close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

Курсовой БТ с ОЭ вар 102

код для вставкиСкачать
 Вариант 102
Задание на курсовую работу
1.1.1. Выбрать транзистор по прил. 1, определить напряжение источника питания , рассчитать сопротивление резисторов и выбрать их номиналы по прил. 2. 1.1.2. Определить h-параметры , в рабочей точке транзисторного каскада, его входное и выходное сопротивления и .
1.1.3. Найти амплитуды напряжения и тока базы , , коэффициенты усиления каскада по току, напряжению и мощности , , и амплитуду напряжения источника сигнала .
1.1.4. Рассчитать емкости конденсаторов, выбрать их номиналы по прил. 2, 3.
Исходные данные
Сопротивление нагрузки , Ом180Амплитуда напряжения в нагрузке , В1.5Внутреннее сопротивление источника сигнала RG , Ом100Нижняя граничная частота fн, Гц50 Допустимые частотные искажения на граничных частотах принять .
Максимальная температура окружающей среды С.
РАСЧЁТ
Принципиальная электрическая схема транзисторного усилительного каскада с общим эмиттером (ОЭ) изображена на (рис. 1.1).
Рис. 1.1. Принципиальная электрическая схема усилительного каскада с ОЭ
Рассчитаем сопротивление резистора коллекторной цепи транзистора:
,
Т.к.  1 кОм, то выбираем равным 1.5, = 2,5*180= 450 Ом
Номинал резистора выбираем 470 Ом
Определяем эквивалентное сопротивление нагрузки каскада
= 130 Ом
Находим амплитуду коллекторного тока транзистора:
= 1,5В/130 Ом = 0,0115 А
Определить ток покоя (ток в рабочей точке) транзистора:
= 0,0115 А/0,8 = 0,014375 А
- коэффициент запаса выбираем равным 0,8
Рассчитываем минимальное напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке транзистора:
,
= 1В - для транзисторов малой мощности ( 150 мВт); = 2В - для транзисторов большой и средней мощности ( > 150 мВт). Выбираем = 2 В
= 1,5В+ 2 В = 3,5 В
Согласно методических указаний если меньше типового значения = 5В, то следует выбрать = 5В
Рассчитываем напряжение источника питания:
= (5В +0,014375 А*470 Ом)/0,8 = 14 В
Определить и выбрать номинал сопротивления резистора эмиттерной цепи транзистора:
= 0,2*14 В/0,014375 А = 194,7 Ом
По приложению подбираем резистор, = 200 Ом Проверим подходит ли КТ312А по параметрам. Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер , В15Максимальный постоянный ток коллектора , мА30Допустимая мощность рассеивания на коллекторе , мВт225Статический коэффициент усиления тока базы в схеме с ОЭ 10-100Максимальная температура перехода ,С115
Чтобы выбрать транзистор, рассчитаем а) максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: ;
15 В14 В (подходит)
б) максимально допустимый ток коллектора:
;
30 мА14,375 мА(подходит)
в) максимальная мощность рассеивания на коллекторе при наибольшей температуре окружающей среды : > 0,014375 А*5В
>71,875 мВт
= 225 мВт>71,875 мВт = = 187,5 мВт
= 25С; С ; = 115 С 187,5 мВт > 71,875 мВт (подходит)
Следовательно, транзистор КТ312А подходит
На выходных характеристиках транзистора строим нагрузочную прямую постоянного тока по точкам А и В с координатами:
точка А: ; = 14 В/(200 Ом+470 Ом) = 0,022 А;
точка В: = 14 В; = 0.
Строим прямую, определяем рабочую точку на пересечение нагрузочной прямой и прямой .
В рабочей точке =5,0 В, =14 мА,
т.к. рабочая точка на выходных характеристиках находиться на = 0,3 мА, то на входных харктеристиках находим пересечение и кривой при и =5,0 В. В данной точке = 0,47 В
Выбираем ток, протекающий через базовый делитель:
= 10*0,4 мА = 4 мА
Рассчитываем сопротивления и выбрать номиналы резисторов базового делителя , :
= (0,47 В+0,014 А*200Ом)/4 мА = 0,8175 кОм;
По приложению подбираем 0,82 кОм
= (14 В/(0,47 В+0,014 А*200Ом)-1)*0,82 кОм = 2,69 кОм
По приложению подбираем 2,7 кОм
Найти эквивалентное сопротивление базового делителя:
= (0,82 кОм*2,7 кОм)/(0,82 кОм+2,7 кОм) = 0,6289 кОм По приложению подбираем 6,2 кОм.
Определяем по входным характеристикам транзистора входное сопротивление транзистора в рабочей точке; задаём приращение около рабочей точки С, находим соответствующее ему приращение базового тока . Исходим из того, что что на выходных характеристиках видно, что = ±0,2 мА. Строим эти пределы на входной х-ке и получаем = 0,04В
Вычислить по формуле
= 0,04В/0,2мА = 0,2*103.
По выходным характеристикам транзистора определяем коэффициент передачи тока транзистора . Находим приращение коллекторного тока и соответствующее ему приращение базового тока при пересечении прямой соседних от рабочей точки С выходных характеристик (точки D, E на рис. 1.3):
= 3,5мА/0,2мА = 17,5
Определяем входное сопротивление каскада:
= (0,2*103*0,62 кОм)/(0,2*103+0,62 кОм) = 0,15 кОм
Находим выходное сопротивление каскада: 470 Ом.
Строим на выходных характеристиках транзистора нагрузочную прямую по переменному току, которая проходит через рабочую точку С и имеет наклон:
.
Наносим на выходные характеристики транзистора амплитуды напряжения =1,5 В (задано по условию) и коллекторного тока = 9,5 мА (получили построением), определяем амплитуду базового тока:
= 0,2 мА.
На входных характеристиках показать амплитуды базового тока и входного напряжения транзистора:
= 0,04 В. Определить коэффициенты усиления каскада по току, напряжению и мощности , , :
= 9,5мА/0,9В = 10,6*10-3 = 1/10,6*10-3 = 94 Ом
= 17,5*94/180 Ом = 9,1;
= 9,1*180 Ом/(100 Ом+186 Ом) = 5,7;
= 5,7*9,1 = 51,87
Рассчитать амплитуду напряжения источника сигнала:
= 1,5 В/51,87= 0,0289 В.
Чaстотные искажения в области нижних частот вносятся разделительными конденсаторами , и блокировочным конденсатором . Рекомендуется частотные искажения в области нижних частот равномерно распределить между конденсаторами , и :
= = 1,12
Рассчитать емкость конденсатора:
= 22 мкФ.
Выбраем номинал емкости конденсатора из прил. = 50 мкФ Определяем емкость конденсатора :
= 9,5 мкФ.
Выбраем номинал емкости конденсатора = 10 мкФ
Рассчитаем емкость блокировочного конденсатора :
= 65 мкФ.
Выбраем номинал емкости конденсатора = 100 мкФ
Выводы. В ходе выполнения курсовой работы был рассчитан усилительный каскад на БТ по схеме с общим эмиттером. По исходным данным был выбран транзистор КТ312А. Рассчитаны резисторы и конденсаторы схемы .
Список использованной литературы:
1. Баев, Н.Г. Электротехника в примерах и задачах/ Н.Г. Баев, Е.Я. Широкоступ, А.Ф. Шиян.  Мурманск: МГТУ, 2000.  163 с.
2. Бессонов, Л.А. Теоретические основы электротехники: учебник/ в 3-х т. М. : 2003. 752 с.
3. Борисов, Ю.М. Электротехника: учебник / Ю.М. Борисов, Д.Н. Липатов, Ю.Н. Зорин. −М. : Энергоатомиздат, 1985. 552 с.
4. Быховский, Ю.И. Рабочие тетради по электротехнике и основам электроники / Ю.И. Быховский, № 1 4. −Мурманск : МВИМУ, 1988-1993.
5. Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы : справочник / под ред. Н.Н. Горюнова. М. : Энергоатомиздат, 1984.  744 с.
6. Полупроводниковые приборы : транзисторы : справочник / под ред. Н.Н. Горюнова.  М. : Энергия, 1983.  904 с. 7. Расчет электронных схем. Примеры и задачи: Учебное пособие для вузов / Г.И. Изъюрова, Г.В. Королев, А.В. Терехов и др. М. : Высшая шк., 1987. 335 с.
Документ
Категория
Рефераты
Просмотров
34
Размер файла
473 Кб
Теги
102, вар, курсовой
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа