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Physical
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90 %
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30 %
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0,5 % de
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106 ohm
(3)
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10 %
(3)
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de 10 m
(3)
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10 m
(3)
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50 %
(2)
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40 % de
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1 mm
(2)
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10 mm
(2)
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3 microns
(1)
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10-8 ohm
(1)
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97 % de
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1 % de
(1)
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1000 ohms
(1)
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de 170 g
(1)
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de 0,2 %
(1)
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10 minutes
(1)
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de 32 volts
(1)
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de 28 volts
(1)
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de 50 volts
(1)
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de 30 microns
(1)
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de 1 cm
(1)
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de 1 m
(1)
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de 112 volts
(1)
[32][_]
8 ohm
(1)
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Molecule
(19/ 30)
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gold
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silver
(4)
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vanadium oxide
(3)
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nickel
(3)
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sodium metaphosphate
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SEMI
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zinc oxide
(1)
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bismuth oxide
(1)
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antimony
(1)
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cobalt
(1)
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chromium
(1)
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manganese
(1)
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Zn
(1)
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butoxyacetate
(1)
[48][_]
depotest
(1)
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sodium phosphate
(1)
[50][_]
potassium phosphate
(1)
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vanadium
(1)
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potassium
(1)
[53][_]
Gene Or Protein
(3/ 4)
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Etre
(2)
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Est-a
(1)
[56][_]
Refractaire
(1)
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Generic
(2/ 4)
[58][_]
oxide
(3)
[59][_]
salts
(1)
[60][_]
Polymer
(1/ 1)
[61][_]
Nitrocellulose
(1)
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Publication
_________________________________________________________________
Number FR2512578A1
Family ID 2424899
Probable Assignee Thomson Csf
Publication Year 1983
Title
_________________________________________________________________
FR Title PROCEDE DE FABRICATION DE VARISTANCE, A COUCHE EPAISSE SUR UN
SUBSTRAT DE CIRCUIT HYBRIDE, ET VARISTANCE AINSI OBTENUE
Abstract
_________________________________________________________________
L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FABRICATION DE RESISTANCES NON
LINEAIRES (VARISTANCES) REALISEES EN CERAMIQUE A COUCHE EPAISSE,
NOTAMMENT SUR UN SUBSTRAT DE CIRCUIT HYBRIDE OU TOUT AUTRE DISPOSITIF
EXIGEANT DE NE PAS DEPASSER, LORS DE SA FABRICATION, UNE TEMPERATURE
PREDETERMINEE.
SELON L'INVENTION, APRES BROYAGE D'UNE CERAMIQUE POUR OBTENIR UNE
POUDRE TRES FINE DE MATERIAU POUR VARISTANCE, ON PREPARE UNE POUDRE DE
MATERIAUX CONDUCTEUR OU SEMI-CONDUCTEUR SUSCEPTIBLE DE PRENDRE L'ETAT
PATEUX A UNE TEMPERATURE INFERIEURE A 850C ET ON Y INCORPORE UN LIANT
POUR OBTENIR UNE PATE SERIGRAPHIQUE. LA COUCHE DEPOSEE PAR SERIGRAPHIE
SUR UN SUBSTRAT TEL QUE DU VERRE, EST SECHEE PUIS TRAITEE
THERMIQUEMENT POUR ASSURER LA COHESION DE LA COUCHE. CETTE COUCHE EST,
SOIT INSEREE ENTRE UNE ELECTRODE DEPOSEE PREALABLEMENT ET UNE AUTRE
ELECTRODE, SOIT REVETUE DE DEUX ELECTRODES NON JOINTIVES.
APPLICATION AUX ECRANS DE VISUALISATION A ACCES MATRICIEL.
Description
_________________________________________________________________
12578
PROCEDE DE FABRICATION DE VARISTANCE A COUCHE EPAISSE
SUR UN SUBSTRAT DE CIRCUIT HYBRIDE,
ET VARISTANCE AINSI OBTENUE
L'invention concerne un procede de fabrication de resistances non
lineaires, designees habituellement sous l'appellation de varistances,
reali-
sees en ceramique a couche epaisse, notamment sur un substrat de
circuit hybride ou un dispositif exigeant de ne pas depasser, lors de
leur fabrication, une temperature predeterminee, ce qui est notamment
le cas pour les ecrans de visualisation a acces matriciel (le substrat
de depot de la varistance
etant alors le verre).
On sait qu'il existe un petit nombre de materiaux qui presentent des
proprietes electriques de resistance non lineaire et dont les
caracteristiques tension-courant sont representees par la relation: I
=(V) a c o V est la tension entre des points separes par un corps
constitue par le 1 15 materiau considere, I est l'intensite du courant
s'ecoulant entre les deux points, C est une constante et le
coefficient de non linearite, est un
exposant superieur a 1.
On connait des varistances fabriquees sous la forme de composants
discrets, les plus utilisees etant des resistances ceramiques
polycristallines preparees a partir d'un oxide metallique avec de
petites quantites d'un ou plusieurs oxydes metalliques ou salts
metalliques A titre d'exemple l'oxide metallique majoritaire est
l'zinc oxide avec de petites bismuth oxide, d'antimony, de cobalt, de
chromium et de manganese Pour obtenir des coefficients eleves de non-
linearite, il est connu qu'il est necessaire de fritter ces materiaux
a des temperatures superieures a
10000 C.
Or, en technologie de circuit hybride, il est interessant de fabriquer
les resistances non plus en composants discrets mais sous la forme de
depots effectues par serigraphie, c'est-a-dire en couche epaisse En ce
cas la nature du substrat de circuit hybride deja revetu, au moment de
la serigraphie, d'electrodes non refractaires aux temperatures
elevees, interdit l'utilisation des procedes classiques de fabrication
de telles varistances On a donc recours a une technique de frittage
prealable du materiau a 11000 C puis au broyage de ce materiau pour
obtenir une poudre polycristalline qui sert de matiere premiere au
depot par serigraphie La demande de brevet francais publiee sous le N
O 2 315 772 decrit notamment un procede de fabrication de varistances
sous forme de couches epaisses caracterise en ce qu'il consiste a:
fabriquer prealablement une varistance sous la forme d'un corps
ceramique; broyer ce corps ceramique en grains inferieurs a 3 microns;
melanger la poudre ainsi obtenue avec une fritte de verre en poudre de
meme granulometrie et incorporer au melange un liant organique pour
obtenir une pate serigraphiable; appliquer cette pate en couche
epaisse, par serigraphie, sur un substrat dielectrique; cuire la pate
a une temperature comprise entre 6500 C et 11000 C selon les
caracteristiques de non-linearite desirees pour la varistance en
couche epaisse.
Ce procede presente toutefois deux inconvenients: 1 ) Les coefficients
de non-linearite sont faibles, en general bien inferieurs a 10; )
L'isolement electrique en basse tension est mediocre, dans la plupart
des cas, en raison, notamment, du manque d'adherence des grains entre
eux et avec le substrat On peut eviter ce dernier inconvenient en
utilisant le procede du brevet de la Republique Federale Allemande
publie sous le N O 2 375 484, dans lequel on emploie des temperatures
superieures a 1100 C, mais cela exige alors l'utilisation d'un
substrat refractaire tel que
l'alumine, ce que l'on desire precisement eviter dans le cas present.
L'invention vise a supprimer ces inconvenients tout en rendant le
procede de fabrication d'une varistance en couche epaisse compatible
avec
l'utilisation de supports non refractaires.
Le procede selon l'invention comporte les etapes preliminaires de
fabrication d'une varistance sous la forme d'un corps ceramique et de
12578
broyage de ce corps ceramique en grains de taille homogene et
controlee, par exemple de l'orde de trois microns Il est caracterise
en ce qu'il comporte en outre les etapes suivantes: a) Preparation
d'une poudre constituee par un materiau conducteur ou semiconducteur
de conductivite comprise entre 10-8 ohm cm et 106 ohm cm, susceptible
de prendre l'etat liquide ou un etat pateux a une temperature
predeterminee inferieure a 850 'C; b) Preparation d'une pate
serigraphique comprenant 40 a 90 % en poids de grains de ceramique
obtenue au cours des etapes preliminaires, 10 a 30 % en poids de la
poudre obtenue a l'etape (a) ci-avant, le reste etant constitue, pour
10 % en poids au moins, par un liant organique du type utilise en
serigraphie; c) Depot,par exemple par serigraphie, de la pate ainsi
obtenue, sur un substrat prealablement muni par exemple par
serigraphie d'une electrode constituant la premiere electrode de la
varistance a couche epaisse et cuisson du depot s'il a ete obtenu par
serigraphie; d) Finition de la varistance en deposant par exemple par
serigraphie une deuxieme electrode sur le depot effectue au cours de
l'etape (c) ci-avant
et en cuisant cette derniere electrode.
Dans une variante de l'invention, les electrodes sont deposees seule-
ment a l'etape (d) sur deux positions non jointives du depEt de
varistance en
couche epaisse.
A l'etape (a) le materiau conducteur ou semiconducteur peut etre un
verre semiconducteur et en particulier comporter de l'
vanadium oxide
dans un pourcentage de 50 a 90 % en moles.
L'invention sera mieux comprise au moyen des exemples suivants:
Premier exemple: La poudre fabriquee au cours des etapes preliminaires
est constituee par des cristallites ou morceaux de cristallites d'une
ceramique comprenant, avant frittage, en moles: 97 % de Zn O; 0,5 % de
Co O; 0,5 % de Bi 2 03; 0,5 % de Mn 203;
12578
0,5 % de Ni 203; 1 % de Sb 2 03 La temperature de frittage de la
ceramique initiale est comprise entre 1050 ' C et 1350 C. A l'etape
(a), on prepare une poudre contenant 50 a 90 % en moles d'vanadium
oxide (V 2 05) et 10 a 50 % en moles de sodium metaphosphate (Na P 03)
La poudre obtenue par melange des matieres premieres et broyage par
une methode classique est portee a 9500 C pendant quatre heures puis
coulee sur une plaque a 1000 C On broie en poudre fine le depot ainsi
obtenu On fait subir a cette poudre un traitement thermique d'une
demi-heure a deux heures a une temperature comprise entre 2000 C et
4000 C en vue d'augmenter sa conductivite electrique La resistivite
des grains de
poudre doit etre comprise entre 1 et 1000 ohms-cm.
A l'etape (b), on effectue un melange comprenant 40 a 90 % en poids de
la poudre obtenue a la fin des etapes preliminaires, 20 a 30 % en
poids de la poudre obtenue au cours de l'etape (a), et 10 a 40 % de
liant organique Ce liant est prepare a partir de 170 g de
nitrocellulose melange a une quantite suffisante de butoxyacetate pour
obtenir un volume de deux litres et demi
en faisant varier ce dernier volume selon la viscosite desiree.
Au cours de l'etape (c), on prend un substrat isolant constitue par
exemple par un verre de borosilicate tres pur (moins de 0,2 % d'ions
alcalins dans le cas du verre de designation commerciale Corning N O
7059) Sur ce substrat on depose par serigraphie une premiere electrode
de la varistance a couche epaisse en utilisant une encre a
serigraphier au nickel, par exemple la pate de designation commerciale
"nickel T 9197 Engelhardt" Ce depotest traite pendant dix minutes a
5200 C. Ensuite on depose sur l'electrode la pate preparee a l'etape
(b) et l'on procede au sechage de cette pate a 1200 C pour eliminer le
liant puis au
frittage a 5800 C pendant 10 minutes.
Au cours de l'etape (d) on depose par serigraphie une deuxieme
electrode en utilisant une encre a serigraphier a gold, par exemple la
pate de designation commerciale "or 6394 Engelhardt" Cette deuxieme
electrode
est traitee thermiquement comme la premiere.
12578
On a observe le resultat suivant en deposant par serigraphie, a
l'etape (c), une couche de trente microns Pour une tension de 32
volts, l'intensite est de 10 m A/cm 2 Le coefficient de non-linearite
mesure entre
1 et 10 m A est de l'ordre de 28.
Deuxieme Exemple: La poudre fabriquee aux etapes preliminaires est
identique a celle du premier exemple La poudre preparee a l'etape (b)
est analogue a celle du premier exemple, si ce n'est que le sodium
phosphate est remplace par du potassium phosphate De ce fait la
temperature de frittage de l'etape (c)
est de 5200 C, la duree du traitement thermique etant identique.
En ce qui concerne le resultat obtenu, le courant mesure dans des
conditions analogues a celles du premier exemple, est de 10 m A pour
une tension de 28 volts, le coefficient de non-linearite mesure entre
1 et 10 m A
etant de l'ordre de 37.
Troisieme Exemple: La poudre fabriquee aux etapes preliminaires est
identique a celle du
premier exemple Il en est de meme pour la poudre preparee a
l'etape(b).
Mais le substrat de l'etape (c) est de l'alumine recouverte d'une
electrode d'silver deposee par serigraphie et traitee a 8500 C A
l'etape (d) on depose
une laque d'silver que l'on traite a 2500 C pendant dix minutes.
En ce qui concerne le resultat obtenu, le courant mesure dans des
conditions analogues a celles du premier exemple est de 10 m A pour
une tension de 50 volts, le coefficient de non-linearite mesure entre
1 et 10 m A
etant de l'ordre de 16.
Quatrieme Exemple: Les etapes preliminaires ainsi que les etapes (a)
et (b) sont identiques a celles du premier exemple Mais, a l'etape
(c), on depose d'abord par serigraphie, directement sur le substrat en
verre, la couche epaisse de 30 microns formant la varistance, puis les
deux electrodes recouvrant chacune une partie de la couche epaisse,
apres frittage de celle-ci Entre les electrodes on laisse un espace de
1 mm/10 mm, par exemple Les electrodes sont formees toutes deux de la
meme pate a gold designee pour la deuxieme
electrode dans le premier exemple.
Pour des electrodes se faisant face sur une longueur de 1 cm et
distantes de 1 mm/10 mm, on mesure un courant de 1 m A pour une
tension de 112 volts Le coefficient de non-linearite mesure entre 0,1
et I m A est de
l'ordre de 12.
Les variantes des procedes de fabrication illustres par les ler, 2 e
et
4 e exemples, sont egalement applicables au cas d'un' substrat en
alumine.
Les varistances obtenues par le procede de l'invention sont de deux
types principaux:
un type dans lequel la couche epaisse de materiau a resistance non-
lineaire est inseree entre deux electrodes d'entree et de sortie; un
type dans lequel la couche epaisse du meme materiau est revetue,
sur deux portions distinctes de sa surface, d'electrodes d'entree et
de sortie.
12578
Claims
_________________________________________________________________
REVENDICATIONS
1 Procede de fabrication de varistance a couche epaisse deposee sur un
substrat de circuit hybride, du type comportant des etapes
preliminaires de fabrication d'une varistance sous la forme d'un corps
ceramique et de broyage de ce corps ceramique en grains de taille
homogene et controlee caracterise en ce qu'il comporte en outre les
etapes suivantes: a) Preparation d'une poudre constituee par un
materiau conducteur ou semiconducteur de conductivite comprise entre
10-8 ohrn cm et 106 ohms cm, susceptible de prendre l'etat liquide ou
un etat pateux a une temperature predeterminee inferieure a 850 CC; b)
Preparation d'une pate serigraphique comprenant 40 a 90 % en poids de
grains en ceramique, provenant des etapes preliminaires, 10 a 30 % en
poids de la poudre obtenue a l'etape (a), le reste etant constitue,
pour 10 % en poids au moins, par un liant organique du type utilise en
serigraphie; c) Depot, par serigraphie, de la pate ainsi obtenue, sur
le substrat, prealablement muni d'une electrode constituant la
premiere electrode de la varistance a fabriquer; d) Finition de la
varistance en deposant, par serigraphie, une deuxieme
electrode sur le depot effectue au cours de l'etape (c).
2 Procede de fabrication de varistance a couche epaisse deposee sur un
substrat de circuit hybride, du type comportant des etapes
preliminaires de fabrication d'une varistance sous la forme d'un corps
ceramique et de broyage de ce corps ceramique en grains caracterise en
ce qu'il comporte en outre les etapes suivantes: a) Preparation d'une
poudre constituee par un materiau conducteur ou semiconducteur de
conductivite comprise entre 10 8 ohm cm et 106 ohm cm, susceptible de
prendre l'etat liquide ou un etat pateux a une temperature
predeterminee inferieure a 850 'C; b) Preparation d'une pate
serigraphique comprenant 40 a 90 % en poids de grains en ceramique,
provenant des etapes preliminaires, 10 a 30 % en poids de la poudre
obtenue a l'etape (a), le reste etant constitue, pour 10 %
12578
en poids au moins, par un liant organique du type utilise en
serigraphie; c) Depot sur le substrat, par serigraphie, de la pate
obtenue a l'etape precedente;
d) Finition de la varistance en deposant, par serigraphie, deux elec-
trodes, sur deux parties distinctes du depot effectue au cours de
l'etape (c).
3 Procede selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, carac-
terise en ce qu'a l'etape (a), le materiau est un verre
semiconducteur.
4 Procede selon la revendication 3, caracterise en ce que le verre
semiconducteur utilise a l'etape (a) comporte 50 a 90 % en moles
d'oxide de
vanadium.
Procede selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, carac-
terise en ce qu'a l'etape (a) on prepare une poudre contenant 50 a 90
% en moles d'vanadium oxide (V 2 O S) et 10 a 50 % en moles de sodium
metaphosphate ou de potassium, la poudre obtenue par melange des
matieres l 5 premieres suivi d'un broyage effectue par une methode
classique, le melange etant ensuite porte a 950 'C pendant quatre
heures puis coule sur une plaque a 100 'C, le depot ainsi obtenu etant
broye en poudre fine, et la poudre ainsi obtenue etant enfin traitee
thermiquement pendant une demi-heure a deux heures a une temperature
comprise entre 2000 C et 400 C, et en ce qu'a lletape (b) on effectue
un melange comprenant 40 a 90 % en poids de la poudre obtenue a la fin
des etapes preliminaires, 20 a 30 % en poids de la poudre obtenue a la
fin de l'etape (a) et 10 a 40 % de liant organique du type
utilise en serigraphie.
6 Procede selon la revendication 1, caracterise en ce qu'au cours de
l'etape (c) on depose par serigraphie sur un substrat en verre une
premiere electrode constituee par une encre au nickel, que l'on fait
subir au substrat un traitement thermique de dix minutes a 520 'C,
puis qu'on depose en couche epaisse, par serigraphie, la pate obtenue
a l'etape (b) sur la premiere electrode, cette couche etant ensuite
sechee a 1200 C puis frittee a une temperature comprise entre 5200 C
et 5800 C pendant dix minutes, enfin
qu'on depose sur cette couche un electrode par serigraphie d'une encre
a gold.
7 Procede selon la revendication 1, caracterise en ce qu'au cours de
l'etape (c), on depose par serigraphie sur un substrat en alumine une
premiere electrode constituee par une encre a l'silver, que lon fait
subir a
12578
cette electrode un traitement thermique a 8500 C, puis qu'on depose en
couche epaisse, par serigraphie, la pate obtenue a l'etape (b) sur la
premiere electrode, cette couche etant ensuite sechee a 120 'C puis
frittee a une temperature comprise entre 520 'C et 5 08 C pendant dix
minutes, enfin qu'on depose par serigraphie sur cette couche une laque
d'silver que l'on
traite a 2500 C pendant dix minutes.
8 Procede selon la revendication 2, caracterise en ce que, au cours de
l'etape (c) on depose par serigraphie, directement sur le substrat, la
pate obtenue a l'etape (b), cette couche etant ensuite sechee a 1200 C
puis frittee a une temperature comprise entre 5200 C et 580 'C pendant
dix minutes, enfin que l'on depose par serigraphie sur deux parties
distinctes de cette
couche une encre a gold que l'on traite pendant dix minutes a 520 'C.
9 Varistance obtenue par un procede selon l'une quelconque des
revendications 1 a 8, caracterisee en ce qu'elle est du type dans
lequel la
couche epaisse de materiau a resistance non-lineaire est inseree entre
deux
electrodes d'entree et de sortie.
Varistance obtenue par un procede selon l'une quelconque des
revendications 1 a 8, caracterise en ce qu'elle est du type dans
lequel la
couche epaisse de materiau a resistance non-lineaire est revetue sur
deux
portions distinctes de sa surface par des electrodes d'entree et de
sortie.
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