close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

Патент BY8580

код для вставкиСкачать
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К ПАТЕНТУ
РЕСПУБЛИКА БЕЛАРУСЬ
BY (11) 8580
(13) C1
(19)
(46) 2006.10.30
(12)
7
(51) H 01L 21/306,
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ЦЕНТР
ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ
СОБСТВЕННОСТИ
(54)
C 09K 13/08
СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ РАСТВОРА
ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНКИ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ
(21) Номер заявки: a 20041140
(22) 2004.12.06
(43) 2005.06.30
(71) Заявитель: Производственное республиканское унитарное предприятие
"Завод полупроводниковых приборов" (BY)
(72) Авторы: Медведева Анна Борисовна;
Емельянов Виктор Андреевич; Лысюк
Анатолий Александрович; Кисель
Анатолий Михайлович; Кукреш Анна
Брониславовна (BY)
(73) Патентообладатель: Производственное
республиканское унитарное предприятие "Завод полупроводниковых приборов" (BY)
(56) US 6117350 A, 2000.
US 5310457 A, 1994.
JP 60114759, 1985.
JP 2003275569, 2003.
EP 1426346 A1, 2004.
US 4269654, 1981.
BY 8580 C1 2006.10.30
(57)
Способ приготовления раствора для травления пленки диоксида кремния, включающий смешивание фтористоводородной кислоты и воды, отличающийся тем, что перед
смешиванием компонентов фтористоводородную кислоту нагревают до температуры
30-50 °С и выдерживают при этой температуре не менее 1,5 ч.
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Одним из главных путей обеспечения стремительного увеличения степени интеграции
является уменьшение линейных размеров элементов схем, которые в течение нескольких
десятилетий снизились от уровня сотен микрон при изготовлении первых дискретных
приборов, до уровня менее одного микрона при изготовлении сверхбольших интегральных схем (СБИС). Для реализации субмикронных размеров элементов топологии необходимо обеспечить высокую точность не только при формировании рисунка, но и при
последующем травлении маскирующего слоя диэлектрика или металла. В связи с этим заявляемый способ может быть очень актуальным для обеспечения требуемой точности
формирования рисунка методами жидкостного химического травления.
Важнейшим показателем производственных процессов является их воспроизводимость
и стабильность. Стабильность и воспроизводимость скорости травления при травлении пленки диоксида кремния на маршруте изготовления интегральных схем обеспечивается постоянством концентраций частиц, ответственных за процесс травления. Постоянство
концентраций обеспечивается способом приготовления растворов для травления.
Известен способ приготовления раствора для травления пленки диоксида кремния, содержащего фтористоводородную кислоту и воду [1]. Способ включает смешивание всех
компонентов раствора при комнатной температуре. В результате из-за того, что концентрация водородных ионов H + и бифторид ионов HF2- в растворе фтористоводородной ки-
BY 8580 C1 2006.10.30
слоты низкие и постоянно меняются, это приводит в известном способе приготовления
раствора к низкой скорости травления пленки диоксида кремния и нестабильности скорости травления пленки диоксида кремния.
В основу изобретения положена задача увеличения и стабилизации скорости травления пленки диоксида кремния.
Сущность изобретения заключается в том, что способ приготовления раствора для
травления пленки диоксида кремния включает смешивание фтористоводородной кислоты
и воды, при этом перед смешиванием фтористоводородную кислоту нагревают до температуры 30-50 °C и выдерживают при этой температуре не менее 1,5 ч.
Наличие отличительных существенных признаков у предлагаемого способа (предварительный нагрев фтористоводородной кислоты в течение не менее 1,5 ч до температуры
30-50 °C) позволяет получить положительный эффект, отсутствующий у прототипа и выражающийся в увеличении и стабилизации скорости травления пленки диоксида кремния.
По предлагаемому и известному способу были приготовлены растворы для травления
пленки диоксида кремния. Раствор содержал фтористоводородную кислоту и воду в объемном соотношении 1:50 соответственно.
Скорость травления пленки диоксида кремния рассчитывали по разнице толщины
пленки диоксида кремния до и после травления в течение 1 мин по формуле:
Vmp. = dисх. - dкон.,
где Vmp. - скорость травления, нм;
dисх. - исходная толщина пленки диоксида кремния, нм;
dкон. - конечная толщина пленки диоксида кремния, нм;
Толщину пленки диоксида кремния измеряли с помощью измерителя Leitz-M/SP в пяти точках на пластине. Для каждой температуры и времени выдержки измеряли по пять
пластин и рассчитывали минимальное, максимальное и среднее значение скорости травления диоксида кремния. Полученные данные представлены в таблице.
Скорость травления пленки термического диоксида кремния
для различных температур нагрева и времени выдержки
фтористоводородной кислоты перед смешиванием.
Время выдержки, час
Температура нагрева, °C
1
25
30
50
55
25
30
50
55
25
30
50
55
1,5
2
Прототип
Скорость травления нм/мин
min
max
средн.
55
90
75
53
88
72
55
90
73
54
82
70
54
90
74
70
95
85
72
96
82
52
80
70
53
88
73
70
95
85
72
96
85
50
80
70
50
90
75
Как следует из таблицы, при уменьшении температуры нагрева ниже 30 °C и времени
выдержки менее 1,5 ч уменьшается среднее значение скорости травления и увеличивается
разброс скорости травления пленки диоксида кремния. При увеличении температуры
нагрева выше 50 °C уменьшается скорость травления пленки диоксида кремния.
2
BY 8580 C1 2006.10.30
Увеличение времени выдержки больше 1,5 ч является технологически необоснованным, так как увеличивает время приготовления раствора и не приводит к увеличению скорости травления.
Таким образом, нагрев фтористоводородной кислоты до температуры 30-50 °C и
выдержка при этой температуре в течение не менее 1,5 ч перед смешиванием компонентов
травителя для травления пленок диоксида кремния позволяет решить поставленную задачу.
Источники информации:
1. Патент US 6117350 А, МПК7 H01L 21/302, 2001.
Национальный центр интеллектуальной собственности.
220034, г. Минск, ул. Козлова, 20.
3
Документ
Категория
Без категории
Просмотров
0
Размер файла
75 Кб
Теги
by8580, патент
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа