close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

Курсовая Схемотехника - Николайчук

код для вставкиСкачать
Федеральное агентство связи
ФГОБУ ВПО "Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики"
Уральский технический институт связи и информатики (филиал)
РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЕЙ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Курсовая работа по дисциплине "Схемотехника аналоговых электронных устройств"
Пояснительная записка
111111 000000 027 ПЗ
Руководитель:Матвиенко В.А.канд. техн. наук, доцент
Выполнил:Студент группы ВЕ-11бНиколайчук А.В.
Екатеринбург, 2013 г.
Оглавление
Введение3
1.Основные параметры и характеристики4
2.Выбор режима работы транзистора7
3.Расчет делителя в цепи базы9
4.Определение h-параметров усилителя по его статическим характеристикам10
5.Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора.13
6.Расчет основных параметров каскада15
7.Оценка нелинейных искажений каскада16
8.Выбор резисторов и кондесаторов19
9.Заключение21
Введение
Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины "Схемотехника аналоговых электронных устройств", в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а так же в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.
В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого рассчитать величины элементов эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графо-аналитическим методом определить параметры усилительного каскада.
Основные параметры и характеристики
Задание к курсовой работе
Тип транзистораКТ301ЖНапряжение источника питания, Eп15 ВСопротивление цепи К, Rк2.4 кОмСопротивление нагрузки, Rн3.3 кОм∆Iб7 мкА
Характеристики используемого транзистора
Проектируемое устройство основано на биполярном транзисторе КТ301Ж. Транзистор типа КТ301Ж - кремниевый планарный n-p-n транзистор, предназначенный для усиления и генерирования колебаний частотой до 60 МГц. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,5 г. Табл.1 Электрические параметры:
Наименование
ОбозначениеЗначенияРежимы измерениямини -мальноемакси -мальноеUK, ВUЭ, ВIK, мАIБ, мАIЭ, мАf, МГцОбратный ток коллектора, мкА1020Обратный ток эмиттера, мкА103Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В310110-5Напряжение насыщения база - эмиттер, В2,510110-6Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте1,5101,520Статистический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ80300103Выходная проводимость в режиме малого сигнала в схеме с ОБ, мкСм310310-3Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк21022Максимальная частота генерации, МГцtmax60103
Табл.2 Максимально допустимые параметры:
IK max - постоянный ток коллектора, мА10IЭ max - постоянный ток эмиттера, мА10UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер - база, В3UКЭК max - постоянное напряжение коллектор - эмиттер при к.з. между Э и Б, В20PK max - постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Tk = -55..+60 °C, мВт150Тп max - температура перехода, °C120Rт, п-н - тепловое сопротивление переход - корпус, °C/мВт0,6Допустимая температура окружающей среды, °C-55...+85
При ТК = 60...85 °С PK max [мВт] = (120 - ТН) / 0,6.
Гарантируются при температуре окружающей среды Tc = -55...+85 °С.
Семейства входных и выходных характеристик:
Семейства входных и выходных характеристик транзистора представлены на рисунках 1 и 2.
Рис. 1 - Семейство входных характеристик транзистора.
Рис. 2 - Семейство выходных характеристик транзистора.
Документ
Категория
Рефераты
Просмотров
258
Размер файла
374 Кб
Теги
схемотехника, николайчук, курсовая
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа