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Tll
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Etre
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DANS
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Tre
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CES
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Vec
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Molecule
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DES
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monter
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Ile-
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Physical
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1 l
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2 s
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10 l
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Publication
_________________________________________________________________
Number FR2516722A1
Family ID 2717118
Probable Assignee Ates Componenti Elettron
Publication Year 1983
Title
_________________________________________________________________
FR Title CIRCUIT DE COMMANDE A LA COMMUTATION DE CHARGES INDUCTIVES,
SUSCEPTIBLE D'INTEGRATION MONOLITHIQUE
Abstract
_________________________________________________________________
CIRCUIT DE COMMANDE A LA COMMUTATION DE CHARGES INDUCTIVES,
SUSCEPTIBLE D'INTEGRATION MONOLITHIQUE, UTILISABLE DANS DES
IMPRIMANTES ULTRA-RAPIDES ET DANS DES ALIMENTATIONS A CHOPPER. IL
COMPREND UN TRANSISTOR FINAL DE PUISSANCE T5, PILOTE A LA COMMUTATION
AU MOYEN D'UN TRANSISTOR T4 COUPLE A SA BORNE DE COMMANDE. AUX BORNES
DE COMMANDE DES DEUX TRANSISTORS T1, T2 EST RACCORDE UN CIRCUIT POUR
L'EXTRACTION DE CHARGES, AFIN D'ACCELERER L'EXTINCTION DE CES
TRANSISTORS EN REDUISANT LEUR TEMPS DE VIDAGE. CE CIRCUIT N'EST VALIDE
A L'EXTRACTION DE CHARGES QUE PENDANT UNE PERIODE DE TEMPS DETERMINEE
A PARTIR DU DEBUT DE L'EXTINCTION DES TRANSISTORS, AFIN D'EVITER DES
RETARDS DU REALLUMAGE ULTERIEUR DE CEUX-CI.
Description
_________________________________________________________________
251 6722
La presente invention concerne un circuit de commande a la commutation
de charges inductives, susceptible d'integration monolithique,
utilisable dans des imprimantes ultra-rapides pour piloter les
electroaimants des organes d'impression, ainsi que dans des
alimentations a chopper.
Les circuits de commande a la commutation de ce type com-
prennent un transistor final de puissance monte, en serie avec la
charge inductive, entre les deux poles d'un generateur de tension
d'alimentation et pilote alternativement, au moyen d'un signal de
commande applique a sa base, entre un etat de haute tension et de
faible courant et un etat de basse tension et de
courant fort.
Dans le premier etat, le transistor est virtuellement, entre ses
bornes d'emetteur et de collecteur, un circuit ouvert (etat
de blocage ou etat "hors") et, dans le second etat, un court-
circuit (etat de conduction ou etat "en"), empechant ou permet-
tant respectivement que le courant passe a travers la charge
inductive. Le mode de fonctionnement du transistor qui se rapproche le
plus du fonctionnement d'un interrupteur ideal est celui dans
lequel le transistor a l'etat de fermeture travaille en satura-
tion et, a l'etat d'ouverture, est en interdiction Dans ce cas, la
frequence maximale possible de commutation du transistor final de
puissance est limitee essentiellement par les effets, lors de la phase
de passage de la saturation a l'interdiction ("turn-off"),
de l'accumulation de charges survenue pendant la phase de conduc-
tion. Comme on le sait, les transistors de puissance presentent en
general une region de collecteur epaisse et de resistivite
elevee, necessaire pour supporter la tension inverse elevee.
2 2516722
Une telle region de collecteur presente un etat transitoire
d'extinction compose d'une premiere phase dans laquelle le transistor
continue d'etre en saturation, d'une seconde phase
de "quasi-saturation" dans laquelle la tension collecteur-emet-
teur commence a monter tandis que le courant de collecteur reste
constant, et d'une phase finale dans laquelle la tension collec-
teur-emetteur monte rapidement et le courant de collecteur tombe
a zero.
La phase de "quasi-saturation" est en particulier celle dans
laquelle le transistor dissipe le plus d'energie.
Une reduction du temps d'extinction serait donc avantageuse,
a la fois pour augmenter la frequence maximale possible de commu-
tation et pour ameliorer le rendement du circuit de commande du
point de vue energetique, en reduisant les moments pendant les-
quels le fonctionnement du transistor de puissance final s'ecarte
de celui d'un interrupteur ideal.
Une solution de montage connue pour ce probleme consiste a raccorder a
la base du'transistor final de puissance un element de circuit a basse
impedance qui permet, a l'extinction, un ecoulement rapide des charges
accumulees dans le transistor, par
exemple un element de circuit comprenant un transistor convena-
blement dimensionne, raccorde a la base du transistor final et qui
fonctionne en opposition de phase par rapport a celui-ci,
extrayant les charges accumulees pour en accelerer I'extinction.
Des solutions de montage de ce genre sont decrites par exemple dans
les demandes de brevet britanniques n 2 053 606 et
n 2 1 560 354.
Mais le transistor d'extraction a lui aussi son delai, bien
que reduit, d'extinction, ce qui fait que, fonctionnant en oppo-
sition de phase par rapport au transistor de puissance final, il
provoque un retard du reallumage de celui-ci, non negligeable si l'on
veut le maximum de vitesse de commutation D'autre part, on ne peut pas
negliger non plus l'absorption inutile de courant d'alimentation pour
maintenir actif le transistor d'extraction
lorsque le transistor final est deja completement eteint.
Lorsque le signal de commande a la base est ensuite transmis au
transistor de puissance final par l'intermediaire d'un second
transistor qui lui est couple, la vitesse de fonctionnement du circuit
de commande depend egalement de la vitesse maxiffiale de commutation
de ce second transistor, laquelle est subordonnee aux effets deja vus
de l'accumulation des charges a la base,
si ce transistor a l'etat de conduction travaille en saturation.
Dans ce cas, les limitations de vitesse qui en resultent peuvent 8 tre
importantes, surtout s'il s'agit de circuits de commande susceptibles
d'integration monolithique, comprenant un transistor de type PNP pour
le pilotage du transistor final de
puissance (qui, pour des raisons d'integration, connues du specia-
liste, est generalement du type NPN), miime lorsque ce dernier dans
l'etat de conduction travaille dans la zone active de sa plage de
fonctionnement, les transistors integres de type PNP
ayant une phase d'extinction plus longue que celle des transis-
tors de type NPN.
Le but de la presente invention est de realiser un circuit de commande
a la commutation de charges inductives, susceptible d'integration
monolithique, comprenant un transistor de type PNP pour le pilotage du
transistor de puissance final, circuit qui soit toutefois caracterise
par une vitesse de commutation tres
elevee, ait un bon rendement et limite a l'indispensable l'ab-
sorption de courant d'alimentation.
Ce but est atteint avec le circuit de commande a la commu-
tation de charges inductives, comprenant un transistor final de
puissance, pilote a la commutation au moyen d'un transistor couple
' a sa borne de commande Aux bornes de commande des deux transis-
tors est raccorde un circuit pour l'extraction de charges, afin
d'accelerer l'extinction de ces transistors en reduisant leur temps de
vidage Ce circuit n'est valide a l'extraction de charges que pendant
une periode de temps predeterminee a partir du debut de l'extinction
des transistors, afin d'eviter des retards du
reallumage ulterieur de ceux-ci.
L'invention pourra etre bien comprise a l'aide de la
description detaillee qui suit, donnee uniquement a titre
d'exemple et, par consequent, non limitative, en reference aux dessins
ciannexes La fig Iest le schema, partiellement en blocs, d'un
circuit de commande a la commutation suivant l'invention.
La fig ' 2 est le schema du circuit d'une autre forme de
16722
realisation de l'invention.
Sur les figures, les memes lettres et chiffres de reference
ont ete utilises pour les parties correspondantes.
Un circuit de commande a la commutation, dont le schema est presente
sur la fig l, comprend une source de signaux de commutation,
representee par un bloc designe par le symbole BW, raccordee a un
composant de commande, represente par un bloc O, ainsi qu'une paire de
transistors bipolaires, designes par les symboles T 1 et T 2,
respectivemenit de types PNP et NPN La base, l'emetteur et le
collecteur de Tl sont raccordes respectivement au composant de
commande C, au pole positif +Vcc d'un generateur de tension
d'alimentation et a la base du transistor T 2, dont le collecteur et
l'emetteur sont connectes respectivement a +Vcc et, par
l'intermediaire d'une charge inductive, representee par une resistance
et une inductance L montees en serie, au p 1 le
negatif -Vcc du generateur de tension d'alimentation En para Ile-
le sur R et L est montee une diode DE dont la cathode et l'anode sont
raccordees respectivement a l'emetteur de T 2 et a -Vcc La ce' base et
l'emetteur de T 2 sont interconnectes au moyen d'une
resistance R -
Le schema de la fig 1 comprend egalement un composant de
validation temporisee, represente par un bloc designe par le sym-
bole TA et relie au composant de commande C par une double jonc-
tion designee par les lettres c et a; le schema comprend aussi
deux transistors bipolaires de type PNP, T 3 et T 4, et-un transis-
tor bipolaire de type NPN, T 5.
Les bases de T 3 et T 4 sont raccordees l'une et l'autre au
composant C et a la cathode d'une diode D 4 dont l'anode est con-
nectee a +Vcc.
Les emetteurs de T 3 et T 4 sont connectes a +Vcc; le collec-
teur de T 3 est raccorde a la base de Tl, celui de T 4 est relie a
la base de T 5 et a l'anode d'une diode D 5.
L'emetteur de T 5 et la cathode de D 5 sont raccordes a l'emet-
teur de T 2; le collecteur de T 5 est connecte a la base de T 2.
La fig 2 est le schema de circuit d'une autre forme de realisation de
l'invention comprenant en plus, par rapport au schema de la fig l,
deux diodes D 2 et D 7 et deux transistors
bipolaires, T 6 de type PP et T 7 de type NMI.
La base de T 6 est raccordee elle aussi a la cathode de D 4 et au
composant de commande.
L'emetteur et le collecteur de T 6 sont raccordes respective-
ment a +Vcc et a l'anode de D 7, a laquelle est egalement connec-
tee la base de T 7 La cathode de D 7 et l'emetteur de T 7 sont
raccordes a -Vcc; le collecteur de D 7 est relie a la cathode de
D 2 dont l'anode est raccordee elle aussi a la base de T 2.
On a en outre represente sur le schema de la fig 2 une forme
particuliere de realisation des circuits des blocs C et TA
de la fig 1.
Le composant de commande, represente sur la fig 1 par le bloc O,
comprend trois transistors bipolaires T 8, Tg et O 10 de
type NPIT.
Les bases de T 8 et R 9 sont raccordees l'une et l'autre a la source
de signaux de commutation SW et a l'anode d'une diode D 9 dont la
cathode est raccordee a -Vc L'emetteur et le collecteur de T 8 sont
connectes, l'un a Vcc l'autre a la base de Tl et a la cathode d'une
diode Dl dont l'anode est raccordee a +Vc Le
collecteur de T 9 est relie a la base de T 10 C, a +Vcc par l'inter-
mediaire d'un generateur de courant constant A 3 et a l'anode d'une
diode D 1 l O; l'emetteur de T 9, celui de T 10 et la cathode de D 10
sont raccordes a -Vc Le collecteur de TO 10 est relie aux
bases de T 3, T 4, 16 et a la cathode de la diode D 4.
De composant de validation temporisee comprend deux transis-
tors bipolaires Tll et T 12 de type PNP etun transistor bipolaire T 13
de type Eh N La base de 11 T 1 est raccordee elle aussi a la
cathode de la diode Dl et au collecteur du transistor TS; l'emet-
teur et le collecteur de T Ul sont raccordes respectivemenit a +Vce c
O et a la base de T 12, laquelle est egalement connectee a la cathode
d'une diode D 12 dont l'anode est connectee a +Vcc, le collecteur
de Tll etant raccorde aussi a -V par l'intermediaire d'un gene-
cc
rateur de courant constant Ail.
L'emetteur de T 12 est raccorde a +Vcc; son connecteur est relie a la
base de T 13 et a l'anode d'une diode D 13 dont la cathode est
connectee a -Vcc L'emetteur et le collecteur de T 13
sont raccordes respectivement a -V et au collecteur de T 9.
On considerera maintenant le fonctionnement du circuit represente sur
la fig 1. La diode D 4 constitue avec T 3 un premier circuit miroir de
courant et, en meme temps, elle constitue un second circuit
miroir de courant plus complexe avec l'ensemble de T 4, D 5 et T 5.
Le point de jonction entre la diode D 4 et le composant de commande C
est l'entree commune aux deux circuits miroirs de courant; le point de
jonction entre le collecteur de T 3 et la base de TI et le point de
jonction entre le collecteur de T 5 et la base de T 2 sont les
sorties, distinctes entre elles, des deux circuits miroirs de courant
Le courant en entree est reflete
aux sorties avec des facteurs determines de transfert de courant.
Le composant de commande C active simultanement le premier
et le second circuits miroirs de courant au moment oh, a l'arri-
vee d'un signal determine de commutation, produit par la source de
signaux SW, il commande l'extinction de TI et, en consequence, celle
de T 2 Il est ainsi produit un courant d'extraction de charges a
partir de la base de TI et un courant, d'une part d'absorption de
charges a partir du collecteur de Tl en phase d'extinction et, d'autre
part d'extraction de charges a partir de la base de T 2; ces courants,
comme on l'a deja indique, sont proportionnels au
courant applique par le circuit de commande.
Le composant -de validation temporisee TA detecte, par sa
jonction c avec le composant de commande C, la commande d'extinc-
tion de Tl et T 2 et il valide ce composant de commande C pour
qu'il maintienne actifs les miroirs de courant pendant une perio-
de de temps determinee.
Si, dans les limites de cette periode de temps, un nouveau signal de
commutation arrive de SW, C commande le reallumage de Tl et T 2, la
desactivation des circuits miroirs de courant et la
remise en l'etat initial de TA.
Autrement, a la fin de la periode de temps determinee, TA commande C
par la Jonction a, pour qu'il desactive les circuits
miroirs de courant, mais sans modifier l'etat de T 1 et T 2.
On fera mieux comprendre le fonctionnement d'un circuit de commande a
la commutation suivant l'invention, en expliquant le fonctionnement de
la forme de realisation du circuit, representee
sur la fig 2.
A la difference du schema de la fig 1, le schema de circuit de la fig
2 comprend en plus un troisieme circuit miroir de
courant, constitue par D 4, T 6, D 7, T 7 et D 2 avec leurs jonctions.
Son entree est celle qui est egalement commune au premier et au second
circuits, sa sortie, distincte de celles des deux autres circuits
miroirs de courant, est raccordee elle aussi a la base de T 2 et
permet une extraction de charges plus efficace a partir
de ce transistor, lorsque celui-ci est en phase d'extinction.
Le troisieme circuit miroir de courant est active en meme
temps que le premier et le second Initialement, la tension col-
lecteur-emetteur de T 7 est plus elevee que celle de T 5, qui est
egale a la tension base-emetteur de T 2 en conduction, du fait que
l'emetteur de T 7 est raccorde au pole negatif -Vcc' Le courant de
collecteur de T 7 est donc plus eleve que celui de T 5 et, par suite,
l'adjonction du troisieme circuit miroir de courant permet
une extinction plus rapide de T 2.
Ainsi, l'interdiction de T 2 peut survenir deja lorsque le courant de
collecteur de T 1 n'a pas encore diminue de maniere significative. Du
fait que l'emetteur du transistor final T 2 est raccorde a la charge
inductive, il est induit dans celle-ci, a l'instant de l'extinction,
une force contre-electromotrice qui provoque l'abaissement du
potentiel d'emetteur de T 2 au-dessous du niveau
de reference de -Vcc Le potentiel de base de T 2 s'abaisse egale-
ment et le transistor T 7 est polarise en sens inverse, ce qui met
fin a son activite d'extraction de charges.
La diode D 2 est interposee entre le collecteur de T 7 et la base de T
2 afin d'eviter une eventuelle recirculation de courant
a partir du collecteur de T 7 dans de telles conditions de polari-
sation. Le transistor T 5, dont l'emetteur est raccorde a celui de T 2
et, par suite, est en toutes circonstances au meme potentiel que
celui-ci, se maintient par contre en conduction directe, absorbant le
courant de collecteur de T 1 en phase d'extinction
et evitant ainsi que ce courant provoque le reallumage de T 2.
Lorsque T 1 est lui aussi en interdiction, les circuits miroirs de
courant sont desactives, parce que leur action n'est
plus necessaire.
On va maintenant examiner de facon plus detaillee le fonc-
tionnement du composant de commande et du composant de valida-
tion temporisee.
On supposera qu'initialement T 1, T 2 et T 8, qui les pilote, sont en
conduction Le signal de commutation produit par SW
pour commander l'extinction du transistor final provoque l'in-
terdiction (simultanee) de T 8 et de T 9.
L'interdiction de T 8 provoque le declenchement de la phase
d'extinction de T 1 et T 2, et celle de T 9 fait que le courant
constant delivre par A 3 et absorbe completement par T 9 lorsqu'il est
en conduction, peut par contre parvenir a la base de T 10, auparavant
en interdiction, ce qui le fait passer immediatement en conduction Le
transistor T 10 active les circuits miroirs de courant precites et, en
consequence, T 3, T 5 et T 7 commencent a
extraire les charges a partir de Tl et T 2 encore en conduction.
Le transistor Tll est pilote a la commutation, comme Tl, par T 8; Tll
et All sont dimensionnes de telle rmaniere que All delivre a Tll un
courant de collecteur inferieur a celui qui etablirait les conditions
de polarisation de Tll, tant que le courant de collecteur de T 1 a une
valeur telle qu'il maintienne T 2 en conduction; dans ces conditions,
Tll est en saturation et
les transistors T 12 et T 13 sont en interdiction.
Lorsque T 1 conduit un courant inferieur au courant de seuil pour la
conduction de T 2, le courant de collecteur de Tll tend vers une
valeur inferieure a celle du courant delivre par All, ce qui fait que
Ti sort de la saturation A ce moment, T 12 et
T 13 commencent a conduire, ce qui invalide la fonction d'extinc-
tion active, et T 1 et T 2 peuvent 8 tre commandes de nouveau a la
conduction, sans retards.
Mais s'il arrive au composant de commande, avant la fin de la periode
d'activation ainsi determinee, un signal pour le reallumage de T 1 et
T 2, les transistors T 8 et T 9 recommencent immediatement a conduire,
d'oh il resulte qu'outre T 1 et T 2, Tii passe egalement en
conduction, ce qui provoque l'interdiction de T 12 et T 13, tandis que
T 9 absorbe de nouveau tout le courant
provenant de A 3, eteignant ainsi T 10.
Les moyens d'extraction de charges sont donc desactives en meme temps
que l'allumage du transistor final et le composant de
validation temporisee est remis en l'etat initial.
Un circuit de commande suivant l'invention se prote parti-
culierement bien a l'integration dans un bloc monolithique de
semiconducteur, par les techniques connues d'integration.
Du fait qu'il a ete decrit et represente un seul exemple de
realisation de l'invention, il va de soi que de nombreuses variantes
sont possibles, sans que l'on sorte pour autant du
cadre de la presente invention.
Par exemple, les circuits miroirs de courant compris dans les schemas
des fig 1 et 2 pourraient atre remplaces, avec
des modifications appropriees du circuit a la portee du specia-
liste, par des circuits miroirs de courarit plus complexes, com-
portant des moyens propres a rendre le circuit insensible aux
variations de temperature ou de tension d'alimentation On pourrait
egalement substituer des resistances appropriees aux
diodes D 5 et D 7, afin d'augmenter le gain de courant des tran-
sistors T 5 et T 7 et reduire leurs temps d'extinction, en compen-
sant de cette ma iere la moindre precision des valeurs du courant de
collecteur de T 5 et T 7 par rapport a ce qui est obtenu avec
les diodes.
Dans une autre forme de realisation de l'invention, le com-
posant de validation pourrait atre constitue par un multivibrateur
monostable a temps de validation rigoureusement constants,
susceptibles d'etre determines a volonte.
il
REVBIDICATI ONS
1 Circuit de commande a la commutation de charges inductives,
susceptible d'integration monolithique, comprenant un composant
de commande (C),raccorde a une source (SW) de signaux de commu-
tation, qui produit des impulsions electriques determinees par le
signal et presentant un front anterieur et un front posterieur, et un
premier (T 1) et un second (T 2) transistors qui presentent l'un et
l'autre une premiere borne, une seconde borne et une
borne de commande, l'une des premiere et seconde bornes du pre-
mier transistor (T 1) etant raccordee a l'un des deux poles (+Vcc, -V
cc) d'un generateur de tension d'alimentation, l'autre borne et la
borne de commande etant raccordees respectivement a' la borne de
commande du second transistor (T 2) et au composant
de commande (C), le premier transistor etant commande a la con-
duction par les impulsions produites par ledit composant, le second
transistor (T 2) etant monte, au moyen de sa premiere et de sa seconde
borne, en serie avec une charge inductive (R, L),
entre les deux poles (+Vcc, -Vcc) du generateur de tension d'ali-
mentation, caracterise en ce qu'il comprend un circuit pour
l'extraction de charges, raccorde a la borne de commande d'au moins
l'un des premier (T 1) et second (T 2) transistors et couple au
composant de commande (C) qui en commande l'activation en
correspondance avec le front posterieur de chacune des impulsions qui
commandent a la conduction le premier transistor (TI), et en ce qu'il
comprend un composant de validation temporisee (TA), couple lui aussi
au composant de commande (C), lequel est valide par ce composant de
validation pour maintenir actif le circuit d'extraction de charges
pendant une periode de temps determinee, egale au maximum a la periode
de temps qui s'etend entre le front posterieur de chacune des
impulsions et le front anterieur de
1 ' impulsion suivante.
2 Circuit selon la revendication 1, caracterise en ce que le premier
(T 1) et le second (T 2) transistors ont respectivement un premier et
un second types de conductibilite, opposes entre eux, la premiere et
la seconde bornes du premier transistor (T 1)
etant raccordees respectivement au premier pole (+Vcc) du gene-
rateur de tension d'alimentation et a la borne de commande du second
transistor (T 2), la premiere et la seconde bornes du second
transistor etant raccordees respectivement au second pole (-Vcc) par
l'intermediaire de la charge inductive (RL, L) et au
premier pole (+V cc) du generateur de tension d'alimentation.
3 Circuit selon la revendication 2, caracterise en ce que le circuit
pour l'extraction de charges comprend un troisieme (T 3), un quatrieme
(T 4) et un cinquieme (T 5) transistors presentant chacun une premiere
borne, une seconde borne et une borne de commande, le troisieme et le
quatrieme transistors ayant une conductibilite du premier type, le
cinquieme transistor ayant
une conductibilite du second type, les bornes de commande du troi-
sieme (T 3) et du quatrieme (T 4) transistors etant raccordees l'une
et l'autre a la cathode d'une premiere diode (D 4) et au composant de
commande (0), l'anode de la premiere diode-(D 4) et les premieres
bornes du troisieme (T 3) et du quatrieme (T 4) transistors etant
raccordees au premier pole (+Vcc) du generateur
de tension d'alimentation, la seconde borne du troisieme transis-
tor (T 3) etant raccordee a la borne de commande du premier tran-
sistor (Tl), la seconde borne du quatrieme transistor (T 4) etant
raccordee a la borne de commande du cinquieme transistor (T 5), la
premiere borne de ce transistor (T 5) etant raccordee a la fois a sa
propre borne de commande par l'intermediaire d'un premier element
resistif (D 5) et a la premiere borne du second transistor (T 2), la
seconde borne du cinquieme transistor etant raccordee-a
la borne de commande du second transistor (T 2).
4 Circuit selon la revendication 3, caracterise en ce que le circuit
pour l'extraction de charges comprend un sixieme (T 6) et
un septieme (T 7) transistors, ayant respectivement des conducti-
bilites du premier et du second types et presentant chacun une
premiere borne, une seconde borne et une borne de commande, la borne
de commande du sixieme transistor etant raccordee elle aussi a la
cathode de la premiere diode (D 4) et au composant de commande (C), la
premiere et la seconde bornes du meme transistor (T 6) etant
raccordees respectivement au premier pole (+Vc) du generateur de
tension d'alimentation et a la borne de commande du septieme
transistor (T 7), dont la premiere et la seconde bornes sont
raccordees respectivement au second pole (-Vcc) du generateur de
tension d'alimentation, auquel est egalement raccordee la borne de
commande de ce meme transistor (T 7) par l'intermediaire d'un second
element resistif (D 7), et a la cathode d'une seconde diode (D 2),
dont l'anode est raccordee a la borne de commande du second
transistor (T 2).
Circuit selon la revendication 3 ou 4, caracterise en ce
que les elements resistifs sont des resistances.
6 Circuit selon la revendication 3 ou 4, caracterise en ce que
les elements resistifs sont des diodes.
7 Circuit selon l'ame quelconque des revendications 3 a 6,
caracterise en ce que le composant de commande (C) comprend un
huitieme (Te), un neuvieme (T 9) et un dixieme (Tl O) transistors
ayant des conductibilites du second type et presentant chacun une
premiere borne, une seconde borne et une borne de commande, les
bornes de commande du huitieme (T 8) et du neuvieme (T 9) transis-
tors etant raccordees a la source de signaux de commutation, qui
commande ces huitieme et neuvieme transistors, et a l'anode d'une
troisieme diode (D 9) dont la cathode est raccordee au second pole
(-Vcc) du generateur de tension d'alimentation, la premiere et la
seconde bornes du huitieme transistor (TB) etant raccordees res-
pectivement au second pE 13 (-Vec) du generateur de tension d'ali-
mentation et a la fois a la borne de commande du premier transis-
tor (T 1) et a la cathode d'une quatrieme diode (Dl) dont l'anode est
raccordee au premier pole (+Vcc) du generateur de tension
d'alimentation, la seconde borne du neuvieme transistor (T 9) etant
raccordee a la borne de commande du dixieme transistor
(T 10), au premier p 8 le (+Vcc) du generateur de tension d'alimen-
tation par l'intermediaire d'un premier generateur de courant constant
(A 1) et a l'anode d'une cinquieme diode (D 10 l), la premiere borne
du neuvieme (T 9) et du dixieme (Tl O) transistors et la cathode de la
cinquieme diode (DIO) etant raccordees au second p 8 le (-Vcc) du
generateur de tension d'alimentation, la seconde borne du dixieme
transistor (Tl O) etant raccordee aux bornes de commande du troisieme
(T 3), du quatrieme (T 4) et du sixieme (T 6) transistors et a la
cathode de la premiere diode (D 4), et en ce que le composant de
validation temporisee (TA) comprend
un onzieme (T Ul), un douzieme (T 12) et un treizieme (T 13) tran-
sistors, presentant chacun une premiere borne, une seconde borne et
une borne de commande, le onzieme et le douzieme transistors ayant des
conductibilites du premier type, le treizieme transistor ayantune
conductibilite du second type, la borne de commande du onzieme
transistor (Tll) etant raccordee elle aussi a la seconde borne du
huitieme transistor (T 8) et a la cathode de la quatrieme
diode (Dl), la premiere et la seconde bornes du onzieme transis-
tor (Tll) etant raccordees, l'une au premier p 8 le (+Vcc) du gene-
rateur de tension d'alimentation, l'autre a la borne de commande du
douzieme transistor (T 12) et, par l'intermediaire d'un second
generateur de courant constant (All), au second p 5 le (-Vcc) du cc
generateur de tension d'alimentation, la borne de commande du douzieme
transistor (T 12) etant raccordee egalement a la cathode d'une sixieme
diode (D 12) dontl'anode est raccordee au premier p 8 le (+Vcc) du
generateur de tension d'alimentation, la premiere et la seconde bornes
du douzieme transistor (T 12) etant raccordees,
l'une au premier p 8 le (+Vcc) du generateur de tension d'alimenta-
tion, l'autre a la borne de commande du treizieme transistor (T 13) et
a l'anoded'une septieme diode (D 13), la cathode de cette diode (D 13)
et la premiere borne du treizieme transistor (T 13)
etant raccordees au second p 8 le du generateur de tension d'alimen-
tation, la seconde borne du treizieme transistor (T 13) etant
raccordee elle aussi a la seconde borne du neuvieme transistor (T 9).
8 Circuit selon la revendication 7, caracterise en ce que les
caracteristiques physiques et electriques du onzieme transistor
(Tll) sont les memes que celles du premier transistor (Tl) -
2 Circuit selon l'une quelconque des revendications l a 8,
caracterise en ce que les transistors qui y sont contenus sont
des transistors bipolaires, la premiere borne, la borne de comman-
de et la seconde borne de chacun d'entre eux etant respectivement
l'emetteur, la base et le collecteur.
Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 a 9,
caracterise en ce qu'il est entierement integre en un bloc mono-
lithique de semiconducteur.
<
? ?
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it.<br/><br/>The preview window is draggable so you may place it
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