» и, как следствие,
быстродействие системы.
Мера таймингов — такт. Таким образом, каждая цифра в формуле 2-2-2 означает задержку сигнала для
обработки, измеряемая в тактах системной шины. Если указывается только одна цифра (например, CL2),
то подразумевается только первый параметр, то есть CAS Latency.
Иногда формула таймингов для памяти может состоять из четырёх цифр, например 2-2-2-6. Последний
параметр называется «DRAM Cycle Time Tras/Trc» и характеризует быстродействие всей микросхемы
памяти. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных
(tRAS — RAS Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления
ряда (tRC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).
Производители обычно снабжают свои чипы, на основе которых построена планка памяти, информацией о
рекомендуемых значениях таймингов, для наиболее распространенных частот системной шины.
Просмотреть эту информацию можно, например, программой CPU-Z.
С точки зрения пользователя, информация о таймингах позволяет примерно оценить производительность
оперативной памяти, до её покупки. Таймингам памяти поколения DDR придавалось большое значение,
поскольку кеш процессора был относительно мал и программы часто обращались к памяти. Таймингам
памяти поколения DDR3 уделяется гораздо меньше внимания, поскольку современные процессоры
(например AMD Bulldozer, Trinity и Intel Core i5, i7) имеют сравнительно большие L2-кэши и снабжены
огромным L3-кэшем, что позволяет этим процессорам гораздо реже обращаться к памяти, а в некоторых
случаях программа целиком помещается в кеш процессора.
L (CAS-latensy) – CAS-задержка - это ожидание между импульсом CAS и началом
считывания. Другими словами, количество тактов необходимое на чтение ячейки,
если нужная строка уже открыта.
T RCD (Row Address to Column Address Delay) – задержка между RAS и CAS
импульсами. Тайминг показывает время между открытием строки и открытием
столбца.
T RP (Row Precharge Time). Данный тайминг — задержка между импульсом на
закрытие активной строки и RAS импульсом на открытие следующей.
Сумма этих таймингов характеризует задержку между чтением конкретной ячейки
памяти, если открыта другая строка.
Производители чаще всего указывают именно эти три параметра, но иногда
можно увидеть четвертый - T RAS.
T RAS (Row Active Time) – количество тактов между RAS-импульсом и импульсом
закрывающим строку (Precharge), то есть время обновления строки. Как правило
T RAS равен трем предыдущим таймингам.
Иногда можно повстречать запись типа 6-6-6-18-24. Здесь пятое число
обозначает тайминг Command rate — задержка между импульсом на выбор
микросхемы в модуле памяти и активацией строки.
Тип памяти
DDR SDRAM
ECC (англ. error-correcting code, код коррекции
DDR2
ошибок) — данные, присоединяемые к каждому
передаваемому сигналу, позволяющие
DDR2 ECC
принимающей стороне определить факт сбоя и (в
DDR3
некоторых случаях) исправить несущественную
LV DDR3
ошибку.
DDR3 ECC
LV (Low Voltage) память с низковольтным питанием
LV DDR3 ECC
DDR4
Registered DDR
Registered DDR3
LV Registered DDR3
Registered DDR4
Registered DDR2
FB-DIMM
Registered память
(регистровая память)
Регистровая память (англ. Registered Memory, RDIMM, иногда buffered memory) — вид
компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами
памяти и системным контроллером памяти. Наличие регистров уменьшает электрическую
нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.
Регистровая память является более дорогой из-за меньшего объема производства и наличия
дополнительных микросхем. Обычно используется в системах, требующих
масштабируемости и отказоустойчивости в ущерб дешевизне (например в серверах). Хотя
большая часть модулей памяти для серверов является регистровой и использует ECC,
существуют как регистровые модули без ECC так и модули с ECC но без регистров (UDIMM
ECC).
Из-за использования регистров возникает дополнительная задержка при работе с памятью.
Каждое чтение и запись буферизуются в регистре на один такт, прежде чем попадут с шины
памяти в чип DRAM, поэтому регистровая память считается на один такт более медленной
чем нерегистровая (UDIMM, unregistered DRAM). Для памяти SDRAM, эта задержка
существенна только для первого цикла в серии запросов (burst).
Буферизации в регистровой памяти подвергаются только сигналы управления и выставления
адреса.
Буферизованная память (Buffered memory) — более старый термин для обозначения
регистровой памяти.
Некоторые новые системы используют полностью буферизованную память FB-DIMM, в
которой производится буферизация не только управляющих линий, но и линий данных при
помощи специального контроллера AMB, расположенного на каждом модуле памяти.
Техника регистровой памяти может применяться к различным поколениям памяти, например:
DDR DIMM, DDR2 DIMM, DDR3 DIMM
FB-DIMM
Fully Buffered DIMM, FB-DIMM (Полностью буферизованная DIMM) — стандарт
компьютерной памяти, который используется для повышения надежности,
скорости, и плотности подсистемы памяти. В традиционных стандартах памяти
линии данных подключаются от контроллера памяти непосредственно к линиям
данных каждого модуля DRAM (иногда через буферные регистры, по одной
микросхеме регистра на 1–2 чипа памяти). С увеличением ширины канала или
скорости передачи данных, качество сигнала на шине ухудшается, усложняется
разводка шины. Это ограничивает скорость и плотность памяти. FB-DIMM
использует другой подход для решения этих проблем. Это дальнейшее развитие
идеи registered модулей — Advanced Memory Buffer осуществляет буферизацию
не только сигналов адреса, но и данных, и использует последовательную шину к
контроллеру памяти вместо параллельной.
Спецификации FB-DIMM, как и другие стандарты памяти, опубликованы JEDEC.
FB-DIMM была реализована только для чипов DDR2 SDRAM.
Что такое rank или ранг
у модулей памяти
Применительно к современным 64-битным модулям памяти это число означает количество
наборов микросхем, разрядность каждого из которого составляет в сумме 64 бита,
подключенных к управляющей линии Chip Select (выбор микросхемы).
Объясняя очень грубо, двухранговый модуль - это два логических модуля, распаянных на
одном физическом и пользующихся поочерёдно одним и тем же физическим каналом.
Четырёхранговый - то же самое, но уже в четырёхкратном масштабе. Бывают даже
восьмиранговые модули
Зачем и кому это нужно. Исключительно в серверах и тяжелых рабочих станциях, для
достижения максимального объёма оперативной памяти при ограниченном количестве
слотов. При этом суммарное количество этих самых rank на канал также ограничено (иногда
ограничение зависит от скорости), поэтому, при прочих равных условиях, двухранговый
модуль выгоднее четырёхрангового, поскольку создаёт меньшую нагрузку на чипсет.
Узнать этот параметр можно из документации на модуль памяти у производителя,
например у Kingston число рангов легко вычислить по буквам одной из трёх букв в середине
маркировки: S(Single - одногоранговая), D(Dual - двухранговая), Q (Quad - четырёхранговая).
Например:
KVR1333D3LS4R9S/4GEC
KVR1333D3LD4R9S/8GEC
KVR1333D3LQ8R9S/8GEC
Микросхема SPD
SPD - микросхема на модуле памяти DIMM, которая содержит все данные о
нем (в частности, информацию о быстродействии),необходимые для
обеспечения нормальной работы. Эти данные читаются на этапе
самотестирования компьютера, задолго до загрузки операционной системы и
позволяют настроить параметры обращения к памяти даже при
одновременном наличии в системе разномастных модулей памяти.
Некоторые материнские платы отказываются работать с модулями, на
которых не установлена микросхема SPD, однако такие модули сейчас очень
редки.
XMP
XMP - eXtreme Memory Profiles ("экстремальные профили памяти") - расширение
стандарта SPD, предложенное компанией Intel для модулей памяти стандарта
DDR3, чьи напряжение и тактовая частота могут отличаться от
стандартных.Получило большее распространение, чем аналогичная технология
nVidia EPP.
По сути, XMP представляет собой дополнительный по отношению к SPD набор
данных о доступных для модуля частотах, таймингах и напряжениях,
располагающийся в специальной микросхеме и считываемый BIOS компьютера на
начальном периоде загрузки, для этого требуется поддержка технологии XMP со
стороны материнской платы, иначе все необходимые данные для возможного
функционирования модуля при паспортных характеристиках придётся вводить
вручную.
Автор
kansel.vlad
Документ
Категория
Презентации по физике
Просмотров
125
Размер файла
368 Кб
Теги
оперативных, памяти, модуль
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа