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[5][_]
Molecule
(22/ 114)
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silicon
(35)
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Me
(19)
[8][_]
tin
(12)
[9][_]
tin oxide
(8)
[10][_]
silicon oxide
(6)
[11][_]
tetramethyltin
(6)
[12][_]
MONOMETHOXYPENTAMETHYLDISILANE
(4)
[13][_]
fluorine
(4)
[14][_]
DES
(3)
[15][_]
oxygen
(3)
[16][_]
silane
(2)
[17][_]
carbon
(2)
[18][_]
(CH3)2SiH2
(1)
[19][_]
(C2H5)2SiH2
(1)
[20][_]
methyltin
(1)
[21][_]
disilane
(1)
[22][_]
hydrogen
(1)
[23][_]
water
(1)
[24][_]
bromotrifluoromethane
(1)
[25][_]
CF
(1)
[26][_]
Br
(1)
[27][_]
dimethoxytetramethyldisilane
(1)
[28][_]
Physical
(20/ 23)
[29][_]
de 0,4 percent
(3)
[30][_]
0,4 percent
(2)
[31][_]
0,5 percent
(1)
[32][_]
15 cm
(1)
[33][_]
3,8 mm
(1)
[34][_]
0,8 percent
(1)
[35][_]
1,8 percent
(1)
[36][_]
3,0 percent
(1)
[37][_]
0,25 micron
(1)
[38][_]
de 85 percent
(1)
[39][_]
de 10 microns
(1)
[40][_]
de 20 ohms
(1)
[41][_]
10 cm
(1)
[42][_]
0,3 micron
(1)
[43][_]
25 micron
(1)
[44][_]
0,35 percent
(1)
[45][_]
1,0 percent
(1)
[46][_]
25 cm
(1)
[47][_]
250 cm
(1)
[48][_]
0,4 percent de
(1)
[49][_]
Generic
(8/ 20)
[50][_]
silanes
(5)
[51][_]
oxide
(4)
[52][_]
radical
(4)
[53][_]
DIalkoxy
(2)
[54][_]
alkyl
(2)
[55][_]
MONOalkoxy
(1)
[56][_]
alkoxy
(1)
[57][_]
tetraalkyltin
(1)
[58][_]
Gene Or Protein
(2/ 9)
[59][_]
Etre
(8)
[60][_]
Ris
(1)
[61][_]
Substituent
(3/ 7)
[62][_]
methoxy
(3)
[63][_]
methyl
(3)
[64][_]
tetraethyl
(1)
[65][_]
Polymer
(2/ 6)
[66][_]
Silicone
(5)
[67][_]
Polysilanes
(1)
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Publication
_________________________________________________________________
Number FR2516815A1
Family ID 29346400
Probable Assignee Gordon R G
Publication Year 1983
Title
_________________________________________________________________
FR Title PROCEDE PERFECTIONNE DE DEPOT CHIMIQUE DE REVETEMENTS
Abstract
_________________________________________________________________
L'INVENTION A POUR OBJET UN PROCEDE PERFECTIONNE DE DEPOT CHIMIQUE A
LA VAPEUR DE REVETEMENTS DU TYPE CONTENANT DE L'silicon oxide OU UN
MELANGE D'silicon oxide ET D'tin oxide.
ON UTILISE DES PERMETHYLPOLYSILANES A TERMINAISON MONOalkoxy OU
DIalkoxy, DE PREFERENCE LE MONOMETHOXYPENTAMETHYLDISILANE, EN QUALITE
DE REACTIF DONNANT DU silicon; L'INVENTION PERMET EGALEMENT DE
PREPARER DES COMPOSITIONS CONTENANT DU silicon POUR FORMER DES
REVETEMENTS TRANSPARENTS QU'ON PEUT REGLER A UNE VALEUR QUELCONQUE DE
L'INDICE DE REFRACTION ENTRE ENVIRON 1,44 ET 2,0.
PRODUCTION DE FEUILLES DE VERRE PORTANT UN REVETEMENT ET, A TITRE DE
COUCHE INTERMEDIAIRE, UN REVETEMENT DU TYPE DECRIT.
Description
_________________________________________________________________
La presente invention concerne la formation d'une matiere comportant
du silicon, en particulier la formation de revetements par
decomposition thermique et reaction avec l'oxygen de reactifs
contenant du silicon entraines en phase vapeur vers unesurface chaude
sur laquelle le revetement est depose.
La technique anterieure la plus proche de l'invention est decrite dans
les brevets US 4 187 336 et h 206 252 dont les enseignements sont
rappeles ici a titre de reference En general, ces brevets concernent
la formation de revetements transparents contenant de l'silicon oxide
par l'oxydation de silanes, parfois en combinaison avec d'autres
matieres telles que des composes d'tin, pour obtenir des revetements
ayant un indice de refraction particulier.
Ces revetements sont utilisables, par exemple, comme intercouches
anti- iridescentes sur un substrat de verre sous des enduits d'une
epaisseur infe- rieure au micron de matieres reflechissant les
infrarouges, comme par exemple l'tin oxide dope au fluorine.
Dans la technique anterieure, les silanes utilises sont notamment des
matieres telles que:
Si H, (CH3)2SiH2, (C2H5)2SiH2 et (CH 3)45 i 2 H 2.
Ces matieres fournissent des revetements hautement satisfaisants.
Cependant elles possedent des caracteristiques d'inflammabilite et de
sensi- bilite a l'oxygen qui exigent des precautions speciales pendant
lestockage, la manutention et l'utilisation Le silane (Si H 4) est
spontanement inflammable a l'air et bien que les autres silanes
enumeres ne soient pas spontanement inflammables, ils absorbent
l'oxygen de l'air et reagissent avec lui quand on les laisse au repos
Quand on utilise ces silanes pour le depot chimique en phase vapeur
pour former des pellicules, la forte inflammabilite peut pro- voquer
des reactions non controlables et une formation indesirable de poudre,
a moins d'un reglage soigneux des conditions de reaction On a donc
decide de rechercher des matieres de remplacement moins inflammables
qui pourraient neanmoins fournir des revetements appropries comportant
du silicon Malgre la susceptibilite reduite a l'oxydation de tous les
composes reactifs de- remplacement, il est necessaire de permettre une
reaction favorable a des vitesses permettant la mise en oeuvre d'un
procede continu de revetement, par exemple des vitesses de revetement
permettant l'utilisation de ces reactifs dans des chaines de
production de verre par flottaison.
L'oxydation simultanee des silanes et d'un compose renfermant de
l'tin, tel que le tetramethyltin, donne des revetements mixtes
d'oxydes desilicium et d'tin qui n'ont pas une composition ou un
indice de refraction spatialement uniforme Cette reactivite
differentielle peut etre avantageuse-
25168 15 ment appliquee, comme on le mentionne dans le brevet US 4 206
252, pour pro- duire des revetements a gradients anti-iridescents
Cependant dans d'autres applications, comme par exemple dans le brevet
US 4 187 336, on cherche a produire des couches homogenes ayant une
composition et un indice de refrac- tion plus uniformes Il s'est
revele difficile de trouver un compose de silicium dont la reactivite
est en concordance tres etroite avec celle du tetra- methyltin et qui
serait donc oxide simultanement avec le tetramethyltin pour donner des
revetements ayant un indice de refraction homogene.
En consequence, les principaux buts de la presente invention sont -:
de realiser un procede d'application de revetements minces, par
exemple de revetements reflechissant les infrarouges et ayant une
epaisseur inferieure au micron, sur des substrats en verre en
utilisant des intercouches comportant du silicon et supprimant
l'iridescence, en relation avec ledit substrat de verre; de realiser
un procede de dep 8 t de couches optiquement homogenes dont l'indice
de refraction peut etre etabli a une valeur desiree quelconque entre
environ 1,44 et environ 2,0; de realiser un procede de-formation de
revetements transparents minces comportant du silicon avec utilisation
de reactifs moins inflammables de realiser un procede dans lequel la
diminution de la susceptibi- lite des reactifs a l'oxydation se
manifeste dans les facteurs cinetiques globaux en rapport avec les
reactions souhaitables de revetements ainsi que- par une diminution
des reactions secondaires formant des poudres et/ou un trouble; de
trouver un procede pour augmenter la vitesse de revetement et pour
reduire les frais de production tout en realisant le perfectionnement
precite concernant l'inflammabilite; et de realiser d'autres objectifs
qui ressortiront de la description qui va suivre On a egalement
constate pendant les travaux destines a obtenir les objectifs enonces
precedemment que les revetements nouveaux contiennent des liaisons
silicon-carbon ainsi que des liaisons siliciumoxygene se formant
pendant le procede Ces revetements sont caracterises par des
proprietes parfaitement appropriees de transparence, de durabilite et
d'indice de refrac- tion et semblent reellement plus avantageux a
certains egards que les revete= ments du type silicon oxide selon la
technique anterieure.
Pour aboutir aux objectifs enonces, on utilise des alcoxyperalkyl-
polysilanes dans lesquels au moins un silicon terminal porte un groupe
alkoxy.
Il est avantageux que les composes soient des
monomethoxypermethylpolysilanes dont un silane terminal porte un
groupe methoxy Ces composes particulierement avantageux repondent a la
formule Me-(Me 2 Si)n-O Me dans laquelle N est un nombre allant de 2 a
environ 10 Les facteurs cinetiques les plus appropries pour former un
revetement mince anti-iridescent comportant du-silicon semblent etre
realises avec des composes dans lesquels N est egal a 2-6 On prefere
le compose dans lequel N = 2 (un disilane) en raison de sa plus grande
volatilite et de sa facilite de synthese Lorsque N est egal a 10 ou
superieur a 10, la tension de vapeur est trop basse pour etre pratique
dans la plupart des operations Cependant la longueur exacte minimale
de la chaine permettant d'obtenir un revetement depend de l'effort
fait pour obtenir une volatilisation appropriee Par exemple,
l'evaporation dans un gaz inerte porteur diluant avant melange a l'air
permet une temperature plus elevee d'eva- poration et par consequent,
l'emploi de reactifs ayant des points d'ebullition plus eleves Avec
une telle dilution, la tendance a une oxydation prematuree a une
temperature donnee serait reduite Le procede selon l'invention peut
etre mis en oeuvre par depot de pellicules comportant du silicon ou,
comme il est souvent recommande dans des applications optiques, par un
dep St simul- tane avec-de l'tin oxide ou un autre oxide qui peut etre
forme par co- oxydation de divers reactifs avec les matieres les plus
avantageuses comportant du silicon.
On pense qu'on obtient une plus faible inflammabilite par suite de
l'absence de liaisons silicon-hydrogen On a trouve qu'un premier
resultat de cette reactivite reduite est la possibilite d'employer des
melanges de reaction gazeuse ayant des concentrations plus elev'es en
matiere comportant du silicon On a egalement trouve qu'on peut
utiliser des temperatures plus elevees dans la zone de reaction Ces
facteurs permettent des procedes de revetement plus rapides qu'il
n'etait possible jusqu'a present dans le cadre des processus de
revetement en continu, avec des vitesses de depot avantageuses sur le
plan industriel En outre, l'amelioration de la vitesse de reaction
souhaitable est assuree en l'absence d'un risque proportionnel de
reactions secondaires indesirables, un tel risque etant normalement
inevitable avec l'acceleration de la reaction On a constate que des
reactions noq controlees provoquant le trouble sur un substrat de
verre transparent ou le depot d'une poudre sont plus faciles a eviter
quand on utilise les melanges de reaction selon l'invention.
Comme precedemment stipule, l'analyse de certains revetements formes
par le procede selon l'invention fait ressortir de facon surprenante
que le silicon porte certaines liaisons silicon-carbon qui persistent
meme quand le silicon est dans l'intercouche anti-iridescente terminee
Toutefois de tels revetements sont parfaitement efficaces dans les
applications d'antiiridescence.
La composition chimique du revetement depose peut etre consideree
comme un me- lange d'untype nouveau de silice (Si O 2 et dlun polymere
du type methylsilieone
(Me 25 i O)n -
On a mesure l'indice de refraction de ces revetements de silice-
silicone et on a trouve une valeur d'environ 1,44 Cette valeur est
interme- diaire entre l'indice de refraction de la silice (normalement
1,45 a 1,f 6} et les valeurs de 1,38 A 1,41 qui sont normales pour les
polymeres de methyl- silicone. On peut-produire des revetements ayant
un indice de refraction plus eleve, conformement a l'invention, par
co-oxydation d'un aleoxypolysilane avee un compose d'tin oxydable tel
qu'un tetraalkyltin De cette facon, on peut obtenir des revetements
d'un melange tinsiliconeoxide, ayant im indice de refraction etabli a
une valeur quelconque d'environ 1,44 -enron 2,0 Une combinaison
preferee de reactifs pour une telle co-deposition utilise du
methoxypentamethyldisilane et du-tetramethyltin On a constate que les
vapeurs melangees de ces matieres sont oxydees a l'air avec des
vitesses a peu pres egales pour fournir des revetements limpides
transparents sur des surfaces chauffees a environ 500 a 600 C L'indice
de refraction de ces couches co- deposees est une fonction lineaire
approximative du pourcentage molaire des atomes d'tin par rapport au
total des atomes d'tin et de silicon en phase vapeur, comme on peut le
voir a la figure 3 des dessins Ainsi par une formation- convenable du
melange des reactifs, on peut obtenir une couche transparente homogene
uniforme ayant un indice de refraction desire quelconque dans l'inter-
valle indique.
Les reactifs methoxy utilises selon l'invention permettent l'emploi de
temperatures de reaction superieures a 570 C, par exemple des
temperatures aussi elevees qu'environ 620 C En outre, les
concentrations du gaz methoxy peuvent etre portees au-dessus de 0,4
percent dans le melange de reaction, par exemple a 0,5 percent environ
ou meme une valeur plus elevee La possibilite de travailler en toute
securite a de telles concentrations et a de telles temperatures
procure l'opportunite de deposer une quantite de revetement
sensiblement plus importante par unite de temps En fait, avec le
procede selon l'invention on peut atteindre o des vitesses de
revetement d'environ 60 a 150 A par seconde ou plus encore sans risque
excessif par suite de la presence d'une composition hautement
inflammable. o
Il semble qu'une vitesse d'environ 80 a 125 A par seconde soit
optimale.
On va maintenant decrire un mode de mise en oeuvre prefere de l'in-
16815 vention ainsi que certaines variantes de celui-ci 'Cependant il
va de soi que les variantes choisies ne sont nullement limitatives et
ne servent qu'a il- lustrer l'invention Les specialistes n'auront
aucune difficulte a etablir d'autres variations pour appliquer les
concepts de l'invention a chaque cas donne. Sur les dessins annexes
la-figure 1 est une vue schematique en elevation d'un appareil
permettant la mise en oeuvre du procede selon l'invention la figure 2
est un schema d'une feuille de verre revetue preparee selon
l'invention; et la figure 3 est un graphique montrant l'indice de
refraction R 1 u revetement -par rapport a la composition du gaz.
La figure 1 represente un appareil de revetement 10 comprenant une
premiere zone de reaction de revetement 16 et une seconde zone de
reaction de revetement 18 Les zones de reaction 16 et 18 recoivent un
melange fluide de reaction par les collecteurs d'entree de gaz 22 et
24 respectivement et les orifices de distribution de gaz 26 et 28
respectivement Dans chaque orifice de ce genre, on a prevu un tamis a
ouvertures etroites 29 qui oppose suffisamment de resistance a
l'ecoulement, par exemple une pression egale a une dizaine de
centimetres (quelques pouces) d'water, pour assurer une bonne
distribution du gaz Onetablit le melange des reactifs de maniere qu'il
depose un revetement mince (habituellement 1/4 de longueur d'onde en
epaisseur optique) ayant un indice de refraction convenable, comme
explique dans le brevet US 4 187 336, pour la fabrication de
revetements non iridescents On etablit le debit d'ecoulement gazeux
pour le melange de reaction de maniere que le melange soit
sensiblement epuise lorsqu'il atteint l'extremite de son trajet
d'ecoulement entre le verre et l'appareil de revetement.
La longueur globale de l'appareil de l'entree du gaz jusqu'a sa sortie
est commodement etablie a environ 15 cm L'appareil est suspendu a une
structure de support convenable ou monte sur une telle structure (non
representee sur les dessins) Les vitesses de reaction et les autres
conditions sont sen- siblement ameliorees si l'on maintient les
surfaces de l'appareil 10 qui sont dans les zones de reaction a une
temperature suffisamment basse pour empecher le de'p 8 t de la matiere
de revetement sur une telle surface et pour moderer la vitesse de la
reaction Ainsi, un fluide de refroidissement qui est habituel- lement
de l'air est introduit dans les chambres de refroidissement 40 dont
chacune est associee a une zone de reaction L'appareil est installe de
facon appropriee pour etablir une hauteur d'environ 3,8 mm pour le
courant gazeux entre le substrat de verre et la surface de l'appareil
de revetement Le gaz sortant s'echappe de la zone de reaction par des
orifices de sortie 50 Des rouleaux 58 supportent le verre pendant sa
progression suivant la ligne de traitement, comme le savent bien les
specialistes de la fabrication du verre.
EXEMPLE 1
On applique un revetement clair transparent ayant un indice de
refraction homogene d'environ 1,67, sur du verre a une temperature
d'environ 580 C, en faisant circuler sur la surface du verre un
melange gazeux ayant la composition suivante (moles percent par
rapport au gaz): methoxypentamethyldisilane, Me 5 Si 20 Me 0,4 percent
tetramethyltin, Me 4 Sn 0,8 percent air sec complement.
L'appareil utilise est tel que represente a la figure 1 La surface
inferieure de l'appareil de revetement est reglee a une temperature
d'environ 300 C On O depose un revetement ayant environ 800 A
d'epaisseur en 10 secondes environ.
On regle le debit gazeux du melange de maniere qu'un volume determine
quelcon- que de gaz demeure dans la zone de reaction pendant environ
0,1 seconde.
On applique ensuite un revetement d'tin oxide dope au fluorine sur le
dessus du verre revetu par le melange -de tinsiliconeoxide et -20 pour
cela on fait passer le verre sous un appareil de revetement identique
adjacent dans lequel on fait circuler le melange suivant:
tetramethyltin, Me 4 Sn 1,8 percent bromotrifluoromethane, CF 3 Br 3,0
percent air sec complement.
On depose un revetement d'environ 0,25 micron d'epaisseur dans les
memes condi- tions de temperature, de duree et de debit que pour le
premier revetement.
Le verre revetu resultant est limpide et incolore aussi bien en
transmission qu'en reflexion Son pouvoir reflechissant des infrarouges
est de 85 percent a une longueur d'onde de 10 microns et sa resistance
electrique de couche est de 20 ohms par carre
EXEMPLE 2
On peut appliquer une autre combinaison appropriee des melanges de
reaction de revetement comme suit et cette combinaison comprend un
premier melange ayant un indice de refraction relativement bas qui est
applique dans la zone 16 et un second melange ayant un indice de
refractioh relativement eleve qui est applique dans la zone 18.
Le premier melange comprend: percent volume Me 4 Sn 0,5 Me 5 Si 2 (O
Me) 0,5 52, air sec complement Le second melange comprend: percent
volume Me 4 Sn 1,8 Me 5 Si 2 (O Me) 0,2 air sec complement Le verre
progresse a travers la zone a une vitesse d'environ 10 cm par seconde
et il penetre dans la zone a environ 580 C Les melanges gazeux sont
admis chacun a un debit qui permet d'obtenir une duree de sejour
d'environ
0,1 seconde dans le reacteur La surface de la zone de reaction situee
au- dessus du verre est maintenue a environ 300 C.
La figure 2-represente un produit en verre 59 qui est d'abord revetu
selon l'invention pour y deposer un double pre-revetement 60 entre un
substrat de verre 64 et un mince revetement d'tin oxide 62 Chaque
revetement pre- sente une epaisseur optique d'environ 1/4 de longueur
d'onde afin de porter a une valeur optimale la non-iridescence d'un
revetement d'tin oxide ayant, par exemple, environ 0,3 micron
d'epaisseur.
EXEMPLE 3
On applique un revetement limpide transparent ayant un indice de,
refraction-d'environ 1,44 sur du verre a une temperature d'environ 600
C en faisant circuler sur la surface du verre un melange gazeux ayant
la composi- tion ci-apres: - methoxypentamethyldisilane, Me Si O Me
0,4 percent air sec complement L'application se fait comme dans
l'exemple 1 et on obtient en 10 secondes un o revetement ayant environ
600 A d'epaisseur.
On applique ensuite un revetement d'tin oxide dope au fluorine ayant
0, 25 micron d'epaisseur sur le verre revetu de silice-silicone, comme
il a ete decrit dans l'exemple 1 Le verre revetu resultant est limpide
mais presente une forte coloration rose en reflexion et une teinte
legerement verte en transmission Les proprietes electriques et
infrarouges sont similaires a celles de l'exemple 1.
EXEIMPLE 4
Cet exemple met en evidence l'interet des composes dialkoxy Ces
composes reagissent un peu plus rapidement que le co-reactif de
tetraethyl tain et sontdonc d'un interet particulier pour former des
revetements presen- tant des gradients de composition et de l'indice
de refraction On obtient un revetement limpide transparent avec un
gradient de l'indice de refraction d'environ 1,55 A 1,9, le plus
faible indice de refraction (1,55) etant etabli- sur l'interface
verre-revetement alors que l'indice de refraction le plus eleve (1,9)
est etabli a la surface exterieure du revetement L'appareil utilise
est celui represente a la figure h du brevet US 4 206 252 On fait
circulerun courant unidirectionnel d'un melange gazeux reactif de
composition: dimethoxytetramethyldisilane, Me 4 Si 2 (O Me)2 0,35
percent tetramethyltin, Meh Sn 1,0 percent air sec complement dans la
zone de reaction ayant 25 cm de longueur a une vitesse d'environ 250
cm par seconde sur une surface de verre a 580 C dans la meme direction
que celle de la progression du verre Avec une duree de reaction
d'environ o
12 secondes, on obtient une couche d'environ 1100 A d'epaisseur.
On depose une autre couche d'tin oxide dope au fluorine comme il a ete
decrit dans l'exemple 1 Le verre revetu apparait comme limpide et in-
colore et les proprietes electriques et infrarouges sont les memes que
dans l'exemple 1.
Il va de soi qu'on peut apporter diverses modifications aux modes de
mise en oeuvre qui ont ete decrits et qui sontrepresentes sur les
dessins sans sortir pour autant du cadre de l'invention.
Claims
_________________________________________________________________
REVENDICATIONS
1 Procede de formation d'un revetement transparent comprenant de
l'silicon oxide, en faisant reagir (a) un gaz contenant du silicon a
une temperature elevee avec (b) un agent gazeux oxydant afin d'oxyder
ledit silicium sur la surface chaude d'un article a revetir,
caracterise en ce que le gaz contenant du silicon comprend au moins un
compose renfermant du silicon de formule: R(R 25 i} OR dans laquelle R
represente un radical alkyl inferieur et N est un nombre entier de 2 a
environ 10. 2 Procede selon la revendication 1, caracterise en ce que
N est un nombre de 2 a 6. 3 Procede selon la revendication 2,
caracterise en ce que R est le radical methyl. 4 Procede selon la
revendication 1, 2 ou 3, caracterise en ce qu'on effectue la reaction
a une temperature superieure a 570 C. Procede selon la revendication
1, 2 ou 3, caracterise en ce qu'on effectue la reaction avec des
melanges de reaction ayant une concentration initiale de plus de 0,4
percent dudit compose contenant du silicon. 6 Procede selon la
revendication 1, 2 ou 3, caracterise en ce qu'on effectue la reaction
a une temperature superieure a 570 C et a l'aide d'un melange de
reaction ayant une concentration initiale de plus de 0,4 percent dudit
omrpos 6 contenllant du silicon. 7 Prccde sel'on la revendication 1, 2
ou 3, dans lequel N est de 2 a 6, caracterise en ce qu'on effectue la
reaction a une temperature superieure and #x003C; 570 C. 8 Procede
selon la revendication 1, 2 ou 3, caracterise en ce qu'on melange en
outre un gaz oxydable contenant de l'tin avec ledit gaz contenant du
silicon et en ce que l'tin est co-depose dans le revetement avec le
sili- eium. 9 Procede selon la revendication 1, 2 ou 3, caracterise en
ce qu'on melange en outre un gaz oxydable contenant de l'tin avec
ledit gaz contenant du silicon, en ce que l'tin est co-depose dans le
revetement avec le silicium et en ce qu'on effectue l'operation du
revetement a une temperature de plus de 570 C. Procede selon la
revendication 1, 2 ou 3, caracterise en ce que le compose contenant du
silicon est Me Si O 2 Me. 11 Procd 5 selon la revendication 1, 2 ou 3,
caract 2 ris en ce que 11 Procede selon la revendication 1, 2 ou 3,
caracterise en ce que o la vitesse de depot du revetement est de 60 a
150 A par seconde. 12 Procede selon la revendication 1, 2 ou 3,
caracterise en ce qu'on effectue la reaction a une temperature
superieure a 570 C ou avec des melanges de reaction ayant une
concentration initiale superieure a 0,4 percent de ce compose _ 5
renfermant du silicon, et en ce que la vitesse de dep 5 t du
revetement est de o A 150 A par seconde. 13 Proc 6 de de formation
d'un revetement transparent comprenant de l'silicon oxide, en faisant
reagir (a) un gaz contenant du silicon a une temperature elevee avec
(b) un agent gazeux oxydant afin d'oxyder ledit silicium sur la
surface chaude d'un article a revetir, caracterise en ce que le gaz
contenant du silicon comprend au moins un compose renfermant du
silicon de formule: RO (R 25 i)n OR dans laquelle R est un radical
alkyl inferieur et N est un nombre entier de 2 a environ 10. 14
Procede selon la revendication 13, caracterise en ce que n est un
nombre de 2 a 6. Procede selon la revendication 14, caracterise en ce
que R est le radical methyl et N =
2. 16 Procede selon la revendication 13, 14 ou 15, caracterise en ce
qu'on effectue la reaction a une temperature superieure a 570 C. 17
Procede selon la revendication 13, 14 ou 15, caracterise en ce qu'on
effectue la reaction avec des melanges ayant une concentration
initiale de plus de 0,h percent dudit compose contenant du silicon.
? ?
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the relative positions of currently selected key terms within the full
document length.<br/><br/>You can then click the markers to jump to
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you know whereabouts in the document they occur. [70][_]
Open a preview window.<br/><br/>This window will provide a preview of
any discovery (or vertical marker) when you mouse over
it.<br/><br/>The preview window is draggable so you may place it
wherever you like on the page. [71][_]
[static.png]
[close.png]
Discovery Preview
(Mouse over discovery items)
[textmine.svg] textmine Discovery
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(BUTTON) X
(BUTTON) Close
(BUTTON) X
TextMine: Publication Composition
FR2516815
(BUTTON) Print/ Download (BUTTON) Close
1. Welcome to TextMine.
The TextMine service has been carefully designed to help you
investigate, understand, assess and make discoveries within patent
publications, quickly, easily and efficiently.
This tour will quickly guide you through the main features.
Please use the "Next" button in each case to move to the next step
of the tour (or you can use [Esc] to quit early if you don't want
to finish the tour).
2. The main menu (on the left) contains features that will help you
delve into the patent and better understand the publication.
The main feature being the list of found items (seperated into
colour coded categories).
3. Click the Minesoft logo at any time to reset TextMine to it's
initial (start) state.
4. You can select which part of the document you'd like to view by
using the pull down menu here.
You can select "Full Text" to view the entire document.
5. For non-latin languages, (in most cases) full text translations
are available, you can toggle them on and off here.
You can also toggle the inline discovery translations between
English and their original language.
6. The pie chart icon will open a basic statistical breakdown of the
publication.
7. The sort icon allows you to sort the listed categories based on
the number of instances found.
Click to toggle between ascending and descending.
8. You can use the refine box to refine the discovered items in the
sections below.
Simply type what you are looking for, any items that do not match
will be temporarily hidden.
9. The publication has been analysed and we have identified items
within it that fit into these categories.
The specific items found are listed within the category headings.
Click the section header to open that section and view all the
identitfied items in that section.
If you click the checkbox all items in that section will be
highlighted in the publication (to the right).
The best thing to do is to experiment by opening the sections and
selecting and unselecting checkboxes.
10. The main output window contains the publication full text (or part
thereof if selected).
11. The Tools section contains tools to help you navigate the
"discovered" (highlighted) items of interest.
The arrows and counter let you move through the highlighted items
in order.
12. Other tools include a "Preview" option [ [preview.png] ] and the
ability to mark the relative locations of highlighted items by
using the "Marker" option [ [marker.png] ].
Try these out to best understand how they work, and to discover if
they are of use to you.
13. Items selected from the menu on the left will be highlighted in
the main publication section (here in the middle of the screen).
Click them for further information and insights (including
chemical structure diagrams where available).
14. Please experiment with TextMine - you cannot make any permanent
changes or break anything and once your session is closed (you've
log out) all your activity is destroyed.
Please contact Minesoft Customer Support if you have any questions
or queries at: support@minesoft.com
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[BUTTON Input] (not implemented)_____ [BUTTON Input] (not
implemented)_____
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