close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

Патент BY4476

код для вставкиСкачать
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К ПАТЕНТУ
РЕСПУБЛИКА БЕЛАРУСЬ
(19)
BY (11) 4476
(13)
C1
(51)
(12)
7
H 01L 29/78,
H 01L 21/265
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ЦЕНТР
ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ
СОБСТВЕННОСТИ
(54)
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ДМОПТРАНЗИСТОРА
(21) Номер заявки: a 19990584
(22) 1999.06.10
(46) 2002.06.30
(71) Заявитель: Государственное
"Завод Транзистор" (BY)
предприятие
(72) Авторы: Алиев А.М.; Ануфриев Л.П.; Дударчик
А.И.; Кречко М.М.; Рубцевич И.И. (BY)
(73) Патентообладатель:
Государственное
предприятие "Завод Транзистор" (BY)
(56)
WO 96/07200 A1, US 4974059 A, 1990.
(57)
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в технологии изготовления мощных высоковольтных транзисторов Металл-Окисел-Полупроводник, создаваемых методом
двойной диффузии - (ДМОП-транзисторов).
В основу изобретения положена задача создания способа изготовления мощного высоковольтного
ДМОП-транзистора, позволяющего повысить процент выхода годных за счет устранения возможности пробоя подзатворного окисла по краю затвора, обеспечить снижение величины топологического зазора между
краем контакта и краем поликристаллического кремния, тем самым добиться увеличения плотности компоновки элементов в приборе.
Сущность изобретения заключается в том, что в способе изготовления мощного высоковольтного
ДМОП-транзистора, включающем формирование на поверхности кремниевой подложки 1-го типа проводимости подзатворного диэлектрика, нанесение слоя поликристаллического кремния, формирование в нем рисунка затвора нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя
поликристаллического кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика, удалением фоторезистивной маски, создание канальных областей ионным легированием и разгонкой примеси 2-го типа проводимости, формирование истоковых областей 1-го типа проводимости, формирование межслойного окисла,
формирование областей контактов, создание металлизации, после удаления фоторезистивной маски при
формировании рисунка затвора формируют поднитридный окисел кремния толщиной 400÷450 Å, наносят
слой нитрида кремния толщиной 0,1÷0,2 мкм, создают в нем рисунок областей контактов нанесением слоя
фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя нитрида кремния, удалением этой маски,
формирование истоковых областей осуществляют ионным легированием примеси 1-го типа проводимости с
энергией, достаточной для проникновения ионов примеси через поднитридный окисел кремния в канальную
область 2-го типа проводимости, но недостаточной для проникновения ионов примеси в область контактов
через слой нитрида кремния и расположенного под ним под-нитридного окисла кремния, формирование
межслойного диэлектрика проводят отжигом и окислением до толщины окисла кремния 0,4÷1,2 мкм, а области контактов формируют удалением слоя нитрида кремния и расположенного под ним поднитридного
окисла кремния.
Фиг. 1
BY 4476 C1
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в технологии изготовления мощных высоковольтных транзисторов металл-окисел-полупроводник, создаваемых методом
двойной диффузии - (ДМОП-транзисторов).
Известен способ изготовления мощного высоковольтного ДМОП-транзистора [1], включающий: формирование на поверхности кремниевой подложки 1-го типа проводимости подзатворного диэлектрика, нанесение слоя поликристаллического кремния, формирование в нем рисунка затвора нанесением слоя
фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя поликристаллического кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика, удалением фоторезистивной маски, формирование канальных областей ионным легированием и разгонкой примеси 2-го типа проводимости, формирование
истоковых областей 1-го типа проводимости, нанесение межслойного окисла, формирование областей контактов, создание металлизации.
Однако данный способ обладает следующими недостатками:
во время травления подзатворного окисла происходит боковой подтрав окисла под поликремниевый затвор и в области края затвора образуется зазор между поликремниевым затвором и истоковыми областями 1го типа проводимости, который заполняется в дальнейшем межслойным низкотемпературным окислом
(НТО), а так как по качеству, по диэлектрической плотности и устойчивости к электрическому пробою НТО
хуже, чем подзатворный окисел, то и пробой окисла между затвором и истоковыми областями 1-го типа проводимости происходит именно по краю затвора, что в итоге уменьшает напряжение пробоя подзатворного
окисла и увеличивает брак по напряжению пробоя затвор-исток.
Наиболее близким техническим решением к предполагаемому изобретению является способ изготовления мощного высоковольтного ДМОП-транзистора [2], включающий формирование на поверхности кремниевой подложки 1-го типа проводимости подзатворного диэлектрика, нанесение слоя поликристаллического
кремния, формирование в нем рисунка затвора нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя поликристаллического кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика,
удалением фоторезистивной маски, формирование канальных областей ионным легированием и разгонкой
примеси 2-го типа проводимости, формирование истоковых областей 1-го типа проводимости, формирование межслойного окисла, формирование областей контактов нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением межслойного окисла, травлением кремния на глубину, превышающую
глубину истоковых областей 1-го типа проводимости, боковым подтравом межслойного окисла под маску
фоторезиста, удалением фоторезистивной маски, создание металлизации.
Данный способ обладает следующими недостатками.
1. Наличие бокового подтрава межслойного окисла при формировании областей контактов увеличивает
величину топологического зазора между краем контакта и краем поликристаллического кремния.
2. При травлении подзатворного окисла до подложки перед ионной имплантацией примеси 2-го типа
проводимости происходит боковой подтрав подзатворного окисла под поликремниевый затвор и в области
края затвора образуется зазор между поликремниевым затвором и истоковыми областями 1-го типа проводимости, который при последующих операциях изготовления кристалла заполняется межслойным диэлектриком, осаждаемым из газовой среды на поверхность кристалла.
Так как электрическая прочность окислов, осаждаемых из газовой среды, гораздо меньше, чем термического окисла, то вероятность пробоя подзатворного окисла, заполненного по краю затвора межслойным
окислом, увеличивается.
3. Данный способ требует очень точного управления глубиной затрава в кремний при формировании областей контактов, что снижает процент выхода годных приборов.
Перечисленные недостатки не дают возможности устранить пробой подзатворного окисла по краю затвора и повысить процент выхода годных приборов, накладывают ограничение на снижение величины топологического зазора между краем контакта и краем поликристаллического кремния, не позволяя тем самым
увеличивать плотность компоновки элементов в приборе.
В основу изобретения положена задача создания способа изготовления мощного высоковольтного
ДМОП-транзистора, позволяющего повысить процент выхода годных за счет устранения возможности пробоя подзатворного окисла по краю затвора, обеспечить снижение величины топологического зазора между
краем контакта и краем поликристаллического кремния, тем самым добиться увеличения плотности компоновки элементов в приборе.
Сущность изобретения заключается в том, что в способе изготовления мощного высоковольтного ДМОПтранзистора, включающем формирование на поверхности кремниевой подложки 1-го типа проводимости подзатворного диэлектрика, нанесение слоя поликристаллического кремния, формирование в нем рисунка затвора
нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя поликристаллического
кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика, удалением фоторезистивной маски, создание канальных областей ионным легированием и разгонкой примеси 2-го типа проводимости, формирование
истоковых областей 1-го типа проводимости, формирование межслойного окисла, формирование областей
контактов, создание металлизации, после удаления фоторезистивной маски при формировании рисунка затвора формируют поднитридный окисел кремния толщиной 400÷450 Å, наносят слой нитрида кремния толщиной
2
BY 4476 C1
0,1÷0,2 мкм, создают в нем рисунок областей контактов нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя нитрида кремния, удалением этой маски, формирование истоковых областей
осуществляют ионным легированием примеси 1-го типа проводимости с энергией, достаточной для проникновения ионов примеси через поднитридный окисел кремния в канальную область 2-го типа проводимости,
но недостаточной для проникновения ионов примеси в область контактов через слой нитрида кремния и расположенного под ним поднитридного окисла кремния, формирование межслойного диэлектрика проводят
отжигом и окислением до толщины окисла кремния 0,4÷1,2 мкм, а области контактов формируют удалением
слоя нитрида кремния и расположенного под ним поднитридного окисла кремния.
Сопоставительный анализ предполагаемого изобретения с прототипом показал, что заявляемый способ
изготовления мощного высоковольтного ДМОП-транзистора отличается от известного тем, что после удаления фоторезистивной маски при формировании рисунка затвора формируют поднитридный окисел кремния
толщиной 400÷450 Å, наносят слой нитрида кремния толщиной 0,1÷0,2 мкм, создают в нем рисунок областей контактов нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя нитрида
кремния, удалением этой маски, формирование истоковых областей осуществляют ионным легированием
примеси 1-го типа проводимости с энергией, достаточной для проникновения ионов примеси через поднитридный окисел кремния в канальную область 2-го типа проводимости, но недостаточной для проникновения
ионов примеси в область контактов через слой нитрида кремния и расположенного под ним поднитридного
окисла кремния, формирование межслойного диэлектрика проводят отжигом и окислением до толщины
окисла кремния 0,4÷1,2 мкм, а области контактов формируют удалением слоя нитрида кремния и расположенного под ним поднитридного окисла кремния.
Формирование поднитридного окисла кремния толщиной 400÷450 Å, а также формирование межслойного окисла отжигом и окислением до толщины окисла кремния 0,4÷1,2 мкм повышает электрическую прочность всего слоя межслойного диэлектрика и увеличивает толщину подзатворного окисла под краем затвора.
Так как толщина термического окисла по краю затвора больше толщины подзатворного окисла, то тем самым исключается возможность пробоя подзатворного окисла по краю затвора.
Формирование истоковых областей ионным легированием примеси 1-го типа проводимости с энергией,
достаточной для проникновения ионов примеси через поднитридный окисел кремния в канальную область 2го типа проводимости, но недостаточной для проникновения ионов примеси в область контактов через слой
нитрида кремния и расположенного под ним поднитридного окисла кремния, формирование межслойного
окисла одновременным отжигом и окислением до толщины окисла кремния 0,4÷1,2 мкм, последующее формирование области контактов удалением слоя нитрида кремния и расположенного под ним поднитридного
окисла кремния обеспечивают снижение величины топологического зазора между краем контакта и краем
поликристаллического кремния.
Выбор диапазона толщин поднитридного окисла и слоя нитрида кремния определяется требованиями
унификации с существующими базовыми КМОП-технологиями и следующими соображениями:
нижняя граница толщины поднитридного окисла (400 Å) обусловлена необходимостью обеспечения минимального уровня дефектности кремния при формировании межслойного диэлектрика;
верхняя граница толщины поднитридного окисла (450 Å) обусловлена необходимостью обеспечения приемлемой величины птичьего клюва и возможности проникновения ионов примеси 1-го типа проводимости
через поднитридный окисел кремния в канальную область 2-го типа проводимости для формировании истоковых областей;
нижняя граница толщины нитрида кремния (0,1 мкм) обусловлена необходимостью обеспечения его маскирующей роли при формировании истоковых областей, а также при формировании межслойного окисла;
верхняя граница толщины нитрида кремния (0,2 мкм) обусловлена необходимостью обеспечения минимального уровня дефектности кремния при формировании межслойного окисла.
Выбор диапазона толщин межслойного окисла определяется следующими соображениями:
нижняя граница толщины межслойного окисла (0,4 мкм) обусловлена необходимостью обеспечения достаточной электрической прочности межслойного диэлектрика, которая определяется его толщиной;
верхняя граница толщины межслойного диэлектрика (1,2 мкм) обусловлена тем, что при окислении истоковых областей одновременно происходит окисление поликристаллического кремния, уменьшение его толщины и, следовательно, увеличение сопротивления поликремния, что ухудшает динамические
характеристики транзистора.
Сущность изобретения поясняется фиг. 1-12, где на фиг. 1 показано сечение структуры транзисторной
ячейки после формирования на поверхности кремниевой подложки 1-го типа проводимости 1 подзатворного
диэлектрика 2, нанесения слоя поликристаллического кремния 3, на фиг. 2 - после формирования в нем рисунка
затвора нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя поликристаллического кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика, удалением фоторезистивной маски,
на фиг. 3 - после формирования канальных областей 4 ионным легированием и разгонкой примеси 2-го типа
проводимости, на фиг. 4 - после формирования поднитридного окисла кремния 5 толщиной 400÷450 Å, нанесения слоя нитрида кремния 6 толщиной 0,1÷0,2 мкм, на фиг. 5 - после создания в нем 6 рисунка областей
контактов нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя нитрида крем3
BY 4476 C1
ния, удалением фоторезистивной маски, на фиг. 6 - после формирования истоковых областей 7 ионным легированием примеси 1-го типа проводимости с энергией, достаточной для проникновения ионов примеси через
поднитридный окисел кремния в канальную область 2-го типа проводимости, но недостаточной для проникновения ионов примеси в область контактов через слой нитрида кремния и расположенного под ним поднитридного окисла кремния, на фиг. 7 - после формирования межслойного окисла 8 отжигом и окислением до
толщины окисла кремния 0,4÷1,2 мкм, на фиг. 8 - после формирования области контактов 9 удалением слоя
нитрида кремния и расположенного под ним поднитридного окисла кремния, на фиг. 9 показано сечение
окончательной структуры транзисторной ячейки после создания металлизации 10, на фиг. 10 показано сечение структуры транзисторной ячейки после формирования области контактов 9 по предлагаемому способу
(область 11 является областью прокисленного края поликремниевого затвора); Lз-ктоп - топологический зазор между контактом и затвором, Lз-к1 - сдвиг границы затвора за счет прокисления поликремния, Lз-кфакт фактический зазор между контактом и затвором, на фиг. 11 показано сечение структуры транзисторной
ячейки после формирования области контактов 9 по способу прототипа (область 12 является областью бокового подтрава межслойного окисла при формировании областей контактов); ∆Lз-к2 - сдвиг границы контакта
за счет растрава контакта.
Предлагаемый способ включает в себя следующую последовательность операций: формирование на поверхности кремниевой подложки 1-го типа проводимости 1 подзатворного диэлектрика 2, нанесение слоя поликристаллического кремния 3, формирование в нем рисунка затвора нанесением слоя фоторезиста, созданием
фоторезистивной маски, травлением слоя поликристаллического кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика, удалением фоторезистивной маски, формирование канальных областей 4 ионным легированием и разгонкой примеси 2-го типа проводимости, формирование поднитридного окисла кремния 5
толщиной 400÷450 Å, нанесение слоя нитрида кремния 6 толщиной 0,1÷0,2 мкм, формирование в нем рисунка областей контактов нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя
нитрида кремния, удалением фоторезистивной маски, формирование истоковых областей 7 ионным легированием примеси 1-го типа проводимости с энергией, достаточной для проникновения ионов примеси через
поднитридный окисел кремния в канальную область 2-го типа проводимости, но недостаточной для проникновения ионов примеси в область контактов через слой нитрида кремния и расположенного под ним поднитридного окисла кремния, формирование межслойного окисла 8 отжигом и окислением до толщины окисла
кремния 0,4÷1,2 мкм, формирование области контактов 9 удалением слоя нитрида кремния и расположенного под ним поднитридного окисла кремния, создание металлизации 10.
Формирование поднитридного окисла кремния толщиной 400÷450 Å, нанесение слоя нитрида кремния
толщиной 0,1÷0,2 мкм, формирование в нем рисунка областей контактов нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя нитрида кремния, удалением фоторезистивной маски, формирование истоковых областей ионным легированием примеси 1-го типа проводимости с энергией,
достаточной для проникновения ионов примеси через поднитридный окисел кремния в канальную область 2го типа проводимости, но недостаточной для проникновения ионов примеси в область контактов через слой
нитрида кремния и расположенного под ним поднитридного окисла кремния, формирование межслойного
окисла отжигом и окислением до толщины окисла кремния 0,4÷1,2 мкм, формирование области контактов
удалением слоя нитрида кремния и расположенного под ним поднитридного окисла кремния повышает электрическую прочность всего слоя межслойного окисла, увеличивает толщину подзатворного окисла под краем затвора, тем самым исключая возможность пробоя подзатворного окисла по краю затвора и повышая
процент выхода годных, а также обеспечивает снижение величины топологического зазора между краем
контакта и краем поликристаллического кремния за счет прокисления торца поликремниевого затвора при
термических окислениях при формировании поднитридного окисла и межслойного окисла.
Пример конкретного выполнения.
На поверхности n--n+ эпитаксиальной структуры типономинала 28 КЭФ 5,5 ориентации <100> выращивали подзатворный окисел толщиной 800 Å, наносили слой поликристаллического кремния толщиной 0,9 мкм,
наносили слой фоторезиста, создавали фотолитографический рисунок затвора, проводили травление слоя поликристаллического кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика, проводили ионное легирование бора дозой Д = 9,0 мкКл/см2 и энергией Е = 60 КЭВ, разгоняли бор при температуре Т = 1150 °С в
течение t = 360 мин в среде азота, выращивали поднитридный окисел толщиной 425 Å, наносили слой нитрида кремния толщиной 0,15 мкм, фотолитографией создавали рисунок областей контактов, травили слой нитрида кремния, удаляли фоторезистивную маску, проводили ионное легирование фосфора дозой Д = 1000
мкКл/см2 и энергией Е = 60 КЭВ, проводили отжиг истоковых областей при температуре Т = 1000 °С в течение времени t = 15 мин в среде азота и окисление истоковых областей при температуре Т = 950 °С и давлении 10 атм в течение времени t = 30 мин в среде водяного пара, формировали области контактов к затвору и
истокам путем удаления слоев нитрида кремния и расположенного под ним поднитридного окисла кремния,
создавали металлизацию.
Толщина межслойного окисла составила для данного примера dx = 0,7÷0, 8 мкм, удельное сопротивление
поликремния на тестовом элементе составило: Rs = 22 Ом/м, пробивное напряжение межслойного окисла на
тестовом элементе составило: Uпроб = 750 В.
4
BY 4476 C1
Величина пробивного напряжения затвор-исток составила:
Uпроб з-и = 75 В.
Толщина окисла определялась по таблице цветности, пробивное напряжение - на приборе ПНХТ Л2-56,
удельное сопротивление - на установке измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов
Я5М3.410.041.
В табл. 1 приведены данные по пробивным напряжениям затвор-исток, по удельному сопротивлению
шины поликремния, по пробивному напряжению межслойного окисла на тестовом элементе для вариантов
изготовления ДМОП-транзистора по предлагаемому способу и по способу прототипа.
В табл. 2 приведены данные по топологическим параметрам рабочей ячейки ДМОП-транзистора по
предлагаемому способу и по способу прототипа.
В табл. 3 приведены данные по пробивному напряжению затвор-исток, по пробивному напряжению межслойного окисла на тестовом элементе для вариантов изготовления ДМОП-транзистора по предлагаемому
способу с различными толщинами поднитридного окисла.
В табл. 4 приведены данные по пробивному напряжению затвор-исток, по пробивному напряжению межслойного окисла на тестовом элементе для вариантов изготовления ДМОП-транзистора по предлагаемому
способу с различными толщинами нитрида кремния.
Таблица 1
Результаты замера пробивного напряжения затвор-исток, удельного сопротивления тестовой
поликремниевой шины, пробивного напряжения межслойного окисла на тестовом элементе для
вариантов изготовления ДМОП-транзистора по предлагаемому способу и по способу прототипа
Уровень электропараметров
Время окисления
Толщина
Пример,
Пробивное наПроцент Пробивное на- Удельное сопропри создании
термического
способ
пряжение межвыхода
межслойного
пряжение за- тивление тестовой
межслойного
изготовлеслойного
годных
окисла (950 °С, 10
поликремниевой
твор-исток,
окисла, мкм
ния
окисла, Uпроб
атм, пар), мин
шины, Ом/м
Uпроб з-и, В
м/с, В
1
5
0,20
14,0
58
22
150
2
10
0,40
57,2
65
22
300
3
30
0,80
78,7
75
22
750
4
60
1,20
74,3
75
25
>1000
5
90
1,5
64,8
75
57
>1000
прототип
0
0
25,5
50
22
750
Из табл. 1 видно, что предложенный способ изготовления мощного высоковольтного ДМОП-транзистора в
сравнении со способом прототипа позволяет повысить процент выхода годных ~3 раза за счет устранения
возможности пробоя подзатворного окисла по краю затвора.
Таблица 2
Топологические параметры рабочей ячейки ДМОП-транзистора по предлагаемому способу
и по способу прототипа
№ п/п
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Пример, способ изготовления
Площадь рабочей ячейки, Sяч, мкм2
Топологический размер ячейки, Lяч, мкм
Топологический зазор между ячейками, Lзаз, мкм
Топологический размер контакта, Lктоп, мкм
Фактический размер контакта, Lкфакт, мкм
Топологический зазор между контактом и затвором, Lз-ктоп,
мкм
Сдвиг границы контакта за счет растрава контакта, ∆Lз-к,
мкм
Сдвиг границы затвора за счет прокисления поликремния,
∆Lз-к, мкм
Фактический зазор между контактом и затвором,
Lз-кфакт, мкм
Предлагаемый
способ
144
5,4
6,6
1,6
1,6
Способ
прототипа
144
5,4
6,6
1,6
3,4
1,9
1,9
0,0
0,9
0,4
0,0
2,3
1,0
Из табл. 2 видно, что предложенный способ изготовления мощного высоковольтного ДМОП-транзистора
в сравнении со способом прототипа - при одинаковом топологическом зазоре между контактом и затвором
(Lз-ктоп) - обеспечивает фактический зазор между контактом и затвором (Lз-кфакт) на 1,3 мкм больше, что позволяет снизить топологический зазор между контактом и затвором (Lз-ктоп) на 1,3 мкм и тем самым умень5
BY 4476 C1
шить площадь рабочей ячейки прибора со 144 мкм2 до 114,49 мкм2, то есть на 20,49 % и соответственно увеличить плотность компоновки элементов в приборе на 20,49 %.
Таблица 3
Результаты замера пробивного напряжения затвор-исток, пробивного напряжения межслойного
окисла на тестовом элементе для вариантов изготовления ДМОП-транзистора по предлагаемому
способу с различными толщинами поднитридного окисла
Пример
1
2
3
Толщина поднитридного
окисла, А
400
425
450
Процент выхода годных
73,2
78,7
74,5
Уровень электропараметров
Пробивное напряжение заПробивное напряжение межслойного
твор-исток, Unpoб з-и, В
окисла, Unpoб м/с, В
70
750
75
750
75
710
Из табл. 3 видно, что выбранный диапазон толщин поднитридного окисла обеспечивает требуемый уровень электропараметров прибора и процент выхода годных.
Таблица 4
Результаты замера пробивного напряжения затвор-исток, пробивного напряжения межслойного
окисла на тестовом элементе для вариантов изготовления ДМОП-транзистора по предлагаемому
способу с различными толщинами нитрида кремния
пример
толщина нитрида
кремния, мкм
1
2
3
0,10
0,15
0,20
Уровень электропараметров
процент выПробивное напряжение затвор- Пробивное напряжение межслойхода годных
исток, Uпроб з-и, В
ного окисла, Uпроб м/с, В
72,8
75
715
78,7
75
750
71,3
71
750
Из табл. 4 видно, что выбранный диапазон толщин нитрида кремния обеспечивает требуемый уровень
электропараметров прибора и процент выхода годных.
Таким образом, предлагаемый способ изготовления мощного высоковольтного ДМОП-транзистора - в
сравнении с прототипом - позволяет повысить процент выхода годных ~3 раза и увеличить плотность компоновки элементов в приборе ~ на 20,49 %.
Источники информации:
1. US 4974059 A, 1990.
2. WO 96/07200 A1.
Способ изготовления мощного высоковольтного ДМОП-транзистора, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки 1-го типа проводимости подзатворного диэлектрика, нанесение слоя поликристаллического кремния, формирование в нем рисунка затвора нанесением слоя фоторезиста, созданием
фоторезистивной маски, травлением слоя поликристаллического кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика, удалением фоторезистивной маски, создание канальных областей ионным легированием и разгонкой примеси 2-го типа проводимости, формирование истоковых областей 1-го типа
проводимости, формирование межслойного окисла, формирование областей контактов, создание металлизации, отличающийся тем, что после удаления фоторезистивной маски при формировании рисунка затвора
формируют поднитридный окисел кремния толщиной 400-450 Å, наносят слой нитрида кремния толщиной
0,1-0,2 мкм, создают в нем рисунок областей контактов нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя нитрида кремния, удалением этой маски, формирование истоковых областей осуществляют ионным легированием примеси 1-го типа проводимости с энергией, достаточной для
проникновения ионов примеси через поднитридный окисел кремния в канальную область 2-го типа проводимости, но недостаточной для проникновения ионов примеси в область контактов через слой нитрида
кремния и расположенного под ним поднитридного окисла кремния, формирование межслойного окисла
проводят отжигом и окислением до толщины окисла кремния 0,4-1,2 мкм, а области контактов формируют
удалением слоя нитрида кремния и расположенного под ним поднитридного окисла кремния
6
BY 4476 C1
Фиг. 2
Фиг. 3
Фиг. 4
Фиг. 5
Фиг. 6
Фиг. 7
Фиг. 8
Фиг. 9
Фиг. 10
Фиг. 11
Национальный центр интеллектуальной собственности.
220072, г. Минск, проспект Ф. Скорины, 66.
7
Документ
Категория
Без категории
Просмотров
1
Размер файла
209 Кб
Теги
by4476, патент
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа