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CADMIUM
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silicon
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gold
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silver
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indium
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germanium
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MES
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DES
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isolan
(1)
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Generic
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METAL
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cation
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Gene Or Protein
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Etre
(6)
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CHAMP
(3)
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Cou
(3)
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DANS
(1)
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Classi
(1)
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Tre
(1)
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Physical
(4/ 4)
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0,6 V
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1,0 V
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0,4 V
(1)
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4 M/C
(1)
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Disease
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Tic
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Publication
_________________________________________________________________
Number FR2512590A1
Family ID 2842230
Probable Assignee Mitsubishi Electric Corp
Publication Year 1983
Title
_________________________________________________________________
FR Title TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DU TYPE A JONCTION ET PROCEDE DE
FABRICATION
Abstract
_________________________________________________________________
UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A L'ARSENIURE DE GALLIUM AYANT UNE
ELECTRODE DE GRILLE A JONCTION P-N ALLIEE, COMPREND DES ELECTRODES DE
SOURCE ET DE DRAIN 3, 4 FORMEES SUR UNE REGION D'ARSENIURE DE GALLIUM
DE TYPE N 2; UNE ELECTRODE DE GRILLE 5 EN UN METAL TEL QUE DU ZINC OU
DU CADMIUM FORMEES ENTRE LES ELECTRODES DE SOURCE ET DE DRAIN ET
FAISANT FONCTION D'IMPURETE PAR RAPPORT A LA REGION D'ARSENIURE DE
GALLIUM DE TYPE N; ET UNE REGION DE TYPE P 8 FORMEE IMMEDIATEMENT SOUS
L'ELECTRODE DE GRILLE DANS LA REGION D'ARSENIURE DE GALLIUM DE TYPE N.
Description
_________________________________________________________________
12590
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
DU TYPE A JONCTION ET
PROCEDE DE FABRICATION
La presente invention concerne un transistor a effet de champ du type
a jonction et un procede de fabrica-
tion de ce transistor L'invention porte plus particuliere-
ment sur un perfectionnement a un transistor a effet de
champ du type a jonction utilisant un semiconducteur compo-
se et un procede de fabrication de ce transistor.
Un exemple de transistor a effet de champ du type a jonction
correspondant au domaine de l'invention consiste en un transistor a
effet de champ a l'arseniure de gallium du type bloque en l'absence de
polarisation Un transistor a effet de champ a l'arseniure de gallium
fonctionne a une vitesse plus elevee qu'un transistor a effet de champ
au silicon, dans la mesure o le transistor a effet de champ a
l'arseniure de gallium utilise,en tant que matiere de base,de
l'arseniure de gallium pour lequel la vitesse de saturation des
electrons est plus de deux fois superieure a celle du silicon et pour
lequel la mobilite des electrons est quatre a cinq fois superieure a
celle d'un transistor a
effet de champ au silicon On envisage donc que la realisa-
tion d'un circuit integre avec des transistors a effet de champ a
l'arseniure de gallium permette un fonctionnement de ce circuit a une
vitesse plus elevee que celle d'un circuit integre au silicon existant
a l'heure actuelle Les circuits integres a l'arseniure de gallium
comprennent deux types, l'un employant,en tant que dispositifs actifs
de base,des transistors a effet de champ a l'arseniure de gallium du
type
conducteur en l'absence de polarisation (type a appauvrisse-
ment) et l'autre employant,en tant que dispositifs actifs de base,des
transistors a effet de champ a l'arseniure de gallium du type bloque
en l'absence de polarisation (type a
enrichissement) Un circuit integre employant des transis-
tors a effet de champ bloques en l'absence de polarisation est
caracterise par une configuration de circuit simple et par une faible
consommation 'Comme le montre la-figure 1, un transistor a effet de
champ emploie dans ce cas de facon
caracteristique une structure du type dit MES (Metal-
Semiconducteur) ou un transistor a effet de champ MES d*ans
lesquels un courant drain-source est commande par une elec-
trode de grille de type Schottky 5, formee a la surface d'une couche
active 2 en arseniure de gallium de type N et situee dans la zone
comprise entre une electrode de source 3
et une electrode de drain 4,formees toutes deux sur la cou-
che active 2 en arseniure de gallium de type n Un transis-
tor a effet de champ du type bloque en l'absence de polari-
sation comporte une couche d'appauvrissement 6 situee imme-
diatement sous l'electrode de grille 5 et la partie la plus exterieure
de cette couche d'appauvrissement s'etend jusqu'a
la frontiere entre un substrat 1 en une matiere semi-isolan-
te,telle que de l'arseniure de gallium, et la couche active de type n,
2, lorsque la polarisation de grille est egale a zero Dans ces
conditions, une coupure complete est etablie entre l'electrode de
source 3 et l'electrode de drain 4 et aucun courant ne circule entre
elles Lorsque l'electrode de grille 5 est polarisee dans le sens
positif, l'epaisseur de
la couche d'appauvrissement 6 diminue ce qui fait qu'un cou-
rant de drain commence a circuler Lorsqu'on augmente la tension de
grille, le courant de drain augmente de facon correspondante
Cependant, du fait que la tension positive qui est appliquee a
l'electrode de grille 5 est limitee, le courant de drain se sature a
une valeur predeterminee Le courant de drain est proportionnel a (a
d), en designant
par a la largeur de la couche d'appauvrissement 6 immediate-
3 -
ment au-dessous de la grille lorsque la polarisation est ega-
le a zero et par d la largeur de la couche d'appauvrissement lorsque
la tension de grille est appliquee La largeur d est
donnee par K (Vbi V)1/2 dans le cas d'une grille a barrie-
re de Schottky, et dans cette expression K est une constante
proportionnelle a la densite de porteurs et a la constante
dielectrique de la couche acbive 2, Vbi represente une ten-
sion interne et V represente la tension appliquee (positive).
Par consequent, le courant de drain augmente lorsqu'on aug-
mente la tension positive V appliquee a l'electrode de grille, ce qui
diminue la largeur d de la couche d'appauvrissement, avec saturation a
V = Vbi' D'autre part, la vitesse de commutation d'un transistor a
effet de champ a l'arseniure de gallium augmente
lorsqu'on augmente le courant de drain On augmente le cou-
rant de drain en augmentant Vbi' Dans le cas d'une grille a
barriere de Schottky, Vbi est d'environ 0,6 V et il est diffi-
cile de l'augmenter davantage Cependant, on peut augmenter Vbi en
realisant l'electrode de grille 5 sous la forme d'une jonction p-n et
on peut donc augmenter egalement le courant
de drain.
La figure 2 est une coupe montrant un transistor a effet de champ a
l'arseniure de gallium a jonction, de type classique, comportant une
couche de type p, 7 formee immediatement sous l'electrode de grille 5,
par un procede de diffusion Dans le cas d'une grille a jonction p-n,
la largeur d est donnee par K ( Vbi V)113 Dans un tel cas, Vbi est de
0,9 a 1,0 V et est superieurede 0,3 a 0,4 V a la tension
correspondante dans le cas d'une grille du type a
barriere de Schottky La couche de type p, 7, peut etre for-
mee dans la couche de type n, 2, formee elle-meme dans la zone
comprise entre les electrodes de source et de drain,
3 et 4, par un procede de diffusion ou d'implantation ioni-
que Du fait que tout procede de diffusion ou d'implantation
ionique necessite un traitement a haute temperature, la lon-
12590
gueur de grille est prolongee au-dela de ce qu'on desire, ce
qui entraine la possibilite d'une degradation des caracteris-
tic en haute frequence du transistor a effet de champ resultant C'est
la frequence de coupure du gain en courant ft qui determine si les
caracteristiques en haute frequence
d'un transistor a effet de champ sont bonnes ou mauvaises.
Le parametre ft est proportionnel a 4 M/C gs en designant par gm la
transconductance et par Cgs la capacite entre les electrodes de grille
et de source Un transistor a effet de champ a grille a jonction p-n
forme de la maniere decrite ci-dessus a une couche d'appauvrissement
dont la largeur d
est proportionnelle a la puissance 1/3 de la tension appli-
quee, et il a donc un parametre gm inferieur a celui d'un transistor a
effet de champ a grille a barriere de Schottky,
et un parametre Cgs superieur a celui d'un tel transistor.
Ainsi, bien qu'un transistor a effet de champ a grille a
jonction p-n ait une vitesse de commutation accrue a frequen-
ce relativement basse, ce meme transistor a une vitesse de
commutation degradee dans une region de haute frequence.
En resume, l'invention consiste en un transistor a
effet de champ du type a jonction comprenant: des electro-
des de source et de drain formees separement l'une de l'autre
sur une region de semiconducteur d'un premier type de conduc-
tivite, une electrode de grille en metal formee dans la zone situee
entre les electrodes de source et de drain sur la region de
semiconducteur du premier type de conductivite et faisant fonction
d'impurete pour la region de semiconducteur
du premier type de conductivite, et une region de semiconduc-
teur d'un second type de conductivite formee immediatement
au-dessous de l'electrode de grille dans la region de semi-
conducteur du premier type de conductivite.
En resume, l'invention consiste egalement en un procede de fabrication
d'un transistor a effet de champ du type a jonction comprenant les
operations suivantes: on forme des electrodes de source et de drain,
separees l'une de l'autre,sur une region de semiconducteur d'un
premier type de conductivite, on depose une electrode de grille sur la
region de semiconducteur du premier type de conductivite, dans la zone
comprise entre les electrodes de source et de drain, l'electrode de
grille consistant en un metal qui fait
fonction d'impurete pour la region de semiconducteur du pre-
mier type de conductivite, et on chauffe la region de semi-
conducteur du premier type de conductivite a une temperature
inferieure au point de fusion du metal, ce qui forme une region de
semiconducteur d'un second type de conductivite
immediatement au-dessous de l'electrode de grille.
L'invention permet de realiser un transistor a effet de champ du type
a jonction ayant une electrode de grille et une jonction p-n de type
allie Il en resulte que la tension de diffusion Vbi du transistor a
effet de champ
du type a jonction correspondant a l'invention est superieu-
re a celle d'un transistor a effet de champ a grille a barriere de
Schottky, de type classique La tiransconductance
gm du transistor a effet de champ du type a jonction confor-
me a l'invention est egalement augmentee, du fait que la largeur de la
couche d'appauvrissement est proportionnelle
a (Vbi V) /2 En outre, il n'est pas necessaire d'effec-
tuer un traitement a temperature elevee, comme c'est le cas
pour la formation d'une couche p par un traitement de diffu-
sion, ce qui fait qu'on elimine une diffusion laterale et on peut
ainsi former une electrode de grille avec une dimension desiree
L'invention permet donc de parvenir simultanement aux caracteristiques
d'un transistor a effet de champ a barriere de Schottky de type
classique et d'un transistor a
effet de champ a jonction p-n diffusee, de type classique.
On obtient donc un transistor a effet de champ a jonction ayant une
plus grande valeur de gm et une plus faible valeur
de Cg et ayant d'excellentes caracteristiques de commuta-
tion. L'invention sera mieux comprise a la lecture de la
description qui va suivre d'un mode de realisation, donne
a titre d'exemple non limitatif La suite de la description
se refere aux dessins annexes sur lesquels: La figure 1 est une coupe
montrant un transistor a effet de champ bloque en l'absence de
polarisation, a grille a barriere de Schottky, de type classique, La
figure 2 est une coupe montrant un transistor a effet de champ bloque
en l'absence de polarisation, a grille a jonction p-n diffusee, de
type classique; et La figure 3 est une coupe d'un transistor a effet
de champ bloque en l'absence de polarisation, a grille a
jonction p-n alliee, conforme a l'invention, dans les con-
ditions dans lesquelles la polarisation de grille est egale
a zero.
On va maintenant decrire l'invention en se refe-
rant a la figure 3, a titre d'exemple d'un transistor a effet de champ
a l'arseniure de gallium du type bloque en l'absence de polarisation
La figure 3 est une coupe d'un transistor a effet de champ du type
bloque en l'absence de polarisation qui correspond a un mode de
realisation de l'invention Le transistor a effet de champ conforme a
l'invention qui est represente comprend un substrat 1 con-
sistant en un cristal d'arseniure de gallium semi-isolant, une region
de semiconducteur 2 en arseniure de gallium de
type n, formee sur le substrat 1 par des procedes d'epita-
xie en phase liquide ou vapeur, des electrodes de source et de drain 3
et 4 formees separement l'une de l'autre sur une
surface principale de la region de semiconducteur en arse-
niure de gallium de type n, 2, les electrodes de source et de drain 3
et 4 etant en contact ohmique avec la region de semiconducteur de type
n, 2, et une electrode de grille 5 deposee sur la region de
semiconducteur de type n, 2 dans la zone comprise entre les electrodes
de source et de drain 3 et 4 L'electrode de grille 5 peut Etre
constituee par un metal faisant fonction d'impurete-de type accepteur
pour la region de semiconducteur en arseniure de gallium de type n, 2,
decrite ci-dessus, et cette electrode peut etre en zinc ou en cadmium
ou en un alliage comprenant un metal tel que le zinc ou le cadmium et
un autre metal tel que gold, l'silver, l'tin, l'indium etc, et ayant
un point de fusion relative- ment bas, de l'ordre de 300 a 4000 C Le
transistor a effet de champ conforme a l'invention'qui est represente
comprend egalement une couche d'appauvrissement 6 formee de facon a
s'etendre a partir d'une region situee immediatement au-
dessous de l'electrode de grille 5, jusqu'a atteindre le
substrat 1 lorsqu'aucune tension n'est appliquee a l'electro-
de de grille 5, et une region de type p 8 qui est formee immediatement
audessous de l'electrode de grille 5, en coincidant pratiquement avec
la zone de l'electrode de grille 5.
On vient de decrire les caracteristiques de struc-
ture d'un transistor a effet de champ a l'arseniure de gallium
conforme a l'invention, du type bloque en l'absence de polarisation,
et on va maintenant decrire un procede de fabrication du transistor a
effet de champ considere ci-dessus Le transistor a effet de champ a
l'arseniure de gallium, du type bloque en l'absence de polarisation,
qui
est decrit ci-dessus est fabrique par les operations suivan-
tes: ( 1) on forme la region de semiconducteur de type n, 2
faisant fonction de couche active, sur le substrat en cris-
tal d'arseniure de gallium semi-isolant, 1, ( 2) on forme les
electrodes de source et de drain 3 et 4, a la maniere d'un contact
ohmique sur une surface principale de la region de semiconducteur de
type N 2, ( 3) on isole les dispositifs
respectifs en laissant independantes les electrodes de sour-
ce et de drain 3 et 4 et la region de semiconducteur 2 entre elles,
pour chaque dispositif, ( 4) on forme un motif d'electrode de grille
sur une surface principale de la region de semiconducteur de type n,
2, dans la zone situee entre les electrodes de source et de drain 3 et
4, par un traitement de photogravure, ( 5) on depose un metal faisant
fonction d'impurete du type accepteur dans un cristal d'arse-
niure de gallium, ou un alliage d'un tel metal et d'ur autre metal, et
on forme ensuite l'electrode de grille 5 par une technique de lifting,
et ( 6) on soumet la structure com-
posite resultante a un traitement thermique a une temperatu-
re legerement inferieure au point de fusion du metal de l'electrode de
grille 5, ce qui forme une tres mince couche
d'alliage de type p, 8, immediatement au-dessous de l'elec-
trode de grille 5 Le procede de l'invention pour la fabri-
cation d'un transistor a effet de champ a l'arseniure de
gallium est plus particulierement caracterise par les opera-
tions ( 5) et ( 6) decrites ci-dessus.
Le transistor a effet de champ a l'arseniure de gallium qui est ainsi
fabrique comprend l'electrode de grille 5 formee dans une jonction p-n
de type allie Il en resulte que le potentiel de diffusion Vbi du
transistor a effet de champ de l'invention est superieur a celui d'un
transistor a effet de champ a grille a barriere de Schottky de type
classique En outre, du fait que la largeur d'une zone
d'appauvrissement du transistor a effet de champ de
l'invention est proportionnelle a (Vbi V)i/2, la transcon-
ductance gm de ce transistor est elevee De plus, du fait que le
procede de fabrication de l'invention ne necessite pas de traitement a
haute temperature, comme c'est le cas pour la formation d'une couche
de type p par un traitement de diffusion, toute diffusion laterale est
eliminee et on
peut former l'electrode de grille 5 avec une dimension desi-
ree Ainsi, conformement a l'invention, on obtient un tran-
sistor a effet de champ du type a jonction qui comporte a la fois les
avantages d'un transistor a effet de champ du
type a barriere de Schottky classique et ceux d'un transis-
tor a effet de champ a jonction p-n diffusee de type classi-
que. L'electrode de grille peut etre en un metal tel que le zinc ou le
cadmium ou en un alliage comprenant un metal tel que le zinc ou le
cadmium et un autre metal tel
que gold, l'silver, l'tin ou l'indium, la matiere consti-
tutive de la grille contenant un metal qui fait fonction d'impurete de
type p dans un cristal d'arseniure de gallium et qui a un point de
fusion relativement bas, de l'ordre de
300 A 400 C.
On vient de decrire l'invention en considerant un mode de realisation
dans lequel l'electrode de grille, en un metal faisant fonction
d'impurete de type p et ayant une temperature de fusion relativement
basse, est formee sur la region en arseniure de gallitu de type n, ce
qui permet de former une jonction p-n On peut cependant mettre en
oeuvre l'invention de telle maniere qu'une electrode de grille,en un
metal faisant fonction d'impurete de type N et ayant un point de
fusion relativement bas, soit formee sur une
region en arseniure de gallium de type p, de maniere a pou-
voir former une jonction p-n Le metal faisant fonction d'impurete de
type N et ayant une temperature de fusion relativement basse peut
consister en tin, en un alliage d'or et d'tin, en un alliage d'or et
de silicon ou en un
alliage d'or et de germanium.
On a fabrique conformement a l'invention un oscillateur en anneau a 15
etages forme par des transistors a effet de champ a jonction p-n en
arseniure de gallium,
ayant une longueur de grille de 1 pm et une largeur de gril-
le de 20 pm, en utilisant l'alliage Au-Zn comme metal de l'electrode
de grille Ces transistors ont d'excellentes caracteristiques
consistant en un temps de propagation de 30 ps et un produit
puissance-temps de propagation de 2 Of J. Ainsi, l'e transistor a
effet de champ du type a jonction conforme a l'invention, tel qu'un
transistor a effet de champ a l'arseniure de gallium, est excellent en
tant que transistor elementaire d'un circuit integre tres rapide a
l'arseniure de gallium.
On vient de decrire l'invention en considerant a titre d'exemple un
transistor a effet de champ a l'arseniure de gallium, mais il faut
noter que l'invention n'est pas limitee a un transistor a effet de
champ realise en arseniu- re de gallium et qu'elle peut egalement etre
mise en oeuvre avec un transistor a effet de champ constitue par
n'importe
quel autre semiconducteur compose.
Il va de soi que de nombreuses autres modifica-
tions peuvent etre apportees au dispositif et au procede
decrits et representes, sans sortir du cadre de l'invention.
Claims
_________________________________________________________________
REVENDICATIONS
1 Transistor a effet de champ du type a jonction,
caracterise en ce qu'il comprend: une region de semiconduc-
teur ( 2) d'un premier type de conductivite et ayant une sur-
face principale; des electrodes de source et de drain ( 3, 4) formees
separement l'une de l'autre sur la surface principale de la region de
semiconducteur ( 2) du premier type de conductivite; une electrode de
grille ( 5) formee sur la surface principale de la region de
semiconducteur du premier type de conductivite, dans la zone situee
entre, les electrodes de source et de drain ( 3, 4) et consistant en
un metal qui fait fonction d'impurete par rapport a la region de
semiconducteur du premier type de conductivite; et une region
supplementaire de semiconducteur ( 8) d'un second
type de conductivite, formee dans la region de semiconduc-
teur du premier type de conductivite, immediatement
au-dessous de l'electrode de grille ( 5).
2 Transistor a effet de champ du type a jonction selon la
revendication 1, caracterise en ce que la region de semiconducteur (
8) du second type de conductivite est formee en fonction de l'impurete
du metal appartenant a
l'electrode de grille ( 5).
3 Transistor a effet de champ du type a jonction
selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caracte-
rise en ce que le metal de l'electrode de grille ( 5) est
choisi de facon a avoir un point de fusion bas.
4 Transistor a effet de champ du type a jonction selon la
revendication 3, caracterise en ce que le point de fusion est choisi
de facon a 8 tre compris entre 300 et
4000 C.
Transistor a effet de champ du type a jonction selon la revendication
1, caracterise en ce que la region
de semiconducteur ( 2) du premier type de conductivite con-
siste en un semiconducteur compose.
6 Transistor a effet de champ du type a jonction
selon la revendication 5, caracterise en ce que le semicon-
ducteur compose de la region de semiconducteur ( 2) du pre-
mier type de conductivite consiste en arseniure de gallium de type n,
et l'electrode de grille ( 5) consiste en zinc ou en cadmium ou en un
alliage de l'un au moins des metals com- prenant le zinc et le cadmium
et de l'un au moins des
metals
comprenant gold, l'silver, l'tin et l'indium.
7 Transistor a effet de champ du type a jonction
selon la revendication 5, caracterise en ce que le semicon-
ducteur compose de la region de semiconducteur ( 2) du pre-
mier type de conductivite consiste en arseniure de gallium de type p,
et l'electrode de grille ( 5) consiste en tin, en un alliage d'or et
d'tin, en un alliage d'or et de
silicon ou en un alliage d'or et de germanium.
8 Procede de fabrication d'un transistor a effet de champ du type a
jonction, caracterise en ce que: on prepare une region de
semiconducteur ( 2) d'un premier type de conductivite et ayant une
surface principale; on forme des electrodes de source et de drain ( 3,
4) separees l'une
de l'autre sur la surface principale de la region de semi-
conducteur du premier type de conductivite; on depose sur
la surface principale de la region de semiconducteur du pre-
mier type de conductivite, dans la zone comprise entre les electrodes
de source et de drain, une electrode de grille ( 5) consistant en un
metal qui fait fonction d'impurete par rapport a la region de
semiconducteur du premier type de conductivite; et on chauffe la
region de semiconducteur
( 2) du premier type de conductivite a une temperature infe-
rieure au point de fusion du metal pour former une region de
semiconducteur supplementaire ( 8) d'un second type de conductivite,
dans la region de semiconducteur du premier
type de conductivite, immediatement au-dessous de l'elec-
trode de grille ( 5).
9 Procede de fabrication d'un transistor a effet
de champ du type a jonction selon la revendication 8, carac-
12590
terise en ce qu'on forme la region de semiconducteur ( 8) du
second type de conductivite en fonction de l'impurete cons-
tituee par le metal contenu dans l'electrode de grille ( 5).
Procede de fabrication d'un transistor a effet de champ du type a
jonction selon-l'un e quelconque des
revendications 8 ou 9, caracterise en ce qu'on choisit le
metal de l'electrode de grille ( 5) de facon qu'-il ait un
point de fusion bas.
11 Procede de fabrication d'un transistor a effet de champ du type a
jonction selon la revendication 10, caracterise en ce qu'on choisit le
point de fusion de facon qu'il soit compris entre 300 et 4000 C. 12
Procede de fabrication d'un transistor a effet de champ du type a
jonction selon la revendication 8, caracterise en ce que la region de
semiconducteur ( 2) du premier type de conductivite consiste en un
semiconducteur compose. 13 Procede de fabrication d'un tr-ansistor a
effet de champ du type a jonction selon la revendication 7,
caracterise en ce que le semiconducteur compose de la region de
semiconducteur ( 2) du premier type de conductivite consiste en
arseniure de gallium de type n, et l'electrode de grille ( 5) consiste
en zinc ou en cadmium ou en un alliage de l'un au moins des metals
comprenant le zinc et le cadmium et de l'un au moins des metals
comprenant gold,
l'silver, l'tin et d'indium.
14 Procede de fabrication d'un transistor a effet de champ du type a
jonction selon la revendication 7, caracterise en ce que le
semiconducteur compose de la region de semiconducteur ( 2) du premier
type de conductivite consiste en arseniure de gallium de type p, et
l'electrode de grille consiste en tin, en un alliage d'or et d'tin, en
un alliage d'or et de silicon ou en un alliage d'or et
de germanium.
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publications, quickly, easily and efficiently.
This tour will quickly guide you through the main features.
Please use the "Next" button in each case to move to the next step
of the tour (or you can use [Esc] to quit early if you don't want
to finish the tour).
2. The main menu (on the left) contains features that will help you
delve into the patent and better understand the publication.
The main feature being the list of found items (seperated into
colour coded categories).
3. Click the Minesoft logo at any time to reset TextMine to it's
initial (start) state.
4. You can select which part of the document you'd like to view by
using the pull down menu here.
You can select "Full Text" to view the entire document.
5. For non-latin languages, (in most cases) full text translations
are available, you can toggle them on and off here.
You can also toggle the inline discovery translations between
English and their original language.
6. The pie chart icon will open a basic statistical breakdown of the
publication.
7. The sort icon allows you to sort the listed categories based on
the number of instances found.
Click to toggle between ascending and descending.
8. You can use the refine box to refine the discovered items in the
sections below.
Simply type what you are looking for, any items that do not match
will be temporarily hidden.
9. The publication has been analysed and we have identified items
within it that fit into these categories.
The specific items found are listed within the category headings.
Click the section header to open that section and view all the
identitfied items in that section.
If you click the checkbox all items in that section will be
highlighted in the publication (to the right).
The best thing to do is to experiment by opening the sections and
selecting and unselecting checkboxes.
10. The main output window contains the publication full text (or part
thereof if selected).
11. The Tools section contains tools to help you navigate the
"discovered" (highlighted) items of interest.
The arrows and counter let you move through the highlighted items
in order.
12. Other tools include a "Preview" option [ [preview.png] ] and the
ability to mark the relative locations of highlighted items by
using the "Marker" option [ [marker.png] ].
Try these out to best understand how they work, and to discover if
they are of use to you.
13. Items selected from the menu on the left will be highlighted in
the main publication section (here in the middle of the screen).
Click them for further information and insights (including
chemical structure diagrams where available).
14. Please experiment with TextMine - you cannot make any permanent
changes or break anything and once your session is closed (you've
log out) all your activity is destroyed.
Please contact Minesoft Customer Support if you have any questions
or queries at: support@minesoft.com
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