close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

Репрограммируемые полупроводниковые запоминающие

код для вставкиСкачать
Репрограммируемые
полупроводниковые
запоминающие устройства
на основе МДПтранзисторов (Флеш памяти)
На основе системы резистор- МДПтранзистор можно реализовать
элементарную логическую ячейку с
двумя значениями 0 и 1
Недостаток - при отключении напряжения
питания записанная информация теряется.
Для реализации энергонезависимого
репрограммируемого полупроводникового запоминающего устройстваа(РПЗУ)необходим МДП-транзистор,в котором обратимым образом было бы
возможно изменять пороговое напряжение Vт за счет
изменения встроенного в диэлектрик заряда Qох.
Для изменения Vт необходимо :
1.Изменить легирование подложки Nа,для изменения объемного положения уровня Ферми, разности работ выхода и заряда акцепторов в
области обеднения.
2.Изменить плотность поверхностных состояний
Nss.
3.Изменить встроенный в диэлектрик заряд Qох.
4.Изменить напряжение смещения канал-подложка
Vss, для изменения заряда акцепторов в слое
обеднения.
МНОП-транзисторы
Зонная диаграмма мноптранзистора
а)Напряжение на затворе равно нулю, ловушки не
заполнены;б)Запись информационного заряда;
в)стирание информационного заряда.
Оценка величины инжектируемого
заряда, необходимой для
переключения МНОП-транзистора
МОП Полевой транзистор с
плавающим затвором
Если затвор обычного полевого транзистора модифицировать
введением дополнительного металл-полупроводникового “сэндвича”
(плавающий затвор), новая структура может служить элементом
памяти, длительно сохраняющим накопленный заряд.
В качестве материала для плавающего затвора используется
поликристаллический кремний, легированный фосфором.
Зонная диаграмма МОП ПТ с
плавающим затвором:
Основные соотношения, определяющие характер
накопления инжектированного заряда на плавающем
затворе полевого транзистора.
• Величина заряда Qox(τ) равна:
где I(t) - величала инжекционного тока в момент времени t
• Величина туннельного тока I(t) описывается
соотношением:
• Величина электрического поля Еох,
обуславливающая туннелирование, равна:
Применение МДП - транзисторов с
плавающим затвором
На базе МДП- транзисторов с плавающим затвором,
которые позволяют хранить заряд, записанный на
плавающий затвор, реализованы устройства flashпамяти. Операция программирования (заряжание
плавающего затвора) проводится лавинной
инжекцией электронов из стоковой области
канала МДП- транзистора.
Документ
Категория
Презентации
Просмотров
20
Размер файла
3 636 Кб
Теги
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа