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Est-a
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Tre
(3)
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Regu
(1)
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Nln
(1)
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Molecule
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DES
(3)
[14][_]
SEMI
(2)
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PORTES
(1)
[16][_]
aluminium
(1)
[17][_]
Physical
(4/ 6)
[18][_]
2 d
(3)
[19][_]
2 N
(1)
[20][_]
2 L
(1)
[21][_]
3,12 L
(1)
[22][_]
Disease
(1/ 1)
[23][_]
Tic
(1)
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Publication
_________________________________________________________________
Number FR2519189A1
Family ID 2040782
Probable Assignee Olympus Optical Co
Publication Year 1983
Title
_________________________________________________________________
FR Title DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR INTEGRE DOTE D'ELEMENTS RESISTANTS
FORMES PAR UN SYSTEME EN RESEAU DE PORTES, ET SON PROCEDE DE
FABRICATION
Abstract
_________________________________________________________________
L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE
FABRICATION.
LE DISPOSITIF COMPREND PLUSIEURS CELLULES ACTIVES 1B, 1D ET PLUSIEURS
CELLULES DE CABLAGE 21 A 26. LE DISPOSITIF COMPREND DES ELEMENTS
RESISTANTS QUI SONT FORMES PAR COMBINAISON 45 A 50 DES CELLULES DE
CABLAGE QUI NE SONT PAS UTILISEES EN RELATION AVECLES CELLULES
ACTIVES.
LE DISPOSITIF DE L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT A LA MESURE DE
L'ECLAIREMENT PAR DES APPAREILS OPTIQUES.
Description
_________________________________________________________________
19189
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur et, plus
specialement, un dispositif semi-conducteur integre dote
d'elements resistants formes par un systeme en reseau de portes.
A ce jour, le circuit integre a semi-conducteurs a ete bien developpe,
et divers types de dispositifs semi-conducteurs possedant une fonction
tres complexe sont fabriques de maniere
economique en serie a l'aide de dessins de masquage finement formes.
Au contraire, lorsque des dispositifs semi-conducteurs destines a un
usage particulier sont fabriques a echelle reduite, il est
generalement fait appel a une technique de fabrication telle que celle
de la matrice standard et du systeme en reseau de portes, puisqu'il
n'est pas possible de former economiquement des dessins
de masquage.
Dans le systeme en reseau de portes, on commence par former des
circuits integres de base Le circuit integre de base comporte un
certain nombre de cellules de fonction comportant des elements actifs,
comme des transistors bijonction et des transistors MOS, et des
cellules de c 8 blage dites a croisement par-dessous, les
cellules actives et les cellules de cablage etant disposees regu-
lierement Ensuite, on connecte selectivement ces cellules actives et
ces cellules de cablage par un processus de cablage permettant de
former un circuit logique voulu De cette maniere, on obtient un
dispositif semi-conducteur donne.
La figure 1 est une vue simplifiee montrant un exemple d'un ensemble
de cellules actives et de cellules de cablage dans un dispositif
semiconducteur forme par le systeme en reseau de portes Le dispositif
comprend des regions de cellules actives la a ld comportant chacune
des transistors bijonction et des transistors MOS et des regions de
cellules de cEblage 2 a a 2 d Les regions de cellules actives sont
connectees par l'intermediaire des regions de cellules de cablage
Comme cela est illustre sur la figure 1, les regions de cellules
actives la a ld et les regions de cellules de cablage 2 a a 2 d sont
disposees alternativement et de maniere reguliere. La figure 2 est une
vue en plan montrant une partie des regions de cellules actives et des
regions de cellules de cablage a une echelle agrandie Dans la region
de cellules actives la, sont formees des cellules actives 11 a 14 et,
dans la region
de cellules actives lc, sont formees des cellules actives 15 a 18.
Sur la figure 2, les cellules actives 11, 12, 15 et 16 sont des
transistors MOS a canal P et les cellules actives 13, 14,, 17 et 18
sont des transistors MOS a canal N Chaque cellule active est
constituee par un circuit serie de deux transistors MOS Les
cellules actives peuvent etre construites de differentes manieres.
Par exemple, chaque cellule peut etre formee d'un transistor ou de
plus de deux transistors, ou bien elle peut etre constituee
d'un transistor bijonction ou de plusieurs.
Dans la region 2 a de cellules de cablage, sont formees plusieurs
cellules de cablage 21 a 26 disposees parallelement entre elles
Chacune des cellules de cablage 21 a 26 possede une couche de
diffusion d'impuretes de type P en forme de bande qui est appelee
cellule a croisement par-dessous et qui sert de conducteur reliant
entre elles des cellules actives Les surfaces des regions de cellules
actives la a ld et des regions de cellules de cablage 2 a
a 2 d sont recouvertes d'une couche isolante 30 constituee de Si O 2.
Dans la couche 30 de Si O 2, des ouvertures sont formees en des posi-
tions correspondant a des parties electrodes donnees des cellules
actives et des cellules de cablage par l'intermediaire d'un processus
connu de photogravure Ensuite, des contacts d'electrodes en alu-
minium 31 a 34 sont formes via les ouvertures sur les parties
electrodes.
Ensuite, des conducteurs d'aluminium 41 a 44 sont disposes sur la
couche isolante 30, tandis que des parties des conducteurs sont
selectivement connectees aux contacts d'electrodes
de facon a former un circuit logique voulu.
Comme on peut le voir sur la figure 2, les cellules de cablage du
systeme en reseau de portes ont pour fonction d'eviter d'eventuels
courtscircuits entre les conducteurs deposes sur la
couche isolante 30 et de rendre plus simple l'operation de cablage.
Par exemple, lorsque les contacts d'electrodes 31 et 33 sont con-
nectes par l'intermediaire du conducteur 41 et que les contacts
d'electrodes 32 et 34 sont connectes par le conducteur 42, il est
possible de coupler le contact d'electrode 33 de la cellule active Il
et l'electrode 34 de la cellule active 17 entre elles par
l'intermediaire de la cellule de c 9 blage 22 appartenant a la region
2 a de cellules de cablage sans qu'il y ait court-circuit avec les
conducteurs de cablage 43 et 44 se trouvant sur la couche isolante De
cette maniere, dans le systeme en reseau de portes, les cellules de
cablage sont utilisees exclusivement comme fils de connexion
permettant de connecter les cellules actives Toutefois, en pratique,
toutes les cellules de cablage ne sont pas utilisees pour la
connexion, et les cellules de cablage 21, 23 et 24 ne sont pas
employees dans le circuit integre a semi-conducteurs finalement
obtenu. Dans le dispositif semi-conducteur connu du systeme en reseau
de portes, lorsqu'il est necessaire d'incorporer des elements
resistants, comme des potentiometres, on connecte les
resistances necessaires exterieurement, parce que, dans le dispo-
sitif semi-conducteur de base, il n'est forme aucun element resistant.
Ainsi, les etapes de fabrication augmentent de sorte que la fiabilite
du dispositif s'abaisse et que sa dimension s'accroit.
L'invention a pour but de proposer un dispositif semi-conducteur dans
lequel des elements resistants peuvent etre formes solidairement avec
lui par utilisation des cellules de cablage. *Un autre but de
l'invention est de proposer un dispositif semi-conducteur qui peut
atre fabrique avec une structure
simple, une taille petite et une fiabilite elevee.
Selon l'invention, un dispositif semi-conducteur comprenant un corps
semiconducteur presentant un type donne de conductivite, plusieurs
cellules actives formees dans le corps, plusieurs cellules de cablage
formees dans Le corps, des moyens permettant de connecter les cellules
actives entre elles par
l'intermediaire des cellules de cablage, plusieurs elements resis-
tants formes par combinaison des cellules de cablage, et des moyens
permettant de connecter les elements resistants aux cellules
actives -
L'invention concerne egalement un procede de fabrication d'un
dispositif semi-conducteur et elle a pour objet de proposer un procede
nouveau et utile pour fabriquer simplement un dispositif
semi-conducteur du systeme en reseau de portes, dans lequel des
elements resistants tels que des potentiometres peuvent
Etre integralement formes.
Selon l'invention, un procede de fabrication de dispositif
semiconducteur comprend les operations suivantes produire un corps
semiconducteur d'un type de conductivite donne,
former plusieurs cellules actives dans le corps semi-
conducteur, former plusieurs cellules de cablage dans le corps
semiconducteur, connecter entre elles les cellules actives par
l'intermediaire des cellules de cablage, former plusieurs elements
resistants en combinant les cellules de cablage, et
connecter leselements resistants aux cellules actives.
La description suivante, concue a titre d'illustra-
tion de l'invention, vise a donner une meilleure comprehension de ses
caracteristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexes,
parmi lesquels: la figure 1 est une vue simplifiee montrant un
agencement de cellules actives et de cellules de cablage d'un
dispositif semiconducteur forme par un systeme en reseau de portes et
ses circuits equivalents; la figure 2 est une vue en plan partielle
montrant un dispositif semi-conducteur classique comportant
l'agencement de cellules actives et de cellules de cablage presente
sur la figure 1; la figure 3 est une vue en plan partielle montrant
un mode de realisation d'elements resistants formes dans un dispo-
sitif semi-conducteur selon l'invention et fabriques par un procede de
formation de dispositif semi-conducteur selon l'invention; les figures
4 et 5 sont des circuits equivalents d'elements resistants construits
a partir de cellules de cablage; et
19189
les figures 6 et 7 sont des schemas de montage montrant le dispositif
semi-conducteur qui comporte des ELements
resistants formes par le procede de l'invention.
La figure 3 illustre un mode de realisation d'une structure de
dispositif semi-conducteur selon l'invention et un procede de
fabrication de ce dispositif Sur la figure 3, a titre de
simplification, seule la structure des elements resistants est
indiquee, tandis que les numeros de reference identiques a ceux de la
figure 2 designent des parties identiques ou fonctionnellement
equivalentes.
Dans une region de cablage 2 a d'un corps semi-conduc-
teur, des electrodes 35, 31 et 36 formees sur une partie terminale de
cellules de cablage respectives 21, 22 et 23 sont connectees par
l'intermediaire d'un conducteur de cablage 45, et des electrodes 37,
32 et 38 formees sur une autre partie terminale de cellules de cablage
respectives 21, 22 et 23 sont connectees par l'intermediaire
d'un conducteur de cablage 46.
Les cellules de cablage 21, 22 et 23 sont formees par une couche de
diffusion d'impuretes de type P et possedent une certaine valeur de
resistance (couramment de quelques centaines d'ohms a un millier
d'ohms), bien que la cellule soit utilisee comme conducteur de cablage
Pour les cellules de cablage respectives 21, 22 et 23, dans la mesure
o la valeur de resistance existant entre leurs deux electrodes
terminales est R 1, un circuit equivalent,
obtenu a partir des cellules de cablage 21, 22 et 23 qui sont con-
nectees par l'intermediaire de conducteurs de cablage 45 et 46,
devient une combinaison parallele de resistances possedant une valeur
de resistance R 1, comme cela est presente sur la figure 4, si bien
que l'on obtient un element resistant presentant une valeur de
resistance combinee de R 1/3 Dans ce cas, la valeur de resistance
combinee obtenue a partir d'une combinaison parallele de cellules de
cablage devient plus petite que la valeur de resistance R 1 existant
entre deux electrodes terminales d'une cellule de cablage unique,
mais, selon l'invention, la cellule de cablage presentant une valeur
de resistance globale obtenue en combinaison de maniere appropriee
les cellules de cablage est appelee un element resistant.
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Dans la region 2 a de cellules de cablage presentee sur la figure 3,
des electrodes 51 et 52 formees sur une partie terminale des cellules
de cablage 24 et 26 sont connectees par l'intermediaire d'un
conducteur de cablage 47, des electrodes 53 et 54 formees sur la
partie centrale des cellules de cablage 24 et 25 sont connectees par
l'intermediaire d'un conducteur de cablage 48, et des
electrodes 55 et 56 formees sur une autre partie terminale des cel-
lules de cablage 25 et 26 sont connectees par l'intermediaire de
conducteurs de ceblage 49 et 50, respectivement Le circuit equivalent
obtenu par une semblable construction devient une combinaison serie de
resistances, comme le montre la figure 5, si bien que l'on obtient un
element resistant possedant une valeur de resistance combinee egale
a(R 1 + 2 R 2) dans la mesure o les valeurs de resistance existant
entre les electrodes 51 et 53 de la cellule de cablage 24 et entre
les electrodes 54 et 55 de la cellule de cablage 25 sont respecti-
vement R 2 Si la combinaison parallele et la combinaison serie de
resistances que presentent les figures 4 et 5 sont combinees de
maniere appropriee, il peut etre forme un element resistant dont la
valeur de resistance s'etend sur un large intervalle.
Dans le dispositif semi-conducteur forme par le systeme en reseau de
portes, plusieurs cellules de cablage identiques sont disposees en
ordre regulier de facon que l'amplitude de diffusion de la valeur de
resistance de la cellule de cablage soit petite, si bien que l'element
resistant obtenu par le procede de fabrication selon l'invention
convient pour former un circuit resistant diviseur de tension, ou un
moyen analogue, possedant une valeur de resistance se
presentant par exemple sous forme d'une serie sensiblement arithme-
tic et d'une serie sensiblement geometrique.
Alors que, pour le besoin de la commodite, on a
explique la structure de cablage de la figure 3 au moyen de la struc-
ture de cablage presentee sur la figure 1, il etait sous-entendu que
les cellules de cablage respectives constituant l'element resistant
correspondaient aux cellules de cablage restantes qui n'etaient pas
utilisees pour connecter des cellules actives.
Dans le dispositif semi-conducteur selon l'invention, les cellules de
cablage restant sans utilisation sont combinees de maniere appropriee
pour former des elements resistants qui sont loges dans le dispositif
semi-conducteur, si bien qu'il est possible d'ameliorer ou d'augmenter
le rendement d'utilisation de la cellule appartenant a la structure du
circuit integre de base, et que, par consequent, on peut donner au
dispositif semi-conducteur une petite
taille et un poids leger par comparaison avec le dispositif semi-
conducteur classique possedant un element resistant externe.
Avec le procede de fabrication de dispositif semi-
conducteur selon l'invention, il est possible de former des elements
resistants voulus pendant le temps meme de la fabrication du dispo-
sitif semi-conducteur, de sorte que les operations de fabrication
deviennent simples par comparaison avec les operations de fabrication
de la technique anterieure et que, par consequent, il peut etre obtenu
un dispositif semi-conducteur d'une fiabilite elevee.
En outre, le mode de realisation ci-dessus decrit une structure de
systeme en reseau de portes du type C-MOS, mais l'invention peut Etre
appliquee a une structure a transistors bijonction. Les figures 6 et 7
presentent un mode de realisation d'une structure de circuit qu'il est
commode de construire au moyen d'un dispositif semi-conducteur qui est
concu de maniere integree et comporte des elements resistants selon
l'invention, comme par exemple un circuit generateur de tension de
reference variable qui peut etre
employe dans un appareil photographique ou un appareil analogue.
Le circuit generateur de tension de reference variable presente sur la
figure 6 comprend un circuit 61 diviseur de tension geometrique ( 1/2)
et un circuit 62 generateur de tension geometrique ( 2 i/n) Le circuit
61 diviseur de tension geometrique ( 1/2) recoit
une tension de sortie V 1 du circuit 62 generateur de tension geome-
tric ( 21/n), qui lui est connecte en serie de maniere a lui fournir
une tension d'entree, et il est ainsi concu que, pour produire une
tension de sortie sous forme d'une serie sensiblement geometrique
de raison 1/2 a partir de la tension V 1 servant de tension de refe-
rence, la'tension d'entree servant de tension de reference V 1 est
divisee par un groupe 63 de resistances de division de tension
connectees en serie possedant des valeurs de resistance R 4, R 4, 2 R
4 2 R 4 (o m est un entier positif) apparaissant sous forme d'une
serie sensiblement geometrique de raison 112, et de commutateurs a
semi-conducteurs respectifs 6451, 64 S 2 -64 S constituant un premier
moyen de commutation 64 Ainsi, des tensions se presentant sous la
forme d'une serie sensiblement geometrique de raison 1/2, c'est-a-dire
une pluralite de tensions de reference V 2 ayant un pas de 1 IL
(indice de lumination), peuvent tre produites par selection des
commutateurs a semi-conducteurs respectifs 64 SJ, 64 S V 64 S au moyen
d'un groupe de lignes de commande A. Le circuit 62 generateur de
tension geometrique ( 21/n) comprend un multiplicateur par un
coefficient qui est constitue d'un amplificateur operationnel 67
recevant comme tension d'entree une tension de reference Vef d'une
source 66 de tension de reference, un groupe 68 de resistances de
reaction dont les valeurs de resistance se presentent sous la forme
d'une progression sensiblement geometrique 1/n N 2 N nln de raison 2
et valent respectivement 211 R 3 22/n R 3 2 (n)R 3 R 3 ces valeurs de
resistance respectives determinant le coefficient
lorsque l'on suppose que la valeur de resistance d'entree du multi-
plicateur est R, et un deuxieme moyen de commutation 69 qui consiste
en des commutateurs a semi-conducteurs 69 S,, 69 S 2 e-69 Sn servant a
inserer selectivement des resistances respectives dans le trajet de
reaction de l'amplificateur operationnel 67.
Le signal possedant un pas de (lin) IL peut produire une tension
geometrique ( 2 /), c'est-a-dire une tension de reference V 1 qui
varie avec un pas (l/n) IL en relation avec la tension d'entree de
l'amplificateur operationnel 67, soit la tension V ef faisant fonction
de tension de sortie V 1 de l'amplificateur operationnel 67, par
selection de l'une particuliere des resistances 2 L/LR 3,12 L 3 R 3, 2
(nl)ln R R inserees dans le trajet de reaction de l'amplificateur 3 '
3 operationnel 67 au moyen de l'un particulier des commutateurs a
semi-conducteurs 69 SJ, 69 S 2 69 S du moyen de commutation a semi-
conducteurs 69 commande par des signaux de commande venant d'un groupe
de lignes de commande B. Dans ce mode de realisation, le circuit 62
generateur de tension geometrique ( 21/n) et le circuit 61 diviseur de
tension geometrique ( 1/2) sont connectes en serie de facon que soit
delivree une tension de reference V 1 par le circuit 62 generateur de
tension geometrique ( 2 /n) en vue de la production d'une tension de
pas
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(l/n) IL, c'est-a-dire une tension geometrique de raison 1/2, qui
constitue la tension d'entree du circuit 61 diviseur de tension
geometrique ( 1/2), lequel produit une tension de pas 1 IL, a savoir
une tension geometrique de raison 1/2 pour l'etage suivant, de sorte
qu'une tension de reference V 2 possedant plusieurs pas a intervalles
de (l/n) IL et de 1 IL et pouvant commodement &tre utilisee pour la
mesure automatique d'exposition d'un appareil photographique ou d'un
appareil analogue peut Etre produite a la borne de sortie 65 lorsque
l'on commande les deux moyens de commutation 64 et 69 a l'aide de
signaux de commande delivres par les groupes de lignes de commande A
et B.
Dans le cas o l'on fabrique partiellement ou tota-
lement un semblable circuit convertisseur analogique-numerique simple
au moyen de la technique de la matrice standard, on peut construire le
groupe 63 de resistances de division de tension connectees en serie en
utilisant l'element resistant qui est forme par combinaison appropriee
de cellules de cablage au moyen du procede ci-dessus decrit de
l'invention Le groupe 68 de resistances de reaction peut egalement
etre fabrique en meme temps que la resistance d'entree R 3 par le
procede de l'invention lorsqu'une certaine marge d'erreur est auto-
risee. La figure 7 montre un autre mode de realisation de
la structure de circuit presentee sur la figure 6 Ce mode de reali-
sation est identique a celui presente sur la figure 6, sauf en ce
qui concerne la structure du circuit 62 generateur de tension geome-
tric ( 2 /), si bien que des numeros de reference identiques
designent des parties identiques ou fonctionnellement equivalentes.
Sur la figure 7, le circuit 62 generateur de tension
geometrique ( 2 /) comprend plusieurs multiplicateurs par des coef-
ficients formes de plusieurs amplificateurs operationnels 70 D 1, D 2
70 D, et un deuxieme moyen de commutation 69 possedant plusieurs
commutateurs a semi-conducteurs 69 S, 69 S V 69 Sn servant a delivrer
selectivement des signaux de sortie des multiplicateurs par des
coefficients au circuit 61 suivant de division de tension
geometrique ( 1/2) a l'aide des commutateurs a semi-conducteurs ci-
dessus qui sont actives par des signaux de commande venant du groupe
de lignes de commande B. Des resistances de reaction respectives
permettant
de determiner le facteur d'amplification des amplificateurs opera-
tionnels respectifs 70 D 1, 70 D 70 D qui constituent des multi-
P 2 '" n plicateurs par des coefficients sont fixees respectivement a
21/2 R 5 22/n R 5, 2 (nl)/n R 5 R 5 lorsque l'on suppose des valeurs
de resistance d'entree respectivesde R, afin qu'il soit produit une
tension de sortie ayant la forme d'une progression sensiblement
geometrique de raison 2 / en relation avec la tension d'entree Vf
venant de la source de tension de reference 66 par les multiplica-
teurs des coefficients que forment respectivement les amplificateurs
operationnels. De cette maniere, des tensions de sortie respectives
se presentant sous la forme d'une progression sensiblement geome-
tric de raison 21/n sont produites par les multiplicateurs par des
coefficients qui sont formes respectivement des amplificateurs
operationnels 70 DJ, 70 D 2 -70 Dn, si bien qu'une pluralite de
tensions de reference V se presentant sous la forme d'une serie
sensiblement 1/n geometrique de raison 2, a savoir des signaux de
(l/n) IL, peuvent Etre produites a la sortie du circuit 62 generateur
de tension geometrique ( 21/n) par l'actionnement selectif d'un
commutateur a semi-conducteurs predetermine du deuxieme moyen de
commutation 69 a l'aide de signaux de commande venant du groupe de
lignes de commande B.
Dans le cas o l'on fabrique le dispositif semi-
conducteur a l'aide de la technique de la matrice standard, on
peut facilement loger dans le dispositif semi-conducteur les resis-
tances respectives du circuit 62 generateur de tension geometrique
( 2 /) a l'aide du procede de l'invention.
Dans la structure de circuit presentee sur les figures 6 'et 7, il est
possible de changer l'ordre de connexion mutuel du circuit 61 diviseur
de tension geometrique ( 1/2) et du
circuit 62 generateur de tension geometrique ( 21/n).
Comme il resulte de l'explication ci-dessus donnee,
selon l'invention, lorsque l'on fabrique un dispositif semi-conduc-
teur par la technique de la matrice standard, les cellules de cablage
restantes qui ne sont pas utilisees pour construire le
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circuit logique peuvent etre commodement combinees pour former un
element resistant ayant une valeur voulue de resistance de sorte que
le rendement d'utilisation de la structure de circuit integre de base
est accrue, l'element resistant presentant une valeur voulue de
resistance peut tre loge dans le dispositif semi-conducteur, et, par
consequent, on peut omettre l'operation consistant a placer l'element
resistant externe, ce qui entraine une simplification de la
fabrication et permet de produire un dispositif semi-conducteur
d'une fiabilite elevee et d'une miniaturisation accrue.
Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure
d'imaginer, a partir du dispositif et du procede dont la description
vient d'etre donnee a titre simplement illustratif et nullement
limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du
cadre de l'invention.
Claims
_________________________________________________________________
R E V E N D I C A T I O N S
1.: Dispositif semi-conducteur comprenant un corps semi-
conducteur d'un type de conductivite donne, plusieurs cellules actives
( 11 a 18)formees dans le corps, plusieurs cellules de cablage ( 21 A
23) formees dans le corps, des moyens ( 31 A 34, 41 A 44) reliant
entre elles les cellules actives par l'intermediaire des cellules de
cablage, le dispositif etant caracterise en ce qu'il
comprend en outre plusieurs elements resistants formes par la combi-
naison ( 45 A 50) des cellules de cablage, et des moyens permettant
de connecter les elements resistants aux cellules actives.
2 Dispositif selon la revendication 1, caracterise en ce que l'element
resistant est forme par connexion ( 45, 46) d'au
moins deux cellules de cablage ( 21, 22, 23) en parallele.
3 Dispositif selon la revendication 1, caracterise en ce que l'element
resistant est forme par connexion ( 47 A 50) d'au
moins deux cellules de cablage ( 24, 25, 26) en serie.
4 Dispositif selon la revendication 1, caracterise en
ce que l'element resistant est forme par une seule cellule de c&blage.
Dispositif selon la revendication 1, caracterise en ce que l'element
resistant est forme par une partie d'une seule
cellule de cablage.
6 Dispositif selon la revendication 1, caracterise en ce que l'element
resistant est forme par un potentiometre ( 68)
comportant plusieurs cellules de cablage.
7 Dispositif selon la revendication 6, caracterise en ce que les
valeurs de resistance du potentiometre varient selon
une serie sensiblement geometrique.
8 Dispositif selon la revendication 1, caracterise en ce que plusieurs
cellules de cablage constituent un groupe de resistances de reaction (
68) d'un amplificateur ( 67) qui est forme
par la cellule active, et les resistances de reaction sont selecti-.
vement connectees dans un trajet de reaction de l'amplificateur par
l'intermediaire de commutateurs ( 69) formes respectivement par
les cellules actives.
9 Dispositif selon la revendication 8, caracterise en ce que les
valeurs de resistance de la resistance de reaction
varient suivant une serie sensiblement geometrique.
Dispositif selon la revendication 1, caracterise en ce que plusieurs
cellules de cablage constituent des resistances (R) qui sont
connectees dans des trajets de reaction respectifs de plusieurs
amplificateurs ( 70 D) chacun forme par la cellule active, et les
valeurs de resistance de ces resistances varient suivant
une serie sensiblement geometrique.
11 Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
comprenant les operations consistant a produire un corps semi-
conducteur possedant un type de conductivite donne, a former plu-
sieurs cellules actives dans le corps semi-conducteur, a former
plusieurs cellules de c&blage dans le corps semi-conducteur, a
connecter les cellules actives entre elles par l'intermediaire des
cellules de cablage, le procede etant caracterise en ce qu'il comprend
en outre les operations consistant a former plusieurs elements
resistants en combinant les cellules de cablage, et a
connecter les elements resistants aux cellules actives.
12 Procede selon la revendication 11, caracterise en ce que l'on forme
l'element resistant en connectant au moins deux
cellules de cablage en parallele.
13 Procede selon la revendication 11, caracterise en ce que l'on forme
l'element resistant en connectant au moins deux
cellules de c 9 blage en serie.
? ?
Display vertical position markers.<br/><br/>This option will display
the relative positions of currently selected key terms within the full
document length.<br/><br/>You can then click the markers to jump to
general locations within the document, or to specific discoveries if
you know whereabouts in the document they occur. [26][_]
Open a preview window.<br/><br/>This window will provide a preview of
any discovery (or vertical marker) when you mouse over
it.<br/><br/>The preview window is draggable so you may place it
wherever you like on the page. [27][_]
[static.png]
[close.png]
Discovery Preview
(Mouse over discovery items)
[textmine.svg] textmine Discovery
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Multiple Definitions ()
Next »
Enlarge Image (BUTTON) ChemSpider (BUTTON) PubChem (BUTTON) Close
(BUTTON) X
(BUTTON) Close
(BUTTON) X
TextMine: Publication Composition
FR2519189
(BUTTON) Print/ Download (BUTTON) Close
1. Welcome to TextMine.
The TextMine service has been carefully designed to help you
investigate, understand, assess and make discoveries within patent
publications, quickly, easily and efficiently.
This tour will quickly guide you through the main features.
Please use the "Next" button in each case to move to the next step
of the tour (or you can use [Esc] to quit early if you don't want
to finish the tour).
2. The main menu (on the left) contains features that will help you
delve into the patent and better understand the publication.
The main feature being the list of found items (seperated into
colour coded categories).
3. Click the Minesoft logo at any time to reset TextMine to it's
initial (start) state.
4. You can select which part of the document you'd like to view by
using the pull down menu here.
You can select "Full Text" to view the entire document.
5. For non-latin languages, (in most cases) full text translations
are available, you can toggle them on and off here.
You can also toggle the inline discovery translations between
English and their original language.
6. The pie chart icon will open a basic statistical breakdown of the
publication.
7. The sort icon allows you to sort the listed categories based on
the number of instances found.
Click to toggle between ascending and descending.
8. You can use the refine box to refine the discovered items in the
sections below.
Simply type what you are looking for, any items that do not match
will be temporarily hidden.
9. The publication has been analysed and we have identified items
within it that fit into these categories.
The specific items found are listed within the category headings.
Click the section header to open that section and view all the
identitfied items in that section.
If you click the checkbox all items in that section will be
highlighted in the publication (to the right).
The best thing to do is to experiment by opening the sections and
selecting and unselecting checkboxes.
10. The main output window contains the publication full text (or part
thereof if selected).
11. The Tools section contains tools to help you navigate the
"discovered" (highlighted) items of interest.
The arrows and counter let you move through the highlighted items
in order.
12. Other tools include a "Preview" option [ [preview.png] ] and the
ability to mark the relative locations of highlighted items by
using the "Marker" option [ [marker.png] ].
Try these out to best understand how they work, and to discover if
they are of use to you.
13. Items selected from the menu on the left will be highlighted in
the main publication section (here in the middle of the screen).
Click them for further information and insights (including
chemical structure diagrams where available).
14. Please experiment with TextMine - you cannot make any permanent
changes or break anything and once your session is closed (you've
log out) all your activity is destroyed.
Please contact Minesoft Customer Support if you have any questions
or queries at: support@minesoft.com
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[BUTTON Input] (not implemented)_____ [BUTTON Input] (not
implemented)_____
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