close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

Патент BY11179

код для вставкиСкачать
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К ПАТЕНТУ
РЕСПУБЛИКА БЕЛАРУСЬ
(46) 2008.10.30
(12)
(51) МПК (2006)
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ЦЕНТР
ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ
СОБСТВЕННОСТИ
(54)
BY (11) 11179
(13) C1
(19)
G 03F 7/20
H 01L 21/02
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ
ТОЛСТЫХ СЛОЕВ ФОТОРЕЗИСТОВ
(21) Номер заявки: a 20061107
(22) 2006.11.08
(43) 2008.06.30
(71) Заявитель: Научно-производственное республиканское унитарное
предприятие "КБТЭМ-ОМО" (BY)
(72) Авторы: Агейченко Александр Степанович; Васильев Алексей Андреевич; Зуев Владимир Павлович
(BY)
(73) Патентообладатель: Научно-производственное республиканское унитарное
предприятие "КБТЭМ-ОМО" (BY)
(56) JP 6333802 A, 1994.
BY 4983 C1, 2003.
US 3988066, 1976.
BY 11179 C1 2008.10.30
(57)
Устройство для экспонирования толстых слоев фоторезистов, содержащее широкополосный источник экспонирующего света, осветительную систему с апертурной диафрагмой, ретикл с топологическим рисунком, полихроматический проекционный объектив с
апертурной диафрагмой, координатный стол для размещения экспонируемой пластины, а
также первый и второй интерференционные фильтры, установленные в плоскости двух
указанных апертурных диафрагм соответственно и выполненные с возможностью задания
заранее определенного размера каждой диафрагмы при условии обратной пропорциональности величины ее площади чувствительности используемого фоторезиста для каждой длины волны экспонирующего света и интенсивности линии указанной волны в
спектре источника света.
BY 11179 C1 2008.10.30
Изобретение относится к областям электронной промышленности, где требуется проводить процесс фотолитографии для толстых слоев фоторезиста.
Известна экспонирующая система, в которой для получения в слое резиста требуемого
пространственного изображения экспонируемой топологии, в осветительной системе и
проекционном объективе используется апертурная диафрагма переменного размера [2].
Для получения требуемого профиля боковых стенок резиста предлагается также использовать возможность проекционной экспонирующей системы изменять положение
плоскости фокусировки в пределах толщины резиста в процессе экспонирования.
Известно также решение, когда для увеличения разрешения и глубины фокуса проекционной экспонирующей системы используется кольцевая засветка апертурной диафрагмы [3].
Прототипом предлагаемого изобретения является устройство экспонирования [1].
Данное устройство состоит из источника света, осветительной системы с апертурной диафрагмой изменяемого размера, ретикла с топологическим рисунком, проекционного объектива с апертурной диафрагмой изменяемого размера, системы управления размером
апертурных диафрагм и координатного стола с экспонируемой пластиной.
В данном устройстве получение требуемого наклона боковых стенок резиста достигается изменением размера апертурных диафрагм в осветительной системе и в проекционном объективе в процессе экспонирования каждого кадра.
Недостатком прототипа является низкая производительность из-за необходимости
подбора параметров системы управления размером апертурных диафрагм для резистов с
разной толщиной и чувствительностью, а также снижение производительности устройства
экспонирования из-за уменьшения количества света при уменьшении размера апертурных
диафрагм в осветительной системе и в проекционном объективе в процессе экспонирования.
Задачей изобретения является повышение производительности устройства экспонирования и получение в проявленных слоях толстых резистов максимально вертикальных боковых стенок.
Поставленная задача достигается тем, что устройство для экспонирования толстых
слоев фоторезистов содержит широкополосный источник экспонирующего света, осветительную систему с апертурной диафрагмой, ретикл с топологическим рисунком, полихроматический проекционный объектив с апертурной диафрагмой, координатный стол
для размещения экспонируемой пластины, а также первый и второй интерференционные
фильтры, установленные в плоскости двух указанных апертурных диафрагм соответственно и выполненные с возможностью задания заранее определенного размера каждой
диафрагмы при условии обратной пропорциональности величины ее площади чувствительности используемого фоторезиста для каждой длины волны экспонирующего света и
интенсивности линии указанной волны в спектре источника света.
Суть изобретения поясняется чертежом, где приведено устройство экспонирования.
Устройство для экспонирования толстых слоев фоторезистов содержит широкополосный источник экспонирующего света 1, осветительную систему 2 с апертурной диафрагмой 3, ретикл с топологическим рисунком 4, полихроматический проекционный объектив
5 с апертурной диафрагмой 6, координатный стол с экспонируемой пластиной 7, два интерференционных фильтра 8, 9, один из которых расположен в плоскости апертурной
диафрагмы 3 осветительной системы, а второй - в плоскости апертурной диафрагмы 6
проекционного объектива 5, которые создают заданный размер и форму апертурной диафрагмы для каждой длины волны света экспонирования.
Устройство экспонирования толстых слоев фоторезистов работает следующим образом.
В источнике света 1 поток излучения ртутной лампы высокого давления 10 трех спектральных линий ртути - 365 нм (i-линия), 405 нм (h-линия) и 436 нм (g-линия) - отражает2
BY 11179 C1 2008.10.30
ся от эллиптического отражателя 11, плоского зеркала 12 и попадает в осветительную систему 2. В осветительной системе 2 излучение трех спектральных линий последовательно
проходит через линзу 13, блок растровых линз 14, апертурную диафрагму 3 с интерференционным фильтром 8, далее через линзу 15, отражается от зеркала 16, проходит через линзу 17 и попадает на ретикл с рисунком 4. Проекционный объектив 5 строит изображение
топологии ретикла 4 в плоскость пластины 7, при этом часть света, прошедшая через прозрачные участки ретикла 4, попадает в проекционный объектив 5, где проходит через линзы объектива 5 и апертурную диафрагму 6, интерференционный фильтр 9 и попадает на
экспонируемую пластину 7, покрытую слоем фоторезиста.
Конкретная форма и размер апертурной диафрагмы для трех главных длин волн экспонирования выбирается из спектральной чувствительности, толщины и контрастных
свойств используемого фоторезиста.
Предложенное техническое решение позволяет получить требуемый наклон боковых
стенок в толстых слоях фоторезистов путем выбора оптимального размера и формы полихроматической апертурной диафрагмы (фильтра апертурной диафрагмы) и оптимального
распределения спектральной интенсивности широкополосного света экспонирования для
конкретного фоторезиста. Использование широкого спектра экспонирования позволяет
снизить время экспонирования толстых и низкочувствительных слоев фоторезистов и,
следовательно, увеличить производительность устройства экспонирования.
Хроматическая апертура в осветительной системе может использоваться для экспонирования толстых фоторезистов не только в проекционных, но и в контактных устройствах
экспонирования или устройствах экспонирования с зазором. В этом случае хроматическая
диафрагма устанавливается в плоскости апертурной диафрагмы осветительной системы
устройства экспонирования.
Источники информации:
1. JP 6333802 А, 1994.
2. Патент США 5622418.
3. Патент Японии 5315226.
Национальный центр интеллектуальной собственности.
220034, г. Минск, ул. Козлова, 20.
3
Документ
Категория
Без категории
Просмотров
0
Размер файла
109 Кб
Теги
by11179, патент
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа