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Gene Or Protein
(7/ 14)
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Cou
(4)
[7][_]
Est-a
(3)
[8][_]
Etre
(3)
[9][_]
Est E
(1)
[10][_]
Pai
(1)
[11][_]
Tif
(1)
[12][_]
Dus
(1)
[13][_]
Physical
(12/ 13)
[14][_]
1 V
(2)
[15][_]
de 75 m
(1)
[16][_]
3000 K
(1)
[17][_]
de 225 m
(1)
[18][_]
de 0,008 % de
(1)
[19][_]
187,5 m
(1)
[20][_]
de 20 m
(1)
[21][_]
de 1,8 volt
(1)
[22][_]
75 m
(1)
[23][_]
76,6 m
(1)
[24][_]
1 %
(1)
[25][_]
de 0,21 %
(1)
[26][_]
Molecule
(3/ 5)
[27][_]
DES
(3)
[28][_]
depen
(1)
[29][_]
I-X
(1)
[30][_]
Disease
(2/ 4)
[31][_]
Bruit
(3)
[32][_]
Tic
(1)
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Publication
_________________________________________________________________
Number FR2520900A1
Family ID 2046994
Probable Assignee Analog Devices Inc
Publication Year 1983
Title
_________________________________________________________________
FR Title PROCEDE DE GENERATION D'UN SIGNAL PROPORTIONNEL AU SINUS D'UN
ANGLE ET GENERATEUR DE FONCTION SINUS EN COMPORTANT APPLICATION
Abstract
_________________________________________________________________
L'INVENTION CONCERNE LES GENERATEURS DE FONCTIONS TRIGONOMETRIQUES.
UN GENERATEUR DE FONCTION SINUS COMPREND NOTAMMENT UN ENSEMBLE DE
TRANSISTORS BIPOLAIRES Q1-Q6 DONT LES COLLECTEURS SONT CONNECTES DE
FACON ALTERNEE A DEUX BORNES DE SORTIE 12, 14 ET DONT LES EMETTEURS
SONT CONNECTES EN COMMUN A UNE SOURCE DE COURANT UNIQUE I. LES BASES
DES TRANSISTORS SONT CONNECTEES A DES NOEUDS RESPECTIFS D'UN RESEAU DE
POLARISATION DE BASES 22 QUI COMPREND UNE CHAINE DE RESISTANCES EGALES
R CONNECTEES EN SERIE. DES SOURCES DE COURANT I GENERENT UNE
DISTRIBUTION DE TENSIONS APPROPRIEE SUR LES NOEUDS DU RESEAU.
APPLICATION AUX CIRCUITS DE CALCUL ANALOGIQUE.
Description
_________________________________________________________________
La presente invention concerne les generateurs de fonction sinus
L'invention porte plus particulierement sur de tels generateurs qui
produisent un signal de sortie ayant une relation sinusoidale precise
avec des signaux d'entree analogiques representant un angle d'entree,
et qu'on peut faire fonctionner sur une plage angulaire tres etendue,
par
exemple 3600.
On a utilise jusqu'a present de nombreuses techni-
ques pour generer un signal de sortie analogique ayant une
relation sinusoidale par rapport a un signal d'entree repre-
sentant un angle De telles techniques anterieures compren-
nent des techniques d'approximation lineaire par morceaux faisant
appel a des fonctions polynomiales ou a d'autres
fonctions continues, utilisant des multiplicateurs, des cir-
cuits translineaires speciaux, des modifications simples
d'amplificateurs differentiels a transistors bipolaires, et des
circuits comprenant de grands nombres de tels etages
amplificateurs differentiels branches de maniere periodique-
ment alternee.
A l'exception de celle mentionnee en dernier, toutes
ces techniques ont l'inconvenient de presenter deux limita-
tions: tout d'abord, elles ne procurent generalement qu'un
fonctionnement sur la plage angulaire de 900 (certaines
offrent une plage de 1800); et secondement, elles ont gene-
ralement une precision mediocre La technique mentionnee en dernier,
decrite par l'inventeur dans l'article "Circuits for
the Precise Synthesis of the Sine Function", paru dans Elec-
tronic Letters, Vol 13, 18 aout 1977, pages 506, evite ces
deux limitations, mais avec un circuit assez complexe L'in-
vention procure une simplicite tres superieure et assure
l'obtention de performances elevees dans un instrument commer-
cial pratique.
Un mode de realisation prefere de l'invention, qu'on decrira ci-apres
en detail, consiste en un generateur de fonction sinus comportant un
ensemble de transistors dont les collecteurs sont connectes a une
paire de bornes de sortie, de maniere alternee, et dont les emetteurs
sont connectes en
commun a une seule source de courant Les bases des transis-
tors sont connectees a des noeuds respectifs d'un reseau de
polarisation de bases Ce reseau est alimente par des cou-
rants qui generent des tensions aux noeuds conformement a une
configuration de repartition predeterminee, etablissant une tension de
crete a un certain point le long d'une "ligne" (au sens figure)
representant la sequence de noeuds Un signal d'entree applique au
reseau commande la position de cette
crete de tension le long de la ligne de noeuds, ce qui comman-
de la circulation du courant dans les transistors d'une manie-
re telle que le courant de sortie soit proportionnel au sinus
de l'angle qui est represente par le signal d'entree.
L'invention a donc pour but de procurer un genera-
teur de fonction sinus perfectionne capable de fonctionner sur une
plage angulaire etendue Un but specifique de l'invention
est de procurer un tel appareil alliant la simplicite de con-
ception et la facilite de fabrication.
L'invention sera mieux comprise a la lecture de la
description qui va suivre de modes de realisation et en se
referant aux dessins annexes sur lesquels: La figure 1 montre une
combinaison d'un schema de circuit et d'un graphique representant des
configurations de
distribution de tension pour les bases d'un ensemble de tran-
sistors La figure 2 est une representation schematique d'un reseau de
polarisation de bases consistant en une resistance
continue qui recoit sur sa longueur un courant reparti circu-
lant vers les extremites de la resistance, pour generer une
distribution de tension parabolique le long de la resistance La figure
3 montre un mode de realisation prefere d'un reseau de polarisation de
bases pratique, destine a generer une distribution de tension
parabolique, et comprenant un ensemble de resistances connectees en
serie qui recoivent des courants egaux a leurs noeuds, auxquels les
bases des transistors sont egalement connectees; La figure 4 est un
trace produit par ordinateur du signal de sortie differentiel du
circuit de la figure 3 pour des temperatures de 550 C, 250 C et 1250
C; La figure 5 est un schema detaille d'un generateur de fonction
sinus conforme a l'invention La figure 6 est un trace de la fonction
qui est generee par un mode de realisation particulier du circuit a
six transistors de la figure 3, avec l'erreur calculee par rapport a
une sinusoide exacte ayant la m 8 me periode, la mgme amplitude et la
meme phase (l'erreur est representee en trait mixte avec une echelle
dont la valeur maximale est de -i%); La figure 7 est un schema
montrant un autre reseau de polarisation de bases pour le circuit a
six transistors de la figure 3; La figure 8 est un schema montrant un
circuit a
onze transistors, destine a l'obtention d'une forme sinusol-
dale, qui utilise un reseau de polarisation de bases similai-
re a celui de la figure 7; et
La figure 9 est un schema montrant un etage d'atta-
que pour les reseaux de polarisation de bases des figures 7 et 8. On
va maintenant considerer la partie inferieure
de la figure 1 sur laquelle on voit un circuit a six transis-
tors Q 1-Q 6 qui forme le coeur d'un generateur de fonction sinus
qu'on decrira ci-apres de facon plus detaillee Les collecteurs sont
connectes de facon alternee a une paire de bornes de sortie 12, 14, et
un seul courant d'alimentation d'emetteurs IE est divise entre les six
transistors Les connexions de collecteur alternees recombinent les
courants des transistors individuels en une paire differentielle de
courants Il et I 2, dont la somme est toujours IE' La difference entre
I 1 et 12 est le courant de sortie du circuit, I La valeur de ce
courant differentiel est determinee par la configuration des tensions
Vi V 6 sur les bases des transistors Qi Q 6 Dans l'analyse de cette
relation, on considere que les tensions deviennent de plus
en plus negatives vers les extremites du circuit Une polari-
sation relativement faible, par exemple quelques centaines de
millivolts, bloquerait completement la conduction dans les
transistors exterieurs.
En considerant tout d'abord le cas dans lequel
V = V et dans lequel toutes les autres bases sont polari-
3 4
sees a un niveau bas, par exemple -l O Om V, la quasi-totalite du
courant IE se divise egalement entre Q 3 et Q 4; et tout courant
restant se divise symetriquement entre les paires exterieures Le
courant de sortie differentiel I est donc o egal a zero Si maintenant
on eleve legerement V 4 et si on abaisse V 3 de la meme quantite, I 2
augmente tandis que 1 diminue, ce qui produit un courant de sortie
resultant I Si on deplace les autres tensions de base d'une maniere
similaire, en decalant les augmentations vers les transistors situes a
droite du centre dans le groupe de transistors, V 5 devient finalement
suffisamment positive pour provoquer la conduction de Q 5, ce qui
augmente I diminue I 2 et reduit I 1 a partir d'une valeur maximale
Lorsque V 5 approche de V 4 Y le courant differentiel I retourne vers
zero Ensuite, Io passe par zero et augmente vers un autre maximum
(mais avec un signe oppose) Par la suite, Io diminue pratiquement
jusqu'a zero lorsque V 6 = V 5 alors que toutes les autres
bases sont polarisees negativement.
Conformement a un aspect principal de l'invention, on a trouve qu'on
pouvait commander de tels changements de la configuration des tensions
des bases des transistors par un signal d'entree d'angle, d'une
maniere telle que le courant
de sortie differentiel Io corresponde de facon essentielle-
ment identique au sinus de l'angle d'entree Dans un mode de
realisation qu'on decrira, un reseau de polarisation de bases etablit
une distribution de tensions initiale pour les bases des transistors
qui presente une crete placee symetriquement, c'est-a-dire que la
crete est centree sur la "ligne" (au sens figure) des bases des
transistors, a mi- distance entre les
bases de Q 3 et Q 4 Cette distribution de tensions est avanta-
geusement parabolique On applique un signal d'entree au reseau pour
modifier la distribution de tensions d'une maniere telle que la crete
soit deplacee lineairement le long de la
"ligne" des bases, conformement a la valeur du signal d'en-
tree, ce qui genere la fonction sinus dans le courant de sor-
tie I Il y a diverses facons de produire une distribution il
de tensions parabolique pour les tensions de base V 1 V 6.
Comme le montre la figure 2, on pourrait obtenir une distri-
bution parabolique au moyen d'une resistance continue 20, c'est-a-dire
une longue "barre" de matiere resistive ayant une resistance totale R,
qui recoit sur sa longueur un cou-
rant uniformement reparti, avec une valeur totale I, qui cir-
cule symetriquement dans la resistance et sort par les extre-
mites On peut montrer qu'avec les conditions aux limites donnees, la
tension le long d'une telle barre a une forme
parabolique et une valeur de crete egale a IR/8.
Des exemples de reseaux discrets destines a pro-
duire une distribution de tensions parabolique sont decrits dans
l'article de l'inventeur intitule "Monclithic Analog READ-ONLY Memory
for Character Generation", paru dans la revue IEEE Journal of
Solid-State Circuits, Vol SC-6, n 1, fevrier 1971 La figure 3 montre
un tel reseau discret 22, connecte au circuit a six transistors de la
figure 1 Ce reseau comprend cinq resistances de valeur R connectees
entre les bases des transistors, avec quatre sources de courant de
valeur I qui attaquent les noeuds du reseau, entre les resis-
tances. Si les extremites du reseau de polarisation de bases sont au
potentiel de la masse, les six tensions de noeuds sont respectivement
O, 2 IR, 3 IR, 3 IR, 2 IR et O Cette distribution
est representee sur le graphique de la figure 1, aux inter-
sections entre la courbe identifiee par O = O et les lignes
verticales 1 a 6 Ces lignes verticales du graphique corres-
pondent aux tensions V 1 V 6 sur les bornes de base des tran-
sistors qui se trouvent directement au-dessous de ces lignes
verticales Avec cette distribution parabolique symetrique pour O = O,
il est evident que I 1 = I 2, ce qui fait que
I = 0.
o Le signal d'entree d'angle est applique de facon
differentielle sous la forme d'une tension, entre les extre-
mites 24, 26 du reseau de polarisation de bases 22 Pour un signal
d'entree d'angle correspondant a 90, la configuration de distribution
de tensions suit la courbe indiquee sur le graphique par O = 900 On
voit que la tension de crete de la
parabole se trouve sur la ligne verticale 4 Ainsi, Q 4 con-
duit fortement tandis que peu de courant circule dans les transistors
restants, ce qui produit un courant de sortie differentiel resultant
eleve I Pour un signal d'entree d'angle de O = 1800, les tensions V 4
et V 5 sont egales (voir les lignes verticales 4 et 5 sur le
graphique), et Q 4 et Q 5 conduisent de facon egale;, ce qui fait que
I O approche de zero. Pour des signaux d'entree d'angle differents de
zero, le graphique de la figure 1 montre que la configuration globale
de distribution de tensions est dissymetrique, avec
davantage de transistors d'un cote de la crete que de l'autre.
Il est donc necessaire de considerer l'ensemble des tensions des bases
desitransistors pour determiner l'effet de cette
dissymetrie sur le courant de sortie differentiel resultant.
Dans une version pratique du circuit de la figure 3 (qu'on decrira
ciapres), un signal d'entree d'angle Q = 180 place les bases de Q 3 et
Q 6 a un potentiel inferieur de 75 m V a celui des bases de Q 4 et Q 5
Avec un tel circuit a 3000 K, Q 3 et Q 6 conduisent environ la
fraction 1/18 du courant de Q 4 et Q 5 La base de Q 2 est a un
potentiel inferieur de 225 m V et ce transistor ne conduit que la
fraction 1/6000 du
courant de Q 4 et Q 5 Ql est completement bloque.
Dans une telle situation, moins de 0,008 % de I est E
perdu vers Q 2, et le reste se divise egalement entre les pai-
res Q 3/Q 6 et Q 4/Q 5, ce qui fait que Io est en pratique egal a zero
On voit ainsi que la dissymetrie pour un signal d'entree d'angle de
1800 n'a pas un effet notable On trouve en general qu'une telle
dissymetrie n'a aucun effet notable
sur le signal de sortie resultant.
Avec un signal d'entree d'angle de O = 2700, la
crete de tension apparait sur la ligne verticale 5, corres-
pondant a Q 5, ce qui fait qu'il y a une autre crete dans le
courant de sortie I 0, comme c'etait le cas pour O = 900.
Cependant, le collecteur de Q 5 est connecte a la borne de sor-
tie superieure 12, ce qui fait que le courant de sortie a un signe
oppose a celui de la crete qui apparait a O = 900 A O = 3600, Q 5 et Q
6 conduisent de facon egale, ce qui produit
un autre zero dans le courant de sortie I O Si l'angle d'en-
tree continue d'augmenter, Q 6 recoit progressivement la tota-
lite de I Le reseau general de la figure 3, utilisant N transistors,
N-1 resistances et N-2 sources de courant, atta- que par n'importe
quelle extremite, produit un courant de sortie differentiel dont le
signe alterne sur un intervalle de tension d'entree egal a (N-1)IR, et
qui traverse N-1 fois
l'axe zero.
Le courant de sortie Io est donne par l'expression
Io = CIE sin( 91 02), dans laquelle C est un facteur depen-
dant de la temperature qui est determine par la conception du reseau
Ce courant est normalement converti en une tension VO = ci ERF sin ( 1
2) par la resistance de reaction RF d'un amplificateur de sortie a
gain eleve La figure 4 est un
trace, produit par ordinateur, du signal de sortie differen-
tiel, dans lequel les trois courbes correspondent a differen-
tes temperatures: -550 C, 250 C et 1250 C La forte dependance
vis-a-vis de la temperature est une consequence directe du fait que
les courants des transistors sont fonction de la
tension thermique k T/q Ceci vient du fait que la caracteris-
tic de transfert d'un amplificateur differentiel classique consistant
en une paire de transistors a couplage d'emetteurs, fonctionnant avec
une source de courant d'emetteur commune IE,est donnee par la
relation: Isortie = IE th EB/2 VT dans laquelle: EB est la tension de
base differentielle, VT est la tension thermique k T/q Si on le
desire, on peut compenser de diverses manieres la dependance du
courant de sortie vis-a-vis de la
temperature, en utilisantdes techniques existantes.
On peut voir sur la figure 4 que le premier zero apparait a 180, ce
qui correspond a un signal d'entree de commande de 2,5 IR (cette
valeur etant egale a 187,5 m V dans la version pratique mentionnee
ci-dessus) L'etalonnage
est determine par le produit du courant I et de la resistan-
ce interbase R On optimise de preference le facteur d'eta-
lcnnage IR en fonction de divers facteurs et on le rapporte
avantageusement a une tension de reference de base Dans la forme de
realisation commerciale pratique decrite ici, on a effectue
l'etalonnage final a l'aide d'attenuateurs situes aux deux extremites
du reseau de polarisation de bases, de facon a donner un facteur
d'echelle ou d'etalonnage de 20 m V/0, correspondant a une tension de
reference de 1,8 volt pour 900. En appliquant la tension de reference
de 900 sur une borne d'entree 24 et le signal d'entree d'angle (t) sur
l'autre borne d'entree 26, on obtient un signal de sortie
proportionnel a sin( 900-9), ou cos Q Le dispositif est donc egalement
un generateur de fonction cosinus, et on doit interpreter de cette
maniere l'expression "generateur de fonction sinus" ou "generateur de
fonction sinus (cosinus)",
lorsqu'on considere le cadre de l'invention.
L'optimisation du facteur d'etalonnage IR fait intervenir certains
compromis Lorsque la polarisation des bases des transistors devient
plus forte, pour IR"k T/q, les transistors n'aiguillent plus le
courant de facon progressive d'un dispositif a un autre, mais tendent
au contraire a
commuter de facon abrupte Ainsi, le signal de sortie ressem-
ble davantage a une serie d'impulsions carrees, ce qui produi-
rait une non linearite importante Cependant, du cote posi-
tif, le courant de sortie serait beaucoup plus eleve, condui-
sant ainsi a un rendement eleve et a de moindre difficultes
dans le maintien d'un bruit et d'une derive faibles en sortie.
De plus, les tensions de base plus elevees reduiraient les
erreurs dues a des discordances entre les VBE dans QI Q 6.
Lorsqu'on passe a des valeurs inferieures de IR, la conformite a la
loi sinusoidale exacte s'ameliore, jusqu'a un certain point Cependant,
l'amplitude devient rapidement plus faible, ce qui fait qu'au-dela
d'un certain point, l'avantage peut etre negatif' a cause des erreurs
qui apparaissent du fait qu'on essaie d'utiliser un signal de sortie
faible en presence de bruit et d'autres conditions perturbatrices
telles que des discordances entre les caracteristiques Pour une valeur
optimale de IR dans la forme de realisation commerciale, le signal de
sortie constitue une excellente approximation d'une fonction sinus Une
analyse mathematique rigoureuse montre que lorsque N approche de
l'infini et lorsque IR 4 C k T/q, le signal de sortie devient
exactement sinusoidal. La figure 5 montre un schema detaille d'un mode
de
realisation prefere, optimise conformement a la description
precedente, ainsi que pour le fonctionnement sur des gammes de
temperature couramment admises Le choix final donne un produit IR
d'environ 75 m V (en realite plus proche de
76,6 m V, pour simplifier l'ajustage pendant la fabrication).
Ceci est une valeur relativement elevee, choisie pour mainte-
nir un rendement raisonnable sur la gamme de temperature, et pour
minimiser les problemes dus a des discordances de VBE et aux gradients
thermiques Avec ce choix, l'erreur due aux
proprietes du reseau de base diminue toujours lorsque la tem-
perature augmente, mais le rendement diminue aussi, ce qui fait que
les erreurs de bruit et de decalage contribuent de
facon croissante au bilan d'erreur total rapporte a la sor-
tie. La figure 6 montre un trace de la fonction que
genere le circuit a six transistors, ainsi que l'erreur cal-
culee (en trait mixte, avec une erreur maximale de f 1 %), par rapport
a une sinusoide exacte ayant la meme periode, la meme amplitude et la
meme phase Ces resultats concernent un circuit ideal simule La
technique de simulation utilisee a conduit a un decalage de 900 dans
les courbes presentees, ce qui n'a aucune importance L'amplitude de
crete est de 0,385
et l'erreur maximale est de 0,21 % dans une plage de f 180.
La figure 7 montre un autre reseau de polarisation de bases 30 qui est
destine a produire une distribution de tensions parabolique pour le
circuit a six transistors de la figure 1 (Un tel reseau est egalement
decrit dans l'article precite paru dans la revue IEEE Journal of
SolidState Circuits) Ce reseau est de la forme d'un reseau en echelle
special qui' evite l'utilisation de sources de courant pour les noeuds
internes et qui utilise a la place des resistances
shunt Les extremites du reseau sont attaquees par des scur-
ces de courant complementaires respectives XI et ( 1-X) I ayant une
somme constante I et un "indice de modulation" de X On considerera
tout d'abord que X = I, ce qui fait que la totalite du courant
d'attaque est appliquee au noeud 1 du
reseau Dans ces conditions, le noeud 1 est le plus negatif.
Les elements resistifs ont des valeurs selectionnees de facon que les
tensions aux noeuds 1 a 6 augmentent selon une
sequence parabolique, le noeud 6 etant le plus positif.
Du fait que le reseau 30 est symetrique, on obtient une configuration
symetrique pour X = O Pour une valeur quelconque de X, on peut
calculer simplement la distribution de tensions resultante pour les
bases, par superposition, et elle sera toujours de forme parabolique
Comme avec le reseau decrit precedemment, une crete de tension est
decalee lateralement parmi les noeuds lorsque X varie de O a 1 Une
caracteristique importante de ce type de reseau consiste en ce que la
position de la crete de tension le long de la "ligne" de noeuds ne
depend que d'un facteur sans dimension, X La valeur des tensions est
cependant toujours determinee par le produit du courant I et de la
resistance de
normalisation R On peut montrer que la plage angulaire tota-
le (pour OZX&#x003C;i) d'un reseau de generation de sinusolde uti-
lisant le reseau 30 est (N-1) 900, ou t 4500 pour N = 6 (comme il est
represente) La figure 8 montre un circuit a
onze transistors ayant une plage angulaire totale de 16000.
Un avantage de cette configuration de reseau con-
siste en ce qu'on peut rendre le produit IR proportionnel a la
temperature absolue, ce qui fait que le facteur important I Rq/k T
peut etre rendu independant de la temperature De cette maniere, on
peut maintenir la distorsion a une valeur
minimale ideale, et l'amplitude de la fonction est indepen-
dante de la temperature.
La figure 9 montre une maniere d'accomplir la con-
version tension-indice de modulation pour les configurations
des figures 7 et 8.
1 i Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent etre
apportees au dispositif et au procede decrits
et representes, sans sortir du cadre de l'invention.
Claims
_________________________________________________________________
REVENDICATIONS
1 Generateur de fonction sinus (cosinus) caracte-
rise en ce qu'il comprend: des premiere et seconde bornes de sortie (
12, 14); un ensemble de transistors (Q 1-Q 6); un premier circuit qui
connecte les sorties des transistors aux premiere et seconde bornes de
sortie ( 12, 14), de maniere alternee, pour produire un courant de
sortie; un reseau de polarisation de bases ( 22) qui comprend des
resistances (R)
ayant une sequence de noeuds separes; des moyens d'alimenta-
tion (Q) connectes au reseau de polarisation de facon a pro-
duire sur les noeuds des tensions conformes a une configura-
tion de distribution predeterminee a valeurs multiples, ayant une
crete situee le long d'une ligne qui represente la
sequence de noeuds; un second circuit qui applique les ten-
sions de noeuds aux bases des transistors respectifs (Ql-Q 6),
pour commander la circulation de courants dans ces transis-
tors conformement aux tensions de noeuds; et des moyens d'entree pour
le reseau de polarisation de bases, destines a recevoir un signal
d'entree ( 01, 02) representant un angle d'entree, ce signal d'entree
commandant la position de la crete le long de la ligne de noeuds afin
de fixer la valeur du courant de sortie pour qu'il soit proportionnel
au sinus
(cosinus) de l'angle d'entree.
2 Generateur selon la revendication 1, caracteri-
se en ce que le reseau de polarisation de bases( 22) produit
une configuration de distribution parabolique.
3 Generateur selon la revendication 2, caracteri-
se en ce que le reseau ( 22) comprend un ensemble de resis-
tances (R) connectees en serie, et les interconnexions entre
-30 ces resistances constituent les noeuds.
4 Generateur selon la revendication 3, caracteri-
se en ce que les moyens d'alimentation comprennent un ensem-
ble de sources de courant (Q) connectees aux noeuds respec-
tifs.
5 Generateur selon la revendication 4, caracteri-
se en ce que les moyens d'entree comprennent des moyens des-
tines a appliquer aux extremites ( 24, 26) des resistances (R) une
tension qui est proportionnelle a la valeur de
l'angle d'entree.
6 Generateur selon la revendication 1, caracteri-
se en ce que les transistors (Ql-Q 6) sont identiques, et les
collecteurs de ces transistors sont connectes de facon alter-
nee aux premiere et seconde bornes de sortie ( 12, 14).
7 Generateur selon la revendication 6, caracteri-
se en ce que les resistances (R) sont d'egale valeur.
8 Generateur selon la revendication 7, caracteri-
se en ce que les sources de courant (Q) produisent des cou-
rants egaux (I).
9 Generateur selon la revendication 1, caracteri-
se en ce que le reseau de polarisation de bases ( 30) consis-
te en un reseau en echelle avec des resistances serie et
shunt.
Generateur selon la revendication 9, caracteri-
se en ce que le reseau en echelle ( 30) est attaque a ses extremites
par des sources de courant respectives commandees
par le signal d'entree.
11 Generateur selon la revendication 10, caracte-
rise en ce que les sources de courant produisent des courants
complementaires.
12 Generateur selon la revendication 11, caracte-
rise en ce que l'une des sources de courant produit un cou-
rant XI et l'autre produit un courant (I-X)I, en designant par X un
indice de modulation qui est proportionnel au signal d'entree.
13 Generateur selon la revendication 9, caracte-
rise en ce que le reseau en echelle ( 30) produit des ten-
sions de noeuds ayant une sequence parabolique.
14 Procede de generation d'un signal proportionnel au sinus (cosinus)
d'un angle, caracterise en ce que: on fait fonctionner un reseau
resistif ( 22) de facon a produire sur une serie de noeuds un ensemble
de tensions correspondant a une configuration predeterminee, ayant une
crete situee le long d'une ligne representant la sequence de noeuds;
on
commande les bases d'un ensemble de transistors (Ql-Q 6) con-
formement aux tensions de noeuds respectives; on dirige les courants
des transistors vers une paire de bornes de scrtie
( 12, 14), de maniere alternee; et on modifie la configura-
ticn predeterminee des tensions de noeuds conformement a un signal
d'angle d'entree pour decaler la crete le long de la sequence des
bases des transistors. Procede selon la revendication 14, caracterise
en ce que la configuration predeterminee correspond a une
fonction parabolique.
16 Procede selon la revendication 14, caracterise
en ce que le signal d'entree d'angle est un signal differen-
tiel (O 1 ' 92)' grace a quoi on peut appliquer a un cete d'entree un
signal de decalage sous la forme d'une tension
constante correspondant a un angle fixe predetermine.
17 Procede selon la revendication 16, caracterise en ce que le signal
de decalage fixe correspond a un angle
de 900.
18 Procede selon la revendication 14, caracterise en ce que les
collecteurs des transistors (Ql-Q 6) sont
connectes de facon alternee aux bornes de sortie ( 12, 14).
19 Procede selon la revendication 18, caracterise en ce qu'il comprend
l'operation qui consiste a alimenter les emetteurs de tous les
transistors a partir d'une source
de courant commune (IE).
Procede selon la revendication 14, caracterise en ce que le signal
d'angle d'entree decale lineairement la
crete, proportionnellement a la valeur de l'angle d'entree.
? ?
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you know whereabouts in the document they occur. [35][_]
Open a preview window.<br/><br/>This window will provide a preview of
any discovery (or vertical marker) when you mouse over
it.<br/><br/>The preview window is draggable so you may place it
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