close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

27 вопрос

код для вставкиСкачать
27. Емкость p-n перехода. Физическая сущность барьерной и диффузионной емкости. Вольт-фарадная характеристика p-n перехода.
1.7.5. Емкость р-n-перехода Изменение внешнего напряжения на p-n-переходе приводит к изменению ширины обедненного слоя, и соответственно, накопленного в нем электрического заряда (это также обусловлено изменением концентрации инжектированных носителей заряда вблизи перехода). Исходя их этого, p-n-переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого определяется как отношение изменения накопленного в p-n-переходе заряда к обусловившему это изменение приложенного внешнего напряжения.
Различают барьерную (или зарядную) и диффузионную емкость р-n-перехода.
Барьерная емкость соответствует обратновключенному p-n-переходу, который рассматривается как обычный конденсатор, где пластинами являются границы обедненного слоя, а сам обедненный слой служит несовершенным диэлектриком с увеличенными диэлектрическими потерями
,(1.19)где - относительная диэлектрическая проницаемость; - электрическая постоянная ; - площадь запирающего слоя; - толщина запирающего слоя.
Барьерная емкость возрастает при увеличении площади p-n-перехода и диэлектрической проницаемости полупроводника и уменьшении толщины запирающего слоя. В зависимости от площади перехода может быть от единиц до сотен пикофарад. Особенностью барьерной емкости является то, что она является нелинейной емкостью. При возрастании обратного напряжения толщина перехода увеличивается и емкость уменьшается. Характер зависимости показывает график на рис. 1.22. Как видно, под влиянием емкость изменяется в несколько раз.
Рис. 1.22. Зависимость барьерной емкости от обратного напряжения
Диффузионная емкость характеризует накопление подвижных носителей заряда в n- и p-областях при прямом напряжении на переходе. Она практически существует только при прямом напряжении, когда носители заряда диффундируют (инжектируют) в большом количестве через пониженный потенциальный барьер и, не успев рекомбинировать, накапливаются в n- иp-областях. Каждому значению прямого напряжения соответствуют определенные значения двух разноименных зарядов и , накопленных в n- и p-областях за счет диффузии носителей через переход. Емкость представляет собой отношение зарядов к разности потенциалов:
.(1.20) С увеличением прямой ток растет быстрее, чем напряжение, т. к. вольт-амперная характеристика для прямого тока имеет нелинейный вид, поэтому растет быстрее, чем и увеличивается.
Диффузионная емкость значительно больше барьерной, но использовать ее не удается, т. к. она шунтируется малым прямым сопротивлением p-n-перехода. Численные оценки величины диффузионной емкости показывают, что ее значение составляет несколько единиц микрофарад.
Таким образом, р-n-переход можно использовать в качестве конденсатора переменной емкости, управляемого величиной и знаком приложенного напряжения.
Документ
Категория
Разное
Просмотров
48
Размер файла
57 Кб
Теги
вопрос
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа