close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

Патент BY8857

код для вставкиСкачать
BY (11) 8857
(13) C1
(46) 2007.02.28
(19)
(12)
7
(51) H 01L 21/66
(54)
(21)
(22) 2003.10.16
(43) 2005.06.30
(71)
:
: a 20030951
(73)
(72)
:
;
(BY)
-
"
" (BY)
(56) DE 19952631 A1, 2001.
BY 4853 C1, 2002.
SU 1786542 A1, 1993.
JP 6037163 A, 1994.
JP 10172917 A, 1998.
-
"
" (BY)
:
-
-
(57)
,
-
,
,
,
,
,
,
n+(p+)-
,
BY 8857 C1 2007.02.28
,
,
,
.
.1
-
BY 8857 C1 2007.02.28
(
),
-
,
.
1�12
C-V(
-2
,
-
)-
)-
-
[1].
,
.
,
6 %.
,
"
-
"
[2].
~1�
11
-2
,
.
C-V-
,
,
,
,
-
[3].
(n)
(p)
,
Vt
D
.
(
)
-
.
.
.
,
Vt
C-VVt
,
.
,
(
)
,
Vt(D),
.
-
,
Vt(D).
,
.
(
)
-
[4, 5].
Dmin,
2
BY 8857 C1 2007.02.28
? :
= ?P(Dmin).
P(Dmin) ,
Dmin ~ 5�
,
10
(1)
-2
.
,
(D = 0)
Dmin,
[3] C-V-
,
,
.
-
No,
.
Dmax
N max
Nmax ? No ,
= D max / 2??R p ,
(
-
(2)
(3)
)
, ?RP -
Nmax -
-
.
[3]
1�17
No
-3
,
-
,
(2), (3)
,
, p-
n-
Dmax ? (0,7 � 2)�12
5�10 � 1�12
C-V-
-2
-2
,
50�0
,
(4)
.
,
,
-
[3],
.
.
,
,
GaAs -
,
,
Nd-a
.
,
( Si
.)
,
3-5
,
-
,
Vt,
Nd-a1/2).
(
(
-
)
.
-
.
,
,
,
.
[6].
,
,
-
,
.
,
,
3
n-
5
.
,
-
.
,
-
,
3
BY 8857 C1 2007.02.28
,
-
,
,
,
,
-
n+(p+),
,
,
,
.
.1
n+(p+)-
:
)
(
1
.
dn+
-
n
2,
(
),
.
3
1
l
4
lc (
l )
5
.
.2
(
)6
-2
n = 5�18
dn+ = 0,12
-3
,
I ,
U
,
-
ac
U
+
(
)
= 100
D = 2,5�10 -2
7) D = 1�11 -2
8).
. 3, 4
I ac(D)/I o
+
GaAs (
-2 , dn+ = 0,12
)
= 100
: n = (6,5 � 7)�18 -3, I o = 0,39 (
9); n = 5�18 -3,I o = 0,275
10); n = 3�18 -3, I
= 0,145 (
11),
(Ar+)
n = 5�18 -3, I o = 0,275 (
12),
I (D), I
D
n+ +)1.
. 3, 4
(
(1�10 � 1�13) -2 (
. 3) (1�9 � 1�12) -2 (
. 4).
(
.
)
n+
,
,
-2
,
-
)
,
.
1
,
2,
( )
n-
2,
.
p-
4
,
3
(
,
.)
(
),
n(p).
4
-
BY 8857 C1 2007.02.28
I
n+
+
)-
,
1
4,
3
U,
5,
3
-
4.
,
2-56
2-56 .
[7]
,
.
-
U<U .
,
,
-
.
.
,
-
dn+
-
2
,
.
1
,
,
Rp
:
0,7 Rp ? dn+,
(5)
(5)
1
-
.
2,
,
2,
.
.
,
2
-
1
p-n-
.
.
Rp ? dn+/2.
(5')
p-n-
,
p-n-
.
n+
1
,
(
,
.
.
2
.
(5)
,
+
))
-
(5')
,
.
[7]
:
I
= nV dn+l ,
(6)
n-
1,
,V
-
,
5
BY 8857 C1 2007.02.28
n
.
(6')
,
n(D):
I (D) = n(D)V dn+l ,
I o = noV dn+l .
,
I (D)/I
(6")
-
(6')
(6'')
-
o
.
,
.
.
= I /I
-
o
,
.
n(D)
-
,
.
,
I
1
,
(5').
(5)
,
-
o.
,
I
P(D) = I (D)/I
,
,
D
D
o.
-
,
.
(
.
)
-
.
(
)
-
,
,
10 %,
12
~
(
.4
.
Dmin ? 1�
1)
Dmin ~ (3 � 5)�9
D < Dmin
-2
-
11
),
9
-2
.4 (
.
.
1�12
.3
+
n n
no ? (1 � 5)�18
+
)-
-2
1.
-3
),
-
[7].
.
(
,
.
n(D),
,
,
.
.
6
-
BY 8857 C1 2007.02.28
(
n
.
-
dn/dD),
.
I
( D) / I
o
=
:
(m + 1)
?
?t
m
exp( ?kD),
(7)
exp( ? t )dt
kD
(m) -
,k mk
,
I o,
(7)
9, 10, 11, 12
,
.
,
m = 0,59}, {k = 2,64�
m = 1,13}.
-11
2
n
; m = 0,90}, {k = 4,82�
-11
2
,
-
m ? ?.
,
2
;
2
;
, {k = 1,51�-11
; m = 2,91}, {k = 1,37�-10
,
3
5
,
n ? 5�17
,
,
? 2,5�18
-3
,
,
D ~ (1 � 2)�12
n ~ (1 � )�18 -3
n
1
-3
+
,
-2
,
.
,
D > 5�12
,
-2
[8, 9],
D > 1�12
-2
.
,
Dmax,
D = 0,
. 2.
Dmax
.
-
,
D ? (1 � 2)�12
-2
C-V,
,
.
,
; Vt
(I (D)/I
)
(
;
),
Dmax
.3(
,
10
,
)
(4)
o
-
3,5 � 5
n+
,
.
D > Dmax ? 7�12 -2,
D < Dmin
11
. 4,
-
1.
C-V.4
,
.
12
-
,
.
,
-
.
),
,
[1, 2, 3],
.
7
,
BY 8857 C1 2007.02.28
(
10
3
),
(
,
).
,
,
-
,
.
:
40
n-10
(100)
:
(0,80; ? 5�14)-n(0,25; 2�17)-n+
(
)
,
,
-2
-0,12(5-18)-0,25(2-17) , ]/
(400-440; ? 1�14)-i18
1(0,12; 5� ),
( -3)
2,
"
1,3�-3
6
20
,
l (30
,
1:10 (30
)
5%
NH4OH,
1
-
.
,
).
-9120
- 0,5 %-5026.
08
5,8
(
~1
,
35-50
Au:Ge
900 )
NH4OH
3
9:1
-100 -005
)
,
(
-200,
GaAs
150
.
-9"
0,2
H2O
-
2
(5-10
4
).
0,3
AuGe
(
2
)
2
4
.
,
:
2
2 (1
)-
(10
)-
(1
)-
,
2
,
-
.
380-400 �
5-7
.
.
,
. 1,
l = 45
, l = 60
, l = 10
l + 2l + 2l = 185
.
+
n
(? 5�-8
1
2
[7]),
.
3
5
.
3
1�-9
2-56
�%
10
6
4
4
(
I > 1�-5 )
"
.
. 2.
,
8
-4 "
-
BY 8857 C1 2007.02.28
. 2,
.
I
= 100
"
o
= 0,275 .
-5",
.
-
I
= I /I
.
o
. 3 {k = 2,64�-11
2
; m = 0,90}
. 4 {k = 1,37�-10
12
2
10
(7) ; m = 1,13}.
,
j = 1�-5
2
120
I (D)/I
D(Ar+) = 7,4�9 -2,
.
o,
I
0,47,
.
(I
10
D(Ar+)
.
2
,
-
: j = 1�-4
= 0,0043 ; I (D)/I o = 0,016)
D(B+) = 3,6�12 -2,
.
,
600
= 0,130 ,
12
.4
.3
D(B+)
.
(
)
,
-
.
.
,
Ar , dn+ = 0,12
, Rp = 0,07
,
B+, dn+= 0,12
, Rp = 0,2
(5) ,
-
+
(5)
-
.
-
,
.
,
,
,
,
,
,
.
:
1.
.,
.,
.-
.
:
, 1995. - . 68-73.
2.
. Chen Zhiyun, Li Tonghe, Gao Jie, Chen
Guangsui. Xi'an jiaotong daxue xuebao = J. Xi'an Jiaotong Univ. 1996. 30, N 1. - . 13-18.
7
3.
DE 19952631 A1, 2001,
H 01L 21/66 //
.
.. 104. - N 8. - . 4 (
).
4.
.
.
. - .:
, 1990. 287 .
5.
. .
.
. - .:
, 1992. - 480 .
6. Irradiation induced defects for lifetime control in silicon. Keskitalo Niclas. Acta univ. upsal. Compr. Summ. Uppsala Diss. Fac. Sci. and Technol. [Acta univ. upsal. Compr. Summ. Uppsala Diss. Fac. Sci.]. 1997, N 291. - . 1-49.
7.
.
. - .:
, 1991. - 632 .
9
BY 8857 C1 2007.02.28
8. Formation of insulating layers in ion-implantation doped n+-i-and n-i-structures on GaAs.
Il'in I.Yu., Matvienko A.N., Lubenets A.U., Olifirova O.F. Proc. 5th Int. Symp. Recent Adv. Microwave Technol., ISRAMT' 95, Kiev, Sept. 11-16. 1995, 1. - . 131-134.
9. GaAs device isolation by Boron implantation. Asai Shuji, Yoshida Takayoshi, Ohno Yasuo, Goto Norio, Yano Hitoshi. NEC Res. And Dev. 1992. 33, N 3. - . 461-468.
.2
.3
.4
.
220034, .
,
.
, 20.
10
Документ
Категория
Без категории
Просмотров
1
Размер файла
348 Кб
Теги
by8857, патент
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа