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[5][_]
Molecule
(64/ 972)
[6][_]
silicon
(649)
[7][_]
tungsten
(49)
[8][_]
aluminium
(47)
[9][_]
Ts
(32)
[10][_]
carbon
(24)
[11][_]
hydrogen
(19)
[12][_]
OH
(14)
[13][_]
graphite
(13)
[14][_]
gallium
(11)
[15][_]
nitrogen
(7)
[16][_]
boron
(7)
[17][_]
HI
(5)
[18][_]
Cl
(5)
[19][_]
water
(5)
[20][_]
Co-
(5)
[21][_]
TCPP
(5)
[22][_]
antimony
(4)
[23][_]
Br
(4)
[24][_]
nega
(4)
[25][_]
DES
(3)
[26][_]
thallium
(3)
[27][_]
phosphorus
(3)
[28][_]
Tin
(3)
[29][_]
bismuth
(2)
[30][_]
fluorine
(2)
[31][_]
chlorine
(2)
[32][_]
Tle
(2)
[33][_]
Et
(2)
[34][_]
OX
(2)
[35][_]
CY
(2)
[36][_]
o-OH
(2)
[37][_]
Ir-
(2)
[38][_]
4 ap
(2)
[39][_]
CF
(1)
[40][_]
indium (Iii)
(1)
[41][_]
arsenic
(1)
[42][_]
bromine
(1)
[43][_]
iodine
(1)
[44][_]
depo
(1)
[45][_]
silane
(1)
[46][_]
chloride
(1)
[47][_]
Zn
(1)
[48][_]
argon
(1)
[49][_]
Li
(1)
[50][_]
O=
(1)
[51][_]
-O
(1)
[52][_]
Se=
(1)
[53][_]
-PR-S
(1)
[54][_]
q-10
(1)
[55][_]
-PH
(1)
[56][_]
Idien
(1)
[57][_]
IRI
(1)
[58][_]
N-I
(1)
[59][_]
Ce-
(1)
[60][_]
HNI
(1)
[61][_]
Tf
(1)
[62][_]
PHI
(1)
[63][_]
I-BH
(1)
[64][_]
Ts-H
(1)
[65][_]
Tm-
(1)
[66][_]
Ms
(1)
[67][_]
Dnco
(1)
[68][_]
Tpaa
(1)
[69][_]
aseu
(1)
[70][_]
Physical
(104/ 307)
[71][_]
1,0 lux
(48)
[72][_]
40 Pa
(24)
[73][_]
0 %
(17)
[74][_]
13,56 M
(14)
[75][_]
26,5 Pa
(14)
[76][_]
3 N
(12)
[77][_]
4 N
(11)
[78][_]
50,0 nm
(10)
[79][_]
66,5 Pa
(8)
[80][_]
40,0 nm
(6)
[81][_]
400,0 nm
(5)
[82][_]
2 N
(4)
[83][_]
2 l
(4)
[84][_]
1 l
(4)
[85][_]
6 l
(4)
[86][_]
9 L
(4)
[87][_]
50 N
(3)
[88][_]
1 J
(3)
[89][_]
1 M
(3)
[90][_]
0 nm
(3)
[91][_]
4 m
(3)
[92][_]
14 N
(3)
[93][_]
99 L
(3)
[94][_]
3,0 nm
(2)
[95][_]
105 ppm
(2)
[96][_]
1,0 nm
(2)
[97][_]
200,0 nm
(2)
[98][_]
5 Pa
(2)
[99][_]
18,0 nm
(2)
[100][_]
1 N
(2)
[101][_]
3 l
(2)
[102][_]
1850,0 nm
(2)
[103][_]
1 %
(2)
[104][_]
600,0 nm
(2)
[105][_]
12 l
(2)
[106][_]
56 M
(2)
[107][_]
99 s
(2)
[108][_]
7 d
(2)
[109][_]
3 m
(2)
[110][_]
10 micrometres
(1)
[111][_]
de 50 W
(1)
[112][_]
250 W
(1)
[113][_]
de 80 W
(1)
[114][_]
150 W
(1)
[115][_]
300 W
(1)
[116][_]
100 W
(1)
[117][_]
666,5 Pa
(1)
[118][_]
666,5 x 10 2 Pa
(1)
[119][_]
400 x 10 2 Pa
(1)
[120][_]
4,0 nm
(1)
[121][_]
5,0 nm
(1)
[122][_]
1000 ppm
(1)
[123][_]
500 ppm
(1)
[124][_]
200 ppm
(1)
[125][_]
1 d
(1)
[126][_]
6 x 10 6 Pa
(1)
[127][_]
133 Pa
(1)
[128][_]
de 1,0 lux
(1)
[129][_]
9 %
(1)
[130][_]
5 m
(1)
[131][_]
5 l
(1)
[132][_]
250 N
(1)
[133][_]
0 l
(1)
[134][_]
0,18 l
(1)
[135][_]
2 h
(1)
[136][_]
6 bit
(1)
[137][_]
50,0 m
(1)
[138][_]
600,0 M
(1)
[139][_]
9,8 bits
(1)
[140][_]
0,001 d
(1)
[141][_]
15 M
(1)
[142][_]
200,0 ms
(1)
[143][_]
4-1 l
(1)
[144][_]
3 h
(1)
[145][_]
9 W
(1)
[146][_]
4 J
(1)
[147][_]
1 um
(1)
[148][_]
2 m
(1)
[149][_]
10,0 nm
(1)
[150][_]
9,5 W
(1)
[151][_]
9 J
(1)
[152][_]
4 bits
(1)
[153][_]
100 m
(1)
[154][_]
1 bits
(1)
[155][_]
0,5 bits
(1)
[156][_]
96 um
(1)
[157][_]
53 N
(1)
[158][_]
9 s
(1)
[159][_]
70 J
(1)
[160][_]
4 - 100ul
(1)
[161][_]
0,1009 %
(1)
[162][_]
RT
(1)
[163][_]
0,1 m
(1)
[164][_]
4 W
(1)
[165][_]
30,0 m
(1)
[166][_]
200 m
(1)
[167][_]
0,5 gm
(1)
[168][_]
41 s
(1)
[169][_]
69 nm
(1)
[170][_]
0 W
(1)
[171][_]
7 s
(1)
[172][_]
8 %
(1)
[173][_]
9 g
(1)
[174][_]
8 l
(1)
[175][_]
Gene Or Protein
(83/ 203)
[176][_]
Etre
(59)
[177][_]
Cou
(16)
[178][_]
Bcn
(7)
[179][_]
Tio
(6)
[180][_]
Enb
(5)
[181][_]
Mnt
(4)
[182][_]
Tmm
(4)
[183][_]
Clc
(4)
[184][_]
DANS
(3)
[185][_]
Copie
(3)
[186][_]
Pmn
(3)
[187][_]
Dbt
(3)
[188][_]
Sthe
(3)
[189][_]
Ts 1
(3)
[190][_]
Pum
(2)
[191][_]
Cin
(2)
[192][_]
Pim
(2)
[193][_]
Prm
(2)
[194][_]
Tsl
(2)
[195][_]
Tna
(2)
[196][_]
Nxn
(2)
[197][_]
Clt
(2)
[198][_]
Tme
(2)
[199][_]
TCPG
(2)
[200][_]
Hlx
(2)
[201][_]
Tif
(1)
[202][_]
Dus
(1)
[203][_]
Hil
(1)
[204][_]
Clb
(1)
[205][_]
Bou
(1)
[206][_]
Ar-1
(1)
[207][_]
Elo-2
(1)
[208][_]
Lmn
(1)
[209][_]
H110
(1)
[210][_]
Drt
(1)
[211][_]
Gla
(1)
[212][_]
Nin
(1)
[213][_]
EntB
(1)
[214][_]
CITH
(1)
[215][_]
Cth
(1)
[216][_]
NPH
(1)
[217][_]
Cmn
(1)
[218][_]
Co I
(1)
[219][_]
Nnt
(1)
[220][_]
Pai
(1)
[221][_]
Rpe
(1)
[222][_]
Nma
(1)
[223][_]
Xmnt
(1)
[224][_]
CAH
(1)
[225][_]
Tud
(1)
[226][_]
Rnt
(1)
[227][_]
Unm
(1)
[228][_]
Dhe
(1)
[229][_]
Rpr
(1)
[230][_]
VI 3
(1)
[231][_]
Pmi
(1)
[232][_]
SLL
(1)
[233][_]
Swe
(1)
[234][_]
Clg
(1)
[235][_]
Nii
(1)
[236][_]
Nrn
(1)
[237][_]
Dnt
(1)
[238][_]
Vfl
(1)
[239][_]
Crn
(1)
[240][_]
Egl
(1)
[241][_]
Ggs
(1)
[242][_]
Tnw
(1)
[243][_]
Tnase
(1)
[244][_]
Pxn
(1)
[245][_]
MCO
(1)
[246][_]
Papr
(1)
[247][_]
Cvcb
(1)
[248][_]
ZUD
(1)
[249][_]
Etia
(1)
[250][_]
Pvs
(1)
[251][_]
Ile-1
(1)
[252][_]
Eep
(1)
[253][_]
ZIRD
(1)
[254][_]
Azu
(1)
[255][_]
Ap A
(1)
[256][_]
TS A
(1)
[257][_]
OTX
(1)
[258][_]
Tecb
(1)
[259][_]
Generic
(11/ 43)
[260][_]
halogen
(28)
[261][_]
metals
(4)
[262][_]
halo
(3)
[263][_]
boron hydrides
(1)
[264][_]
boron halides
(1)
[265][_]
hydrides
(1)
[266][_]
silicons
(1)
[267][_]
hydrogens
(1)
[268][_]
silanes
(1)
[269][_]
halides
(1)
[270][_]
interhalogens
(1)
[271][_]
Company Reg No.
(7/ 10)
[272][_]
Al 2500 C
(3)
[273][_]
Al 250
(2)
[274][_]
SH 4000
(1)
[275][_]
Cc 011
(1)
[276][_]
xl310018
(1)
[277][_]
lm 001
(1)
[278][_]
Al 2501 C
(1)
[279][_]
Polymer
(7/ 8)
[280][_]
Polyesters
(2)
[281][_]
Polyethylene
(1)
[282][_]
Polycarbonates
(1)
[283][_]
Cellulose Acetate
(1)
[284][_]
Polyvinyl Chloride
(1)
[285][_]
Polyamides
(1)
[286][_]
Rna
(1)
[287][_]
Organism
(6/ 7)
[288][_]
BATS
(2)
[289][_]
mene
(1)
[290][_]
arge
(1)
[291][_]
ape
(1)
[292][_]
amia
(1)
[293][_]
gilo
(1)
[294][_]
Disease
(4/ 7)
[295][_]
D Ts
(3)
[296][_]
Tic
(2)
[297][_]
Bruit
(1)
[298][_]
Aion
(1)
[299][_]
Substituent
(1/ 1)
[300][_]
azo
(1)
Export to file:
Export Document and discoveries to Excel
Export Document and discoveries to PDF
Images Mosaic View
Publication
_________________________________________________________________
Number FR2521316A1
Family ID 29296549
Probable Assignee Canon Inc
Publication Year 1983
Title
_________________________________________________________________
FR Title ELEMENT PHOTOCONDUCTEUR
Abstract
_________________________________________________________________
L'INVENTION CONCERNE UN ELEMENT PHOTOCONDUCTEUR.
CET ELEMENT PHOTOCONDUCTEUR COMPREND UN SUPPORT 101, UNE COUCHE
D'INTERFACE 102 CONSTITUEE D'UNE MATIERE AMORPHE REPRESENTEE PAR L'UNE
QUELCONQUE DES FORMULES: (CF DESSIN DANS BOPI) UNE COUCHE DE
REDRESSEMENT 103 COMPRENANT UNE MATIERE AMORPHE QUI CONTIENT DES
ATOMES APPARTENANT AU GROUPE III OU AU GROUPE V DU TABLEAU PERIODIQUE,
DANS UNE MATRICE D'ATOMES DE silicon, ET UNE COUCHE AMORPHE 104 QUI
EST PHOTOCONDUCTRICE ET QUI CONTIENT AU MOINS L'UN DES ATOMES
D'hydrogen ET D'halogen DANS UNE MATRICE D'ATOMES DE silicon.
DOMAINE D'APPLICATION: REPROGRAPHIE, PHOTOCOPIE DE DOCUMENTS,
DISPOSITIFS DE PRISE DE VUES, DE LECTURE, ETC.
Description
_________________________________________________________________
2 t 21311 L'invention concerne un element photoconducteur sensible a
des
ondes electromagnetiques telles que la lumiere (ce terme etant utilise
ici au sens large et englobant les rayons ultraviolets, la lumiere
visible, les rayons infrarouges, les rayons X et les rayons gamma).
Des matieres photoconductrices constituant des couches
photoconductrices pour des dispositifs de prise de vuesa
semi-conducteurs, des elements de formation d'image pour
electrophotographie utilises dans le domaine de la formation des
images, ou des dispositifs de lecture de manuscrits, doivent avoir une
sensibilite elevee, un rapport signal/bruit eleve {courant
photoelectrique (I)/ p
courant d'obscurite (Id)}, des caracteristiques spectra-
les correspondant a celles des ondes electromagnetiques rayonnantes,
une reponse rapide a la lumiere, une valeur de resistance d'obscurite
souhaitee ainsi qu'une innocuite envers le corps humain pendant
l'utilisation En outre, dans un dispositif de prise de vues a
semiconducteurs, il est egalement necessaire que l'image residuelle
puisse
etre aisement traitee en un temps predetermine En parti-
culier, dans le cas d'un element de formation d'image
pour electrophotographie devant etre assemble dans un disposi-
tif electrophotographique a utiliser dans un appareil de bureau, la
caracteristique precitee d'iinocuite est tres
importante.
Compte tenu de la consideration precedente, le silicon amorphe
(designe ci-apres "a-silicon") a recemment attire l'attention comme
matiere photoconductrice Par exemple, les demandes de brevets de la
Republique Federale d'Allemagne N O 2 746 967 et N O 2 855 718
decrivent des applications du a-silicon a une utilisation dans des
elements de formation d'image pour electrophotographie, et la demande
de brevet de la Republique Federale d'Allemagne
no 2 933 411 decrit une application du a-silicon a une utilisa-
tion dans un dispositif de lecture par electro-photoconver-
sion. Cependant, dans la situation presente, les
elements photoconducteurs comportant des couches photocon-
ductrices constituees de a-silicon classique doivent encore
faire l'objet d'ameliorations concernant les caracteris-
tic globales comprenant les caracteristiques electri-
ques, optiques et photoconductrices, telles que la valeur de
resistance d'obscurite,'la photosensibilite et la
reponse a la lumiere, etc, et les caracteristiques vis-
a-vis du milieu pendant l'utilisation, ainsi que la sta-
bilite dans le temps et la longevite.
Par exemple, dans une application a un element
de formation d'image pour electrophotographie, a la par-
tie sombre, l'injection de charges provenant du cote du support ne
peut etre sufisamment empechee; l'element de formation d'image utilise
n'est pas exempt de certains
problemes concernant la rigidite dielectrique et la lon-
gevite lors d'utilisations repetees et continues; ou bien il apparait
des defauts d'image communement appeles "zone noire' sur les images
transferees sur un papier de report, ces defauts pouvant etre
consideres comme etant dus a un-phenomene de destruction par decharge
locale,
ou bien il apparait egalement des defauts d'image commune-
ment appeles "ligne blanche", qui peuvent etre consideres comme etant
provoques, par exemple, par le frottement d'une lame utilisee pour le
nettoyage De plus, on observe frequemment sur les images obtenues un
defaut appele "image non focalisee", lors d'une utilisation dans une
atmosphere fortement humide ou immediatement apres un
long temps de sejour dans une atmosphere fortement humide.
En outre, lorsque l'epaisseur de la couche atteint 10 micrometres ou
plus, il apparait une tendance a un phenomene caracterise par un
detachement ou un
pelage des couches de la surface du support, ou la forma-
tion de fissures dans les couches, avec le temps, lors-
qu'on laisse les couches reposer apres les avoir retirees d'une
chambre de deposition sous vide utilisee pour la formation des couches
Ces phenomenes apparaissent surtout frequemment lorsque le support est
un support en forme de
tambour utilise classiquement dans le domaine de l'elec-
trophotographie Ainsi, on doit resoudre des problemes
concernant la stabilite dans le temps.
Il est egalement necessaire de concevoir une matiere photoconductrice
etudiee pour resoudre tous les problemes mentionnes ci-dessus, ainsi
que pour ameliorer les caracteristiques des matieres proprement dites
du
type a-silicon.
Compte tenu de ce qui precede, l'invention
resulte d'etudes importantes portant a la fois sur l'appli-
cabilite et l'utilite du a-silicon comme matiere photoconduc-
trice pour des elements de formation d'image pour elec-
trophotographie, des dispositifs de prise de vues a semi-
conducteurs, des dispositifs de lecture, etc A present,
un element photoconducteur ayant une couche photoconduc-
trice constituee d'une matiere amorphe contenant au moins l'un des
atomes d'hydrogen (H) et d'halogen (X) dans une matrice d'atomes de
silicon {cette matiere etant designee globalement ci-apres
a-silicon(H,X)}, dite silicon amorphe hydrogen, silicon amorphe
halogen ou silicon amorphe hydrogen contenant un halogen, lequel
element photoconducteur est prepare de facon a comporter une structure
stratifiee de conception particuliere, s'avere non seulement presenter
d'excellentes caracteristiques
en pratique, mais egalement surpasser les elements photo-
conducteurs de l'art anterieur, pratiquement en tous
points, en particulier par des caracteristiques excellen-
tes et remarquables comme element photoconducteur pour
electrophotographie L'invention est basee sur cette
constatation.
L'invention a pour objet principal un element
photoconducteur ayant une excellente longevite sans pre-
senter de phenomene de deterioration lors d'utilisations repetees, et
ayant egalement une excellente rigidite
dielectrique.
L'invention a pour autre objet un element photo-
conducteur qui presente une excellente adherence entre un support et
une couche appliquee sur ce support ou entre des couches stratifiees
respectives, qui presente une
structure serree et stable et une qualite de stratifica-
tion elevee.
L'invention a pour autre objet un element photo-
conducteur pouvant retenir suffisamment des charges pendant un
traitement a l'aide de charges pour la formation d'images
electrostatiques, lorsqu'il est utilise comme
element de formation d'image pour electrophotographie.
Cet element presente d'excellentes caracteristiques elec-
trophotographiques et il permet l'application tres effi-
cace de procedes electrophotographiques normaux.
L'invention concerne donc un element photocon-
ducteur comprenant un support destine a cet element, une couche
d'interface constituee d'une matiere amorphe representee par l'une
quelconque des formules suivantes silicon a N 1 a ( 0,57 &#x003C; a
&#x003C; 1) ( 1) (Sib Nlb)c Hl-c ( 0,6 &#x003C; b &#x003C; 1, 0,65 _ c
&#x003C; 1) ( 2) (Sid Nld)e(XH)le ( 0,6 &#x003C; d &#x003C; 1, 0,8
&#x003C; e } ou de a-(Sid Nl d)e(XH)l-e {matiere
amorphe representee par la formule ( 3)}, il est souhai-
table que la temperature du support soit avantageusement de 500 C A
350 *C, et de preference de 1000 C A 2500 C. Lors de la formation, en
pratique, de la couche d'interface, il est avantageux d'utiliser le
procede a decharge d'effluves, le procede de pulverisation et le
procede a faisceau d'electrons, car il est possible de former en
continu la couche d'interface, la couche de redressement, la couche
amorphe ainsi que d'autres couches formees facultativement sur la
couche amorphe, dans le
meme appareil, et car il est egalement possible de mai-
triser avec precision la proportion, dans la composition, des atomes
constituant les couches respectives ou de regler l'epaisseur des
couches, d'une facon relativement aisee par rapport a d'autres
procedes Lorsque la couche d'interface est formee par ces procedes, la
puissance de decharge et la pression gazeuse pendant la formation de
la couche peuvent etre mentionnees comme facteurs impor-
tants, au meme titre que la temperature precitee du sup-
port, ces facteurs ayant des influences sur les caracte-
ristiques du a-silicon N(H,X) a preparer.
La puissance de decharge pour preparer efficace-
ment la couche d'interface selon les caracteristiques permettant
d'atteindre les objectifs selon l'invention, avec une
bonne-productivite, dans le cas de a-silicon a N a' peut etre
avantageusement de 50 W A 250 W, et de preference de 80 W A 150 W Dans
le cas de a-(Sib Nl b&#x003E;c HI c ou a-(Sid Nl d)e(X,H)l el elle
peut etre avantageusement de 1 a 300 W, et de preference de 2 a 100 W.
La pression gazeuse dans une chambre de deposi-
tion, lors de la formation de couches par le procede a decharge
d'effluves, peut etre avantageusement de 1,33 A 666,5 Pa, et de
preference de 13,3 A 66,5 Pa Dans le cas de la formation de couches
par le procede de pulverisation, elle peut etre avantageusement de 133
x 10 3 A 666,5 x 10 2 Pa,
et de preference de 1065 x 10 3 A 400 x 10 2 Pa.
Les teneurs en atomes d'nitrogen (N), en atomes d'hydrogen (H) et en
atomes d'halogen (X) dans a-silicon N(H,X) constituant la couche
d'interface-de l'element photoconducteur selon l'invention constituent
egalement des facteurs importants pour former une couche d'inter- face
ayant des caracteristiques souhaitees permettant les objectifs de la
presente invention, au meme titre que
les conditions de preparation de la couche d'interface.
Ainsi, dans les formules precedentes represen-
tant la matiere amorphe constituant la couche d'interface,
a, b, c, d et e ont des valeurs generalement telles qu'in-
diquees ci-dessus, mais a peut etre avantageusement tel que 0,57
&#x003C; a &#x003C; 0, 99999, et de preference 0,57 &#x003C; a
&#x003C; 0,99, et de facon encore plus preferable 0,57 &#x003C; a
&#x003C; 0,9; b peut
etre avantageusement tel que 0,6 &#x003C; b &#x003C; 0,99999, et de
pre-
ference 0,6 &#x003C; b &#x003C; 0,99, et de facon plus preferable 0,6
&#x003C; b &#x003C; 0,9; c peut etre avantageusement tel que 0,65
&#x003C; c c 0,98, et de preference 0,7 &#x003C; c &#x003C; 0,95; d
peut
etre avantageusement tel que 0,6 &#x003C; d &#x003C; 0,99999, de
prefe-
rence 0,6 &#x003C; d &#x003C; 0,99, et de facon plus preferable 0,6
&#x003C; d &#x003C; 0,9; et e peut etre avantageusement tel que
0,8 &#x003C; e c 0,99, et de preference 0,85 S e 0,98.
La plage de valeurs numeriques pour l'epaisseur
de la couche d'interface selon l'invention peut avantageu-
sement etre determinee afin qu'il soit possible d'attein-
dre efficacement les objectifs de la presente invention.
L'epaisseur de la couche d'interface permettant
d'atteindre efficacement les objectifs de la presente inven-
tion peut etre avantageusement comprise entre 3,0 nm et 2 pm,
de preference entre 4,0 nm et 1,5 pm, et de facon plus pre-
ferable entre 5,0 nm et 1,5/m.
La couche de redressement entrant dans la cons-
titution de l'element photoconducteur selon l'invention comprend une
matiere amorphe contenant, comme atomes constitutifs, des atomes
appartenant au groupe III du Tableau Periodique (les atomes du groupe
III) ou des atomes appartenant au groupe V du Tableau Periodique (les
atomes du groupe V), de preference avec des atomes d'hydrogen (H) ou
des atomes d'halogen (X) ou les deux, dans une matrice d'atomes de
silicon (silicon) {cette matiere
etant designee ci-apres "a-silicon(III,V,H,X)"}, et l'epais-
seur t de cette couche et sa teneur C(A) en atomes du groupe III ou en
atomes du groupe V sont convenablement determinees comme souhaite afin
qu'il soit possible d'atteindre efficacement les objectifs de la
presente invention. L'epaisseur t de la couche de redressement selon
l'invention est avantageusement comprise entre 0,3 et 5 pn, et de
preference entre 0, 5 et 2 pn La teneur precitee C(A) peut etre
avantageusement comprise entre l x 102 et l x 105 ppm atomique, et de
preference entre 5 x 102 et
l x 105 ppm atomique.
Dans la presente invention, les atomes a utili-
ser comme atomes du groupe III contenus dans la couche
de redressement peuvent comprendre du boron (B), de l'alu-
minium (Al), du gallium (gallium), de l'indium (Iii), du thallium
(thallium) et autres, B et gallium etant particulierement preferes.
Les atomes appartenant au groupe V et contenus
dans la couche de redressement peuvent comprendre du phos-
phore (P), de l'arsenic (As), de l'antimony (antimony), du bismuth
(bismuth) et autres, P et As etant particulierement preferes.
Dans la presente invention, comme atomes d'halo-
gene (X) a introduire dans la couche de redressement, si cela est
souhaite, on peut mentionner le fluorine, le chlorine,
le bromine et l'iodine, le fluorine et le chlorine etant particu-
lierement preferes.
Pour la formation d'une couche de redressement constituee de
a-silicon(III,V,H, X), on peut utiliser le procede a decharge
d'effluves, le procede de pulverisation, le
procede d'implantation ionique, le procede de pulverisa-
tion ionique, le procede a faisceau d'electrons et autres,
de meme que pour la formation d'une couche d'interface.
Par exemple, pour la formation d'une couche de redressement comprenant
du a-silicon(III,V,H,X) par le procede a decharge d'effluves,
l'operation fondamentale consiste a introduire un gaz de depart
capable de fournir les atomes du groupe III ou un gaz de depart
capable de fournir les atomes du groupe V et, facultativement, un
gaz de depart permettant l'introduction d'atomes d'hydro-
gene (H) et/ou d'atomes d'halogen (X), en meme temps
qu'un gaz de depart pouvant fournir des atomes de sili-
cium (silicon), dans une chambre de deposition a l'interieur de
laquelle une pression reduite a ete faite et dans laquelle une
decharge d'effluves est declenchee pour former une couche constituee
de a-silicon(III,V,H,X) sur lasurface d'un support place dans une
position predeterminee a l'interieur de la
chambre Lorsque la couche de redressement doit etre for-
mee par le procede de pulverisation, un gaz de depart destine a
l'introduction d'atomes du groupe III ou un gaz de depart destine a
l'introduction des atomes du
groupe V, ainsi que, facultativement, des gaz pour l'in-
troduction d'atomes d'hydrogen et/ou d'atomes d'halogen, peuvent etre
introduits dans une chambre de deposition pour pulverisation au moment
o une pulverisation d'une cible constituee de silicon, dans une
atmosphere constituee d'un gaz inerte tel que Ar, He ou un melange
base sur
ces gaz', est realisee.
* Comme matieres de depart pouvant etre utilisees en tant que gaz de
depart pour la formation de la couche de redressement, on peut
employer celles choisies, comme souhaite, a partir des memes matieres
de depart que
' celles utilisees pour la formation de la couche d'inter-
face, hormis les matieres de depart a utiliser en tant que gaz de
depart pour l'introduction des atomes du groupe III et des atomes du
groupe V. Pour l'introduction des atomes du groupe III ou des atomes
du groupe V dans la structure de la couche de redressement, la matiere
de depart pour l'introduction des atomes du groupe III ou la matiere
de depart pour
l'introduction des atomes du groupe V peut etre intro-
duite a l'etat gazeux dans une chambre de deposition, en meme temps
que d'autres matieres de depart pour la formation de la couche de
redressement Comme matiere de depart pouvant etre utilisee pour
l'introduction des atomes du groupe III ou des atomes du groupe V, on
peut employer avantageusement celles qui sont gazeuses dans les
conditions normales de temperature et de pression, ou qui peuvent au
moins etre aisement gazeifiees dans
les conditions de formation des couches.
Des exemples de telles matieres de depart per-
mettant l'introduction des atomes du groupe III compren-
nent des boron hydrides tels que B 2 H 6, B 4 H-l, B 5 H 9, B 5 Hil B
6 H 1 ' B 6 H 12 ' B 6 H 14 et autres, des boron halides tels que BF
3, BC 3, B Br 3 et autres De plus, on peut egalement utiliser Al Cl 3,
gallium Cl 3, gallium(CH 3)3, In C 13, thallium C 13
et autres.
Des exemples des matieres de depart pour l'in-
troduction d'atomes du groupe V comprennent des hydrides
de phosphorus tels que PH 3, P 2 H 4 et autres, des halogenu-
res de phosphorus tels que PH 4 I, PF 3, PF 5, P C 13, P C 15, P Br 3,
P Br 5, PI 3 et autres De plus, on peut egalement utiliser As H 3, As
F 3, As Cl 3, As Br 3, As F 5, antimony H 3, antimony F 3, et autres
comme matieres efficaces pour l'introduction des atomes du groupe V.
Dans la presente invention, les atomes du
groupe III ou les atomes du groupe V devant etre incorpo-
res dans la couche de redressement pour conferer des caracteristiques
de redressement a cette couche peuvent etre avantageusement distribues
de facon sensiblement
uniforme dans des plans paralleles a la surface du sup-
port et dans la direction de l'epaisseur de la couche.
Dans la presente invention, les teneurs en
atomes du groupe III et en atomes du groupe V a intro-
duire dans la couche de redressement peuvent etre deter-
minees librement par reglage du debit d'ecoulement des gaz, du rapport
du debit d'ecoulement des gaz de depart pour l'introduction des atomes
du groupe III et des atomes
du groupe V, de la puissance de decharge, de la tempera-
ture du support, de la pression dans la chambre de depo-
sition, etc. Dans la presente invention, comme atomes d'halo-
gene (X) pouvant etre introduits dans la couche de redres-
sement, si cela est necessaire, on peut utiliser ceux men-
tionnes ci-dessus dans la description de la couche d'in-
terface. Dans la presente invention, la formation d'une couche amorphe
comprenant a-silicon(H,X) peut etre effectuee
par le procede de deposition sous vide utilisant un pheno-
mene de decharge tel que le procede a decharge d'effluves, le procede
de pulverisation ou le procede de pulverisation ionique, de la meme
facon que pour la formation d'une couche d'interface Par exemple, pour
la formation d'une couche amorphe comprenant a-silicon(H,X) par le
procede a decharge d'effluves, l'operation fondamentale consiste a
introduire un gaz de depart capable d'introduire des atomes d'hydrogen
(H) et/ou des atomes d'halogen (X), ainsi qu'un gaz de depart pouvant
fournir des atomes de
silicon (silicon), dans une chambre de deposition a l'inte-
rieur de laquelle une pression reduite a ete faite et dans laquelle
une decharge d'effluves est declenchee pour former une couche
comprenant du aSi(H,X) sur la surface d'une couche de redressement
appliquee sur un
support place dans une position predeterminee a l'inte-
rieur de la chambre Lorsque la couche amorphe doit etre formee par le
procede de pulverisation, un gaz de depart pour l'introduction
d'atomes d'hydrogen (H) et/ou
d'atomes d'halogen (X) peut etre introduit dans la cham-
bre de deposition pour la pulverisation, pendant que la pulverisation
d'une cible constituee de silicon est effectuee dans une atmosphere
constituee d'un gaz inerte tel que Ar,
He ou un melange base sur ces gaz.
Dans la presente invention, comme-atomes d'halo-
gene (X) pouvant etre introduits dans la couche amorphe,
si cela est necessaire, on peut utiliser ceux mention-
nes precedemment dans la description de la couche d'in-
terface. Le gaz de depart pour fournir du silicon a utiliser pour la
formation d'une couche amorphe dans la presente invention peut
comprendre des silicons hydrogens gazeux ou gazeifiables (silanes)
tels que silicon H 4, silicon 2 H 6, silicon 3 H 8,
silicon 4 H 10 et autres, comme mentionne dans la description
de la couche d'interface ou de la couche de redressement, en tant que
matieres efficaces En particulier, silicon H 4 et si 2 H 6 sont
preferes pour leur facilite de manipulation pendant la formation et
l'efficacite avec laquelle ils
fournissent du silicon.
Comme gaz de depart efficaces pour l'introduc-
tion d'atomes d'halogen a utiliser dans la presente invention pour la
formation d'une couche amorphe, on peut employer un certain nombre de
composes halogens, de meme que dans le cas d'une couche d'interface, y
compris des composes halogens gazeux ou gazeifiables tels que des
halogens gazeux, des halides, des composes interhalogens, des derives
de silane substitues par
des halogens et autres.
En outre, on peut egalement incorporer des composes de silicon gazeux
ou gazeifiables contenant des atomes d'halogen, qui comprennent des
atomes de silicon (silicon) et des atomes d'halogen (X) comme elements
constitutifs, en tant que matieres efficaces a utiliser
dans la presente invention.
Dans la presente invention, la quantite d'ato-
mes d'hydrogen (H) ou d'atomes d'halogen (X) ou la somme (H + X) des
atomes d'hydrogen (H) et des atomes d'halogen (X) devant etre contenus
dans la couche de
redressement ou dans la couche amorphe est, en pourcen-
tage atomique, avantageusement comprise entre 1 et 40,
et de preference entre, 5 et 30 Pour determiner la quan-
tite d'atomes d'hydrogen (H) et/ou d'atomes d'halogen (X) devant etre
contenus dans la couche de redressement
25213 1 6
ou dans la couche amorphe, par exemple, la temperature du support, la
quantite de matiere de depart a utiliser pour l'introduction d'atomes
d'hydrogen (H) ou d'atomes d'halogen (X), la puissance de decharge et
d'autres parametres peuvent etre determines.
Dans la presente invention, comme gaz de dilu-
tion a utiliser pour la formation de la couche amorphe par le procede
a decharge d'effluves, ou comme gaz a utiliser lors d'une
pulverisation pendant la formation des couches par le procede de
pulverisation, on peut citer
des gaz dits rares tels que He, Ne, Ar et autres.
Dans la presente invention, la couche amorphe peut avoir une epaisseur
qui peut etre convenablement determinee selon les caracteristiques
demandees pour l'element photoconducteur prepare, mais cette epaisseur
est avantageusement comprise dans la plage s'etendant generalement de
1 a 100 i, avantageusement de l a 801 i et
de preference de 2 a 50 a.
Dans la presente invention, lorsque les atomes du groupe V doivent
etre incorpores dans la couche de redressement, il est souhaitable que
la caracteristique de conduction de cette couche soit etablie
librement
par l'incorporation d'une substance, determinant la carac-
teristique de conduction, differente des atomes du
groupe V presents dans la couche amorphe.
On peut avantageusement mentionner, pour cette substance, des matieres
appelees impuretes dans le domaine des semi-conducteurs, de preference
des impuretes du type p pour conferer une caracteristique de
conduction du type p au a-silicon(H,X) constituant la couche amorphe a
former dans la presente invention, les atomes appartenant generalement
au groupe III precite du Tableau Periodique (des atomes du
groupe III).
Dans la presente invention, la teneur de la substance determinant la
caracteristique de conduction dans la couche amorphe peut etre choisie
avantageusement
en fonction des relations organiques avec la caracteris-
tic de conduction demandee pour la couche amorphe, des
caracteristiques d'autres couches devant etre en contact direct avec
la couche amorphe, de la caracteristique de l'interface de contact
avec lesdites autres couches, etc.
Dans la presente invention, la teneur en subs-
tance determinant la caracteristique de conduction dans la couche
amorphe est souhaitee comme ayant une valeur comprise globalement
entre 0,001 et 1000 ppm atomiques, avantageusement entre 0,05 et 500
ppm atomiqueset de
preference entre 0,1 et 200 ppm atomiques.
Le support a utiliser dans la presente invention peut etre
electroconducteur ou isolant Comme support electroconducteur, on peut
mentionner des metals tels que Ni Cr, de l'acier inoxydable, Al, Cr,
Mo, Au, Nb, Ta, V,
Ti, Pt,,Pd etc ou des alliages de ces metals.
Comme supports isolants, on peut utiliser clas-
siquement des pellicules ou des feuilles de resines syn-
thetiques comprenant des polyesters, du polyethylene, des
polycarbonates, de l'cellulose acetate, du polypropy-
lene, du polyvinyl chloride, du chlorure de polyvinchloride-
lidene,du polystyrehe,des polyamides, etc, des verres,
des ceramiques, des papiers et ainsi de suite Ces sup-
ports isolants peuvent avoir avantageusement au moins une surface
soumise a un traitement electroconducteur et il est souhaitable
d'appliquer d'autres couches sur la
face ayant ete soumise a ce traitement.
Par exemple, un traitement electrocohducteur d'un verre peut etre
effectue par l'application d'une mince pellicule de Ni Cr, Al, Cr, Mo,
Au, Ir, Nb, Ta, V,
Ti, Pt, Pd, In 203, Sn O 2, ITO (In 203 + Sn O 2) sur ce verre.
En variante, une pellicule de resine synthetique telle qu'une
pellicule de polyester peut avoir sa surface soumise a un traitement
electroconducteur par deposition sous vide en phase vapeur, deposition
par faisceau d'electrons ou pulverisation d'un metal tel que Ni Cr,
Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, etc, ou bien
par un traitement de stratification a l'aide
dudit metal, rendant ainsi la surface electroconductrice.
Le support peut etre configure dans toute forme telle que la forme
d'un cylindre, d'une courroie, d'une plaque
ou autre, et sa forme peut etre determinee comme souhaite.
Par exemple, lorsque l'element photoconducteur 100 repre-
sente sur la figure 1 doit etre utilise comme element de formation
d'image pour electrophotographie, il peut avantageusement etre mise
sous la forme d'une courroie sans fin ou d'un cylindre a utiliser dans
une reproduction
continue a grande vitesse Le support peut avoir une epais-
seur qui est commodement determinee de maniere qu'un ele-
ment photoconducteur tel que souhaite puisse etre forme.
Lorsque l'element photoconducteur doit avoir une certaine flexibilite,
le support est realise de maniere a etre aussi mince que possible,
dans la mesure o la fonction de support peut etre assuree Cependant,
dans ce cas, l'epaisseur est generalement de 10 v ou plus compte tenu
des imperatifs de fabrication et de manipulation du sup-
port, ainsi que de sa resistance mecanique.
La figure 2 represente une deuxieme forme pre-
feree de realisation de l'element photoconducteur selon l'invention.
L'element photoconducteur 200 represente sur la
figure 2 differe de l'element photoconducteur 100 repre-
sente sur la figure 1 par le fait qu'il comporte une cou-
che d'interface superieure 204 situee entre la couche 203
de redressement et la couche amorphe 205 qui est, photo-
conductrice. Autrement dit, l'element photoconducteur 200 comporte un
support 201 et, appliquees les unes a la
suite des autres sur ce support 201, une couche d'inter-
face inferieure 202, une couche de redressement 203, une couche
d'interface superieure 204,et une couche amorphe 205
presentant-une surface libre 206.
La couche d'interface superieure 204 a pour fonction-de renforcer
l'adherence entre la couche de redressement 203 et la couche amorphe
205, rendant ainsi uniforme le contact electrique a l'interface des
deux couches tout en donnant simultanement une certaine durete
a la couche de redressement 203 en etant appliquee direc-
tement sur cette couche de redressement 203.
La couche d'interface inferieure 202 et la cou-
che d'interface superieure 204 constituant l'element photoconducteur
200 tel que montre sur la figure 2 sont formees de la meme matiere
amorphe que celle utilisee dans le cas de la couche d'interface 102
entrant dans la constitution de l'element photoconducteur 100 montre
sur la figure 1, et ces couches peuvent etre formees par le meme
procede de preparation et dans les memes conditions, afin que des
caracteristiques similaires puissent leur etre conferees La couche 203
de redressement et la couche amorphe 205 possedent egalement les memes
caracteristiques
et assument les memes fonctions que la couche de redres-
sement 103 et la couche amorphe 104, respectivement, et
elles peuvent etre formees par le meme procede de prepa-
ration de couche et dans les memes conditions que dans
le cas de la figure 1.
La figure 3 represente schematiquement la cons-
titution stratifiee d'une troisieme forme de realisation
de l'element photoconducteur selon l'invention.
L'element photoconducteur 300 represente sur la
figure 3 possede la meme constitution en couches que l'ele-
ment photoconducteur 100 represente sur la figure 1, sauf qu'il
comporte une seconde couche amorphe (II) 305 appliquee
sur une premiere couche amorphe (I) 304 qui est identi-
que a la couche amorphe 104 montree sur la figure 1.
Autrement dit, l'element photoconducteur 300 tel que represente sur la
figure 3 comporte une couche
d'interface 302, une couche de redressement 303, une pre-
miere couche amorphe (I) 304 qui est photoconductrice et une seconde
couche amorphe (II) 305 qui comprend une matiere amorphe comportant
des atomes de silicon et des atomes de carbon avec, facultativement,
au moins l'un des atomes d'hydrogen et des atomes d'halogen, comme
atomes constitutifs {cette matiere etant designee ci-apres "a-silicon
C(H,X)}I, ces couches etant appliquees sur un support 301 destine a
l'element photoconducteur et la seconde couche amorphe (II) 305
presentant une surface
libre 306.
La seconde couche amorphe (II) 305 est destinee principalement a
l'obtention des objectifs de la presente invention en ce qui concerne
la resistance a l'humidite, les caracteristiques presentees lors d'une
utilisation
continue repetee, la rigidite dielectrique, les caracte-
ristiques envers le milieu ambiant d'utilisation et la longevite. Dans
l'element photoconducteur 300 represente sur la figure 3, etant donne
que chacune des matieres amorphes formant la premiere couche amorphe
(I) 302 et
la seconde couche amorphe (II) 305 possedent, comme cons-
tituant commun, l'atome de silicon, ceci assure suffisam-
ment les stabilites chimique et electrique a l'interface
des couches.
Comme a-silicon C(H,X) constituant la seconde couche amorphe (II), on
peut mentionner une matiere amorphe constituee d'atomes de silicon et
d'atomes de carbon (a-silicon Ca, o 0 &#x003C; a &#x003C; 1), une
matiere amorphe constituee d'atomes de silicon, d'atomes de carbon et
d'atomes d'hydrogen {a-(Sib Clb)c Hlc, o O &#x003C; a, b &#x003C; 1}
et une matiere amorphe constituee d'atomes de silicon, d'atomes de
carbon, d'atomes d'halogen et, si cela est souhaite, d'atomes
d'hydrogen {a-(Sid C 1 d)e(XH) 1-e' o
0 &#x003C;-d, e
chambre 501 de reaction.
Le procede de preparation d'un element photocon-
ducteur par la mise en oeuvre d'un appareil de deposition sous vide
tel que montre sur la figure 6 sera a present decrit L'appareil de
preparation represente sur la figure 6 constitue un exemple d'appareil
dans lequel le procede de decomposition par decharge d'effluves et le
procede de pulverisation peuvent etre convenablement
choisis suivant les couches a former.
Des bouteilles 611 a 615 contiennent hermetique-
ment des gaz de depart pour la formation des couches res-
pectives de la presente invention Par exemple, la bou-
teille 611 est remplie de silicon H 4/He gazeux; la bouteille 612 est
remplie de B 2 H 6/He gazeux; la bouteille 613 est remplie de silicon
F 4/He; la bouteille 614 est remplie de NH 3
gazeux et la bouteille 615 est remplie d'Ar gazeux, res-
pectivement Les types de gaz remplissant ces bouteilles peuvent
evidemment etre modifies suivant les types de
couches a former.
Pour permettre a ces gaz de penetrer dans la chambre 601 de reaction,
une fois confirmee la fermeture des valves 631-635 des bouteilles de
gaz 611615 et de
la valve d'echappement 606, et une fois confirmee l'ou-
verture des valves d'entree 621-625, des valves de sortie 626-630 et
de la valve auxiliaire 641, on ouvre d'abord
la valve principale 610 pour faire le vide dans la cham-
bre 601 de reaction et dans les conduites de gaz Ensuite, lorsque la
valeur affichee par l'indicateur 642 de vide devient egale a environ
666, 6 x 10 6 Pa, on ferme la valve auxiliaire 641 et les valves de
sortie 626 a 630 Puis on manoeuvre comme prevu les valves des
conduites de gaz
reliees aux bouteilles de gaz a introduire dans la cham-
bre de reaction afin d'introduire les gaz souhaites dans
la chambre 601 de reaction.
Un exemple du procede de preparation d'un ele-
ment photoconducteur ayant la constitution telle que
montree sur la figure 3 sera brievement decrit ci-dessous.
IA On permet l'introduction, dans les regulateurs 616 et 619 de debits
massiques, respectivement, du gaz
silicon H 4/He provenant de la bouteille 611 et du gaz NH 3 pro-
venant de la bouteille 614, en ouvrant les valves 631 et 639 pour
etablir a 100 k Pa les pressions affichees par
les manometres 636 et 639 de pression de sortie, respec-
tivement, et on ouvre ensuite progressivement les valves
d'entree 621 et 624, respectivement Puis on ouvre pro-
gressivement les valves de sortie 626 et 629 et la valve
auxiliaire 641 pour permettre aux gaz respectifs de pene-
trer dans la chambre 601 de reaction Au cours de cette operation, on
commande l'ouverture des valves de sortie
626 et 629 de maniere que le rapport des debits d'ecoule-
ment des gaz silicon H 4/He et NH 3 puisse atteindre une valeur
souhaitee et on commande egalement l'ouverture de la valve principale
610 tout en surveillant la valeur affichee par l'indicateur de vide
642 afin que la pression puisse atteindre une valeur souhaitee dans la
chambre 601 de reaction. Apres confirmation de l'etablissement de la
temperature du support 609 a une valeur comprise entre, et 400 VC par
l'element chauffant 608, on regle la source 643 d'alimentation a une
puissance souhaitee pour declencher une decharge d'effluves dans la
chambre 601 de
reaction, et cette decharge d'effluves est maintenue pen-
dant une periode de temps souhaitee afin de-preparer sur le support
une couche d'interface ayant une epaisseur souhaitee. La preparation
d'une couche de redressement sur une couche d'interface peut etre
effectuee conformement
au procede decrit ci-dessous a titre d'exemple.
Apres l'achevement de la formation d'une cou-
che d'interface, la source 643 d'alimentation est arre-
tee pour interrompre la decharge, et les valves de l'en-
semble de l'appareil, montees sur les conduites d'intro-
duction de gaz dans l'appareil, sont fermees une fois afin que les gaz
restant dans la chambre 601 de reaction soient decharges de cette
derniere et qu'un degre de
vide predetermine soit ainsi etabli dans la chambre.
Puis on ouvre les valves 631 et 632 permettant l'ecoulement du gaz
silicon H 4/He de la bouteille 611 et du gaz B 2 H 6/He de la
bouteille 612, respectivement, afin de
regler a 100 k Pa les pressions affichees par les manome-
tres de sortie 631 et 632, et on ouvre ensuite progres-
sivement les valves d'entree 621 et 622, respectivement, pour
permettre aux gaz de penetrer dans les regulateurs 616 et 617 de
debits massiques, respectivement Ensuite, en ouvrant progressivement
les valves de sortie 626 et
627 et la valve auxiliaire 641, on permet aux gaz respec-
tifs de penetrer dans la chambre 601 de reaction On regle ainsi les
valves de sortie 626 et 627 afin de donner une valeur souhaitee au
rapport des debits d'ecoulement
des gaz silicon H 4/He et B 2 H 6/He, et on regle egalement l'ouver-
ture de la valve principale 610 tout en surveillant la valeur affichee
par l'indicateur de vide 642 afin que la
pression regnant dans la chambre de reaction puisse attein-
dre une valeur souhaitee Apres confirmation de l'etablis-
sement de la temperature du support 609 a une valeur com-
prise entre 50 et 4000 C au moyen de l'element chauffant 608, on regle
la puissance de la source 643 d'alimentation a une valeur souhaitee
afin de declencher une decharge d'effluves dans la chambre 601 de
reaction, laquelle decharge d'effluves est maintenue pendant une
periode de temps predeterminee afin de former une couche de
redressement ayant une epaisseur souhaitee sur une couche d'interface.
La formation d'une premiere couche amorphe ( 1) peut etre effectuee
par l'utilisation, par exemple, du gaz silicon H 4/He remplissant la
bouteille 611, en suivant le meme procede que celui decrit dans le cas
de la couche
d'interface precitee ou de la couche de redressement.
Comme especes gazeuses de depart a utiliser pour la formation d'une
premiere couche amorphe (I), autres que le gaz silicon H 4/He, on peut
utiliser notamment et
2 2521316
efficacement du gaz silicon 2 H 6/He pour accroitre la vitesse
de formation de la couche.
La formation d'une seconde couche amorphe (II) sur une premiere couche
amorphe (I) peut etre effectuee, par exemple, par le procede suivant
Tout d'abord, on ouvre l'obturateur 605 Toutes les valves
d'alimentation en gaz sont fermees une fois et le vide est fait dans
la chambre 601 de reaction par ouverture totale de la valve
principale 610.
On a place precedemment, sur l'electrode 602 a laquelle une haute
tension doit etre appliquee, des cibles comprenant une tranche 604-1
de silicon a haute purete et
une tranche 604-2 de graphite a haute purete dont le rap-
port des surfaces est d'une valeur souhaitee De l'argon gazeux
provenant de la bouteille 615 est introduit dans la chambre 601 de
reaction et la valve principale 610 est reglee afin que la pression
interieure dans la chambre 601 de reaction
puisse atteindre une valeur comprise entre 6,65 et 133 Pa.
La source d'alimentation a haute tension est mise en mar-
che et les cibles sont soumises a une pulverisation simultanee, de
maniere qu'une seconde couche amorphe (II)
puisse etre formee sur une premiere couche amorphe ( 1).
Dans le cas o des atomes d'halogen (X) doi-
vent etre incorpores dans la couche d'interface, la couche de
redressement ou la premiere couche amorphe (I), les gaz utilises pour
la formation des couches respectives recoivent d'abord, par addition,
par exemple, du silicon F 4/He
et sont introduits dans la chambre 601 de reaction.
Exemple 1
A l'aide de l'appareil de preparation represente sur la figure 6, on
forme les unes a la suite des autres des couches respectives sur un
substrat d'aluminium dans les conditions suivantes, en utilisant une
tranche de sili-
cium a haute purete pour former la couche d'interface.
TABLEAU i
Conditions 'Pressi on issarnoe Procede de Debit Rapport des interieu
de de Epaisseur ordr formation Gaz utilises d'ecoule debits d'ecou re
de la charge de de for de couche moent lemoent chaxrbre (w/cm 2
?)couche
iration d (cm' /S) de reac-
couches tion (Pa) i Pulveri N 2 N 50 N t Ar-1: 13,3 0,30 50,0 rnm
(couche sation Ar d'interface) 2 silicon H /He= 1 silicon H 200
silicon B H 40 0,18 600,0 mn 4 4 O i 4 2 6 (couche de effluves B
/elo-2 -sxo redressement) B 2 H 6/H=x Om:x 3 silicon H /He= 31 silicon
H 4 = 200 40 '01 15 Pmn (couche effluves amorpheq L' temperature du
substrat d'aluminium:250 'C frequence de decharge 1,5 Mz: 13,56 fflz
rlo Ui r%.) ui __I, CN
L'element de formation d'image pour electrophoto-
graphie ainsi obtenu est place dans un appareil de copie, soumis a une
charge d'effluves-a O 5 k V pendant 0,2 seconde et expose a une image
lumineuse Comme source de lumiere, on utilise une lampe a filament de
tungsten a une dose de 1,0 lux seconde L'image latente est developpee
a l'aide d'un revelateur charge negativement (contenant un "toner"
et un support) et elle est transferee sur du papier uni.
La presence de tout defaut d'image (par exemple une zone blanche dans
la partie noire de l'image) est recherchee, mais on ne note aucun de
ces defauts et la qualite de
l'image s'avere tres bonne Le "toner" restant sur l'ele-
ment de formation d'image et n'ayant pas ete transfere est elimine par
nettoyage a l'aide d'une lame de caoutchouc
avant que le cycle de reproduction suivant soit commence.
Cette operation de reproduction est repetee 100 000 fois ou plus, et
il n'apparait aucun defaut d'image ni aucun
pelage de couches.
Exemple 2
Des elements de formation d'image pour electro-
photographie sont prepares en suivant en totalite le meme procede que
dans l'exemple 1, sauf que l'on fait varier
la teneur en atomes d'nitrogen par rapport aux atomes de sili-
cium dans la couche d'interface en modifiant le rapport de la surface
de la tranche de silicon a la surface de la tranche de silicon 3 N 4
des cibles de pulverisation et on procede a une evaluation analogue a
celle decrite dans l'exemple 1 Les
resultats obtenus sont donnes ci-dessous.
asnanloe-zgp 4 Ua UB-rqbU Dq '4 oe T-le D Xa4 ualla"e U Dq U Dq 9S Tle
Ob Uladuo Tivn Tv Ag -91 (enb Tulo 4 t, 01 S ot, LE oz OT T t 01 X 9
%) ewze 3 e 1 ua Tnatmi NO n V- ru Li w z rivari Ervi
Exemple 3
Des elements de formation d'image pour electro-
photographie sont prepares en suivant en totalite le meme procede que
dansl'exemple 1, sauf que l'on fait varier l'epaisseur de la couche
d'interface, et on procede a une evaluation analogue a celle decrite
dans l'exemple 1 On
obtient alors les resultats donnes ci-dessous.
TABLEAU 3
Exemple 4
Des elements de formation d'image pour electro-
photographie sont prepares en suivant en totalite le meme procede que
dans l'exemple 1, sauf que l'on fait varier l'epaisseur de la couche
de redressement et la teneur en
boron de la maniere suivante Tous les resultats sont bons.
TABLEAU 4
Exemple 5
A l'aide de l'appareil de preparation represente
sur la figure 6, on forme des couches sur un substrat d'alu-
minium dans les conditions suivantes.
la Ci 1,0 nm 3,0On 40,0 nm 2 im 5 m la ouxzhe
Evaluation Pelage bcn excellent bcn image le 16-
aise gerement _ _ defectueuse N O d'echantil 41 42 A¦ 43 A¦ 44 45 46
47 lmn Teur en boron 5 atnibore) lx 105 5000 3500 1500 800 500 100
(pp:m atoique) Eoaisseur (hm) 0,3 O,8 0,5 i 0,9 1,5 5 l I I I
TABLEAU 5
ConditionsProcede de Debt ressionPisn Eas formation Gaz utilisesd'1
ecouleRapport desi terieuduisde-cseurs Orc Jrede couche moent debits
d'eccure de lacdeareedeu
Ination dede reac-
couches_________ tian (Pa)'____ &#x003C;couche pulverisaN N 250 N 2:
Ar = 21 13, 3 0,30 50,0 -mi d'interface)tion Ar &#x003C;couche
deeffluves silicon H 4/He=l silicon E 4 = 200Si H 4 *B 2 H4 pa u
redressexnent) 4 -200,813 a
B 2 H 6/He=lx 102 = 1:1 x 10-
(couche pulveri N 2 N 2 mO N 2Ar 2 1 3,030 O m d'interface)sation Ar
(couche effluvesSi H 4/He = silicon H 4 = 200 40 0, 18 15 pum amo
Drphe) Ln ru toi Pa L 4 CN
L'element de formation d'image pour electrophoto-
graphie ainsi obtenu est evalue comme decrit dans l'exemple
* 1 et les resultats obtenus sont tres bons.
Exemple 6
Des operations de formation d'image sont conduites de la meme maniere
que celles decrites dans l'exemple 1 a l'aide de l'appareil represente
sur la figure 6, sauf que
les conditions suivantes sont utilisees.
TABLEAU 6
on itios Pusac
Debit d'ecaue Rapport des debits de de Epai S-
Ordre Gaz utilises lemoent d 'eoeulement charge seur de de forna (am
3/S) (w/an 2)couche ticn decoh i silicon H 4/He-1 silicon H 4 = 100Si
H 4:silicon F 4:N Hbm 1:1:20,18 '40,0 rnm (couche d in silicon H 1
terface) silicon 4/H
NH 3 _ _ _ _ _ _
2 silicon H 4/He=l silicon H 4 = 100Si H 4:silicon F 4:B 2 H 60,18 1
Pmn &#x003C;couche de SF 4/el-::xo redressement)silicon F 4/Hemlxl211
x O 3 silicon H /He-1 silicon H = 100 silicon H 4:i F 1: 018 15 pm
(couche silicon H= amorp e) 4 ___ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ -J
ri Un M) (A 0 %
L'element de formation d'image pour electrophoto-
graphie ainsi obtenu est evalue comme decrit dans l'exemple
1 et les resultats obtenus sont tres bons.
Exemple 7
A l'aide de l'appareil de preparation represente
sur la figure 6, on forme des couches sur un substrat d'alu-
minium, dans les conditions suivantes.
TAB LE AU 7
Cniions Puissance Orde d Gaz utilises Debit d' ecou de de Epaisseui
fotion lement charge de de couches (an V/s) &#x003C;W/Cii 2) couche
Rapport de surfaces (couche Ar 200 tranches silicon:silicon 3 N 4 0,3
50,0 nm d'interface) = 2: 1 Rapport des debits d 'ecouilement silicon
H /He=l silicon H = 200 SH B H 18 400 n (couche de 454 H 4 2 6 01 0,
lf redressement) B H/Helxl O-2 = 1 4 x 1103 3 silicon H 4/He= 1
silicon H 4 = 200 1 5 iu &#x003C;couche amorph-e
( 1)) _ _ __ _ _ _ __ _ _ _ _ _ _ _ _ _
Rapport de surfaces 4 Ar 200 tranches silicon:graphite 0,3 05 u
(couche amtorphe
(IM) 1,5:8,5
Mi, LJ
252 13 16
Temperature du substrat d'Al 2500 C Frequence de decharge 13,56 M Hz
Pression interieure de la chambre de reaction couche d'interface: 26,5
Pa
couche de redres-
sement: 40 Pa couche amorphe {I: 40 Pa couche amorphe (II): 26,5 Pa
L'element de formation d'image ainsi obtenu est place dans un appareil
de charge-exposition-developpement, soumis a une charge d'effluves a G
5 k V pendant 0,2 seconde,
suivie immediatement d'une exposition a une image lumineuse.
Comme source de lumiere, on utilise une lampe a filament de.tungsten
et l'exposition est effectuee a 1,0 lux seconde
a l'aide d'une mire d'essai du type transparent.
Immediatement apres, un revelateur charge negati-
vement (contenant un "toner" et un support) est applique en cascade
sur l'element de formation d'image et on obtient
une bonne image developpee sur cette surface.
L'image developpee ainsi obtenue est soumise une fois a une operation
de nettoyage a l'aide d'une lame de caoutchouc et les etapes
precedentes de formation et de nettoyage de l'image sont repetees On
n'observe aucune deterioration de l'image, meme apres repetition 150
000
fois ou plus des operations.
Exemple 8
A l'aide de l'appareil de preparation represente sur la figure 6, on
forme des couches sur un substrat d'aluminium dans les conditions
suivantes:
TABLEAU 8
Con it Ons rebit Puissance Epais-
Ordre Gaz utilises d'ecoule die de seur de defor de nient (cm" /s)
charge couche tc es co _ _ _ _ _ _ _(W/cm 2 _ _ Rapport de surfaces 1
tranches Ar Rapport de surfaces
tranches silicon:graphite.
= 0,5: 9,5
0,3 0,13 pm
__________________ U A A
J, VI, Les autres conditions sont identiques a celles
indiquees dans l'exemple 7.
L'element de formation d'image ainsi obtenu est place dans un appareil
de charge-exposition-ddveloppement, soumis a une charge d'effluves a G
5 k V pendant 0,2 seconde,
suivie immediatement d'une exposition a une image lumineuse.
Comme source de lumiere, on utilise une lampe a filament de tungsten
et l'exposition est effectuee a 1,0 lux seconde
a l'aide d'une mire d'essai du type transparent.
Immediatement apres, un revelateur charge negati-
vement (contenant un "toner" et un support) est applique en cascade
sur la surface de l'element de formation d'image et on obtient ainsi
une bonne image developpee sur cette surface. L'image developpee ainsi
obtenue est soumise une fois a une operation de nettoyage a l'aide
d'une lame de caoutchouc et les etapes precedentes de formation et de
nettoyage de l'image sont repetees On n'observe aucune deterioration
de l'image, meme apres repetition 100 000
fois ou plus des operations.
Exemple 9
A l'aide de l'appareil de preparation represente sur la figure 6, on
forme des couches sur un substrat
d'aluminium dans les conditions suivantes.
r 1
TABLEAU 9
Conditio Puissnc pas Ord re Gaz utilises-1 'ecoule Cie de seur de de
fora itent (cin'/s) charge couche tiorn de couoh 0 l Les autres
conditions sont identiques a celles
indiquees dans l'exemple 7.
L'element de formation d'image ainsi obtenu est place dans un appareil
de charge-exposition-developpement, soumis a une charge d'effluves a 5
k V pendant 0,2 seconde,
suivie immediatement d'une exposition a une image lumineuse.
Comme source de lumiere, on utilise une lampe a filament de tungsten
et l'exposition est effectuee a 1,0 lux seconde
a l'aide d'une mire d'essai du type transparent.
Immediatement apres, un revelateur charge negati-
vement (contenant un "toner" et un support) est applique en cascade
sur la surface de l'element de formation d'image, et on obtient sur
cette surface une bonne image developpee,
avec une densite tres elevee.
L'image developpee ainsi obtenue est soumise une fois a une operation
de nettoyage a l'aide d'une lame de caoutchouc et les etapes
precedentes de formation et de nettoyage de l'image sont repetees On
n'observe aucune deterioration de l'image, meme apres repetition 150
000 fois
ou plus des operations.
Exemple 10
Des elements de formation d'image sont prepares en suivant en totalite
le meme procede que celui decrit dans l'exemple 7, sauf que l'on fait
varier le rapport de la teneur en atomes de silicon a la teneur en
atomes de carbon dans la seconde couche amorphe (Il) en faisant varier
le rapport des surfaces de la tranche de silicon a la tranche de
graphite pendant la formation de la couche
amorphe (II) On procede a des evaluations sur les ele-
ments de formation d'image ainsi obtenus, apres repetition
000 fois des etapes de formation de l'image, de develop-
pement et de nettoyage, et on obtient alors les resultats
donnes dans le tableau 10.
TABLEAU 10
silicon:C cible I (raport9: 1 6,5:3,5 4:6 2:8 1:9 0,5:0,2:9,8 de sur
9,5 faces) silicon:C i I (rapport des 9,7:0,38,8:1,27,3:2,7 4 y 8:5,2
3:72:80,8:9,2 teneurs) _ Evaluaticr
de la qua-
litede A o o x l'image: tres bon o: bcn A: satisfaisant en pratique x:
image legerement defectueuse
Exemple 11
Des elements de formation d'image sont prepares en suivant en totalite
le meme procede que celui decrit dans l'exemple 7, sauf que l'on fait
varier l'epaisseur
de la couche amorphe (II) On obtient les resultats sui-
vants en repetant les operations de formation, de developpe-
ment et de nettoyage de l'image decrites dans l'exemple 7.
TABLEAU 11
Epaisseur de la Resultats couche amorphe (II) (gm) 0,001 Risque de
formation d'image defectueuse 0, 02 Aucune image defectueuse 0,02
apres 20 000 repetitions
0,05 Stable apres 50 000 repeti-
tions ou plus
Stable apres 200 000 repeti-
tions ou plus
Exemple 12
On prepare un element de formation d'image par le meme procede que
celui decrit dans l'exemple 7, sauf que l'on modifie les operations de
formation des couches autres que la couche amorphe (II), conformement
a ce qui est indique dans le tableau ci-dessous, et on procede a une
evaluation d'une facon analogue a celle decrite dans
l'exemple 7 On obtient de bons resultats.
TABLEAU 12
Conditions Debit Pussance Epais-
(rdrel Gaz uti 11 ises d'1 ecoule ecl seur de de fonwnient (c' S
charge couche tig ou &#x003C;/i 2 Raport de surfaces (couche Ar 200
tranches SiSi N 4 0, 3 50, O nim d'interface) = 2: 1 Rapport des
debits dl ecouloseoet &#x003C;cuhed silicon H /He=l silicon H = 200Si
H 4: B H 6 0,18 600,0 unx redressement) B 2 H 6 /He=lx 102 = I 6,0 x O
Rapport de surfaces (cuh Ar 200 tranches silicon: silicon 3 N 4, 00 d
'interface) = 2: 4 silicon H /He=l silicon H = 200 0,18 l Spum
&#x003C;couche amiorphe 44 1)) J' -J ui O,&
Exemple 13
On prepare un element de formation d'image en suivant le meme procede
que dans l'exemple 7, sauf que l'on modifie les operations de
formation des couches autres que la couche amorphe (II), conformement
a ce qui est indi-
que dans le tableau ci-dessous,, et on procede a une eva-
luation de la meme maniere que celle decrite dans l'exemple
7 Les resultats obtenus sont bons.
TABLEAU 13
Ordre Debit Puissance Epais-
de forma Gaz utilises d'ecoule charge' couche tion de cu mnt (ain 3/s)
silicon F 4 /He=l i: i B 2 H 6/He= 1 x 102 RapaitaduiadeEits 3 silicon
H 4/He=l silicon H 4100 silicon: silicon F 4 i: i 0,18 15 Pm (couche
amorhe silicon F/e
( 1))4 H=
L-n r%) Ln rla (A 0 %
EXEMPLE 14
A l'aide de l'appareil de preparation represente sur la figure 6, en
forme des couches sur un substrat
d'aluminium, dans les conditions suivantes.
TABLEAU 14
Cnditons Debit Puissance Epaisseur de fonna Gaz utilises d(coleen ded
d couche tion de CI /)charge couches__ _ _ _ _ __ _ _ _ _ _ _ _ _ _ (W
c) Rapport de surfaces &#x003C;couche Ar 200 tranches silicon silicon
AN 0,3 50,0 Mrn d'interface) = 2:1 (coiche de H 4/H ' silicon H 4 =
200Si H:B H 6 0,18 400,0 anm redresserenit B H/He=lxl O -2 = 1: 4 x
1103 (couche anrmrpe silicon H 4/He=l silicon H 4 = 200 0,18 15 Um ))
Rapport des debits d'ecoulement &#x003C;couche amorphe silicon H 4/He=
0,15 silicon H 4 = 100Si H 4 C 2 H 4 = 3:7 0,18 O,5)Irn
C 2 H 4
a% ru Ul rj Ul_ a 0 %
TABLEAU 16
Cntions
Ordr Debi Puissance Epais-
de foxnia Gaz utilises &#x003C;'eoulmen de cle seur de tioe de cou
(C-Is)charge couche ches _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ __ _ _ _ _ _ _
_ _ __ (W /cm 2) _ _ _ _ Rapport de surfaces (couche Ar 200 tranches
silicon Sij N 4 0,3 50,0 rm d'interface) 2:1 Rapport des debits (c 2 h
de silicon H /He-1 silicon H 4 ='200Si H:B H 1:1 x 10-3 0,18 400,0 nru
redressement) B 2 H 6 /He=lx 10-2 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _____ _ _
(couche amorphe silicon H 4 /He=l silicon H 4 200 0 ',18 15 im 1))
Rapport des debits d' ecoulement (couche amorphe 'silicon H 4/He= 0,5
silicon H = 100 'silicon H:C H = 5: 5 0,18 1,5,Lu
C 2 H 4
a N. ru 0 % Les autres conditions sont identiques a celles
indiquees dans l'exemple 14.
L'element de formation d'image ainsi obtenu est place dans un appareil
de reproduction, soumis a une charge d'effluves a O 5 k V pendant 0,2
seconde, suivie d'une expo- sition a une image lumineuse Comme source
de lumiere, on utilise une lampe a filament de tungsten et
l'exposition est effectuee a 1,0 lux seconde L'image latente est
developpee a l'aide d'un revelateur charge negativement
(contenant un "toner" et un support) et-elle est trans-
feree sur un papier uni L'image transferee est bonne,
avec une densite tres elevee.
Le "toner" restant sur l'element de formation d'image pour
electrophotographie est elimine par nettoyage a l'aide d'une lame de
caoutchouc avant le commencement de l'operation suivante de
reproduction On n'observe aucune deterioration de l'image, meme apres
repetition
000 fois ou plus de ces operations.
Exemple 17
On prepare des elements de formation d'image en suivant en totalite le
procede decrit dans l'exemple 14, sauf que l'on fait varier le rapport
de la teneur en atomes de silicon a la teneur en atomes de carbon dans
la seconde couche amorphe (II) en faisant varier le rap-
port des debits d'ecoulement du gaz silicon H 4 au gaz C 2 H 4 pen-
dant la formation de la couche amorphe (II) On procede a des
evaluations de l'image produites sur l'element de formation d'image
pour electrophotographie ainsi obtenu, apres repetition 50 000 fois
des operations allant de la formation de l'image au transfert de
l'image, comme decrit dans l'exemple 14, et les resultats obtenus sont
donnes
dans le tableau 17.
Les autres conditions sont identiques a celles
indiquees dans l'exemple 14.
L'element de formation d'image ainsi obtenu est place dans un appareil
de reproduction, soumis a une charge d'effluves a 5 k V pendant 0,2
seconde, suivie d'une expo- sition a une image lumineuse Comme source
de lumiere, on utilise une lampe a filament de tungsten et
l'exposition
est effectuee a 1,0 lux seconde L'image latente est de-
veloppee a l'aide d'un revelateur charge negativement
(contenant un "toner" et un support) et elle est trans-
feree sur un papier uni On obtient une tres bonne image
transferee sur ce papier.
Le "toner" restant sur l'element de formation d'image pour
electrophotographie est elimine par nettoyage avec une lame de
caoutchouc avant que le cycle suivant
de reproduction soit commence On n'observe aucune dete-
rioration de l'image, meme apres repetition 100 000 fois
ou plus de ces operations.
Exemple 16
A l'aide de l'appareil de preparation represente sur la figure 6, on
forme des couches sur un substrat
d'aluninium, dans les conditions suivantes.
TABLEAU 15
NCnditons Debit}Puissanice Epais-
ordre Caz utilises d'ecoule de de seur de de f orna-z utliss mnt (an
3/s) charge ccouche tiai de cou (W /Cz 2) Rapport de surfaces 1.
&#x003C;couche Ar 200 tranches silicon silicon 3 N 4 0,3 200,0 nm
d'interface) 1 Rapport des debits d ecoulement (couche de silicon H
4/He=l silicon H 4 = 200 SH 4 82 =:2 l-3 O 8 40)n redressement) B
H/He=lxl-2 &#x003C;couche amrorphe silicon H 4/He=J silicon H 4 = 200
0,18 15 pim ( 1) Rapport des debits d' ecouleroent (couche amorphe
silicon /el SH 4 = 1 4 C 2 H 4 = 014:9,6 0,18 0,93 pmn
C 2 H 4
O.' J, Temperature du substrat d'Al 2500 C Frequence de decharge 13,56
M Hz Pression interieure de la chambre de reaction: couche
d'interface: 26, 5 Pa
couche de redres-
sement: 40 Pa couche amorphe (I): 40 Pa couche amorphe (Il): 26,5 Pa
L'element de formation d'image ainsi obtenu est place dans un appareil
de reproduction, soumis a une charge d'effluves AO 5 k V pendant 0,2
seconde, suivie d'une exposition a une image lumineuse Comme source de
lumiere, on utilise une lampe a filament de tungsten et l'exposition
est effectuee a 1,0 lux seconde L'image latente est developpee a
l'aide d'un revelateur charge negativement (contenant un "toner" et un
support) et elle est transferee sur un papier uni, et on obtient ainsi
une
tres bonne image transferee.
Le "toner" restant sur l'element de formation d'image pour
electrophotographie est elimine par nettoyage
a l'aide d'une lame de caoutchouc avant que le cycle sui-
vant de reproduction soit commence On n'observe aucune deterioration
de l'image, meme apres repetition 150 000 fois
ou plus de ces operations.
Exemple 15
A l'aide de l'appareil de preparation represente sur la figure 6, on
forme des couches sur un substrat
d'aluminium, dans les conditions suivantes.
2521316-
TABLEAU 17
silicon H i.
9:1 6:4 4:6 2:8 1:9 0,5:9,51035 0,3502:9,8
C 2 H 4:9,65
(rapport des debit 3
d 'ecoqie-
ment)__ __ I l si 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 13:72:8:, 0,8:9,2 des teneurs)
I, revalua tion de la quali o te de l'image Et: tres bon o: bon x:
image legerement defectueuse
Exemple 18
On procede a une formation de couches en suivant en totalite le meme
procede que decrit dans l'exemple 14, sauf que l'on fait varier
l'epaisseur de la couche amorphe (II) Les resultats de l'evaluation
sont donnes dans le
tableau ci-dessous.
TABLEAU 18
Epaisseur de la Resultats couche amorphe (II) (dm) 0001 Risque de
formation d'images 0, defectueuses Aucune image defectueuse au 0,02
cours de 20 000 repetitions des operations Aucune image defectueuse au
0,05 cours de 50 000 repetitions des operations
2 Stable pendant 200 000 repeti-
tions ou plus des operations
Exemple 19
On procede a une formation de couches en suivant le meme procede que
decrit dans l'exemple 14, sauf que l'on modifie les operations de
formation des couches autres que la couche amorphe (II), conformement
a ce qui est indi-
que dans le tableau ci-dessous, et on procede a une evalua-
tion Les resultats obtenus sont bons.
TABLEAU 19
Cdt ons -
Ordre d'cul-de de seur de de forma-az tilse rieent ch"s)darge ouche
tion de c xn(Q/)(W/QU 2) Rapprt de surfaces (couche Ar 200 tranches
silicon SI 3 N 0,3 40,0 rui d'interface) =: &#x003C;cuh de silicon H
/He-1 silicon H -100 silicon H 4Si F 4 B 2 H 6 0,18 i eni
redressenent) silicon F 4/He= 1 3 B 2 H 6/He=lx 102 Rarport des debits
d'ecoulement (couche axrorpheSi H 4/I Iee= silicon H 4 = 100Si HI
4:silicon F 4 = 1: J O j,18 15 ( 1)) silicon F 4/He-1 o' %.O
Exemple 20
On procede a une formation de couches en suivant
le meme procede que dans l'exemple 14, sauf que l'on modi-
fie les operations de formation des couches autres que la couche
amorphe (II), conformement a ce qui est indique
dans le tableau ci-dessous, et on procede a une evaluation.
Les resultats obtenus sont bons.
ions
D 6 bit Puissance Epais-
Gaz utilises diecoule de de seur de -rent dbarge couche ge (cm, /s)
tionh (W/C&) Rapp=t de surfaces 1 tranches silicon: silicon P 4
(couche Ar 200 OP 3 50,0 m d'interface) 2: 1 lRapmrt de mats C (couche
de silicon H 4,He-1 silicon H 4-200 silicon H 4 e B 2 H 6 OP 18 600,0
M redressement) 2 -116 OX 10-3 B 2 H 6/He- lxlo y Rappcrt des Cl Ab
Its (couche amorphe Ar 200 0,3 10,0 rm
M) 2
4 silicon H /He-1 silicon H -200 0118 15 ju m (couche amorphe 4 4 (II"
TABLEAU 20
-J F_ rla t A ra -.3. LY a
Exemple 21
A l'aide de l'appareil de preparation represente sur la figure 6, on
forme des couches sur un substrat
d'aluminium, dans les conditions suivantes.
TABLEAU 21
Codtions couches Gaz utilises r T T T Debit d'1 ecoulement (cm 3 /S)
Puissance
de de-
charge (W/Cw 2)
Epais-
seur de icouches Rapport de-surfaces (couche Ar 200 tranches silicon
silicon 3 N 4 0,3 50,0 nm d'interface) = 2: Rapport des debits d'
ecoulemrent
2 -3
silicon F 4/He= 0,5 = 150 = 1,5 1, 15:7 CHE
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 24 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
-J w r Il) Vi r 1 j -.a. L 4 0 % Temperature du substrat d'Al 250 'C
Frequence de decharge 13,56 M Hz Pression interieure de la chambre de
reaction couche d'interface 26,5 Pa
couche de redres-
sement 40 Pa couche amorphe (I) 40 Pa couche amorphe
(II} 66,5 Pa.
L'element de formation d'image ainsi obtenu est place dans un appareil
de charge-exposition-developpement, soumis a une charge d'effluves a
05 k V pendant 0,2 seconde,
suivie immediatement d'une exposition a une image lumineuse.
Comme source de lumiere, on utilise une lampe a filament de tungsten
et l'exposition est effectuee a 1,0 lux seconde
a l'aide d'une mire d'essai du type transparent.
Immediatement apres, un revelateur charge negati-
vement (contenant un "ton 2 r" et un support) est applique en cascade
sur la surface de __nent de formation d'image
et on obtient sur cette surface une bonne image developpee.
L'image developpee ainsi obtenue est soumise une fois a une operation
de nettoyage a l'aide d'une lame de caoutchouc et les etapes
precedentes de formation et de nettoyage de l'image sont repetees On
n'observe aucune deterioration de l'image, meme apres repetition 150
000
fois ou plus des operations.
Exemple 22
A l'aide de l'appareil de preparation represente sur la figure 6, on
forme des couches sur un substrat
d'aluminium, dans les conditions suivantes.
TABLEAU 22
Con itons Dbt Puissance Mpais-
d'bi oc 1 eetde cle seur de de f oamiaGaz utilises ('ecolemen charge
couche ticn de (a'/)(W/an 2) Rapport dle surfaces (couche Ar 200 trnhs
Sp:53403 200,0 i d' interface) 10: 1 Papport des dbt 2 -1 eolmt 3 4
4/H110 __ 2 ___ 6 (couche axorphceSi H 4/He-1 silicon H 4 " 200 0,18
15 &#x003E;Im 1)) Rapport des debits d'ecoulement ( 4 uh arceSi H
/He=O,5 silicon H +silicon F' silicon H:silicon F:CH 4 O,18 0,3 u
(II") silicon F 4 /He= 0, 5m 15 -093 Op 01 l9,p 6 -J Lni LM 0 % Les
autres conditions sont identiques a celles
indiquees dans l'exemple 21.
L'element de formation d'image ainsi obtenu est place dans un appareil
de charge-exposition-developpement, soumis a une charge d'effluves ad
05 k V pendant 0,2 seconde,
suivie immediatement d'une exposition a une image lumineuse.
Comme source de lumiere, on utilise une lampe a filament de tungsten
et l'exposition est effectuee a 1,0 lux seconde
a l'aide d'une mire d'essai du type transparent.
Immediatement apres, un revelateur charge negati-
vement (contenant un "toner" et un support) est applique en cascade
sur la surface de l'element de formation d'image
et on obtient une bonne image developpee sur cette surface.
L'image developpee ainsi obtenue est soumise une fois a une operation
de nettoyage a l'aide d'une lame de caoutchouc et les operations
precedentes de formation et de nettoyage de l'image sont repetees On
n'observe aucune deterioration de l'image, meme apres repetition 100
000 fois
ou plus des operations.
Exemple 23
A l'aide de l'appareil de preparation represente
sur la figure 6, on forme des couches sur un substrat d'alu-
minium, dans les conditions suivantes.
TABL water 23
* Debit PuissanceEpaisseur Ordre Gzuiie d'ecoule de decharge de couche
de foramailies ment (cm 3/s) WC 2 tode cou___ Rapport de surfaces
(couche Ar 200 tranches SiSi 3 N 40,3 50,0 nm d'interface) = 2:1 pt
?es debits 2 'Pdp'e'c Qulemnft est applique en cascade sur la surface
de l'element de formation d'image et on obtient sur cette surface une
bonne image developpee,
d'une densite tres elevee.
L'image developpee ainsi obtenue est soumise une fois a une operation
de nettoyage a l'aide d'une lame de caoutchouc et les operations
precedentes de formation et de nettoyage de l'image sont repetees On
n'observe aucune deterioration de l'image, meme apres repetition 150
000 fois
ou plus des operations.
Exemple 24
On prepare des elements de formation d'image en suivant en totalite le
procede decrit dans l'exemple 21, sauf que l'on fait varier le rapport
de la teneur en atomes de silicon a la teneur en atomes de carbon dans
le seconde couche amorphe (II) en faisant varier les rapports des
debits d'ecoulement des gaz silicon H 4:silicon F 4:C 2 H 4 pendant la
for-
mation de la couche amorphe (II) On procede a des evalua-
tions de l'image sur les elements de formation d'image ainsi obtenus,
apres repetition 50 000 fois des operations de preparation, de
developpement et de nettoyage de l'image, d'une facon analogue a celle
decrite dans l'exemple 21,
et les resultats obtenus sont donnes dans le tableau 24.
TABLEAU 24
silicon:H. 4. silicon F 4:
C 2 H 4
(rap 5:4 3:3,5 2:2:6 1 l:1 O 6:0,4 0,2:0,3 0,2:0,15 0,1:0,1 des de:1:3
p 5:8:9:9,5:9 &#x003E; 65:9,8 bits d (rap l e ni t _ _ _{ _ _ _ _ pr
9:1 7:3 5, 5:4,5:4:63:7 2:8 1,2:8,80,8:9,2 tdes A¦l l neurs)__ O A¦ o
x ): =tres bon o bon x: image legerement defectueuse
Exemple 25
On prepare des elements de formation d'image en suivant en totalite le
meme procede que dans l'exemple 21, sauf que l'on fait varier
l'epaisseur de la couche amorphe (II) On obtient les resultats
suivants en repetant les operations de formation, de developpement et
de net-
toyage de l'image decrites dans l'exemple 21 -
TABLEAU 25
Epaisseur de la Rsultats couche amorphe (II) (dm) 0,001 d Risque de
formation d'image defectueuse 0,02 ^ Aucune image defectueuse 0 u,02 u
pendant 20 000 repetitions
Stable pendant 50 000 repeti-
0,05 tions ou plus
1 Stable pendant 200 000 repeti-
tions ou plus
Exemple 26
On prepare un element de formation d'image en suivant le meme procede
que dans l'exemple 21, sauf que l'on modifie les operations de
formation des couches autres que la couche amorphe (II), conformement
a ce qui est indi-
que dans le tableau ci-dessous, et on procede a une eva-
luation d'une facon analogue a celle decrite dans l'exemple
21 On obtient de bons resultats.
TABLEAU 26
Conditions Deit Puisance Epais-
ordre d' ecoulemoent de dle seur de de fona gallium uiiss(cm 3 /s)
charge couche tion de cu Wa 2 c h e S __ _ __ _ __ _ __ _ __ _ __ _ __
_ __ _ I Rapport de surfaces Ar tranches SiSi 3403 5, x (couche Ar 200
03 5, n d' interface) = 2:1 Rap rtdes debits
2 B
Exemple 28
On prepare un element de formation d'image en suivant le meme procede
que dans l'exemple 23, sauf que
la couche amorphe (II) est formee par le procede de pul-
verisation, dans les conditions indiquees dans le tableau ci-dessous,
et on procede-a une evaluation d'une facon analogue a celle decrite
dans l'exemple 23 On obtient de
bons resultats.
TABLEAU 28
Debit Rapport des Puissan Epais-
Gaz d'ecoule surfaces de e de seur de utilises ment cible
dechargecouche (cman 3 /ls) tranches (W/cm 2) (Pm) silicon:qraohite
I I
1 Couche Ar Ar= 200 2,5:725 0,3 (I) silicon F 4/He= 0 5 silicon F 4 =
100
Exemple 29
On prepare un element de formation d'image en suivant le meme procede
que dans l'exemple 23, sauf que
la couche amorphe (II) est formee par le procede de pul-
verisation, dans les conditions indiquees dans le tableau ci-dessous,
et on procede a une evaluation d'une facon analogue a celle decrite
dans l'exemple 23 On obtient de
bons resultats.
TABLEAU 28 A
Rapport dePuis Epais-
Gaz Debit surfaces sance de seur de utilises d'ecoule de cible
decharge couche rment (cm 3 tranches (W/cm 2) (prm) Cucxhe Ar Ar= 200
3,0:7,0 0,3 015 Iamo) silicon F 4/Hee,5 silicon F (II) silicon F
4/He=,5 silicon F 4 =:00
Exemple 30
A l'aide de l'appareil de preparation represente sur la figure 5, on
forme des couches sur un substrat
d'aluminium en forme de tambour, dans les conditions sui-
vantes
TABLEAU 29
ions Debit Puissance Epais-
Ordre Gaz utilises d'ecoule Rapport des debits de de seur de de forma
irent (cm' /s)d'1 ecoulement charge couche tionde cou (W/an 2) (cch
silicon H /He=l silicon H = 100 silicon H:NH = 3:1 0,18 50, O runf
d'interface) NH 3 2 silicon H 4/He=l silicon H 4 = 200Si H 4:B 2 H 6 =
1:4 x 100,18 400,0 nmi T (couzhe de BHH=ll 2 redressement) B 2 H 6 Hex
3 silicon H /He=l silicon H = 200 0, 18 15 M (couche 44 alflrphe ( 1
&#x003E;) Temperature du substrat d'aluxninium: 250 'C Frequence de
decharge:13,56 M Hz Pression interieure de la chambre de reaction:40
Fa Co- r', ui 1 c:'
L'element de formation d'image pour electrophoto-
graphie ainsi obtenu est place dans un appareil de repro-
duction, soumis a une charge d'effluves a 5 k V pendant 0,2 seconde,
et expose a une image lumineuse Comme source de lumiere, on utilise
une lampe-a filament de tungsten -a 1,0 lux seconde L'image latente
est developpee a l'aide d'un revelateur charge negativement (contenant
un "toner"
et un support) et elle est transferee sur un papier uni.
L'image transferee est tres bonne Le "toner" restant sur l'element de
formation d'image et n'ayant pas ete transfere est elimine par
nettoyage a l'aide d'une lame de caoutchouc
avant le commencement du cycle suivant de reproduction.
Cette operation est repetee 100 000 fois ou plus et aucun pelage des
couches n'apparait et les images sont tres
bonnes.
Exemple 31
On prepare des elements de formation d'image pour electrophotographie
en suivant en totalite le meme procede que celui decrit dans l'exemple
30, sauf que l'on fait varier la teneur en atomes d'nitrogen par
rapport a la
teneur en atomes de silicon dans la couche d'interface.
Les resultats d'evaluation effectues d'une facon similaire
a celle decrite dans l'exemple 30 sont donnes ci-dessous.
TABLEAU 30
Teneur en atomes d'azo 0,1 1 10 20 23 25
te (T atomi-
que)
image de-
Evaluation bon bon Excellent bon bon fectueuse formee dans peu de cas
Exemple 32
On prepare des elements de formation d'image pour electrophotographie
en suivant en totalite le meme procede que decrit dans l'exemple 30,
sauf que l'on fait varier l'epaisseur de la couche d'interface, et on
procede a une evaluation analogue a celle decrite dans l'exemple
Les resultats obtenus sont donnes ci-dessous.
TABLEAU 31
Epa$ 1,0 de 1,0 40,02 prm _ _ac _ _e _ _ _o nm _ _ __ _ _ _ _ _ Image
defectueuse Evaluation pelage O O O formene dans quelques aise cas
o: aucun pelage, et bonne image obtenue.
Exemple 33
On prepare des elements de formation d'image pour electrophotographie
en suivant en totalite le meme procede que decrit dans l'exemple 1,
sauf que l'on fait varier l'epaisseur de la couche de redressement et
la teneur en boron de la maniere suivante Tous les resultats
sont bons.
TABLEAU 32
No d'&dyntillon 31 132 33 34 135 '36 37 Tener eni boron 5
(Matomiieque) lx 1 o 500013500 1500800 500 100 Roisseur (Phm&#x003E;
0,3,4 O,8 0,5y 91,5 5
Exemple 34
A l'aide de l'appareil de preparation represente
sur la figure 5, on forme des couches sur un substrat d'alu-
minium en forme de tambour, dans les conditions suivantes.
1 '0
TABLEAU 33
Codtons
Ordre Debit d' eoeu1 Papport des debitsPuissance de Epais-
de farina Gaz utilises lement d'ecoulement decharge seur tion de cou
(cm/S (W/ar?) de nhes 1 couche (couche d'interface inferieure) (couche
de redressemrent) silicon H 4/He=l NH 3 silicon H 4/He=l B H /He= 1 x
10-2 silicon H 4 = 100 silicon H 4 = 200 silicon 4 NH 3 = 3:1 silicon
H 4 2 H 6 = 1:6,0 x 1103 0, 18 I 0,18,0 nm 600,0 nmn 3 cuh silicon H
/He=l silicon H 410 silicon H:NH -3:1 0,18 50,0 nm d'interface NH
superieure)3 4 SH Hel SH 4000,18 15 pm (couche SH/e 15 H= O amorphe) r
1 J (.n rj UA % a%
25213 16
L'element de formation d'image ainsi obtenu est de qualite elevee et
ne presente aucun pelage de couches
ni aucun defaut d'image.
Exemple 35
A l'aide de l'appareil represente sur la figure, on forme des couches
sur un substrat d'aluminium en
forme de tambour, dans les conditions suivantes.
TABLEAU 34
ions Debit Puissan-
de forxnaaz utlise d 'ecou 1 lentRapport des debitsde (WCUseur de tn
de (am' /s) d 'ecoulement 'couche (cc 1 e silicon H 4/He-1 silicon H 4
= 100Si H 4:NH 3 = 1: 10,1840,10 nim d' interface) NH 3 2 de silicon H
/He=Jl silicon H 4100Si H:silicon F:B H 60,18 i uin (cxouche de 444
426 redressemoent)silicon F /He-1 = 1:1:1 x 10-3 B 2 H 6/Heamlxl O-2 3
SH 4 H i = O i 4 SF 41101 5 u (couche SH/e 1 SH 10 SH:i 4:,8 1 i
amorphe&#x003E; silicon F 4 /He= 1 w- ul A'h
L'element de formation d'image pour electrophoto-
graphie ainsi obtenu est soumis a une evaluation analogue a celle
decrite dans l'exemple 30 et les resultats obtenus
sont tres bons.
Exemple 36
A l'aide de l'appareil de preparation represente sur la figure 6, on
forme des couches sur un substrat
d'aluminium, dans les conditions suivantes.
TABLE Au 35
Codtons Debit PuissanceEpais-
Ordre Gz utilises d'ecoule de de seur de de f orna iromnt (an 3/s)
charge couche tion de cou &#x003C;W/cm 2 l) Rap Drt des debits 1
silicon H /He=l silicon H 4100 silicon H/N 3 = 3:1 0,18 50,0 n (couche
4 NH 4 NH d'interface) NH 3 Ra rtte ceIts 2 cih de silicon H /He=l
silicon H = 200 silicon H:B H 5 = 1:4 x 11030,18 400,0 nm
redressement) B H /He=lx 10 -2 (couche silicon i 200,18 15 axtcrhe
silicon 4/He=l silicon 420 Rapport de surfaces 4 Ar 200 tranchesSi
graphite 0,3 0,5 Ai amorphe (II") 1,5:8,5 r%, f J 4 0 % 1 Temperature
du substrat d'Al 250 'C Frequence de decharge 13,56 M Hz Pression
interieure de la chambre de reaction couche amorphe (I): 40 Pa couche
amorphe (Il): 26,5 Pa L'element de formation d'image ainsi obtenu est
place dans un appareil de chargeexposition-developpement, soumis a une
charge d'effluves a O 5 k V pendant 0,2 seconde,
suivie immediatement d'une exposition a une image lumineuse.
Comme source de lumiere, on utilise une lampe a filament de tungsten
et l'exposition est effectuee a 1,0 lux seconde
a l'aide d'une mire d'essai du type transparent.
Immediatement apres, un revelateur charge nega-
tivement (contenant un "toner" et un support) est applique en cascade
sur la surface de l'element de formation d'image
et on obtient une bonne image developpee sur cette surface.
L'image developpee ainsi obtenue est soumise une fois a une operation
de nettoyage a l'aide d'une lame de caoutchouc et les operations
precedentes de formation et de nettoyage de l'image sont repetees On
n'observe aucune deterioration de l'image, meme apres repetition 150
000 fois
ou plus des operations.
Exemple 37
A l'aide de l'appareil de preparation represente sur la figure 6, on
forme des couches sur un substrat
d'aluminium, dans les conditions suivantes.
TABLEAU 36
Codtons Debit PuissanceEas Ordre Gaz utilises d'eoeuloementlRapport
des debits de de serd de f oriia(Cme /s) d'ecou lement chre couche
tion decoc&#x003C;Wa) &#x003C;c 1 silicon H /el silicon H = 100
silicon H:NH -10:1 0,18 200,0 ms d'interface) NH 3 - z u O Les autres
conditions sont ident jues a celles
indiquees dans l'exemple 36.
L'element de formation d'image ainsi obtenu est place dans un appareil
de charge-exposition-developpement, soumis a une charge d'effluves a O
5 k V pendant 0,2 seconde,
suivie immediatement d'une exposition a une image lumineuse.
Comme source de lumiere, on utilise une lampe a filament de tungsten
et 1 'exposition est effectuee a 1,0 lux seconde
a l'aide d'une mire d'essai du type transparent.
Immediatement apres, un revelateur charge negati-
vement (contenant un "toner" et un support) est applique en cascade
sur la surface de l'element de formation d'image et on obtient une
bonne image developpee, de densite tres
elevee, sur cette surface.
L'image developpee ainsi obtenue est soumise une fois a une operation
de nettoyage a l'aide d'une lame de caoutchouc et les operations
precedentes de formation et de nettoyage de l'image sont repetees On
n'observe aucune deterioration de l'image, meme apres repetition 150
000
fois ou plus des operations.
Exemple 39
On prepare des elements de formation d'image en suivant en totalite le
procede decrit dans l'exemple 36, sauf que l'on modifie le rapport de
la teneur en atomes de silicon a la teneur en atomes de carbon dans la
seconde
couche amorphe (II) en faisant varier le rapport des sur-
faces de la tranche de silicon a la tranche de graphite pendant la
formation de la couche amorphe (II) On procede, sur les elements de
formation d'image ainsi obtenus, a une evaluation de l'image apres
repetition 50 000 fois des operations de formation, de developpement
et de nettoyage de l'image et on obtient les resultats indiques dans
le
tab Ileau 38.
25213 16
TABLEAU 38
silicon:C I Cible (rapport9:1 6 y 5:3,5:4:62:8 1:9 0,5:9 ? 5 0,2:9,8
de sur faces) sic_ I I I (rapport 9 7:0,3 8,8:12 7,3:2,714,8:5,23:7
2:8 08:9 t 2 des teneurs) t A,, _
evalua-
ticn de lauaA¦ l@ A¦ @ A¦@ A¦ o A¦ x la gla lite de im _ge @: tres bon
o: bon /A: satisfaisant en pratique x: image legerement defectueuse
Exemple 40
On prepare des elements de formation d'une image en suivant en
totalite le meme procede que decrit dans l'exemple 36, sauf que l'on
fait varier l'epaisseur de la
couche amorphe (II) En repetant les operations de forma-
tion, de developpement et de nettoyage de l'image decrites
dans l'exemple 36, on obtient les resultats suivants.
TABLEAU 39
Epaisseur de-la RE tt couche amorphe (II) (m) as 0 001 Risque de
formation d'image defectueuse
0, 02 Aucune image defectueuse pen-
0,02 dant 20 000 repetitions 0,05 Stable apres 50 000 repetitions ou
plus
1 Stable apres 200 000 repeti-
tions ou plus
Exemple 41
On prepare un element de formation d'image en suivant le meme procede
que decrit dans l'exemple 36, sauf que l'1 N modifie les operations de
formation des couches autres que la couche amorphe (II), conformement
a ce qui est indique dans le tableau ci-dessous, et on procede a
une evaluation analogue a celle decrite dans l'exemple 36.
On obtient de bons resultats.
TABLEAU 4
Conditions
Deit Puissance de Epais-
Ordre Gaz utilisesd'ecoula'ontRapport des debitsdechargeseur de def de
(an 3/s) d'ecoulemoent &#x003C;W/arn 2)couche i silicon H 4/He=l
silicon H 4 = 100Si H 4:NH 3 -3:10,18 50,0 rnm (Couche NH 3
d'interface) 2 silicon H 4/He=l silicon H 4 = 200Si B 2 H 6 0,18 600,0
nnm (Couche de 23 redressement)B 2 H 6/He= 1 x 10 O =l:6,0 x 10 3
silicon H 4/He= 100 silicon H 4 = 100Si H 4:NH 3 = 3:i 0,,18 50, 0 fnm
(&#x003C;Couche d 'interface) NH 3 4 silicon H= i = 200,18 15 pin
(Couche silicon/Hl silicon 4,0 amorphe (I)) Fo Ln
Exemple 42
On prepare un element de formation d'image en suivant le meme procede
que decrit dans l'exemple 36, sauf que l'on modifie les operations de
formation des couches autres que la couche amorphe &#x003C;Il),
conformement a ce qui est indique dans le tableau ci-dessous, et on
procede a une evaluation d'une facon analogue a celle decrite dans
l'exemple 36 On obtient de bons resultats.
TABLEAU 4
Cntions Debit Puissance de I Eas Ordre Gaz utilises d'eoeule Rapport
des debits decharge seur de defoazutiise mnt d'eoeulement (W/CM 2)
couche ches (n s (o 1 i silicon H 4/He-1 silicon H 4100 silicon H 4:NH
3 l:l 0,18 40,0 rnm d'1 interface) NH 3 2 silicon H 4/He-1 silicon H 4
= 100Si H 4:silicon F 4:B 2 H 6 0,18 i,um (couche de 3 redressemenit)
silicon F'4/He=l -l:: 11 x 103 B H /He-lx 1102 3 ch silicon H /He= 1
silicon H = 100 silicon H:silicon F = 1:1 0,18 15 Im amoirphe (I))
silicon F 4/He=l j-, o w ul
2521316;
Exemple 43
A l'aide de l'appareil de preparation represente sur la figure 5, on
forme des couches sur un substrat
d'aluminium en forme de tambour, dans les conditions sui-
vantes. ons
Debit Puissance Epais-
Gaz utilises d'EOD Ul EnientRapport des debits de de seur (cm,/s)
d-ecoul O Enent charge de couches (w Icie) couche silicon H 4 /He=l
silicon H 4 = 100Si H 4:NH 3 = 3:1 0918 50, O rim (couche NH
d'interface) 3 2 silicon H /He=l silicon H = 200 silicon H:B H = 1:4
xl O -3 0118 400,0 nm (couche de 4 4 4 2 6 redressement) B H 6/He=lxl
O-2 3 silicon H 4/He= 1 silicon H 4 = 200 0118 15,um (couche armrphe W
TABLEAU 42
e., ul silicon H 4/He=OX 5
C 2 H 4
silicon H 4 = 100 silicon H 4: C 2 H 4 = 3:7 O, is um (couche amorphe
(II" ra tn ri -.16 4-1 l 01,
25213163 1
Temperature du substrat d'aluminium: 250 'C Frequence de decharge:
13,56 M Hz Pression interieure de la chambre de reaction -: pendant la
formation de la couche amorphe ( 1): 40 Pa pendant la formation de la
couche amorphe (II): 66,5 Pa
L'element de formation d'image pour electrophoto-
graphie ainsi obtenu est place dans un appareil de repro-
duction, soumis a une charge d'effluves a Q 5 k V pendant 0,2 seconde,
et expose a une image lumineuse Comme source de lumiere, on utilise
une lampe a filament de tungsten a 1,0 lux seconde L'image latente est
developpee a l'aide d'un revelateur charge negativement (contenant un
"toner"
et un support) et elle est transferee sur un papier uni.
L'image transferee est tres bonne Le "toner" restant sur
l'element de formation d'image et n'ayant pas ete trans-
fere est elimine par nettoyage a l'aide d'une lame de
caoutchouc avant le commencement du cycle suivant de re-
production Une telle operation est repetee 150 000 fois
ou plus et on n'observe aucune deterioration de l'image.
Exemple 44
A l'aide de l'appareil de preparation represente sur la figure 5, on
forme des couches sur un substrat
d'aluminium en forme de tambour,dans les conditions sui-
vantes.
TABLEAU 43
ConS Debit: Puissance
Ordre d ' ecoulemnertRapport des debits de de Epais-
de forma Gaz utilises (cu 3/s) d'1 ecouloeoent charge seur de tioe de
(W/cm 2)couche (cnc silicon H 4/He-1 silicon H 4 ni 00Si H 4:NH 3 =
10:1 0,18 200,0 ni d'interface) NH 3 (cuh de silicon H /He-1 silicon H
4200 silicon H:B H = 1:2 x 1103 0, 18 400,0 rnm redressaement) B H
/Henlxl O-2 3 silicon H 4/He-1 silicon H 4 = 200 0, 18 15,UM
&#x003C;couche ) C 2 Hi 4 o. ri -'b
2521316 '
Les autres conditions sont identiques a celles
indiquees dans l'exemple 43.
L'element de formation d'image pour electrophoto-
graphie ainsi obtenu est place dans un appareil de repro-
duction, soumis a une charge d'effluves a 5 k V pendant 0,2 seconde,
et expose a une image lumineuse Comme source de lumiere, on utilise
une lampe a filament de tungsten a 1,0 lux seconde L'image latente est
developpee a l'aide d'un revelateur charge negativement (contenant un
"toner"
et un support&#x003E; et elle est transferee sur un papier uni.
L'image transferee est tres bonne Le "toner" restant sur
l'element de formation d'image et n'ayant pas ete trans-
fere est elimine par nettoyage a l'aide d'une lame de
caoutchouc avant le commencement du cycle suivant de repro-
duction Cette operation est repetee 150 000 fois ou plus
et on n'observe aucune deterioration de l'image.
Exemple 46
On prepare des elements de formation d'image en suivant en totalite le
meme procede que celui decrit dans l'exemple 43, sauf que l'on fait
varier le rapport de la teneur en atomes de silicon a la teneur en
atomes de carbon dans la seconde couche amorphe (Il) en faisant varier
le rapport du debit d'ecoulement du gaz silicon H 4 au
gaz C 2 H 4 pendant la formation de la couche amorphe (II).
On procede, sur les elements de formation d'image ainsi obtenus, a des
evaluations apres repetition 50 000 fois des operations de formation,
developpement et nettoyage de l'image, conformement au procede decrit
dans l'exemple 43, et on obtient les resultats indiques dans le
tableau 45.
2521316 '
TABLEAU 45
Sin:C H O
4 C 2 49:1 6:4 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,35: 0,2:9,8
drapport 9,65 des debits si:___ silicon:9:735545-C-12 (rapport 9:1 7:3
55:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2: 10,8:9,2 des 8,8 teneurs) Evaluation de la
qua_ litede o o o x l 'image: tres bon o: bon x: image defectueuse
formee
Exemple 47
On prepare des elements de formation d'image en suivant en totalite le
meme procede que decrit dans l'exemple 43, sauf que l'on fait varier
l'epaisseur de la couche amorphe (II) Les resultats des evaluations
sont donnes dans le tableau ci-dessous.
TABLEAU 46
Epaisseur de la Resultats couche amorphe (II) (im) 0,001 Risque de
formation d'image defectueuse 0, 02 Aucune image defectueuse 0,02
pendant 20 000 repetitions 0 05 Aucune image defectueuse 0,05 pendant
50 000 repetitions
2 Stable pendant 200 000 repe-
titions ou plus
Exemple 48
On prepare un element de formation d'image en suivant le meme procede
que decrit dans l'exeemple 43, sauf que l'on modifie les operations de
formation des couches autres que la couche amorphe (II), conformement
a ce qui est indique dans le tableau ci-dessous, et on procede a
une evaluation analogue a celle decrit dans l'exemple 43.
On obtient de bons resultats.
TABLEAU 47
Or Cnditons Debit Puissance Epais-
de for Gaz utilises d' ecoule Rapport des debits de de seur mtion de
xoent d ' ecoulement charge de couches (cm 3/s&#x003E; (W/ana) couche
silicon H /He=l silicon H = 100Si H:NH 13 = 3:1 0,18 50,0 nz
d'interface)_NH 3 2 silicon H 4,/He=J 1 silicon H 4 = 200Si H 4:B 2 H
6 0,18 600,0 nin &#x003C;couche de -2 redressen-entB 2 H 6 /He=lx 1 o
=:6 l 3 silicon H 4/l He= 1 silicon H 4 = 100Si H 4:NH 3 = 3:1 0, 18
50,0 nmn &#x003C;couche d'interface) NH 3 __ _______ 4 silicon 4 H= i
4200,18 15 pmn (couche silicon/H 15 H 20 amorphe (I)) w o'3
Exemple 49
On prepare un element de formation d'image en suivant le meme procede
que decrit dans l'exemple 43, sauf que l'on modifie les operations de
formation des couches autres que la couche amorphe (II), conformement
a ce qui est indique dans le tableau ci-dessous, et on procede a
une evaluation analogue a celle decrite dans l'exemple 43.
On obtient de bons resultats.
TABL water 48
-.Conitons
Debit Rapport deebt PuissanceEpais-
Ordre Gaz uti 1 isesd'ecoule d'ecoulement de decharge seur de tio
deoment (cm 3/ls) (W/cr 9)couche silicon F 4 /He=l.
F-' J' r%) tn rla ul CI.
Exemple 50
A l'aide de l'appareil de preparation represente sur la figure 6, on
forme des couches sur un substrat
d'aluminium, dans les conditions suivantes.
TABLEAU 49
ConditionsDeit Pussnc Epais-
Ordre a 'ecouleaentRapport des debitsde de seur de de forl T Ia Gaz
util ises (cm, /S) d' ecoulemxoet charge couche tiori de (W/Cm 2) co u
zhes__ _ _ _ _ __ _ _ _ _ _ _ _ _ _ i silicon H 4/He=l S i H 4 = 100Si
H 4:NH 3 = 3:1 0,18 50, 0 nmn (couche d'interface) N Hq 3 2 silicon H
/He=l silicon H = 200 silicon H:B H 6 0,18 400,0 rnm (couche de 23
redressement) B 2 H 6/He=lx 112 = 1:4 x 103 (cuh silicon H 4/He=l
silicon H 4 = 200 0,18 15 gun amorphe CITH 4 silicon H /He= 0, 5
silicon H 4 +silicon F 4Si H:silicon F:C H 4 0,18 0,5,un
&#x003C;couche silicon 4 H=, 10 =,:,:
anrorphe (II) silicon 4/H=, 10 = 7 15.
C 2 H 4
j-' rla Ln r%) ui 0 % Temperature du substrat d'Al 2500 C Frequence de
decharge 13,56 M Hz Pression interieure de la chambre de reaction
pendant la formation de la, couche amorphe (I): 40 Pa pendant la
formation de la couche (II): 66,5 Pa L'element de formation d'image
ainsi obtenu est place dans un appareil de
charge-exposition-developpement, soumis a une charge d'effluves a O 5
k V pendant 0,2 seconde,
suivie immediatement d'une exposition a une image lumineuse.
Comme source de lumiere, on utilise une lampe a filament de tungsten
et l'exposition est effectuee a 1,0 lux seconde
a l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immediatement apres,
un revelateur charge negati-
vement (contenant un "toner" et un support) est applique en cascade
sur la surface de l'element de formation d'image
et on obtient une bonne image developpee sur cette surface.
L'element de formation d'image ainsi obtenu est soumis une fois a une
operation de nettoyage a l'aide d'une lame de caoutchouc et les
operations precedentes
de formation et de nettoyage de l'image sont repetees.
On n'observe aucune deterioration de l'image, meme apres
repetition 150 000 fois ou plus des operations.
Exemple 51
A l'aide de l'appareil de preparation represente sur la figure 6, on
forme des couches sur un substrat
d'aluminium, dans les conditions suivantes.
TABLEAU 50
N Cnditons
Debit Rapport des debitsPuissance Epais-
de form Gaz utilises d'ecoule d' ecouleent de de, deu tioe de ret (cm'
/s) dicoge 1 de couches _______________couche_____ i silicon H /He-1
silicon H - 100 silicon H 4:NH 3 = 10:1 0,,18 200,0 rnm (couche 4 NH
d' interface) N 3 (cuh de silicon H /He-1 silicon H 4 = 200Si H:B H =
1:2 x 1103 0,18 400, O rnm redressemrent) B H Y He=lxland 2 3 silicon
H 4/He-1 silicon H 4 '200 0,18 15,1 &m (couche axrorphe ( 1) 4 silicon
H /He-0,5 silicon H +silicon F 4Si H:silicon F:C H 4 0,18 0,3, mi
2521316 '
Les autres conditions sont identiques a celles
indiquees dans l'exemple 50.
L'element de formation d'image ainsi obtenu est place dans un appareil
de charge-exposition-developpement, soumis a une charge d'effluves AD
5 k V pendant 0,2 seconde,
suivie immediatement d'une exposition a une image lumineuse.
Cormme source de lumiere, on utilise une lampe a filament de tungsten
et l'exposition est effectuee a 1,0 lux seconde
a l'aide d'une mire d'essai du type transparent.
Immediatement apres, un revelateur charge negati-
vement (contenant un "toner" et-un support) est applique en cascade
sur la surface de l'element de formation d'image
et on obtient une bonne image developpee sur cette sur-
face. L'image developpee ainsi obtenue est soumise une fois a une
operation de nettoyage a l'aide d'une lampe de caoutchouc et les
operations precedentes de formation et de nettoyage de l'image sont
repetees On n'observe aucune -deterioration de l'image, m&ie apres
repetition 100 000 fois
ou plus des operations.
Exemple 52
A l'aide de l'appareil de preparation represente sur la figure 6, on
forme des couches sur un substrat
d'aluminium, dans les conditions suivantes.
TABLEAU 51
"-onditions Debit Puissancoe Epais-
de forna Gaz utilises d'ecoule Rapport des debits dhre desuchde tind
rient (an 3/s) d'ecoulement (W/Cu 2) i silicon H 4/He=l silicon H 4 =
100Si H 4:NH 33: 1 0,18 50,0 nm T (couche N d'interface) N 3 (cuh de
silicon 4/He=l silicon H 4 = 200Si H 4:B 2 H 6 = 1:1 x 1030,18 400,0
nxir redressewent) B H 6/He= 1 x 102 3 cth silicon H 4/He= 1 silicon H
4 = 200 0 ? 18 u amorphe ( 1)) (cuh silicon H 4/He= 0,5 silicon H 4
+silicon F 4Si H 4:silicon F 4:C 2 H 4 0,18 1, 5 /XU amorphe (II")
silicon 4/H= O = 150 = 3:3: 4
C 2 H 4
ui Q. Les autres conditions sont identiques a celles
indiquees dans l'exemple 50.
L'element de formation d'image ainsi obtenu est place dans un appareil
de charge-exposition-developpement, soumis a une charge d'effluves a j
5 k V pendant 0,2 seconde,
suivie immediatement d'une exposition a une image lumineuse.
Comme source de lumiere, on utilise une lampe a filament de tungsten
et l'exposition est effectuee a 1,0 lux seconde
a l'aide d'une mire d'essai du type transparent.
Immediatement apres, un revelateur charge negati-
vement (contenant un "toner" et un support) est applique en cascade
sur la surface de l'element de formation d'image, et on obtient une
bonne image developpee, de densite tres
elevee, sur cette surface.
L'image developpee ainsi obtenue est soumise une fois a une operation
de nettoyage a l'aide d'une lame de caoutchouc et les etapes
precedentes de formation et de nettoyage de l'image sont repetees On
n'observe aucune deterioration de l'image, meme apres repetition 150
000
fois ou plus des operations.
Exemple 53
On prepare des elements de formation d'limage en suivant en totalite
le procede decrit dans l'exemple 50, sauf que l'on fait varier le
rapport de la teneur en atomes de silicon a la teneur en atomes de
carbon dans la seconde couche amorphe (II) en faisant varier les
rapports des debits d'ecoulement silicon H 4:silicon F 4:C 2 H 4
pendant la formation de la couche amorphe (II) On procede, sur les
elements de formation d'image ainsi obtenus, a des evaluations apres
repetition 50 000 fois des operations de formation, deve-
loppement et nettoyage de l'image, telles que decrites dans l'exemple
50, et on obtient les resultats indiques
dans le tableau 52.
_
TABLEAU 52
silicon H 4:15:43:3,5 2:2:6 1:1: 0,6:0,410,2:0,3 0,2:0,15 0,1:0,1
silicon F: 1:1:3, 5 8:9:9,5:9 t 65:9,8
C 2 H 4 1
,5:4,5 '4:6 3:7
@ o: bon x: 2:8
1,2:8,8 10,8:9,2
i i 1 1 1 o x leger risque de formation d'image defectueuse
Exemple 54
On prepare des elements de formation d'image en suivant en totalite le
meme procede que decrit dans l'exemple 50, sauf que l'on fait varier
l'epaisseur de la couche amorphe (II) En repetant les operations de
formation, developpement et nettoyage de l'image telles que decrites
dans l'exemple 50, on obtient les resultats suivants.
TABLEAU 53
9:117:3
silicon:c (rap- port de E teneurs)
Evalua-
tion o @ i: tres bcn 4 ' Epaisseur de la Resultats couche amorphe (II)
(dm) 0,001 Risque de formation d'image defectueuse 0,02 Aucune image
defectueuse pendant 20 000 repetitions
0,05 Stable pendant 50 000 repeti-
tions ou plus
1 Stable pendant 200 000 repe-
titions ou plus
Exemple 55
On prepare un element de formation d'image con-
formement au procede decrit dans l'exemple 90, sauf que l'on modifie
les operations de formation des couches autres que la couche amorphe
(II), conformement a ce qui est in-
dique dans le tableau ci-
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