close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

Zadanie po Bipolyaram

код для вставкиСкачать
Варианты заданий для самостоятельной работы
Номер варианта задания определяется по номеру обучаемого в списке группы и в соответствии с таблицей 2.
ВАРИАНТЫ ИСХОДНЫХ ДАННЫХ Таблица 2 №xjexjchcNesNbsNcNc+hc+SeScebc10,60,9553.10207.10181.10171019236510220150100021261.10206.10181.101710192,536510280200100030,91,872.10206.10181.101710193310515230200100040,30,6523.10207.10181.10171019236510230200100050,50,931.10207.10181.10171019236510240200100060,350,621.10208.10181.10171019244610240400100070,20,4523.10206.10181.10171019236510140200100080,51,032.10206.10181.101710192310515220200100090,40,752,53.10207.10181.1017101923105152301501000100,350,721.10206.10181.101710192446102404001000110,40,7532.10206.10181.101710192446102303001000120,40,721.10208.10181.101710192446102202001000130,20,522.10206.10181.101710192446102201501000140,40,6523.10207.10181.1017101923105152302001000150,250,533.10208.10181.101710192446102152001000160,30,5533.10207.10181.101710192365102352001000170,350,6521.10207.10181.101710192365102403001000180,30,622.10207.10181.101710192446102403001000190,20,4523.10206.10181.101710192365101202001000200,50,953.10206.10181.1017101923105152204001000210,250,521.10207.10181.101710192446102302001000220,30,621.10206.10181.101710192446102403001000230,40,722.10206.10181.101710192446102202001000240,50,82,53.10207.10181.1017101923105152202001000250,50,831.10207.10181.101710192365101303001000260,30,62,52.10206.10181.1017101923105151202501000270,50,831.10207.10181.101710192365101303001000
Общее для всех вариантов задание: 1. Разработать топологический чертеж транзисторной структуры.
2. Привести малосигнальную эквивалентную схему и объяснить смысл ее элементов.
3. При заданных исходных данных для В, мА (0,8 В) рассчитать следующие параметры эквивалентной схемы:
- коэффициент передачи эмиттерного тока;
- барьерные емкости переходов Э - Б и К - Б;
- диффузионную емкость перехода Э - Б.
4. Привести маршрутную карту изготовления транзистора.
Факультативно:
5. Рассчитать параметры эквивалентной схемы п. 2.
6. Рассчитать граничные частоту в схемах ОБ, ОЭ и предельную частоту для режима: В, мА.
7. Рассчитать параметры эквивалентной схемы Эберса-Молла для большого сигнала.
8. Рассчитать напряжение Эрли.
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ 1. Технология изготовления: с боковой диэлектрической изоляцией.
2. Глубина технологического перехода эмиттер-база, мкм xje = 0.25
3. Глубина технологического перехода коллектор-база, мкм xjc = 0,55
4. Толщина эпитаксиального коллектора, мкм hc = 2
5. Поверхностная концентрация эмиттерной примеси, см-3 Nes = 1020
6. Поверхностная концентрация базовой примеси, см-3 Nbs = 5.1018
7. Концентрация примеси в эпитаксиальном коллекторе, см-3 Nc = 1017
8. Максимальная концентрация примеси в n+- коллекторе, см-3 Nc+ = 1019
9. Толщина n+- коллектора, см hc+ = 2
10. Площадь эмиттерного перехода Se, мкм мкм ae be = 4 4 = 16
11. Площадь коллекторного перехода Sc, мкм мкм aс bс = 6 10 = 60
12. Время жизни неосновных носителей в эмиттере, мкс e:= 20
13. Время жизни неосновных носителей в базе, мкс b = 200
14. Время жизни неосновных носителей в коллекторе, мкс c = 1000
Во всех вариантах: Nc+ = 1019 , c = 1000;.
Диффузанты: эмиттер, коллектор - Р; база - В; n+- коллектор - As.
Концентрация примеси в подложке Ns = 1015см-3
Документ
Категория
Рефераты
Просмотров
13
Размер файла
96 Кб
Теги
zadanie, bipolyaram
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа