close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

36 вопрос

код для вставкиСкачать
36. Параметры МДП-транзистора (крутизна стоково-затворной характеристики, внутреннее сопротивление коэффициент усиления по напряжению, напряжение пробоя). 4.4. Основные параметры полевых транзисторов 1. Крутизна характеристики:
,(4.3)где - приращение тока стока; - приращение напряжения на затворе.
Крутизна характеризует управляющее действие затвора. Этот параметр определяют по управляющим характеристикам.
2. Внутреннее (выходное) сопротивление :
,(4.4)где - приращение напряжения стока; - приращение тока стока.
Этот параметр представляет собой сопротивление транзистора между стоком и истоком (сопротивление канала) для переменного тока. На пологих участках выходных характеристик достигает сотен и оказывается во много раз больше сопротивления транзистора по постоянному току .
3. Коэффициент усиления :
,(4.5) Коэффициент усиления показывает, во сколько раз сильнее действует на ток стока изменение напряжения затвора, нежели изменение напряжения стока, т. е. выражается отношением таких изменений и , которые компенсируют друг друга в результате чего ток остается постоянным. Для подобной компенсации и должны иметь разные знаки, что определяет наличие знака "-" в правой части выражения (4.5).
Эти три параметра (, , ) связаны между собой зависимостью:
,(4.6) 4. Входное сопротивление :
,(4.7)где - приращение напряжения на затворе; - приращение тока стока;
Поскольку током затвора является обратный ток p-n-перехода, который очень мал, то входное сопротивление оказывается очень большим, что является основным достоинством полевого транзистора.
5. Входная емкость между затвором и истоком , которая является барьерной емкостью p-n-перехода и может составлять единицы - десятки в зависимости от способа изготовления полевого транзистора.
Типовые значения параметров кремниевых полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом: ; ; ; .
Еще одним важным достоинством полевого транзистора является гораздо меньшая температурная зависимость по сравнению с биполярными транзисторами. Это связано с тем, что в полевом транзисторе ток вызван перемещением основных носителей, концентрация которых в основном определяется количеством примеси и поэтому мало зависит от температуры. Полевой транзистор обладает более высокой стойкостью к действию ионизирующего излучения. Недостатком полевых транзисторов является недостаточно высокая крутизна , что несколько ограничивает область их применения.
Документ
Категория
Разное
Просмотров
18
Размер файла
63 Кб
Теги
вопрос
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа