close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

2814.Определение типа проводимости полупроводника

код для вставкиСкачать
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ
УЧРЕЖДЕНИЕ
ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
«ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
УНИВЕРСИТЕТ»
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТИПА ПРОВОДИМОСТИ
ПОЛУПРОВОДНИКА
Учебно-методическое пособие для вузов
Составители:
Л.Н. Владимирова,
Е.Н. Бормонтов,
В.И. Петраков
Издательско-полиграфический центр
Воронежского государственного университета
2009
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
Утверждено научно-методическим
26 марта 2009 г., протокол № 3
советом
физического
факультета
Рецензент доцент В.М. Кашкаров
Учебно-методическое пособие по дисциплине «Физические основы полупроводников и микроэлектроники» подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского
государственного университета.
Рекомендовано для студентов 3-го курса СПО.
Для специальности 210104 (2001) – Микроэлектроника и твердотельная
электроника
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
Все вещества в природе по своим электрофизическим свойствам могут быть разделены на три больших класса: металлы, полупроводники и
диэлектрики. Наиболее проста классификация веществ по их удельному
электрическому сопротивлению. У металлов эта величина лежит в преде-6
-4
лах от 10 до 10 Ом · см. Группа веществ с удельным сопротивлением от
-4
10
10 до 10 Ом · см может быть отнесена к полупроводникам. Наконец, ве10
щества с удельным сопротивлением более 10 Ом · см относятся к классу
диэлектриков.
Из приведенных данных видно, что резкого изменения в величине
удельного сопротивления при переходе от одного класса веществ к другому не существует. Для полупроводников и диэлектриков это отражает их
принципиальное качественное сходство. Более cущественно различаются
по своей природе металлы и полупроводники.
Рассмотрим механизм проводимости типичного полупроводника –
кремния (Si). Распределение электронов по состояниям в атоме кремния
следующее:
Si
(
(14) 1s 2 2 s 2 2 p 6 3s 2 3 p 2
)
Наивысшая валентность кремния, находящегося в IV группе Периодической системы, равна четырем. При образовании кристаллической решетки
кремния в результате полной гибридизации электронных 3s и 3p облаков
каждый атом кремния участвует в формировании четырех одинаковых ковалентных (парноэлектронных) связей. Схематически кристаллическая
решетка Si с ковалентным типом связи представлена на рис. 1а. Здесь в узле решетки находится атом кремния, которому принадлежат четыре валентных электрона, изображенные на рис. 1 черными точками.
В целом система, представленная на рис. 1а, электронейтральна. Если поместить ее в электрическое поле, то электрический ток в ней не воз3
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
никнет, так как все связи в решетке жестко направлены и насыщены, а свободные носители заряда отсутствуют.
Допустим, что под воздействием каких-то возмущений произошел
разрыв валентной связи, в результате чего электрон стал свободным. Из-за
разрыва связи и ухода электрона в этом месте сосредоточился нескомпенсированный положительный заряд. Такая незавершенная валентная связь
получила название дырки. Такая незавершенная валентная связь может
быть компенсирована электроном, перешедшим от соседнего атома кремния из-за разрыва одной из четырех его валентных связей. Следовательно,
дырка будет перемещаться по кристаллу путем последовательного перемещения электрона от атома к атому. Однако в целом система остается
электронейтральной, так как каждому образовавшемуся из-за разрыва связи положительному заряду – дырке соответствует свободный, перемещающийся по кристаллу электрон. На рис. 1б свободные электроны и дырки изображены соответственно черными и светлыми точками.
а
б
Рис. 1. Двумерное представление расположения связей в решетке кремния
(собственный полупроводник)
Полупроводник, в котором в результате разрыва валентных связей
образуется равное количество свободных электронов и незавершенных
связей – дырок, называется собственным. Проводимость собственного по4
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
лупроводника можно объяснить, если исходить из энергетических соображений. В твердом теле энергетическое состояние свободных электронов
отлично от состояния связанных электронов, что можно проиллюстрировать с помощью энергетической диаграммы, представленной на рис. 2.
Здесь Ec – минимальная энергия, которую может иметь свободный электрон. Возможные значения энергии свободных электронов образуют зону, которая называется свободной или зоной проводимости. Величина Eu
Рис. 2. Схематическое изображение энергетических
является максимальной
зон собственного полупроводника
энергией электронов в полностью завершенной зоне. Ниже Eu лежит спектр
энергий всех связанных валентных электронов, и эта зона называется заполненной или валентной зоной. Если все связи завершены, то все состояния в
валентной зоне заняты, и в зоне проводимости нет свободных электронов.
Для того, чтобы разорвать парноэлектронную связь, необходимо затратить определенную энергию. Величина этой энергии DEg на рис. 2 характеризует ширину запрещенной зоны полупроводника. Разрыв парноэлектронной связи на энергетической диаграмме равнозначен переводу
электрона из нижней (валентной) зоны в верхнюю (проводимости), в результате чего появляется электрон в зоне проводимости и свободная дырка
в валентной зоне. В этом случае свободный электрон обладает энергией,
большей той, которую он имел в связанном состоянии, на величину не менее энергии ширины запрещенной зоны.
5
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
Наряду с собственным полупроводником, практически беспримесным, существуют полупроводники, в которые специально введены определенного сорта примеси в контролируемых количествах. Такой полупроводник, называется примесным, а проводимость, созданная введенной
примесью, носит название примесной проводимости. Рассмотрим модель
механизма проводимости кремния, в котором один из атомов в узле кристаллической решетки замещен атомом элемента V группы – фосфора.
В решетке кремния четыре валентных электрона атома фосфора вместе
с четырьмя электронами ближайших атомов кремния объединены в парноэлектронные связи, как это схематически представлено на рис. 3а. Пятый
электрон не может реализовать свою валентную возможность, поэтому он
слабо связан с атомом фосфора, но при низких температурах локализован
около него. При повышении температуры этот электрон будет легко покидать атом примеси – фосфор и сможет свободно перемещаться по кристаллу.
Отдавший электрон атом примеси станет положительным ионом. В этом случае доминирующую роль в проводимости кристалла будут играть электроны,
и поэтому они называются основными носителями заряда, а дырки – неосновными носителями заряда. Такой полупроводник называется электронным, или донорным, или n-типа (n – negativ, отрицательный), а примесь,
отдающая электроны, носит название донорной.
а)
б)
Рис. 3. Схематическое изображение кристаллической решетки донорного (а)
и акцепторного (б) полупроводников
6
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
На энергетической диаграмме наличие примеси в решетке полупроводника будет характеризоваться появлением локального уровня, лежащего в запрещенной зоне. Так как при ионизации атома фосфора образуется
свободный электрон, и для его отрыва требуется значительно меньшая
энергия, чем для разрыва валентных связей кремния, то энергетический
уровень донорной примеси Ed должен располагаться в запрещенной зоне
на небольшой глубине под дном зоны проводимости (рис. 4а).
Рис. 4. Энергетическая диаграмма донорного (а) и акцепторного (б)
полупроводников
Пусть теперь в качестве примеси в кристаллическую решетку кремния внесен элемент третьей группы – бор. Поскольку высшая валентность
бора равна трем, то одна связь атома кремния в решетке будет не завершена из-за отсутствия у бора четвертого электрона (рис. 3б).
Незавершенную связь кремния с атомом бора за счет тепловой энергии может восстановить электрон, перескочивший от соседнего атома
кремния. При этом образуется отрицательный ион бора, а на месте отдавшего электрон атома кремния – свободная дырка, перемещающаяся от
атома к атому кремния и, следовательно, принимающая участие в проводимости кристалла. Примесь, захватывающая электроны, называется акцепторной. В таком полупроводнике основными носителями заряда будут
дырки, а электроны – неосновными носителями заряда. Полупроводник с
акцепторной примесью носит название дырочного, или акцепторного,
или p-типа (p – positiv, положительный).
7
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
На энергетической диаграмме, изображенной на рис. 4б, акцепторная
примесь имеет в запрещенной зоне энергетический уровень Ea , расположенный на небольшом расстоянии над потолком валентной зоны. При ионизации акцепторной примеси происходит переход электрона из валентной
зоны на уровень Ea , а в валентной зоне появляется незавершенная связь –
дырка, которая и является свободным носителем заряда.
В полупроводниках могут одновременно содержаться как донорные, так и акцепторные примеси. Такие полупроводники называются
компенсированными.
Определение типа проводимости является обязательной операцией в
процессе контроля качества полупроводниковых материалов. Наиболее
распространенным методом определения типа проводимости является
термоэлектрический метод (метод термозонда) и метод вольтамперной характеристики выпрямляющего контакта металла с полупроводником.
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МЕТОД
Метод основан на возникновении термо-ЭДС на концах полупроводника, находящихся при различных температурах.
Рассмотрим однородный полупроводник при наличии в нем градиента температуры. Средняя энергия носителей заряда и их концентрация будут больше там, где выше температура. Следовательно, градиент (перепад)
температуры в однородном полупроводнике приводит к градиенту средней
энергии носителей заряда и градиенту их концентрации, вследствие чего
возникает диффузионный поток носителей и появляется электрический
ток. В разомкнутой цепи в стационарном состоянии плотность тока в любой точке образца равна нулю. Это означает, что электрический ток, обусловленный градиентом температуры, компенсируется током, возникающим в электрическом поле при разделении зарядов. На образце возникает
термоэлектродвижущая сила (термо-ЭДС).
8
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
Знак термо-ЭДС определяется типом проводимости полупроводника.
В электронном полупроводнике основные носители – электроны – диффундируют от горячего конца образца к холодному, и на холодном конце
накапливается отрицательный заряд, а на горячем остается нескомпенсированный положительный заряд, обусловленный ионами донорной примеси. В дырочном полупроводнике, наоборот, на холодном конце скапливаются положительно заряженные дырки, а на горячем остается нескомпенсированный отрицательный заряд ионизированной акцепторной примеси.
Простейшее устройство для определения типа проводимости полупроводника термоэлектрическим способом показано на рис. 5. Образец помещен
на холодную металлическую пластину, а к верхней грани образца прижат нагретый зонд. К пластине и зонду подключается гальванометр с двусторонней
шкалой. Для образца с электронной проводимостью полярность и отклонение
стрелки гальванометра соответствуют изображенным на рисунке. В случае
дырочной проводимости полярность термо-ЭДС поменяется, и стрелка гальванометра отклонится в противоположную сторону.
Рис. 5. Устройство для термоэлектрического определения типа проводимости
полупроводника с помощью горячего зонда
Для веществ с высоким удельным сопротивлением, таких, как карбид кремния, используется устройство с горячей пластиной и холодным
точечным контактом.
9
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
МЕТОД ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ КОНТАКТА
МЕТАЛЛ–ПОЛУПРОВОДНИК
Наиболее
интересной
особенностью
контактов
металл-
полупроводник являются их выпрямительные свойства, впервые наблюдавшиеся в 1874 г. Брауном.
Типичные вольт-амперные характеристики (ВАХ) выпрямляющих
контактов показаны на рис. 6. Было выявлено, что если в контакте металл –
полупроводник n-типа проводимости полярность напряжения на металле
положительна (относительно полупроводника), то протекает ток, увеличивающийся экспоненциально с ростом приложенного напряжения. Иначе
говоря, контакт имеет малое сопротивление.
Рис. 6. ВАХ выпрямляющего контакта металл–полупроводник
для полупроводника n-типа (а) и p-типа (б)
Если изменить знак приложенного напряжения так, что металл будет
иметь отрицательную полярность, то величина тока будет мала, и в большом
интервале напряжений он не зависит от величины приложенного напряжения
(рис. 6а). Теперь контакт ведет себя как элемент с большим сопротивлением.
Для контакта металл–полупроводник p-типа проводимости влияние полярности напряжения меняется, т. е. состоянию низкого сопротивления соответствует отрицательное смещение на металле (относительно полупроводника), а
высокого сопротивления – положительное (рис. 6б).
10
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
Таким образом, если полярность напряжения независимо от типа полупроводника отсчитывать относительно металла (принято считать напряжение положительным, если металл смещен положительно относительно
полупроводника, и отрицательным в противоположном случае), то вид
ВАХ определяется типом проводимости полупроводника.
Отметим, что не все контакты металл–полупроводник обладают выпрямительными свойствами, т. е. можно создать контакт с малым сопротивлением, вольтамперные характеристики которых подчиняются обычному закону Ома. Наиболее четко несимметричные ВАХ и, следовательно,
выпрямляющие контакты получаются на шлифованных, обезжиренных и
протравленных образцах.
Рассмотрим физическую модель контакта металл–полупроводник и
проанализируем условия получения выпрямляющего контакта. При непосредственном контакте металла с полупроводником уровни Ферми этих
материалов при термодинамическом равновесии должны совпадать.
Рис. 7. Диаграммы энергетических зон контакта металл–полупроводник n-типа
На рис. 7 показаны энергетические диаграммы для идеального контакта металла с полупроводником n-типа при отсутствии поверхностных
состояний.
На первом слева рисунке металл и полупроводник не приведены в
соприкосновение друг с другом, и система не находится в термодинамическом равновесии. Если затем их электрически соединить (привести в кон11
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
такт), то из полупроводника в металл перетечет некоторый заряд и установится термодинамическое равновесие. При этом уровни Ферми в обоих
материалах сравняются, т. е. уровень Ферми в полупроводнике понизится
относительно уровня Ферми в металле на величину, равную разности термодинамических работ выхода. Напомним, что
1) термодинамической работой выхода называется разность
энергий между уровнем вакуума и уровнем Ферми. Для металла эта величина составляет qjm ( jm измеряется в вольтах), а в полупроводнике она
æ
равна j s = qçç c +
è
DEg
ö
± y B ÷÷ ,
2q
ø
где c – электронное сродство,
DEg – ширина запрещенной зоны полупроводника, а
y B – разность между уровнем Ферми E f
и положением уровня
Ферми в собственном полупроводнике Ei ,
для полупроводника n-типа перед y B берется знак «–»,
для p-типа – знак «+»,
2) электронное сродство – разность между энергией дна зоны
проводимости Ec и уровнем вакуума,
æ
3) разность j m - çç c +
è
DEg
ö
± y B ÷÷ º j ms называется контактной разно2q
ø
стью потенциалов.
Показанная на рис. 7 ситуация соответствует условию j s < jm . Поэтому, по мере уменьшения заряда между металлом и полупроводником
(уменьшения расстояния d ), ток термоэлектронной эмиссии будет создавать на поверхности металла отрицательный заряд. При этом в полупроводнике образуется равный ему по величине положительный заряд. Вследствие относительно низкой концентрации носителей этот положительный
заряд распределен в некоторой области вблизи поверхности полупровод12
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
ника W , которую называют приповерхностной областью пространственного заряда (ОПЗ) полупроводника. Когда расстояние становится сравнимым
с межатомными расстояниями, имеет место предельный случай, показанный на рис. 7 справа. Очевидно, что высота барьера в этом случае равна
разности между работой выхода металла и электронным сродством полупроводника
qj B n = q (jm - c ) .
(1)
При идеальном контакте между металлом и полупроводником p-типа
высота барьера qj B n определяется аналогичным выражением
qj B p = DEg - q(j m - c ) .
(2)
Для данного полупроводника и любого металла сумма высот барьеров на
образцах n- и p-типа должна, таким образом, быть равной ширине запрещенной зоны, т. е.
q (j B n + j B p ) = DEg .
В рассмотренном случае контакт осуществляется с полупроводником
n-типа при соотношении j s < jm . Аналогично могут существовать случаи
контакта с полупроводником n-типа, но при соотношении j s > jm и с полупроводником p-типа при j s > jm и j s < jm . Искривление энергетических зон
для всех этих случаев показано на рис. 8.
В случаях, представленных на рис. 4а,г, в приконтактном слое концентрация свободных основных носителей заряда меньше, чем в объеме
полупроводника, т. е. удельное сопротивление обедненного слоя выше,
чем удельное сопротивление исходного материала. Такой слой называют
запирающим, а соответствующий контакт – выпрямляющим (контакт
Шоттки).
В случаях, представленных на рис. 8б,в, приконтактные слои, наоборот, оказываются обогащенными свободными носителями заряда. Такие
слои называют антизапирающими.
13
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
Рис. 8. Образование запирающего и антизапирающего слоев в области контакта металла с полупроводниками различного типа электропроводности при различном
соотношении работ выхода
Рассмотренные приконтактные слои находились в равновесии, т. е.
уровни Ферми в металле и полупроводнике были равны.
Теперь приложим к выпрямляющему контакту металл – полупроводник внешнее электрическое поле, т. е. подключим к этому контакту источник питания с напряжением V . Тогда, если мы включим источник питания
так, чтобы минус был на полупроводнике, а плюс – на металле (т. е., чтобы
было V > 0 ), то уровень Ферми в полупроводнике будет на eV выше, чем в
металле (рис. 9а,б).
Края зоны проводимости и валентной зоны в объеме полупроводника занимают определенное положение относительно уровня Ферми. Следовательно, сдвиг уровня Ферми на величину eV в объеме полупроводника
приведет к уменьшению на эту же величину ( eV ) высоты энергетического
барьера в полупроводнике n-типа (рис. 9а) и к соответствующему увеличению барьера в полупроводнике p-типа (рис. 9б).
14
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
Таким образом, положительное смещение V > 0 оказывается прямым
для контакта к полупроводнику n-типа и обратным – к полупроводнику pтипа. Для отрицательного смещения V < 0 наблюдается обратная ситуация
(рис. 9в,г). Данное обстоятельство и объясняет качественную картину
вольт-амперных характеристик (ВАХ), представленных на рис. 6. Для
электронов, двигающихся из металла в полупроводник, высота барьера остается неизменной, величина соответствующего тока не зависит от приложенного напряжения.
Рис. 9 Диаграммы энергетических зон контактов металла с полупроводниками
n- и p-типа при различных условиях: а, г – прямое смещение, б, в – обратное смещение
.
15
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
ПРАКТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
1. Измерительная установка
Схема измерительной установки представлена на рис. 10.
Рис. 10. Схема измерительной установки: 1 – гальванометр, 2 – зонд, 3 – нагреватель, 4 – образец, 5 – металлический столик, 6 – осциллограф
Для определения типа проводимости методом термозонда переключатель должен быть установлен в положение «Зонд», для снятия вольтамперной характеристики – в положение «ВАХ». Вольт-амперная характеристика снимается на переменном сигнале f = 50 Гц и регистрируется на
экране осциллографа.
2. Методика измерений
1. Образцы для измерений, предложенные преподавателем, подготовить в соответствии с методикой предварительной обработки образцов.
2. Подключить к макету измерительной установки осциллограф.
3. Включить осциллограф и макет (тумблер «Сеть»).
4. Переключатель «Зонд – ВАХ» поставить в положение «ВАХ».
5. После прогрева настроить осциллограф таким образом, чтобы при
поднятом зонде (ток через зонд отсутствует) на экране наблюдалась прямая, совпадающая с осью X, а при контакте зонда с металлической пластиной (падение напряжения между ними отсутствует) – прямая, совпадающая с осью Y.
16
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
6. Закрепить один из образцов контактной пружиной на столике,
опустить зонд на поверхность полупроводника и убедиться в наличии контакта между зондом и образцом.
7. Зарисовать осциллограмму вольт-амперной характеристики контакта металл – полупроводник.
8. Переключить тумблер «Зонд – ВАХ» в положение «Зонд», убедиться в разарретировании гальванометра и через 3–5 минут (время, необходимое для нагрева термозонда) отметить направление отклонения гальванометра.
9. Учитывая полярность гальванометра и последовательность его
включения, определить тип проводимости полупроводника.
10. Результаты свести в таблицу:
№ образца
Вид вольт-амперной
Направление откло-
характеристики
нения гальванометра
(«+» или «–»)
(«+» или «–»)
Тип проводимости образца
1
2
11. Сделать выводы по результатам проделанной работы.
17
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Какой полупроводник мы называем собственным и какой примесным?
2. Как получить полупроводник n-типа?
3. Как ведет себя акцепторная примесь в решетке кремния?
4. Что такое компенсированный полупроводник?
5. Как определить тип проводимости полупроводника с помощью
термозонда?
6. При каких условиях образуется запорный слой при контакте металла с полупроводником?
7. Нарисуйте
энергетическую
диаграмму
контакта
металл–
полупроводник в случае образования антизапорного слоя.
8. Каким образом может быть получена осциллограмма вольтамперной характеристики контакта металл–полупроводник?
9. Как определить тип проводимости полупроводника по виду
вольтамперной характеристики контакта металл–полупроводник?
ЛИТЕРАТУРА
1. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников / В.И. Фистуль. – М. : Высш. школа, 1984. – С. 115–118, 212–219.
2. Шалимова К.В. Физика полупроводников / К.В. Шалимова. – М. :
Энергоатомиздат, 1985. – С. 177–183, 248–258.
3. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков /
П.Т. Орешки. – М. : Высш. школа, 1977. – С. 110–116, 171–189.
4. Бонч-Бруевич В.Л. Физика полупроводников : учебное пособие
для студ. физич. специальностей вузов / В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. – М. : Наука Глав. ред. физ.-мат. лит-ры, 1990. – 685 с.
18
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
Учебное издание
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТИПА ПРОВОДИМОСТИ
ПОЛУПРОВОДНИКА
Учебно-методическое пособие для вузов
Составители:
Владимирова Людмила Николаевна,
Бормонтов Евгений Николаевич,
Петраков Владимир Иванович
Подписано в печать 28.04.09. Формат 60×84/16. Усл. печ. л. 1,04.
Тираж 50 экз. Заказ 721.
Издательско-полиграфический центр
Воронежского государственного университета.
394000, г. Воронеж, пл. им. Ленина, 10. Тел. 208-298, 598-026 (факс)
http://www.ppc.vsu.ru; e-mail: pp_center@ppc.vsu.ru
Отпечатано в типографии Издательско-полиграфического центра
Воронежского государственного университета.
394000, г. Воронеж, ул. Пушкинская, 3. Тел. 204-133
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа