close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

lab23

код для вставкиСкачать
Министерство образования Республики Беларусь
Учреждение образования
"Брестский государственный технический университет"
Кафедра АТПиП
Лабораторная работа №2
"Исследование статических характеристик биполярных и полевых транзисторов"
Выполнил:
студент III курса,
факультета ЭИС,
группы Э-47
Богукалец С.Н.
Проверил:
Смаль А. С.
Брест 2013г.
"Исследование статических характеристик биполярных и полевых транзисторов"
Цель работы: изучение принципа действия биполярных и полевых транзисторов различных типов; освоение методики получения входных и выходных вольт-амперных характеристик транзисторов и расчёта их основных параметров.
Порядок выполнения работы:
Задание 1: Получение входных и выходных вольт-амперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Транзистор Q2N3932.
а) собрать схему для получения ВАХ биполярного транзистора (см. рис. 1) и задать указанный преподавателем тип исследуемого транзистора. Рисунок 1. Схема для получения входных и выходных ВАХ биполярного транзистора
б) Снять зависимости Iб(Uбэ)|Uкэ=const, изменяя ток Iб = (0; 1; 2; 5; 10; 20; 50; 100...) мкА и измеряя соответствующие значения входного напряжения UБЭ, для двух значений выходного напряжения UКЭ1 = 10В и UКЭ0 = 0; результаты свести в таблицу; Taблица 1. Зависимости Iб(Uбэ)|Uкэ=const Uкэ=10 ВUкэ=0 ВIб, мкАUбэ, мВIб, мкАUбэ00,011001454,41329,92480,92353,25508,95379,910528,210398,820546,820417,250570,950441,2100589100459,3200607200477,2
в) снять зависимости Iк(Uкэ)|Iб=const , последовательно устанавливая значения выходного напряжения Uкэ=(0; 0,1; 0,2; 0,5; 1,0; 2; 5; 15) В и измеряя соответствующие значения Iк ; результаты свести в таблицу 2;
Taблица 2. Зависимости Iк(Uкэ)|Iб=const
Iб=50мкАIб=100мкАIб=150мкАIб=200мкАIк, мАUкэ, ВIк, мАUкэ, ВIк, мАUкэ, ВIк, мАUкэ, В-0,0490-0,0980-0,1480-0,19801,460,12,640,13,640,14,530,14,670,27,750,210,220,212,340,24,920,58,140,510,710,512,910,54,9518,18110,76112,971528,26210,87213,1125,1558,51511,19513,4955,64159,321512,271514,7915
г) построить входные Iб(Uбэ)|Uкэ=const и выходные Iк(Uкэ)|Iб=const характеристики БТ, с помощью которых рассчитать h -параметры в произвольно выбранной рабочей точке.
h11э=∆UБЭ/∆IБ=(600мВ-568мВ)/(150мкА-0мкА)=213 Ом;
h12э=∆U'БЭ/∆UКЭ=(590мВ-460мВ)/(10В-0В)=0,013;
h21э=∆IК/∆IБ=(11,2 мA-5,2 мA)/(150 мкА-50 мкА)=60;
h22э=∆ IК '/∆UКЭ=(9,3мA-8,2мA)/(14,4B-0,4B)=0,078 мСм;
Задание 2: Получение статических вольт-амперных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
а) собрать схему (рис.2) для получения статических ВАХ полевого транзистора (модель транзистора задаётся преподавателем); Полевой транзистор BF861B
Рисунок 2. Схема для получения ВАХ ПТ
б) при одном значении Uси=(6...8) В снять зависимость Ic(Uзи)|Uси=const, измеряя значения тока стока Ic при изменении напряжения Uзи от 0 В до Uзи отс =1.4 В, значения напряжения, при котором ток стока уменьшится до 1 мкА; результаты (не менее десяти измерений) свести в таблицу;
Таблица 3. Зависимость Ic(Uзи)|Uси=const
Uси=6ВUзи, мВIс, мА06,743505,7631004,8551504,0212003,262502,5763001,9683501,4394000,994500,6235000,3395500,146000,027
в) при Uзи = Uзи отс х(0; 0.25; 0.5; 0.75) снять зависимость Ic(Uси)|Uзи=const, последовательно устанавливая значения напряжения Uси=( 0; 0,1; 0,2; 0,5; 1,0; 2; 5; 15) В и измеряя соответствующие значения Iс ; результаты свести в таблицу;
Таблица 3. Зависимость Ic(Uси)|Uзи=const
Uзи=0ВUзи=150мВUзи=300мВUзи=450мВUси, ВIc, мАUси, ВIc, мАUси, ВIc, мАUси, ВIc, мА000000000,11,470,11,130,10,7640,10,380,22,730,22,030,21,280,20,490,55,130,53,250,51,580,50,515,5813,3111,6210,51125,8223,4621,6920,53356,5153,8851,950,601158,76155,249152,58150,823
в) построить стоко-затворную Ic(Uзи)|Uси=const и выходные Ic(Uси)|Uзи=const ВАХ, с помощью которых определить крутизну Sнач , дифференциальное сопротивление rси и коэффициент усиления µ полевого транзистора.
Sнач=∆Iс/∆Uзи=6,7 мА/ 340мВ = 0,019 А/В;
rси=∆Ucи /∆Iс=(14,4В - 1,2В)/(2,6 мА - 1,6 мА)=13200 Ом;
µ=-Srси=
Вывод: изучили принцип действия биполярных и полевых транзисторов; освоили методику получения входных и выходных вольт-амперных характеристик транзисторов и рассчитали основные параметры транзисторов.
Документ
Категория
Рефераты
Просмотров
8
Размер файла
109 Кб
Теги
lab23
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа