close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

Лаб.работа Маркировка

код для вставкиСкачать
Лабораторная работа
Технологии увеличения быстродействия памяти. Маркировка памяти
Цель работы: Изучить технологии увеличения быстродействия памяти. Изучить принцип маркировки памяти.
Порядок работы:
1. По предоставленному образцу маркировки памяти опознать микросхему памяти в соответствии с вариантом.
2. Без вскрытия системного блока определить маркировку памяти на рабочем ПК и опознать ее.
3. Запустить утилиту Everest. Сохранить данные о настройках памяти (SPD) в HTML-формате. Протестировать память (чтение из памяти, запись в память, задержка памяти).
4. Сделать вывод. Ход работы:
1. Изучим маркировку памяти в соответсвии с указанным вариантом.
11 HYMD232646B8R-D43
Данная память производства южнокорейской компании Hynix . HYMD232646B8R-D43
o HYM - Hynix Module
Модуль памяти фирмы Hynix.
o D2 - 256 Mb DDR SDRAM
Данная позиция показывает емкость модуля.
o Blank (пустое значение) - VDD 2.5V&VDDQ 2.5V
Представляет собой характеристику Power Supply&Interface, т.е. энергопотребления и интерфейса. VDD 2.5V&VDDQ 2.5V - это типичный 2.5В модуль DDR-памяти (VDD - линии питания, VDDQ - линии питания шины данных).
o 32 - 32M
Цифры указывают на количество миллионов ячеек памяти, размещенных в каждой микросхеме.
o Blank (пустое значение) - 184 pin Unbuffered DIMM
Memory Type указывает на тип данного модуля. В данном случае - стандартный 184-контактный небуферизированный модуль
o 64 - х64
Data Width - это ширина данных. Перед нами стандартный модуль с 64-битной шиной.
o 6 - 8K Ref./4Banks
Позиция Refresh/Banks сообщает о величине единовременно обновляемого блока памяти и количестве допустимых обслуживаемых банков памяти при использовании данного модуля. Здесь за цикл обновляется 8 тыс. ячеек в блоке, банков не более 4-х.
o B - 3rd Gen.
В позиции Die Generation содержится значение, указывающее на поколение используемых в модуле микросхем памяти. В данном модуле 3-е поколение микросхем.
o Blank (пустое значение) - Normal
Позиция Power Consumption содержит сведения о параметрах энергопотребления. Normal - нормальное энергопотребление.
o Blank (пустое значение) - TSOP
Package Type указывает на тип упаковки микросхем.
o Blank (пустое значение) - Single Die
Позиция под названием Package Stack показывает как упакованы подложки с ячейками памяти в микросхемы.
o Blank (пустое значение) - Normal
Package Material указывает на упаковочный материал.
o 8 - х8 Based Эта позиция определяет номинальную емкость ячеек памяти. У нас емкость каждой ячейки в микросхемах - 8 бит.
o R - Low Cost
Позиция Module Revision определяет ревизию (версию) модуля. Low Cost - низкостоимостной, удешевленный модуль оперативной памяти.
o D43 - DDR 400 3-3-3
Последняя позиция представляет скоростные характеристики модулей. Модуль DDR 400 с таймингами 3-3-3 (CL-tRCD-tRP);
2. Далее определим маркировку памяти на рабочем компьютере.
Информацию о маркировке памяти можно узнать из программы CPU-Z (v.1.61.5). Запускаем программу и открываем вкладку SPD (рис.1):
Рисунок 1 - Вкладка SPD программы CPU-Z (v.1.61.5)
Маркировка установленной в системе оперативной памяти приведена в поле Part Number: NT2GT64U8HD0BN - AD. Фирмой-производителем является компания Nanya Technology Corporation.
Для расшифровки нашей маркировки воспользуемся данными, взятыми с официального сайта Nanya Technology Corporation.
NT2GT64U8HD0BN - AD
o NT - Nanya Technology
Модуль памяти фирмы Nanya Technology Corp.
o 2G - Module Density: 2G=2GB
Плотность модуля
o T - Product Family: DDR2 SDRAM
Семейство продуктов.
o 64 - Data Width: 64=x64
Ширина шины данных модуля. У нас установлен стандартный модуль с 64-битной шиной.
o U - Interface & Power (Vdd & Vddq) : U=SSTL-18 (1.8V, 1.8V)
Интерфейс и энергопотребление. 1.8В модуля DDR-памяти.
o 8 - Composition Component: 8=x8 based
Компонент состава. Эта позиция определяет номинальную емкость ячеек памяти. У нас емкость каждой ячейки в микросхемах - 8 бит.
o H - Number of Component: H=16 ea
Номер компонента.
o D - Die Generation: D=4th Version
Указывает на поколение микросхем памяти в модуле.
o 0 - Module Revision: SODIMM: w/ or w/o Thermal Sensor, rev. of PCB & Type
Ревизия (версия) модуля.
o B - Package Code: B=TSOP
Код упаковки.
o N - Module Type: N=SO-DIMM
Тип модуля. SODIMM (Small Outline DIMM) - это специальные модули для портативных компьютеров, отличающиеся уменьшенным размером.
o AD - Speed: AD=PC2-6400-6-6-6
Показывает скоростные характеристики модуля: модуль DDR2 SDRAM с таймингами 6-6-6 (CL-tRCD-tRP). CL ( CAS Latency) - это время (в циклах) ожидания между запросом процессора на получение ячейки с информацией из памяти и временем, когда оперативная память сделает первую ячейку доступной для чтения.
tRCD (time RAS to CAS Delay) - это интервал в системных тактах, затрачиваемый на переход от адреса строки к адресу столбца в матрице ОЗУ.
tRP (time RAS Precharge) характеризует количество тактов на шине памяти, необходимых для выполнения операции предзаряда строки памяти.
3. Протестируем память (чтение из памяти, запись в память, задержка памяти) с помощью программы Everest v.5.02.
Рисунок 2 - Тест "Чтение из памяти"
Рисунок 3 - Тест "Запись в память"
Рисунок 4 - Тест "Копирование в память"
Рисунок 5 - Тест "Задержка памяти"
Данные о настройках памяти (SPD) в HTML-отчете программы Everest v.5.02: EVEREST Ultimate Edition Версия EVEREST v5.02.1750/ru Тестовый модуль 2.4.258.0 Домашняя страница http://www.lavalys.com/ Тип отчёта Быстрый отчёт Компьютер YULIYA-PC Генератор Юлия Операционная система Microsoft Windows 7 Professional 6.1.7601 Дата 2012-10-22 Время 21:06 SPD [ DIMM1: Nanya NT2GT64U8HD0BN-AD ] Свойства модуля памяти: Имя модуля Nanya NT2GT64U8HD0BN-AD Серийный номер 4DA620FCh (4229998157) Дата выпуска Неделя 25 / 2010 Размер модуля 2 Гб (2 ranks, 8 banks) Тип модуля SO-DIMM Тип памяти DDR2 SDRAM Скорость памяти DDR2-800 (400 МГц) Ширина модуля 64 bit Вольтаж модуля SSTL 1.8 Метод обнаружения ошибок Нет Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh Тайминги памяти: @ 400 МГц 6-6-6-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 24-51-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP) @ 333 МГц 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP) @ 266 МГц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP) Функции модуля памяти: Analysis Probe Нет FET Switch External Запрещено Weak Driver Поддерживается Производитель модуля памяти: Фирма Nanya Technology Corp. Информация о продукте http://www.nanya.com/index.aspx Вывод: В ходе данной лабораторной работы мы изучили принципы маркировки модулей памяти. В соответствии с вариантом провели расшифровку маркировки модуля памяти фирмы Hynix по данным, взятым на официальном сайте компании, и выяснили все ее основные характеристики. С помощью программы CPU-Z v1.61.5 определили, что на рабочем компьютере установлен модуль памяти фирмы Nanya Technology Corporation. Считав маркировку, мы также провели ее расшифровку по принципу маркировки, представленному на официальном сайте фирмы Nanya, выяснили основные характеристики и этого модуля памяти. Далее мы протестировали память память на чтение, запись, копирование и задержку с помощью программы Everest v5.02. Результаты теста показали среднюю скорость работы памяти, что для данного ценового диапазона вполне нормально. 
Документ
Категория
Рефераты
Просмотров
339
Размер файла
682 Кб
Теги
лабораторная работа, маркировка, лаб, работа, лаба, лабораторная
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа