close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

Нелинейные колебательные системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур

код для вставкиСкачать
ФИО соискателя: Куликов Олег Николаевич Шифр научной специальности: 01.04.10 - физика полупроводников Шифр диссертационного совета: Д 212.101.17 Название организации: Кубанский государственный университет Адрес организации: 350040, г.Краснодар, ул.
 На правах рукописи
Куликов Олег Николаевич
НЕЛИНЕЙНЫЕ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ НА ОСНОВЕ ОДНО- И ДВУХПЕРЕХОДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
01.04.10 - Физика полупроводников
АВТОРЕФЕРАТ
диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Краснодар - 2012
Работа выполнена на кафедре физики и информационных систем
ФГБОУ ВПО "Кубанский государственный университет"
Научный руководитель:доктор физ.-мат. наук, профессор
Богатов Николай Маркович
Официальные оппоненты:Чижиков Владимир Михайлович
доктор физ.-мат. наук, профессор
заведующий кафедрой теоретической физики и компьютерных технологий ФГБОУ ВПО "Кубанский государственный университет"
Васильченко Александр Анатольевич
кандидат физ.-мат. наук, доцент
ФГБОУ ВПО "Кубанский государственный технологический
университет"
Ведущая организация: ФГАОУ ВПО "Северо-Кавказский
федеральный университет"
Защита состоится 7 декабря 2012 г. в 15 часов 30 минут на заседании диссертационного совета Д212.101.17 в по адресу ФГБОУ ВПО "Кубанский государственный университет", по адресу: 350040, г. Краснодар, ул. Ставропольская, д. 149, в ауд 231.
С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ФГБОУ ВПО "Кубанский государственный университет", по адресу: 350040, г. Краснодар, ул. Ставропольская, д. 149, с авторефератом - на сайте http://www.kubsu.ru/
Автореферат разослан ноября 2012 г.
Ученый секретарь
диссертационного совета,
кандидат физико-математических
наук, доцентБарсукова В.Ю.
Общая характеристика работы
Актуальность темы. Современная электроника, являющаяся основным средством обработки и передачи информационных потоков, развивается по двум основным направлениям: интегральной электроники или микроэлектроники, и функциональной электроники. Тенденции развития микроэлектроники обусловлены идеологией больших и сверхбольших интегральных схем и осуществляются в направлении освоения субнаносекундных интервалов времени и нанометровых размеров компонентов сверхвысоких уровней интеграции. Эти достижения, реализующиеся на основе транзисторной схемотехники, при использовании принципа технологической интеграции статических неоднородностей - потенциальных барьеров, к которым относятся легированные разными примесями полупроводниковые области активных компонентов интегральных схем, металлические и диэлектрические участки кристалла. Разработчики интегральных схем первого направления изыскивают возможности уменьшения размеров активных областей, способы обхода технологических и физических барьеров. С этой целью разрабатываются вертикальные структуры, в которых стараются разместить максимум элементов в минимальном пространстве. Активные и пассивные элементы схемы размещаются в объеме, и интегральная схема становится трехмерной.
Второе направление основано на полном отказе от понятия классических схемных элементов и непосредственном использовании физических явлений в твердом теле, связанных с кинетическими, квантовыми, механическими, тепловыми, излучательными и магнитными эффектами, а также явлений в жидких средах, связанных с электрохимическими процессами, для выполнения функций сложных электронных систем.
Эти явления являются физической основой функциональной электроники. Интеграция в функциональной электронике параметрическая, интегрируются функции преобразования, что исключает схемотехнический принцип их формирования, а, следовательно, компонентную и элементную их интеграцию. Физические процессы и явления, происходящие в твердом теле, используются для моделирования функций передачи и преобразования, определяемых способами обработки массивов информации.
Одним из направлений функциональной электроники - является негатроника. Эта область электроники связана с теоретическим рассмотрением и практической реализацией электронных приборов, имеющих в своих рабочих режимах отрицательное значение основного дифференциального параметра, в частности, отрицательного активного сопротивления. В настоящее время разработаны различные виды полупроводниковых приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Представителями этого класса приборов являются: мощные сверхвысокочастотные приборы - лавинно-пролетные диоды, ключи на лавинных транзисторах с высоким быстродействием и временем отклика на воздействие, сильноточные полупроводниковые переключатели на динисторах и тиристорах. Развитие этой области электроники проходило неравномерно и, в отличие от классической транзисторной электроники, долгое время не имело четкой теоретической базы.
Первым толчком в исследованиях данного направления считается открытие падающего участка на вольтамперной характеристике полупроводникового точечного диода, сделанное О.В. Лосевым. Также принято считать, что это открытие дало начало эре полупроводниковой электроники.
Однако, успешное развитие больших и сверхбольших микросхем ослабило научный интерес разработчиков от этого направления. Тем не менее, освоение и дальнейшее использование СВЧ диапазона привело к интенсивным поисковым исследованиям физических эффектов и полупроводниковых приборов, обладающих отрицательным сопротивлением. Усилия были направлены на создание полупроводниковых приборов, обладающих отрицательным сопротивлением на высоких и сверхвысоких частотах. Началом поиска путей создания таких СВЧ-приборов было положено Шокли. В ходе экспериментальных исследований были получены практические результаты в виде: диода Ганна, туннельного диода Эсаки, лавинно-пролетного диода и его разновидность ТРАПАТТ-диод, инжекционно-пролетный диод.
В низкочастотном диапазоне серьезное практическое распространение получили четырехслойные полупроводниковые структуры типа p-n-p-n и их различные вариации, обладающие отрицательным сопротивлением. В снове принципа работы лежит тиристорный эффект, который обусловлен лавинным умножением носителей на закрытом среднем p-n-переходе. Наиболее широкое применение в схемотехнике получили динисторы и тиристоры. Самые полные теоретические и практические исследования таких тиристорных систем проведены С.А. Гаряиновым и Н.Д. Абергаузом. Эти приборы могут работать в усилительном, генераторном и ключевом режимах. Исследование эффекта лавинного умножения в коллекторном переходе биполярного транзистора привело к созданию лавинного транзистора, на вольтамперной характеристике, которого имеется участок отрицательного сопротивления. Теоретические исследования таких приборов с отрицательным сопротивлением и импульсных устройств на их основе, были проведены В.П. Дьяконовым.
Таким образом, тема диссертационной работы, посвященная разработке математической модели нелинейной колебательной системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур, содержащей элемент с S-образной вольтамперной характеристикой, учитывающая влияние барьерной емкости и последовательного базового сопротивления, является актуальной.
Объект исследований: процесс генерации релаксационных колебаний тока и напряжения
Предмет исследований: одно- и двухпереходные полупроводниковые структуры
Цели диссертационной работы. Создание физической модели нелинейной колебательной системы релаксационного типа на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур и объяснение с её помощью экспериментальных закономерностей, характеризующих процессы в таких системах.
При этом решались следующие основные задачи:
1. Разработать физическую модель колебательной релаксационной системы, содержащей в качестве необходимого компонента элемент с S-образной вольтамперной характеристикой 2. Провести исследование нелинейных электрофизических характеристик одно- и двухпереходных полупроводниковых структур
3. Определить электрические и материальные параметры влияющие на возникновение релаксационных колебаний тока и напряжения в одно- и двухпереходных полупроводниковых структурах.
Научная новизна. 1. Построена принципиально новая математическая модель колебательной релаксационной системы на основе полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, содержащей элемент с S-образной вольтамперной характеристикой.
2. Впервые исследованы электрические и частотные параметры генерируемой неустойчивости тока и напряжения в двухпереходных полупроводниковых структурах с S-образной вольтамперной характеристикой в эмиттерном переходе, выполненных по технологии термовакуумного напыления. Получены релаксационные колебания тока и напряжения при внешнем электрическом напряжении до 40 Вольт частотами до 6 МГц на двухпереходных структурах.
3. Впервые показана возможность реализации релаксационной колебательной системы в едином полупроводниковом кристалле, в объеме которого присутствуют необходимые активные элементы с S-образной вольтамперной характеристикой, емкостью поверхностно-барьерного перехода и нагрузочным сопротивлением базовой области. Параметры активных элементов, используемых в математической модели, связаны с геометрическими размерами однопереходной полупроводниковой структуры и электрофизическими свойствами материала, образующего поверхностно-барьерный переход.
4. Впервые дано объяснение возбуждению релаксационной неустойчивости тока и напряжения в широком диапазоне рабочих напряжений (0,7÷40 Вольт).
Научная и практическая значимость
1. Предложенная физическая модель релаксационной колебательной системы, содержащей элемент с вольтамперной характеристикой S-типа и барьерную емкость, позволила соотнести рассматриваемую систему с аналогичной системой, рассмотренной в радиофизике. Полученные в работе теоретические выводы в большей степени соответствуют результатам экспериментальных исследований неустойчивости тока и напряжения в одно- и двухпереходных структурах, чем ранее предложенные модели процессов обмена поверхностных состояний и глубоких энергетических уровней с зоной проводимости полупроводникового кристалла под действием электрического поля, модели, использующей упрощенную эквивалентную схему двухпереходной структуры и модель, использующей эквивалентную схему для объяснения усиления тока и накопления неосновных носителей заряда в базовой области двухпереходной структуры.
2. Результаты диссертационной работы нашли применение в учебном процессе физико-технического факультета в изучении физических явлений, происходящих в полупроводниковых приборах.
Достоверность полученных результатов
Созданная математическая модель основана на привлечении к построению хорошо отработанной методике расчета релаксационной колебательной системы используемой из радиофизики. Применение математической модели подтверждается хорошим совпадением экспериментальных и теоретических данных.
Основные положения, выносимые на защиту:
1. Физическая модель нелинейной колебательной системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур, содержащей активный элемент с S-образной вольтамперной характеристикой.
2. Результаты исследования электрических и частотных параметров неустойчивости тока и напряжения в двухпереходных структурах выполненных по технологии термовакуумного напыления.
3. S-образная вольтамперная характеристика эмиттерного перехода является необходимым и достаточным условием возникновения релаксационных колебаний.
Личное участие автора в получении научных результатов Изготовлены образцы двухпереходных полупроводниковых структур с использованием технологии термовакуумного напыления; проведены измерения электрофизических характеристик двухпереходных структур; плучено аналитическое выражение для S-образных вольтамперных характеристик эмиттерного перехода двухпереходных структур; разработана математическая модель нелинейной колебательной системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур; разработаны программы математического моделирования S-образных вольтамперных характеристик и анализа развития колебательных процессов.
Апробация. Основные положения диссертации докладывались на пятая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморск, 1998); шестая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморск, 1999); седьмая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморск, 2000); восьмая всероссийская научно - техническая конференция с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморск, 2002); Semiconductor Devise Research Symposium (University of Virginia, 1999); седьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Санкт-Петербург, 2001), девятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Красноярск, 2003), десятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Москва, 2004), двенадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Новосибирск, 2006), четырнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Уфа, 2008), пятнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Кемерово-Томск, 2009), семнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Екатеринбург, 2011), третьей международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 2002), международной научной конференции "Излучение и рассеяние ЭМВ ИРЭМВ-2005" (Таганрог, 2005), третьей Всеросийской научной конференции молодых ученых и студентов (Краснодар, 2006), научно-технической конференции "Космическая энергетика" (Краснодар, 2011), семнадцатой Всероссийской конференции "Оптика и спектроскопия конденсированных сред" (Краснодар, 2011), восемнадцатой Всероссийской конференции "Оптика и спектроскопия конденсированных сред" (Краснодар, 2012), международной конференции "Инноватика-2011" (Ульяновск, 2011), Всероссийская заочная научно-практическая конференци "Современные проблемы физики, биофизики и инфокоммуникационных технологий" (Краснодар 2012)
Область исследований: содержание диссертационного исследования соответствует пунктам 4, 6, 7, 9, 17, 18 паспорта специальности 01.04.10 - физика полупроводников.
Публикации. По теме диссертационной работы опубликованы 26 печатных работ, из них 3 в изданиях из перечня рецензируемых научных журналов и изданий.
Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, 4-х глав, заключения. Список использованной литературы содержит 170 наименований. Текст диссертации содержит 135 страниц машинописного текста, включая 85 рисунков.
Содержание работы
Во введении обоснована актуальность диссертационной работы, сформулированы научная задача, на решение которой были направлены исследования, проведенные в диссертационной работе, цель работы, основные положения, выносимые на защиту, отмечены научная новизна и практическая значимость полученных результатов.
Первая глава посвящена обзору отечественных и зарубежных научных работ, связанных с исследованием процессов неустойчивости электрического тока в различных полупроводниковых структурах. Кратко рассмотрены неустойчивости тока в однородных полупроводниках, более подробно рассмотрены работы по неустойчивости тока в неоднородных полупроводниковых структурах. Была выработана следующая классификация неустойчивости тока и напряжения в полупроводниковых структурах:
а) рекомбинационные волны;
б) термоэлектрическая неустойчивость;
в) неустойчивость тока в однопереходных структурах;
г) неустойчивость тока, обусловленная наличием потоков носителей между различными типами центров, создающие глубокие уровни в запрещенной энергетической зоне полупроводника;
д) поверхностно-барьерная неустойчивость тока.
Далее приведен обзор ранее проведенных исследований одно- и двухпереходных полупроводниковых структур. В частности рассмотрены способы получения и результаты исследования электрофизических характеристик. Исследовано воздействие оптического излучения и магнитного поля на электрофизические характеристики рассматриваемых структур.
Проведен анализ физико-математического описания процессов обмена носителей заряда в поверхностно-барьерном переходе. Рассмотрены эквивалентные схемы двухпереходных структур, на основе которых проводился анализ возникновения колебательного режима работы и процессов усиления тока. В заключение к первой главе сформулированы задачи, которые позволяют выявить несоответствие существующих теоретических моделей и массивом экспериментальных данных
Вторая глава посвящена технологическим аспектам изготовления образцов одно- и двухпереходных структур и методике исследования их электрофизических параметров.
Для изготовления образцов структур были использованы следующие методы:
- тренировка игольчатого контакта импульсами тока;
- осаждение металла на поверхность полупроводника электрохимическим способом;
- низкотемпературное сплавление навесок металла, находящихся на поверхности полупроводника;
- изготовление окисной пленки на поверхности полупроводника с последующим термическим напылением металлических контактов.
Для изготовления образцов однопереходных полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом, использовались монокристаллы германия n-типа с удельным сопротивлением ρ=25 Ом∙см и кремния n-типа с удельным сопротивлением ρ=7 Ом∙см.
Образцы двухпереходных структур изготавливались с использованием кремниевых эпитаксиальных пластины с подложкой p+-типа с удельным сопротивлением ρ=0,01÷1 Ом∙см, с эпитаксиальным слоем n-типа толщиной 4,5÷16 мкм и с удельным сопротивлением ρ=2,5÷8 Ом∙см, выращенный по промышленной технологии. Для изготовления экспериментальных образцов со сплавными p-n-переходами использовались пластины германия и кремния n-типа (германий с удельным сопротивлением ρ=10 Ом∙см и кремний ρ=7,5 Ом∙см), которые вырезались из слитков в кристаллографическом направлении . Диаметр получаемых в результате пластин составлял 6-8 мм и толщина 200-300 мкм. Из пластин с готовым эпитаксиальным p-n-переходом вырезались образцы с геометрическими размерами от 1×2 мм2 до 4×6 мм2.
Был проведен анализ структуры поверхностно-барьерного перехода на основе данных об энергии ионизации примесей, использованных для изготовления, и на основе фазовых диаграмм двухкомпонентных систем металл-полупроводник. Рассмотрены методики исследования электрофизических свойств двухпереходных структур. Существует 24 варианта подключения образцов двухпереходных структур к измерительным разъемам измерителя параметров полупроводниковых приборов при различных комбинациях полярностей подаваемых напряжений на выводы образцов, при помощи которых можно получить семейства вольтамперных характеристик.
Образцы подключались к измерительным разъемам по схеме с общей базой, с общим эмиттером и общим коллектором.
Для однопереходных структур приведены методики исследования области поверхностно-барьерного перехода представляющего собой контакт металл-полупроводник.
Третья глава содержит результаты исследований и анализ электрофизических характеристик одно- и двухпереходных структур. Приведены вольтамперные характеристики двухпереходных структур с различными активными контактами при различных схемах включения.
На основе анализа вольтамперных структур, проведена их строгая классификация по способу приложения внешних электрических воздействий. Выявлена закономерность возникновения отрицательного дифференциального сопротивления в зависимости от схемы подключения и величины внешних электрических воздействий.
В четвертой главе предложена эквивалентная схема полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, с помощью которой было получено аналитическое выражение для периода колебаний тока и напряжения. Данная схема содержит следующие минимально необходимые элементы: поверхностно-барьерный переход, обладающий вольтамперной характеристикой S-типа, барьерная емкость перехода и сопротивление базовой области однопереходной структуры, играющей роль последовательной нагрузки. Изучено влияние типа емкости контакта с поверхностно-барьерным переходом на длительность отдельных фаз протекания тока через полупроводниковую структуру. Выявлена взаимосвязь между химическим составом полупроводника, используемого для изготовления образцов полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом и частотой колебаний тока и напряжения.
Для двухпереходной структуры физическая модель доработана с учетом локализации элемента с S-образной вольтамперной характеристикой и барьерной емкости в эмиттерном переходе. Проведено аналитическое численное моделирование S-образной вольтамперной характеристики эмиттерного перехода на основе соотношений Эберса-Молла. Установлена связь между материальными параметрами, параметрами внешних электрических воздействий и величинами возникающих релаксационных колебаний тока и напряжения.
Основные результаты работы
1. Построена математическая модель колебательной релаксационной системы на основе полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, содержащей элемент с S-образной вольтамперной характеристикой, учитывающая влияние барьерной емкости и последовательного базового сопротивления. Получена высокая степень соответствия расчетов произведенных с помощью построенной модели и экспериментальными данными
2. Исследованы генерация неустойчивости тока и напряжения в двухпереходных полупроводниковых структурах выполненных по технологии термовакуумного напыления и содержащей S-образную вольтамперную характеристику в эмиттерном переходе. Впервые были получены релаксационные колебания тока и напряжения при внешнем электрическом напряжении до 40 Вольт частотами до 6 МГц на двухпереходных структурах. Установлен высокий процент выхода годных структур, обладающих возможностью реализации релаксационной колебательной системы
3. Установлена возможность реализации релаксационной колебательной системы в едином полупроводниковом кристалле, в объеме которого присутствуют необходимые активные элементы с S-образной вольтамперной характеристикой, емкостью поверхностно-барьерного перехода и нагрузочным сопротивлением базовой области. Параметры активных элементов, используемых в математической модели, связаны с геометрическими размерами однопереходной полупроводниковой структуры и электрофизическими свойствами материала, образующего поверхностно-барьерный переход.
4. Дано объяснение рабочим напряжениям (0,7÷40 Вольт), при которых наблюдается релаксационная неустойчивость тока и напряжения в двухпереходных структурах. Получено соответствие экспериментальных и расчетных величин частот (1÷6 МГц), возникающей неустойчивости тока и напряжения. Показано, что в зависимости от сочетания внешенего электрического воздействия и материальных параметров можно получить объекты, реализующие релаксационную колебательную систему в двухпереходных структурах, с иными выходными электрическими параметрами
Основное содержание диссертации изложено в следующих публикациях: Статьи в журналах, рекомендованных ВАК для опубликования научных результатов:
1. Муравский Б.С., Рубцов Г.П., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н. Электрофизические и фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе// Журнал радиоэлектроники (электронный журнал), 2000. № 10. http://jre.cplire.ru/win/oct00/2/text.html
2. Муравский Б.С., Куликов О.Н., Черный В.Н. Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p+-n-структурах с локально введенными в n-область примесными атомами и определение параметров глубоких центров на ее основе // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. В. 4. С. 393-397.
3. Богатов Н.М., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н. Колебательная система релаксационного типа на основе полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом // Экологический вестник научных центров ЧЭС, 2012, №5, с.1-5. Публикации в других изданиях:
1. Григорьян Л.Р., Муравский Б.С. Куликов О.Н. Фотоэлектрические характеристики транзисторных структур с распределенным эмиттерным переходом // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды V Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. 1998. С. 154.
2. Куликов О.Н., Рубцов Г.П., Барышев М.Г. Динамика накопления заряда в транзисторных структурах с распределенным эмиттерным переходом // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды V Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. 1998. С. 155.
3. Muravskiy B.S., Kulikov O.N. Transistor structures with the distributed emitter and active contact to admixtures, which are leading in deep energy levels //Proceedings of 1999 international semiconductor Devise Research Symposium University of Virginia, p. 160-163
4. Куликов О.Н., Муравский Б.С., Рубцов Г.П., Черный В.Н. Воздействие излучения на параметры колебаний функционального генератора на основе транзисторной структуры с распределенным эмиттером // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды VI Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. 1999. С. 121.
5. Муравский Б.С., Куликов О.Н., Жужа М.А., Голиков С.Ф. Функциональные фотоприемники на основе транзисторных структур с распределенным эмиттером // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды V Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. 2000. С. 313.
6. Куликов О.Н., Жужа М.А., Черный В.Н. Туннельная спектроскопия глубоких центров в транзисторных структурах с распределенным p+-n-переходом // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды V Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. 2002. С.10
7. Муравский Б.С., Куликов О.Н., Яковенко Н.А. Фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным p+-n-переходом. // Аморфные и микрокристаллические полупроводники. Сборник трудов 3-й международной конференции
8. Куликов О.Н., Муравский Б.С. Перезарядка глубоких уровней сильным электрическим полем как метод исследования их параметров // 7-я Всероссийская научная конференция студентов физиков. Сборник тезисов. Санкт-Петербург, 2001, с 196
9. Куликов О.Н., Куликова Н.Н. Прибор "Туннелистор" и его биологический аналог - химический синапс // 9-я Всероссийская научная конференция студентов физиков. Сборник тезисов. Красноярск, 2003, с. 818
10. Куликов О.Н. Кинетика накопления заряда неосновных носителей в транзисторных структурах с распределенным эмиттером // 10-я Всероссийская научная конференция студентов физиков. Сборник тезисов, Москва, 2004, с. 201
11. Куликов О.Н., Вызулин С.А. Моделирование генераторов на диодных структурах с поверхностно-барьерным переходом // 12-я Всероссийская научная конференция студентов физиков. Сборник тезисов, Новосибирск, 2006,с. 222
12. Куликов О.Н., Куликова Н.Н., Куликов Н.В. Модель релаксационного генератора на транзисторной структуре с распределенным p-n-переходом // 14-я Всероссийская научная конференция студентов физиков. Сборник тезисов, Уфа, 2006, с. 197
13. Куликов О.Н., Куликова Н.Н. Анализ влияния технологического фактора на электрофизические свойства транзисторных структур с p+-n-переходом // 15-я Всероссийская научная конференция студентов физиков. Сборник тезисов, Кемерово, 2009, с. 205
14. Куликов О.Н., Богатов Н.М., Григорьян Л.Р. Инверсная S-образная характеристика двухпереходной полупроводниковой структуры // 17-я Всероссийская научная конференция студентов физиков. Сборник тезисов, Екатеринбург, 2011, с.191
15. Вызулин С.А., Куликов О.Н. Моделирование автоколебательной системы в диодной структуре с поверхностно-барьерной неустойчивостью тока // Излучение и рассеяние ЭМВ. Труды международной научной конференции. Таганрог, 2005, с. 217
16. Вызулин С.А., Куликов О.Н. Численный расчет характеристик релаксационных генераторов на диодах с повоерхностно-барьерным переходом // Современное состояние и приоритеты развития фундаментальных наук в регионах. Труды 3-й Всероссийской научной конференции молодых ученых и студентов. Краснодар,2006, с. 138
17. Богатов Н.М., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н. Механизм возникновения S-характеристики в эмиттередвухпереходной полупроводниковой структуры // Иноватика-2011. Труды Международной конференции. Ульяновск, 2011, с 132
18. Богатов Н.М., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н. Полупроводниковая структура с повоерхностно-барьерным переходом как основа колебательной системы // Оптика и спектроскопия конденсированных сред. Материалы XVII Всероссийской конференции. Краснодар, 2011, с.184
19. Григорьян Л.Р., Куликов О.Н., Сахно М.А. Накопление носителей заряда в транзисторных структурах с активными энергетическими уровнями // Оптика и спектроскопия конденсированных сред. Материалы XVIII Всероссийской конференции. Краснодар, 2012, с. 82
20. Григорьян Л.Р., Куликов О.Н., Сахно М.А. Неравновесные процессы в многослойных твердотельных структурах // Оптика и спектроскопия конденсированных сред. Материалы XVIII Всероссийской конференции. Краснодар, 2012, с. 89
21. Куликов О.Н. Механизм возникновения S-ВАХ в эмиттере транзисторной структуры // Научно-техническая конференция"Космическая энергетика". Тезисы докладов. Краснодар, 2011, с.10
22. Богатов Н.М., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н. Модель колебательной релаксационной системы на основе полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом // Современные проблемы физики, биофизики и инфокоммуникационных технологий. Коллективная монография. Краснодар: Краснодарский ЦНТИ, 2012
23. Богатов Н.М., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н., Сахно М.А. Измерение вольтамперных характеристик с отрицательным коэффициентом нелинейности // Современные проблемы физики, биофизики и инфокоммуникационных технологий. Коллективная монография. Краснодар: Краснодарский ЦНТИ, 2012
Документ
Категория
Физико-математические науки
Просмотров
27
Размер файла
113 Кб
Теги
кандидатская
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа