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[5][_]
Molecule
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silver
(28)
[7][_]
Se
(22)
[8][_]
GERMANIUM selenide
(16)
[9][_]
carbon tetrafluoride
(8)
[10][_]
sulfur HEXAfluoride
(7)
[11][_]
potassium
(4)
[12][_]
silicon
(3)
[13][_]
oxygen
(3)
[14][_]
sulfur
(2)
[15][_]
germanium
(2)
[16][_]
selenium
(2)
[17][_]
water
(2)
[18][_]
iodine
(2)
[19][_]
silver cyanide
(2)
[20][_]
DES
(1)
[21][_]
selenium-germanium
(1)
[22][_]
silicon oxide
(1)
[23][_]
aluminium
(1)
[24][_]
molybdenum
(1)
[25][_]
tungsten
(1)
[26][_]
chromium
(1)
[27][_]
silver nitrate
(1)
[28][_]
nitric acid
(1)
[29][_]
iodide
(1)
[30][_]
silver sulfide
(1)
[31][_]
hydrogen sulfide
(1)
[32][_]
carbon
(1)
[33][_]
nitrogen
(1)
[34][_]
Xe-
(1)
[35][_]
potassium iodide
(1)
[36][_]
sulfur fluoride
(1)
[37][_]
Physical
(24/ 29)
[38][_]
3 Pascal
(3)
[39][_]
150 watts
(2)
[40][_]
de 400 mm
(2)
[41][_]
de 90 m
(2)
[42][_]
25 moles
(1)
[43][_]
75 moles
(1)
[44][_]
de 200 nm
(1)
[45][_]
350 nm
(1)
[46][_]
50 cm /minute
(1)
[47][_]
30 cm
(1)
[48][_]
1 Pascal
(1)
[49][_]
de 50 %
(1)
[50][_]
de 300 mm
(1)
[51][_]
5 cm
(1)
[52][_]
de 1000 W
(1)
[53][_]
de 436 nm
(1)
[54][_]
de 30 cm /minute
(1)
[55][_]
50 m
(1)
[56][_]
de 100 watt
(1)
[57][_]
5 um
(1)
[58][_]
6 Pascals
(1)
[59][_]
100 watts
(1)
[60][_]
10 moles
(1)
[61][_]
90 moles
(1)
[62][_]
Gene Or Protein
(6/ 19)
[63][_]
Etre
(11)
[64][_]
DANS
(2)
[65][_]
Silver A
(2)
[66][_]
Est-a
(2)
[67][_]
Sul
(1)
[68][_]
Cmn
(1)
[69][_]
Generic
(4/ 9)
[70][_]
tetrafluoride
(3)
[71][_]
selenide
(2)
[72][_]
hexafluoride
(2)
[73][_]
metals
(2)
[74][_]
Polymer
(1/ 8)
[75][_]
Polyimide
(8)
[76][_]
Chemical Role
(1/ 2)
[77][_]
PHOTORESIST
(2)
[78][_]
Company Reg No.
(1/ 1)
[79][_]
XU-218
(1)
[80][_]
Disease
(1/ 1)
[81][_]
Tic
(1)
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Images Mosaic View
Publication
_________________________________________________________________
Number FR2521315A1
Family ID 1984087
Probable Assignee Rca Corp
Publication Year 1983
Title
_________________________________________________________________
FR Title PROCEDE DE FORMATION D'UNE CONFIGURATION DANS UNE COUCHE
PHOTORESIST DE GERMANIUM selenide, NOTAMMENT POUR REALISER DES
MICROCIRCUITS ELECTRONIQUES
Abstract
_________________________________________________________________
PROCEDE DE FORMATION D'UNE CONFIGURATION DANS UNE COUCHE RESIST DE
GERMANIUM selenide SUR UN SUBSTRAT, QUI CONSISTE A:-RECOUVRIR LA
COUCHE DE GERMANIUM selenide D'UN MATERIAU PHOTOSENSIBLE CONTENANT DE
L'silver;-IRRADIER UNE PORTION DU REVETEMENT CONTENANT DE L'silver,
AFIN D'OBTENIR UNE PORTION CORRESPONDANTE, DOPEE A L'silver, DE LA
COUCHE DE GERMANIUM selenide;-ENLEVER LA PORTION NON IRRADIEE DU
REVETEMENT CONTENANT DE L'silver; ET,-SOUMETTRE LA COUCHE DE GERMANIUM
selenide A UNE ATTAQUE PAR PLASMA, EN UTILISANT UN GAZ D'ATTAQUE, POUR
ELIMINER LADITE PORTION NON DOPEE PAR L'silver,CE PROCEDE ETANT
CARACTERISE EN CE QU'ON UTILISE UN GAZ D'ATTAQUE CONSTITUE PAR DE
L'sulfur HEXAfluoride.
Description
_________________________________________________________________
1 2521315
La presente invention con cerne des elements photoresists qui com-
prennent du germanium selenide, ainsi qu'un procede de developpement
de
tels elements.
L'utilisation de materiaux resistants inorganiques, pour obtenir des
elements caracteristiques de l'ordre du micron et inferieurs au micron
dans
divers substrats, a deja ete decrite dans la litterature technique La
fabrica-
tion, avec succes, de tels elements caracteristiques de tres petites
dimensions presente un interet primordial dans l'industrie
electronique, pour la recherche
d'une resolution toujours plus fine en vue d'applications aux
microcircuits.
Un systeme d'element resistant inorganique particulier qui a presente
un interet considerable est constitue par des pellicules de seleniure
de germselenide-
nium sensibilise a l'silver Ce systeme d'element resist est obtenu en
re-
couvrant une pellicule de germanium selenide d'une couche contenant
une source d'silver La couche d'silver est ensuite irradiee a l'aide
d'une lumiere ou d'un faisceau electronique, au travers d'un masque
approprie, ce qui donne lieu a un dopage choisi de la pellicule Ge/Se
par l'silver, grace au phenomene
bien connu de la migration de l'silver induite par la lumiebre.
La pellicule Ge/Se est ensuite attaquee chimiquement, afin d'eliminer
la portion non dopee a l'silver, ce qui laisse subsister la pellicule
dopee qui sert de masque pour le traitement ulterieur du substrat
sous-jacent Bien que la portion non dopee de la pellicule puisse etre
eliminee par des techniques de
decapage humide, il est preferable de mettre en oeuvre une technique
de deca-
page au plasma, en utilisant du carbon tetrafluoride comme gaz
d'attaque.
Ce procede permet d'obtenir un bon contraste et une bonne selectivite
Cepen-
dant, la sensibilite du decapage au carbon tetrafluoride est
relativement
faible, ce qui constitue un inconvenient.
L'invention se propose d'apporter un moyen de decapage de pellicules
de Ge-Se, dopees a l'silver, qui ameliore a la fois la sensibilite et
le contraste
et qui, en outre, ameliore de facon importante la selectivite du
decapage se-
lectif, par pulverisation cathodique.
En consequence, cette invention concerne un procede perfectionne de
developpement a sec d'elements resist G a base de germanium selenide
dope a l'silver, en utilisant un gaz de decapage constitue par de l'
hexafluoride
de sulfur.
2 2521315
Des pellicules d'elements resiste en germanium selenide, deve-
loppees selon la presente invention, peuvent etre realisees sur une
grande va-
riete de substrats, et elles peuvent etre utilisees individuellement,
ou en tant
que partie constitutive d'un systeme resist a couches multiples.
La pellicule selenium-germanium est realisee de facon classique, par
exemple par pulverisation cathodique ou evaporation sous vide On
prefere utiliser des techniques d'evaporation sous vide La pellicule
peut comprendre, par exemple, de 10 a 25 moles en de germanium, et de
90 a 75 moles nf de selenium On prefere utiliser des pellicules Ge Se
90 * L'epaisseur de la
13 pellicule n'est pas particulierement critique, en ce qui concerne
l'invention.
Cependant, generalement, on cherche a obtenir des pellicules ayant une
epais-
seur de l'ordre de 200 nm a 350 nm.
Le substrat peut etre choisi a partir d'une grande variete de
materiaux, tels que le silicon, l'silicon oxide, de metals tels que
l'aluminium, le
molybdenum, le tungsten, le chromium et leurs alliages, diverses
matieres plas-
tic et similaires Le substrat peut etre homogene, ou etre constitue
d'une structure multicouches Une application preferee du procede selon
la presente invention est celle d'un systeme resist a deux niveaux
Dans un tel systeme, le substrat sur lequel on veut obtenir la
configuration desiree est recouvert d'une couche de matiere plastique,
telle qu'un polyimide, une resine novolaque ou similaire La couche de
matiere plastique sert de revetement de lissage de profil, pour
l'exposition de la couche Ge-Se, et elle joue generalement le role
du masque de decapage, pour le substrat sous-jacent.
Un avantage important du procede selon cette invention reside en ce
que la pellicule Ge-Se est attaquee par pulverisation cathodique
reactive, a l'aide d'sulfur Au contraire, les procedes anterieurement
connus de developpement a sec, par utilisation de carbon
tetrafluoride, etaient mis en-oeuvre par attaque de plasma dans un
reacteur cylindrique Lorsque la pellicule Ge-Se est deposee sur une
couche de polyimide qui est attaquee
par decapage reactif par pulverisation cathodique dans de l'oxygen, le
deca-
page du systeme a deux niveaux et du substrat peut etre execute
sequentielle-
ment dans le meme dispositif, par simple changement du gaz d'attaque
Les avantages d'un tel processus, en ce qui concerne la production,
sont evidents pour l'homme de l'art On ne pourrait pas obtenir de tels
resultats avantageux en utilisant le carbon tetrafluoride, en raison
de sa faible selectivite dans
les processus d'attaque reactive par pulverisation cathodique.
Le revetement d'silver des pellicules Ge-Se peut etre obtenu par des
techniques classiques Generalement, le substrat est simplement immerge
dans une solution aqueuse contenant une source d'silver, telle que du
silver nitrate (Ag NO 3) De meme, on peut utiliser une solution de
placage de cyanux d'silver et de potassium (K Ag (CN)) Le choix d'une
solution particuliere,
pour le depot du revetement d'silver sur la pellicule de Ge-Se, n'est
pas par-
ticulierement critique, pour la mise en oeuvre de cette invention.
Des que la couche d'silver a ete deposee sur la pellicule de Ge-Se,
une partie est irradiee, selon des techniques classiques, a l'aide de
lumiere
ou d'un faisceau electronique On prefere l'irradiation a la lumiere
L'irradia-
tion provoque une diffusion de l'silver dans la pellicule de Ge-Se, ce
qui forme des regions dopees correspondantes La couche d'silver, dans
la portion non irradiee de la pellicule, est enlevee, de facon
classique, a l'aide d'une solution acide, par exemple d'nitric acid ou
d'water regale, ou d'une solution
iodide
de potassium/iodine, cette derniere etant preferee.
La pellicule Ge-Se est ensuite attaquee, selon l'invention, a l'aide
d'sulfur hexafluoride Bien que l'on puisse utiliser d'autres systemes
d'at-
taque par plasma, classiques, il est particulierement preferable,
selon l'in-
vention, de realiser la pellicule de Ge-Se dopee par decapage reactif
par pul-
verisation cathodique Les conditions dans lesquelles s'effectue ce
decapage par pulverisation cathodique ne sont pas critiques, et elles
peuvent varier dans de larges limites Generalement, on introduit de
l'hexafluoride gazeux dans la chambre de reaction selon un debit de
l'ordre de 20 a 50 cm /minute, de preference d'environ 30 cm 3/minute
La pression est generalement comprise entre 1 Pascal et 3, 3 Pascal,
de preference de l'ordre de 1, 3 Pascal La puissance en haute
frequence est de preference d'environ 150 watts, avec un
diametre de table de substrat de 400 mm.
Le procede d'attaque de pellicules de Ge-Se dopees a l'silver selon
la presente invention est avantageux par rapport aux procedes selon la
tech-
nique anterieure utilisant un gaz d'attaque constitue de tetrafluorure
de catetrafluoride-
bone, en ce qui concerne la sensibilite, le contraste, et plus
particulierement la selectivite d'un decapage reactif par
pulverisation cathodique La sensibilite peut etre definie comme etant
l'entree d'energie en m J/cm necessaire au developpement d'une
pellicule, avec une epaisseur de pellicule normalisee
4 2521315
restante de 50 % Le contraste est defini comme etant la pente d'une
courbe obtenue en exprimant le pourcentage de la pellicule restante en
fonction du logarithme de la dose d'exposition, La selectivite, comme
on l'a utilisee ici, est definie comme etant le rapport la vitesse
d'attaque de la portion dopee a l'silver de la pellicule Ge-Se / la
vitesse d'attaque de la portion non dopee. Ces valeurs, pour le
procede selon la presente invention, sont au moins le double des
valeurs correspondantes pour le tetrafluoride dans des conditions
optimales, c'est-a-dire dans les conditions d'attaque de plasma dans
un reac-
teur cylindrique Le facteur de contraste e, de 7, 5, et une
selectivite meil-
leure que 50:1, pour le procede selon l'invention, sont
particulierement re-
marquable s.
Bien que le mecanisme exact auquel sont dues les valeurs tres avan-
tageuses donnees ci-dessus ne soit pas connu, on pense que, dans le
procede selon l'invention, il se forme, une couche de silver sulfide
sur la surface de la portion dopee de la pellicule L'aptitude a la
protection de cette couche peut etre demontree en exposant une
pellicule de Ge-Se dopee a l'silver a un plasma
d' sulfur hexafluoride pendant quelques secondes, et en la developpant
en -
suite dans un plasma de carbon tetrafluoride La selectivite d'une
pelli-
cule ainsi developpee est celle de l'sulfur hexafluoride (P 50:1), que
l'on peut comparer a la selectivite caracteristique du
carbon tetrafluoride
( 1, 8: 1) Ceci indique qu'une couche protectrice, que l'on pense etre
du sul-
fure d'silver, se forme rapidement et demeure presente pendant toute
la mise en oeuvre du procede d'attaque, quel que soit le gaz d'attaque
utilise Une tentative faite pour realiser une telle couche protectrice
par exposition a un,plasma de gaz de hydrogen sulfide, avant le
decapage par le
tetrafluoride
de carbon, n'a apporte aucune modification des conditions d'attaque.
Les exemples suivants, qui n'ont, bien entendu, aucun caractere limi-
tatif, illustrent l'invention Dans ces exemples, toutes les parties et
pour-
centages sont exprimes en poids, et toutes les temperatures sont
donnees en degres Celsius, sauf indication contraire,
Exemple 1 -
Une pellicule de Ge O Se 9 o ayant une epaisseur de 300 mm, a ete
formee,par evaporation flash, sur une couche d'un polyimide (XU-218,
com-
mercialise par CIBA-GEIGY) d'une epaisseur de lum, sur des plaques de
-
2521315
verre de 5 x 5 cm Les plaques ont ete immergees dans une solution 0,
25 molaire de silver cyanide et de potassium pendant 30 secondes;
elles ont ete rincees dans de l'water desionisee, puis sechees par
centrifugation dans de l'nitrogen Ensuite, ces plaques ont ete
irradiees avec une lampe Xe- Ug de 1000 W, comportant un filtre
d'interference de 436 nm, pendant 200 secondes, au travers d'un coin a
echelons en quartz presentant des transmission de:
3, 1; 4, 7; 6, A; 9, 4; 12, 5; 17, 1; Z 5, O; 34, 3; 50, O; 68, 8, et
100 NO.
Les plaques ont ete ensuite immergees dans une solution aqueuse
d'iodine ( 0, 03
molaire) et d'potassium iodide ( 2, O molaire), pour enlever tout
exces d'ar-
gent de la surface de la pellicule.
Des echantillons des plaques ont ete soumis a une attaque ou decapage
dans un reacteur d'attaque chimique par pulverisation cathodique, d'un
type
disponible dans le commerce, comportant une plaque de quartz comme
elec-
trode inferieure, avec un diametre de 400 mm De l'sulfur hexafluoride
a ete introduit dans le reacteur, avec un debit de l'ordre de 30 cm
/minute, la
pression dans le reacteur etant de l'ordre de 1, 3 Pascal La puissance
appli-
quee etait d'environ 150 watts.
La pellicule Ge O Se g a ete nettement attaquee, avec une vitesse de
decapage de l'ordre de 9000 A 12000 A par minute La selectivite,
c'est-a-
cire la vitesse de decapage de la pellicule non irradiee en fonction
de la pelli-
cule irradiee, etait superieure a 50: 1 On a trace la courbe de
sensibilite, et on a determine que cette sensibilite etait de 40 a 50
m J/cm Le facteur de
contraste 6 etait de 7, 5.
Exemples comparatifs Des pellicules preparees conformement aux
indications de l'exemple 1
ont ete soumises a une attaque par pulverisation cathodique dans des
condi-
tions similaires, en utilisant un gaz d'attaque constitue par du
carbon tetrafluoride La sensibilite etait de 90 m J/cmn, et le facteur
de contraste etait de 1, 7, ce qui constitue des valeurs faibles,
cependant que la selectivite
n'etait que de 1, 8: 1, ce qui est considere comme une valeur
inacceptable.
Lors d'essais, decrits dans la publication "Applied Physics Letters",
vol 38, N O 1, pages 107 a 109 ( 1980), des plaques similaires ont ete
soumises
a une attaque dans une machine d'attaque par plasma du type
cylindrique clas-
sique, utilisant un gaz d'attaque constitue par du carbon
tetrafluoride La pression etait de 0, 06 Pascal, et l'energie en haute
frequence etait de 100 watt
6 2521315
La sensibilite etait de 90 m J/cm, le facteur de contraste t etait
egal a 4, 5,
et la selectivite etait egale a 370 1.
Exemple 2 -
Des substrats comprenant des pastilles de silicon presentant un re-
vetement de silicon d'une epaisseur de 0, 5 um, ont ete recouverts de
polyimide conformement aux indications precisees dans l'exemple 1 La
couche de polyimide a ete recouverte d'une pellicule de Ge 10 Se 90,
qui a ete
irradiee et developpee selon l'exemple 1.
Le decapage ou l'attaque chimique a ete effectue en utilisant de
l'hexa-
1) sulfur fluoride, dans un reacteur de pulverisation cathodique du
commerce,
selon l'exemple 1 A la fin de l'attaque de la pellicule de Ge-Se, le
gaz d'at-
taque a ete remplace par de l'oxygen, la pression a ete portee a 2, 6
Pascals, et la puissance en haute frequence a 100 watts Le polyimide
etait attaque anisotropiquement a une vitesse de l'ordre de 1000
A/minute, en utilisant la pellicule de Ge-Se comme masque d'attaque
Aucune attaque mesurable de la
pellicule de Ge-Se n'a ete remarquee.
Il demeure bien entendu que cette invention n'est pas limitee aux_
exemples de realisation decrits et represente, mais qu'elle en englobe
toutes
les variantes.
7 25231
Claims
_________________________________________________________________
REVENDICATIONS
1 Procede de formation d'une configuration dans une couche resist de
germanium selenide sur un substrat, qui consiste a
recouvrir la couche de germanium selenide d'un materiau photo-
sensible contenant de l'silver; irradier une portion du revetement
contenant de l'silver, afin d'obtenir une portion correspondante,
dopee a l'silver, de la couche de germanium selenide enlever la
portion non irradiee du revetement contenant de l'silver; et,
soumettre la couche de germanium selenide a une attaque par plasma, en
utilisant un gaz d'attaque, pour eliminer ladite portion non dopee par
l'silver, ce procede etant caracterise en ce qu'on utilise un gaz
d'attaque constitue par
de l'sulfur hexafluoride.
2 Procede selon la revendication 1, caracterise en ce que la couche de
germanium selenide est attaquee par decapage reactif par pulverisation
cathodique a l'aide d'sulfur hexafluoride.
3 Procede selon la revendication 1, caracterise en ce que ladite
couche de germanium selenide comprend environ 10 moles % O de germa-
nium, et environ 90 moles %O de selenium.
4 Procede selon la revendication 1, caracterise en ce que le mate-
riau contenant de l'silver est du silver cyanide et de potassium.
Procede selon la revendication Z, caracterise en ce que ledit subs-
trat comprend une pluralite de couches, la couche sur laquelle est
depose le germanium selenide etant un polyimide, et en ce qu'on
effectue un decapag, reactif,par pulverisation cathodique d'une
portion de la couche de polyimide, en utilisant de l'oxygen comme gaz
d'attaque, et la couche de selenide de
germanium munie de ladite configuration comme masque.
6 Procede selon la revendication 5, caracterise en ce que les pro-
cessus de decapage sont effectues sequentiellement a l'aide du meme
dispositif 7 Procede selon la revendication 5, caracterise en ce que
le polyimic
est depose sur une couche de metal.
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