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oxide
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Publication
_________________________________________________________________
Number FR2511545A1
Family ID 5010061
Probable Assignee Dalsa Corp
Publication Year 1983
Title
_________________________________________________________________
FR Title DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UN DISPOSITIF A
COUPLAGE DE CHARGES A QUATRE PHASES
Abstract
_________________________________________________________________
DANS UN DISPOSITIF A COUPLAGE DE CHARGES A 4 PHASES DANS LEQUEL LES
TENSIONS D'HORLOGE SE CHEVAUCHENT SUR 90, LA SURFACE SITUEE AU-DESSOUS
DE DEUX ELECTRODES D'HORLOGE PEUT ETRE UTILISEE POUR LE STOCKAGE DE
PAQUETS DE CHARGES QUI, DE CEFAIT, PEUVENT ETRE 2 FOIS PLUS GRANDS QUE
DANS LE MODE DE FONCTIONNEMENT CONVENTIONNEL. DU FAIT QU'ON DONNE A LA
DERNIERE ELECTRODE (11) DU DERNIER ETAGE DE LA PORTE DE SORTIE DES
DIMENSIONS QUI SONT A PEU PRES 2,5 FOIS PLUS GRANDES QUE CELLES DES
AUTRES ELECTRODES (3 A 10), LE TRANSFERT DE CE DOUBLE PAQUET DE
CHARGES VERS LA DIODE DE SORTIE N'EST PAS REPARTI DANS LE TEMPS, CE
QUI EST PARTICULIEREMENT FAVORABLE POUR LE TRAITEMENT DE SIGNAL
ULTERIEUR.
Description
_________________________________________________________________
"Dispositif semiconducteur comportant un dispositif a couplage de
charges a quatre phases"
L'invention concerne un dispositif semiconducteur compor- tant un
dispositif a couplage de charges a quatre phases muni d'un corps
semiconducteur dont une surface presente une rangee d'electro- des
auxquelles peuvent etre appliquees des tensions d'horloge pour le
stockage et le transfert de paquets de charges electriques, elec-
trodes comprenant une pluralite de groupes constitues chacun par
quatre electrodes, la premiere electrode de chaque groupe etant re-
liee a une premiere ligne d'horloge, la deuxieme a une deuxieme li-
gne d'horloge, la troisieme a une troisieme ligne d'horloge et la
quatrieme a une quatrieme ligne d'horloge, alors que la derniere
electrode de la rangee est reliee a une connexion separee et est si-
tuee a cote d'un etage de lecture, dont la capacite est suffisamment
grande pour contenir un paquet de charges maximal qui peut etre sto-
cke au-dessous de deux electrodes voisines.
Dans des dispositifs usuels a couplage de charges, l'eta- ge de
lecture est forme par la sortie La structure de sortie usuel- le
comporte une zone de sortie ou diode qui, le plus souvent, est reliee
a l'electrode de grille d'un suiveur MOST et qui est a un po- tentiel
determine a travers une resistance ou un commutateur de re- mise a
l'etat initial La derniere electrode se situant avant la zo- ne de
sortie est couramment appelee porte de sortie et est de pre- ference a
un potentiel fixe Dans le cas d'un dispositif a couplage de charges a
canal n, ce potentiel est proche du potentiel le plus negatif des
tensions d'horloge de transport, et, dans le cas d'un dispositif a
couplage de charge a canal p, ce potentiel est proche du potentiel le
plus positif des tensions d'horloge Cela permet de reduire la
diaphonie des tensions d'horloge sur le signal de sortie.
De plus, la capacite de sortie est limitee du fait que chaque charge
est stockee dans la diode de sortie.
Il est a remarquer que l'etage de lecture ne doit pas ne- cessairement
coincider avec la structure de sortie du dispositif, mais qu'une
partie du registre peut encore etre situee entre l'etage de lecture et
la sortie De plus, au lieu d'etre formee par une dio- de, la capacite
de sortie peut etre formee par une capacite MOS dont la porte isolee
est reliee au suiveur MOST.
Dans le mode de fonctionnement conventionnel d'un disposi- tif a
couplage de charges a quatre phases, il est possible de trai- ter
chaque fois 1 paquet de charges par quatre electrodes, paquet de
charges dont la taille est determinee entre autres par la taille de
l'electrode Dans le livre intitule "Charge Transfer Devices", de C. H
Sequin et M F Tompsett, edite par Academic Press, New York, 1975,
pages 64 et 65, on precise la maniere dont la capacite de charge
(valeur du signal) peut etre doublee par l'application de tensions
d'horloge qui se chevauchent, de sorte qu'il est possible de stocker
toujours une charge au-dessous de deux electrodes juxtaposees L'in-
vention vise notamment a indiquer une structure de lecture ou de
sortie appropriee a ce mode de fonctionnement et permettant d'obte-
nir une lecture amelioree des paquets de charges.
Conformement a l'invention, un dispositif a couplage de charge du
genre decrit dans le preambule est remarquable en ce que
l'avant-derniere electrode, situee avant l'etage de lecture, forme
avec la partie du corps semiconducteur situee au-dessous de celle-ci
une capacite qui, elle aussi, est suffisamment grande pour pouvoir
contenir ledit paquet de charges maximal avant qu'il ne soit effec-
tue un transfert de charges vers l'etage de lecture.
Pour la comprehension plus precise de l'idee sur laquelle se base
l'invention, on va decrire tout d'abord ce qui se passe dans une
structure de sortie usuelle, a l'application de tensions d'hor- loge
qui se chevauchent.
Par l'application de tensions d'horloge de ce genre, il est possible
de stocker toujours une charge au-dessous de deux elec- trodes
voisines, de sorte que les paquets de charges peuvent etre egaux au
double des paquets de charges obtenus dans le cas o sur quatre "seaux"
vides, il ne peut se presenter qu'un seau plein Les paquets de charges
doubles peuvent etre transportes vers la sortie et arrivent finalement
dans la region situee au-dessous des deux dernieres electrodes
precedant la porte de sortie Tant qu'un mini- mum de potentiel est
present au-dessous des deux electrodes, il est encore possible de
stocker le paquet de charges entier Toutefois, a un instant determine,
le minimum de potentiel disparait au-des- sous de la premiere
electrode, de sorte que le paquet de charges double est recueilli
au-dessous de la deuxieme electrode, c'est-a- dire l'avant-derniere
electrode, vue a partir de la diode de sortie.
Si le paquet de charge a une taille maximale, il est possible que, des
c'est instant-la, de la charge passe dans la diode de sortie a travers
la barriere de potentiel situee au-dessous de la porte de sortie,
jusqu'a ce que le potentiel au-dessous de l'avant-derniere electrode
ait atteint le niveau du potentiel au-dessous de la por- te de sortie
Le reste de la charge sera transfere vers la diode de sortie lorsque
la tension d'horloge presente sur l'avant-derniere electrode est
changee.
Dans la structure de sortie usuelle, le transfert du pa- quet de
charges vers la capacite de sortie sera donc echelonne dans le temps,
ce qui est souvent defavorable pour le traitement de si- gnal
ulterieur.
Par l'application d'une structure de sortie conforme a l'invention, il
est possible de stocker le paquet de charges maximal (double)
au-dessous de ladite avant-derniere electrode a une tension invariable
adequate sur la porte de sortie et peut etre transferee. dans son
entier et a chaque instant voulu vers la diode de sortie ou la
capacite de lecture.
Un mode de realisation simple est remarquable en ce que la capacite
que forme l'avant-derniere electrode avec le corps semi- conducteur
est superieure au double de la capacite que forment les electrodes
precedentes avec le corps semiconducteur Dans ce mode de realisation,
a une tension d'horloge utilisee, il est possible de former au-dessous
de la porte de sortie une barriere de potentiel legerement inferieure
a celle presente au-dessous des electrodes precedentes, tandis que
toute la charge reste pour autant au-dessous de ladite avant-derniere
electrode.
De preference, la valeur des capacites determinant a nou- veau la
caracteristique de frequence du dispositif, l'avant-dernie- re
electrode est realisee de facon qu'elle forme une capacite qui, au
plus, est trois fois plus grande que la capacite que forment les
electrodes precedentes avec le corps semiconducteur.
La description qui va suivre en regard du dessin annexe, donnee a
titre d'exemple non limitatif, permettra de mieux compren- dre comment
l'invention est realisee.
La figure 1 est une coupe transversale d'un dispositif a couplage de
charges a 4 phases conforme a l'invention.
La figure 2 a represente un schema des tensions d'horloge percent
appliquees en fonctionnement ainsi que la tension de sortie Vo qui en
resulte.
La figure 2 b represente la tension d'horloge O r qui est utilisee, en
fonctionnement, dans un dispositif connu a couplage de charges a 4
phases ainsi que les tensions de sortie Vo qui en resul- tent.
La figure 1 represente schematiquement une coupe transver- sale d'une
partie d'un dispositif a couplage de charges conforme a l'invention, a
savoir la partie qui est essentielle dans le cadre de l'invention et
comporte un etage de lecture qui, dans l'exemple de realisation
envisage, coincide avec la sortie du dispositif a cou- plage de
charges La partie non representee sur la figure, partie pouvant
comporter une entree electrique, peut etre d'une structure
conventionnelle. Le dispositif a couplage de charges considere est
d'un type dans lequel le transport de charges s'effectue au moins es-
sentiellement dans la masse du corps 1, type qui est encore connu dans
la litterature sous l'abreviation pecd ou becd Bien que l'in- vention
s'applique egalement a des ccd dits en surface, l'invention offre des
avantages particuliers pour l'application de ced de trans- port dans
la masse de ce genre, a cause de la capacite de charge augmentee qui
est relativement faible dans les ccd conventionnels de transport dans
la masse.
Le dispositif comporte un corps semiconducteur 1 qui, dans un mode de
realisation specifique, consiste en silicon mais qui peut egalement
etre constitue par un autre materiau semiconducteur approprie, tel que
le Ga As.
Le corps 1 comporte un substrat la d'un premier type de
11545 conductivite, par exemple le type p, qui par epitaxie ou par
implan- tation ionique, est muni d'une couche superficielle de type n,
sur toute l'epaisseur de laquelle peut etre formee une region d'appau-
vrissement pour le transport d'electrons dans la masse.
A la surface 2 du corps semiconducteur, on a prevu une se- rie
d'electrodes 3 a 12, par exemple dans une configuration connue de
chevauchement a 2 couches en silicon polycristallin De toute evidence,
les electrodes peuvent etre realisees egalement selon une technique a
trois couches de silicon polycristallin Par ailleurs, il est egalement
possible que les electrodes 3, 5, 7, 9 et 11, par exemple, soient en
Al De plus, il est possible d'utiliser pour les electrodes un
siliciure de metal au lieu de silicon polycristallin.
Entre le corps semiconducteur 1 et les electrodes 3 a 12 est situe un
dielectrique 13 qui, dans le mode de realisation speci- fic considere,
peut comporter une couche d'silicon oxide d'une epaisseur de l'ordre
de 1000 A, mais qui peut comporter aussi des couches constituees par
des materiaux autres que l'silicon oxide and #x003E; par exemple du
silicon nitride Dans d'autres modes de realisa- tion, notamment ceux
dans lesquels on a choisi un metal approprie pour les electrodes, la
couche d'arret 13 peut etre remplacee, dans l'exemple de realisation
decrit, par une jonction Schottky de re- dressement a polariser dans
le sens d'arret.
Pour approprier le dispositif au fonctionnement a 4 pha- ses, les
electrodes 3 a 12 sont groupees par quatre, les electrodes
4 et 8 etant connectees a une premiere ligne d'horloge 14, les elec-
trodes 5 et 9 a une deuxieme ligne d'horloge 15, les electrodes 6 et a
une troisieme ligne d'horloge 16 et les electrodes 3, 7 et 11 a une
quatrieme ligne d'horloge 17.
L'electrode 11 est suivie d'un etage de lecture qui, dans l'exemple de
realisation considere, coincide avec la sortie a tra- vers laquelle
les paquets de charges sont sortis du dispositif Tou- tefois, dans
d'autres exemples de realisation, il est possible que l'etage de
lecture precede la sortie tout en etant separe de celle- ci par une
partie du registre La sortie (ou etage de lecture) est d'une structure
conventionnelle et comporte une region 18 dans la- quelle sont
recueillis les paquets de charges a lire Cette region qui, d'une part,
est reliee a la porte d'un circuit suiveur 19 pour la lecture de la
tension de sortie Vo, est branchee d'autre part, a travers un
commutateur MOST 20, sur une source de tension fournis- sant la
tension de reference Vr Le commutateur MOST 22 comporte la region 18
servant de source, l'electrode 21 servant d'electrode de grille isolee
ainsi que la zone 22 branchee sur la source de tension
Vr et servant de zone de drain.
Comme decrit en detail dans la suite de cet expose, il est possible
d'appliquer aux electrodes de tension d'horloge 3 a 11 des tensions
d'horloge O a O and #x003E; telles qu'une charge puisse etre stockee
chaque fois au dessous de deux electrodes voisines La capacite de la
region de lecture a ete choisie de facon qu'aux tensions appli- quees,
un tel paquet de charges puisse etre stocke dans son entier dans la
region 18 Conformement a l'invention, l'avant-derniere elec- trode 11,
situee avant la region 18, peut former avec la partie du corps
semiconducteur lb situee au-dessous de celle-ci une capacite qui, elle
aussi, est suffisamment grande pour pouvoir contenir un tel paquet de
charges avant que la charge ne soit transferee vers la region 18 Pour
eviter le transport premature vers la zone 18, la capacite que forme
l'electrode 11 avec la region lb a ete choisie superieure a la somme
des capacites que forme avec la region lb cha- que paire d'electrodes
voisines de la serie d'electrodes 3 a 10.
La capacite que forme l'electrode 11 avec la region lb peut etre
reglee de differentes manieres pouvant etre appliquees cha- cune a
part ou combinees les unes aux autres Ainsi, il est possi- ble, par
exemple, d'accoitre la concentration de dopage a l'endroit de
l'electrode 11, de sorte que le paquet de charges est stocke plus pres
de la surface 2 Toutefois, dans l'exemple de realisation envi- sage,
l'augmentation de la capacite est obtenue par le choix adequat des
dimensions de l'electrode 11 A cet egard, il est a remarquer que par
"electrode", il y a lieu d'entendre principalement les par- ties des
pistes conductrices qui sont situees immediatement au-des- sus du
canal de transport de charge lb et qui font office d'electro- de de
stockage/transport Les parties des pistes conductrices qui, en
projection, ne sont pas situees au-dessus du canal de transport de
charge, ou les parties des electrodes 3, 5, 7, 9 et 11 de la 2 eme
couche en silicon polycristallin qui chevauchent les electrodes en
silicon polycristallin 4, 6, 8 et 10 de la premiere couche, n'appar-
tiennent pas a la partie effective des electrodes.
Dans l'exemple de la figure 1, les electrodes 3 a 10 ont a peu pres la
meme taille L'electrode est au moins 2 fois plus grande que les
electrodes 3 a 10 Pour eviter d'une part que de trop gran- des
dimensions de l'electrode 11 affectent la vitesse de transport du
dispositif et pour permettre d'autre part une liberte de choix voulue
des tensions qui sont appliquees a l'electrode 12, on a donne a
l'electrode 11 des dimensions qui sont 2, 5 fois plus grandes que
celles des electrodes 3 a 10.
Pour le fonctionnement du dispositif, on s'en refere aux figures 2 a
et 3, la figure 2 a representant les tensions d'horloge /1 a 04 la
tension d'horloge Tir presente sur l'electrode 21 ainsi que la tension
de sortie Vo, et la figure 3 representant la repartition de potentiel
qui se produit alors dans le corps semiconducteur A titre comparatif,
la figure 2 b represente la tension 02 et la ten- sion de sortie Vo
dans un dispositif a couplage de charges a 4 pha- ses ayant une
structure de sortie usuelle.
Dans le mode de realisation envisage, soit un dispositif a couplage de
charges a canal de transport dans la masse de type n, dans lequel les
paquets de charges sont deplaces en forme d'electrons a travers la
couche lb, la charge est stockee au-dessous des electro- des ayant la
tension la plus positive Les tensions d'horloge 01 ' 02 et 03
chevauchent sur au moins 90 ' en phase, comme indique sur la fi- gure
2 a, de sorte qu'a chaque instant, au moins deux electrodes voi- sines
sont "actives" et qu'on peut utiliser les capacites de 2 elec- trodes
juxtaposees pour chaque paquet de charges A l'instant t O Xi et 02
sont, par exemple, positives et 3 et 4 sont negatives Sur la figure 3,
on a indique qu'a cet instant, un paquet de charges repre- sente par
des hachures est stocke au-dessous des electrodes 8 et 9.
Lors de l'application d'electrodes d'horloge a chevauchement, ce pa-
quet de charges est deux fois plus grand que les paquets de charges
qui, a des tensions d'horloge sans chevauchement des memes amplitu-
des, ne peuvent etre stockes qu'au dessous d'une seule electrode.
A l'instant tl, 2 et A 3 sont positives, tandis que /4 et 1 sont
negatives Dans cette situation, ledit paquet de charges est situe
au-dessous des electrodes 9 et 10 (voir figure 3).
A l'instant t 2, 03 et 04 sont positives, et 1 est negati- ve Le
paquet de charges est alors stocke au-dessous des electrodes
10 et 11.
A l'instant t 3, 04 et 01 sont positives, tandis que 02 et
03 sont negatives L'entier paquet de charge ne se trouve qu'au-des-
sous de l'electrode 11 Si la surface-effective de l'electrode 11 etait
au moins 2 fois plus grande que celle des electrodes 3 a 10, il serait
possible, a la pleine tension negative de l'electrode 12, que l'entier
paquet de charges soit deja stocke au-dessous de l'electrode
11 sans que le paquet de charges passe deja partiellement dans la re-
gion de lecture 18 Comme la surface de l'electrode 11 a ete choisie
encore plus grande, c'est-a-dire a peu pres 2,5 fois plus grande que
celle des electrodes precedentes, le puits de potentiel engendre au-
dessous de l'electrode 11 ne sera pas entierement rempli Ainsi, il est
possible d'appliquer, au lieu de la pleine tension negative, une
tension legerement inferieure a l'electrode 12, de sorte que la bar-.
riere de potentiel au-dessous de l'electrode 12 est legerement infe-
rieure a celle situee au-dessous de l'electrode 10 sans qu' il y ait
transfert de charges vers la region 18 Tant que la tension sur l'e-
lectrode 11 ne varie pas, la-region 18 peut etre utilisee pour la
lecture d'un signal precedent, lui aussi represente par des hachures.
A l'instant t 4, l'electrode 21 porte une tension positive O r' de
sorte que le transistor 20 est actif et que la region 18 est raccordee
a la tension Vr de remise a l'etat initial Le paquet de charge qui-est
stocke dans la region 18 est alors enleve par l'inter- mediaire du
transistor 20, de sorte qu'a nouveau, la region 18 est pret a stocker
le paquet de charge situe au-dessous de l'electrode 11 Simultanement
avec l'impulsion d'horloge O r' l'entree du circuit suiveur de source
19 recoit le signal nul Vr.
A l'instant t 5, la tension 04 sur l'electrode 11 est egale- ment
negative, ce qui fait baisser le potentiel au-dessous de l'e- lectrode
11 Comme la barriere au-dessous de l'electrode 12 est lege- rement
inferieure a celle situee au-dessous de l'electrode 10, la charge
passe dans la region 18 et provoque dans cette region un si- gnal de
sortie Vo a mesurer par le suiveur de source la valeur du signal est
indiquee par Vs.
Pour la lecture du signal est disponible l'entier interval- le de
temps compris entre deux impulsions d'horloge gr, du fait que le
signal est transfere integralement vers la region 18 a un instant qui
est determine par 4 A titre comparatif, la figure 2 b represente la
situation qui se presente dans le cas d'une structure de sortie
usuelle, dans laquelle l'electrode 11 a les memes ou a peu pres les
memes dimensions que les electrodes 3 a 10 Dans ce cas, une partie
faible de la charge peut deja s'ecouler lorsque l'electrode 11 (4)
devient positive et que l'electrode 9 (percent) devient negative a
cause de la tension legerement inferieure qui est presente sur
l'electrode 12 (t 6) Avant que l'electrode 10 (03) ne devienne
negative, il faut d'abord que la region 18 soit remise a l'etat
initial (t 7) Ce n'est qu'alors que la tension d'horloge negative peut
etre appliquee a l'e- lectrode 10 (f 3) (instant t 8) Dans le cas d'un
paquet de charges maximal, la moitie du paquet de charge passe des
lors dans la region 18 Le transfert du reste de la charge se produit a
l'instant t 9, ou
04 devient negative Le transfert du signal vers la region de sor- tie
18 est donc reparti dans le temps Cela diminue l'intervalle de temps
qui est disponible pour la lecture De plus, il est necessaire de
prendre des mesures supplementaires pour deduire le signal de la
tension de sor tie Vo Par opposition a cela, le paquet de charges
total est trans fere dans la direction conforme a l'invention, a un
instant qui n'est determine que par la tension d'horloge presente sur
l'electrode 11.
Il sera evident que l'invention n'est nullement limitee a l'exemple de
realisation decrit ci-dessus, et que l'homme de l'art peut imaginer de
nombreuses variantes sans sortir du cadre de l'in- vention Ainsi, il
est egalement possible d'utiliser l'invention avantageusement dans des
dispositifs a couplage de charges dits en surface De plus, on peut
egalement augmenter la capacite de l'elec- trode 11 de manieres,
combinees ou non, autres que celle consistant a accroitre les
dimensions, en procedant par exemple par dopage lo- calise du corps
semiconducteur, en agissant sur l'epaisseur de la couche d'oxide ou en
formant localement un dielectrique autre que l'oxide, tel que le
silicon nitride, presentant une constante dielectrique superieure.
Claims
_________________________________________________________________
REVENDICATIONS
1 Dispositif semiconducteur comportant un dispositif a cou- plage de
charges a quatre phases muni d'un corps semiconducteur (1) dont une
surface presente une rangee d'electrodes (3 a 12) auxquel- les peuvent
etre appliquees des tensions d'horloge pour le stockage et le
transfert de paquets de charges electriques, electrodes compre- nant
une pluralite de groupes constitues chacun par quatre electro- des, la
premiere electrode de chaque groupe etant reliee a une pre- miere
ligne d'horloge, la deuxieme a une deuxieme ligne d'horloge, la
troisieme a une troisieme ligne d'horloge et la quatrieme a une
quatrieme ligne d'horloge, alors que la derniere electrode de la
rangee est reliee a une connexion separee et est situee a cote d'un
etage de lecture, dont la capacite est suffisamment grande pour con-
tenir un paquet de charges maximal qui peut etre stocke au-dessous de
deux electrodes voisines, caracterise en ce que l'avant-derniere
electrode (11), situee avant l'etage de lecture (18), forme avec la
partie du corps semiconducteur (1) situee au-dessous de celle-ci une
capacite qui, elle aussi, est suffisamment grande pour pouvoir con-
tenir ledit paquet de charges maximal avant qu'il ne soit effectue un
transfert de charge vers l'etage de lecture.
2 Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, carac- terise en
ce que l'avant-derniere electrode (11) de la rangee d'elec- trodes
forme avec le co Yps semiconducteur (1) situe au-dessous de celle-ci
une plus grande capacite que lesdites deux electrodes voisi- nes.
3 Dispositif semiconducteur selon la revendication 2, carac- terise en
ce que les electrodes precedant l'avant-derniere electrode (11) ont a
peu pres la meme surface et en ce que l'avant-derniere electrode (11)
a une surface qui est au moins deux fois plus grande.
4 Dispositif semiconducteur selon la revendication 3, carac- terise en
ce que l'avant-derniere electrode (11) a une surface qui, au plus, est
a peu pres trois fois plus grande que celle des electro- des precedant
l'avant-derniere electrode. il Dispositif semiconducteur selon l'une
quelconque des reven- dications precedentes, caracterise en ce que
lesdites quatre lignes d'horloge sont reliees a des moyens servant a
appliquer des tensions d'horloge aux electrodes, les tensions
d'horloge qui sont appliquees a des electrodes voisines se chevauchant
sur 90 en phase.
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The best thing to do is to experiment by opening the sections and
selecting and unselecting checkboxes.
10. The main output window contains the publication full text (or part
thereof if selected).
11. The Tools section contains tools to help you navigate the
"discovered" (highlighted) items of interest.
The arrows and counter let you move through the highlighted items
in order.
12. Other tools include a "Preview" option [ [preview.png] ] and the
ability to mark the relative locations of highlighted items by
using the "Marker" option [ [marker.png] ].
Try these out to best understand how they work, and to discover if
they are of use to you.
13. Items selected from the menu on the left will be highlighted in
the main publication section (here in the middle of the screen).
Click them for further information and insights (including
chemical structure diagrams where available).
14. Please experiment with TextMine - you cannot make any permanent
changes or break anything and once your session is closed (you've
log out) all your activity is destroyed.
Please contact Minesoft Customer Support if you have any questions
or queries at: support@minesoft.com
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