close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

Репрограммируемые полупроводники. Запоминающие

код для вставкиСкачать
Репрограммируемые
полупроводники.
Запоминающие устройства на
основе МДП транзисторов (для
Flash памяти)
Над проектом работали:
Агеев М.С
Вишталюк К.С
Репрограммируемые
ПЗУ
Полевой транзистор с
плавающим затвором
МНОП транзистор
Структура полевого транзистора с
плавающим затвором
Зонная диаграмма МОП ПТ с
плавающим затвором
Основные соотношения, определяющие
характер инжектированного заряда на
затворе полевого транзистора.
Структура МНОП транзистора
Зонная диаграмм МНОП-транзистора
Классификация ПЗУ
• 1.Адресные
• 2.Последовательные
• 3.Ассоциативные
Flash-память
• Флеш-память (англ. flash memory) —
разновидность полупроводниковой
технологии электрически
перепрограммируемой памяти (EEPROM). Это
же слово используется в электронной
схемотехнике для обозначения
технологически законченных решений
постоянных запоминающих устройств в виде
микросхем на базе этой полупроводниковой
технологии.
Программирование Flash-памяти
Стирание Flash-памяти
Устройство на основе Flash-памяти
• USB-flash память
Устройство типовой USB-flash
памяти
• 1. – печатная плата небольшого размера;
• 2. – припаянный на печатную плату USB разъём типа А;
• 3. – стабилизатор для питания флэш памяти и контроллера на 5
и 3,3 вольт;
• 4. – непосредственно микросхема контроллера (связь между
микросхемой памяти и разъемом USB);
• 5. – собственно микросхема энергонезависимой NAND памяти;
Спасибо за внимание
Документ
Категория
Презентации
Просмотров
40
Размер файла
810 Кб
Теги
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа