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Apte
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Tif
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Sepa
(1)
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Munir
(1)
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Surfa
(1)
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Cors
(1)
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Cret
(1)
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Tre
(1)
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Dra
(1)
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Tric
(1)
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Molecule
(16/ 37)
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ethylvinyl acetate
(9)
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copper
(6)
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SEMI
(5)
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silicon
(3)
[22][_]
silver
(3)
[23][_]
germanium
(1)
[24][_]
aluminium
(1)
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tantalum
(1)
[26][_]
molybdenum
(1)
[27][_]
chromium
(1)
[28][_]
tin-indium oxide
(1)
[29][_]
cadmium stannate
(1)
[30][_]
tin oxide
(1)
[31][_]
nexion
(1)
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water
(1)
[33][_]
Et
(1)
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Generic
(4/ 33)
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oxide
(30)
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metal
(1)
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cation
(1)
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acid
(1)
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Physical
(20/ 26)
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de 0,0929 m
(3)
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19 h
(2)
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10 d
(2)
[43][_]
10 h
(2)
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10 g
(2)
[45][_]
5 ms
(1)
[46][_]
25 minutes
(1)
[47][_]
19,05 mm
(1)
[48][_]
54 mm
(1)
[49][_]
1,59 mm
(1)
[50][_]
3,17 mm
(1)
[51][_]
de 0,076 mm
(1)
[52][_]
34 s
(1)
[53][_]
de 61 cm
(1)
[54][_]
122 cm
(1)
[55][_]
19 d
(1)
[56][_]
19 g
(1)
[57][_]
de 305 metres
(1)
[58][_]
de 40,64 cm
(1)
[59][_]
0,0929 m
(1)
[60][_]
Polymer
(1/ 8)
[61][_]
Silicone
(8)
[62][_]
Substituent
(1/ 1)
[63][_]
oxy
(1)
[64][_]
Organism
(1/ 1)
[65][_]
PASSER
(1)
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Publication
_________________________________________________________________
Number FR2521351A1
Family ID 2023063
Probable Assignee United Solar Systems Corp
Publication Year 1983
Title
_________________________________________________________________
FR Title CELLULE SOLAIRE PERFECTIONNEE ET PROCEDE POUR LA REALISER
Abstract
_________________________________________________________________
LA CELLULE SOLAIRE COMPRENANT UNE COUCHE DE SUBSTRAT ELECTRIQUEMENT
CONDUCTRICE, UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR DEPOSE SUR LA COUCHE DE
SUBSTRAT, ET UNE COUCHE TRANSPARENTE DEPOSEE SUR LE CORPS
SEMI-CONDUCTEUR EST CARACTERISEE PAR PLUSIEURS PARTIES ELECTRIQUEMENT
ISOLEES 26 QUI SUBDIVISENT LE CORPS SEMI-CONDUCTEUR PAR AU MOINS UNE
BANDE ELECTRIQUEMENT CONDUCTRICE 34 PAR UNE PARTIE ISOLEE 35 DU CORPS
SEMI-CONDUCTEUR ASSURANT UNE SORTIE ELECTRIQUE SATISFAISANTE RELIEE
ELECTRIQUEMENT A LA OU AUX BANDES CONDUCTRICES 34 PAR UNE COUCHE
PROTECTRICE SUPERIEURE LAISSANT PASSER LA LUMIERE ET PAR UNE COUCHE
INFERIEURE ELECTRIQUEMENT ISOLANTE ENCAPSULANT LES CELLULES DE MANIERE
QUE SEULES LES PARTIES DU CORPS SEMI-CONDUCTEUR ASSURANT UNE SORTIE
ELECTRIQUE SATISFAISANTE SOIENT CONNECTEES ELECTRIQUEMENT.
Description
_________________________________________________________________
La presente invention concerne de facon generale des dispositifs
photovoltaiques particulierement aptes a etre
utilises en tant que cellules solaires, et plus particulie-
rement un procede pour isoler electriquement des parties du corps
semiconducteur d'un dispositif photovoltalque en vue d'utilisations
telles que la production de cellules solaires
et de semiconducteurs ameliores.
La presente invention traite-d'un procede d'isolation electrique de
parties d'un dispositif photovoltaique de lu surface importante, en
vue de plusieurs applications telles que la production de dispositifs
semiconducteurs de surface plus reduite De facon generale, l'invention
envisage l'utilisation de motifs en forme de grilles electriquement
conductrices, appliques sur la couche conductrice et trans-
parente, en vue de diviser le corps semiconducteur du dispo-
sitif photovoltaique en plusieurs parties isolees Chaque partie
individuelle et isolee est testee du point de vue de l'electricite
qu'elle fournit, et les parties isolees qui ne produisent pas une
quantite d'electricite satisfaisante sont isolees electriquement des
parties isolees et fournissant de l'electricite en quantite
satisfaisante Ainsi, on identifie et on isole les regions d'un
dispositif photovoltaique qui ne respectent pas des normes de
production d'electricite preselectionnees de maniere qu'elles
n'interferent pas avec le fonctionnement des parties restantes du
dispositif Le
procede d'isolation peut etre egalement utilise pour decou-
per des dispositifs semiconducteurs de surface reduite a
partir de dispositifs semiconducteurs a surface plus impor-
tante, et pour ameliorer la production d'electricite de
parties isolees et non satisfaisantes du corps semiconducteur.
Des motifs sont habituellement decapes ou attaques sur la surface de
cellules photovoltaiques et de semiconducteurs en utilisant des films
a enduit photoresistant Typiquement, on applique une solution d'enduit
photoresistant sur la surface du corps semiconducteur, puis on elimine
le solvant, ce qui permet d'obtenir un film mince en tant que residu
On dispose sur le film une grille ou un circuit d'un type quelconque
qui masque une partie du film, et les parties du film qui ne sont pas
couvertes par ce motif sont exposees a des radiations
electromagnetiques ultraviolettes ou a un faisceau d'electrons ayant
une energie appropriee Pendant
le developpement du film et en utilisant des procedes con-
nus, on elimine soit les parties exposees soit les parties non
exposees du film, et le motif est attaque au travers de
la couche d'oxide conducteur et transparente du semiconduc-
teur Le reste de l'enduit photoresistant est elimine et le motif en
forme de grille est applique sur la surface des parties isolees de la
couche transparente Au cours du traitement, les etapes de sechage et
de polymerisation sont realisees de facon habituelle a l'air, en
respectant les
conditions de duree et de temperature choisies.
Recemment, des efforts considerables ont ete faits pour mettre au
point des procedes de depot de couches d'alliages semiconducteurs
amorphes pouvant presenter des surfaces relativement importantes et
pouvant etre facilement dopees pour constituer des materiaux de type p
ou de type n Ces semiconducteurs amorphes sont utilises pour
constituer des dispositifs de type p-n equivalent a ceux produits par
leurs contreparties cristallines On a constate que des films de
silicon ou de germanium amorphe (groupe IV) comprennent des
micro-vides, des liaisons non saturees et autres defauts 3 U
provoquant une forte densite d'etats localises dans leur intervalle de
bande ou bande interdite La presence d'une densite elevee d'etats
localises dans l'intervalle de bande des films semiconducteurs en
silicon amorphe se manifeste par un faible degre de photoconductivite
et par une courte duree de vie des porteurs, ce qui rend ces films
inaptes a des applications photosensibles De plus, ces films ne
peuvent pas etre dopes ou modifies de toute autre maniere de facon
satisfaisante pour rapprocher le niveau de Fermi des bandes de
conduction et de valence, ce qui les rend impropres a des jonctions
p-n convenant a des applications pour
cellules solaires.
Mais on a maintenant prepare des alliages de silicon amorphe
presentant des concentrations nettement reduites d'etats localises
dans leurs intervalles de bande et des qualites electroniques elevees
Cependant, il reste toujours
quelques defauts dans les films semiconducteurs qui affai-
blissent le rendement du dispositif photosensible De meme, les
materiaux semiconducteurs cristallins presentent des defauts dans le
reseau cristallin Certaines regions du
reseau peuvent presenter une densite elevee d'etats locali-
ses qui diminueraient le rendement d'un dispositif photo-
sensible quelconque et en particulier de cellules solaires.
Les defauts presents dans les parties du dispositif semiconducteur
peuvent egalement provoquer des court-circuits electriques, ce qui
rend au moins certaines parties du corps
semiconducteur electriquement inoperantes Selon l'emplace-
ment de la partie defectueuse du corps semiconducteur et l'importance
du court-circuit, le rendement electrique de la
totalite du corps semiconducteur peut etre nettement dimi-
nu 5 Il est donc avantageux d'identifier les parties defec-
tueuses du corps semiconducteur de maniere que ces parties
electriquement defectueuses puissent etre isolees et sepa-
rees de ses parties electriquement operationnelles Ceci est
particulierement avantageux pour des corps semiconducteurs amorphes a
grande surface o existe un long parcours pour
les porteurs et o la probabilite qu'apparaissent des par-
ties defectueuses augmente Lorsqu'on relie electriquement uniquement
les parties du dispositif semiconducteur qui sont electriquement
operationnelles, on rend maximale la sortie
electrique totale du dispositif semiconducteur et on augmen-
te son rendement d'ensemble.
Les nombreux objets et avantages de la presente inven-
tion apparaitront clairement a la lecture de la description
detaillee de l'invention et des revendications, ainsi qu'a
l'examen des dessins.
L'invention decrit un procede d'isolation electrique de
parties du corps semiconducteur d'un dispositif semiconduc-
teur comportant un substrat commun et electriquement conduc-
teur Ainsi que le decrit la presente invention, l'utilite principale
d'isoler electriquement des parties d'un corps semiconducteur est ( 1)
d'ameliorer le rendement ae disposi-
tifs voltaiques tels que des cellules solaires, ( 2) d'ame-
liorer le rendement de dispositifs semiconducteurs et ( 3) de produire
des dispositifs photovoltaiques de petite surface a
partir de dispositifs photovoltaiques de plus grande surface.
En ce qui concerne le procede de fabrication de cellules solaires
ameliorees, ces cellules solaires sont du type
general comportant une couche de substrat commune et 6 lec-
triquement conductrice, un corps semiconducteur amorphe
depose sur la couche de substrat et une couche electrique-
ment conductrice et transparente deposee sur le corps amor-
phe Le procede comporte les operations consistant a diviser le corps
semiconducteur de la cellule solaire en plusieurs rangees paralleles
de parties isolees electriquement formees
par des segments d'oxide conducteurs, transparents et dis-
crets, a essayer la sortie electrique de chaque partie isolee du corps
semiconducteur, a relier chaque partie isolee du corps, semiconducteur
dont la sortie electrique est
satisfaisante a une bande electriquement conductrice deter-
minant un contact electrique a partir du corps semiconduc-
teur, a munir le substrat d'un contact electrique, et a encapsuler la
cellule solaire entre une couche protectrice superieure, laissant
passer la lumiere et electriquement
isolante, et une couche inferieure electriquement isolante.
On realise un panneau de cellules solaires ameliore en formant
physiquement et electriquement plusieurs cellules solaires fabriquees
au moyen du procede sus-mentionne sur un element en feuille La cellule
solaire amelioree produite par le procede ci-dessus comprend plusieurs
parties qui sont pratiquement isolees electriquement et divisees a
partir du corps semiconducteur de la cellule solaire, au moins une
bande electriquement conductrice, chaque partie isolee du corps
semiconducteur qui fournit une sortie electrique satisfaisante etant
reliee electriquement a cette ou a ces bandes electriquement
conductrices, la bande conductrice
determinant un contact electrique associe au corps semicon-
ducteur, un contact electrique associe a la couche du substrat, et une
couche protectrice superieure qui laisse passer la lumiere et qui est
isolee electriquement ainsi
qu'une couche inferieure d'isolation electrique pour encapsu-
ler les cellules solaires entre elles de maniere que seules les
parties du corps semiconducteur fournissant une sortie -electrique
satisfaisante soient reliees electriquement et que l'on puisse ainsi
ameliorer le rendement d'ensemble de
la cellule solaire.
En ce qui concerne la seconde utilisation du procede d'isolation
electrique de parties du corps semiconducteur
permettant d'ameliorer le rendement de dispositifs photovol-
talques, ces dispositifs photovoltalques sont du type qui comprend une
couche de substrat electriquement conducteur et un corps
semiconducteur depose sur la couche de substrat Le procede comprend
les operations consistant a diviser le corps semiconducteur en
plusieurs parties, chaque partie etant pratiquement isolee
electriquement des autres parties, a essayer la sortie electrique de
chaque partie isolee du corps semiconducteur pour identifier les
parties de ce corps semiconducteur qui fournissent une sortie
electrique non satisfaisante, a chercher a ameliorer la sortie
electrique
de toute partie isolee du corps semiconducteur qui ne four-
nit pas une sortie electrique satisfaisante, et a relier seulement les
parties isolees du corps semiconducteur qui ont fourni initialement
une sortie electrique satisfaisante et celles qui ont fourni une
sortie electrique satisfaisante a la suite des tentatives
de'perfectionnement effectuees sur elles, et a ameliorer ainsi le
rendement d'ensemble du
dispositif pnotovoltalque.
Finalement, en ce qui concerne la troisieme utilisation du procede
d'isolation de parties d'un corps semiconducteur consistant a
fabriquer des dispositifs'photovoltalques a petite surface a partir de
dispositifs photovoltalques a plus grande surface, le dispositif
photovoltalque a grande surface est du type qui comporte une couche de
substrat commune electriquement conductrice, un corps semiconducteur
depose sur la couche de substrat et une couche electrique-
ment conductrice et transparente deposee sur le corps semi-
conducteur Le procede comprend les operations consistant a diviser le
corps semiconducteur a grande surface en plusieurs
parties electriquement isolees en divisant la couche trans-
parente en plusieurs segments discrets correspondant aux parties
isolees selon lesquelles le corps semiconducteur a grande surface a
ete divise, et a decouper le dispositif semiconducteur a grande
surface en des parties isolees pour
former au moins un dispositif semiconducteur a petite surfa-
ce et discret, qui comprend un segment du substrat commun, un segment
correspondant du -corps semiconducteur a grande surface, et un segment
discret correspondant de la couche
transparente.
En consequence, un premier objet de l'invention est de
creer un procede de fabrication de dispositifs photovoltal-
ques ameliores, chaque dispositif photovoltalque comprenant
une couche de substrat commune et electriquement conductri-
ce, un corps semiconducteur depose sur la couche de subs-
trat, et une couche electriquement conductrice et transparen-
te deposee sur le corps semiconducteur Le procede est caracterise par
les operations consistant a diviser le corps semiconducteur en
plusieurs parties, chaque partie etant pratiquement isolee
electriquement des autres parties, a essayer la sortie electrique de
chaque partie isolee du corps photovoltalque, a relier seulement les
parties isolees qui fournissent une sortie electrique satisfaisante a
une bande electriquement conductrice, la bande conductrice
determinant un contact electrique associe au corps semicon-
ducteur, et a determiner un contact electrique sur la couche
de substrat, ceci permettant d'ameliorer le rendement d'en-
semble du dispositif photovoltalque en ne reliant que les parties du
corps semiconducteur qui fournissent une sortie
electrique satisfaisante.
Un second objet de l'invention est de creer une cellule solaire
amelioree comportant une couche de substrat commune et electriquement
conductrice, un corps semiconducteur depose sur la couche de substrat
et une couche transparente deposee sur le corps semiconducteur La
cellule solaire est
caracterisee par, en combinaison, plusieurs parties prati-
quement isolees electriquement et selon lesquelles le cors
semiconducteur est divise, au moins une bande electriquement
conductrice a laquelle est reliee chaque partie isolee du corps
semiconducteur qui fournit une sortie electrique
satisfaisante, ladite ou lesdites bandes conductrices deter-
minant un contact electrique associe au corps semiconducteur, un
contact electrique sur la couche du substrat, et une couche
protectrice superieure, laissant passer la lumiere et
electriquement isolante, et une couche inferieure electrique-
ment isolante, les cellules solaires etant encapsulees entre les
couches superieure et inferieure et seules les parties du corps
semiconducteur fournissant une sortie electrique satisfaisante etant
reliees electriquement, ceci permettant
d'ameliorer le rendement d'ensemble de la cellule solaire.
Un troisieme objet de l'invention est de creer un pro-
cede de fabrication d'un dispositif semiconducteur a surface
relativement reduite a partir d'un dispositif semiconducteur de
surface plus importante, le dispositif semiconducteur a grande surface
comportant une couche de substrat commune electriquement conductrice,
un corps semiconducteur depose sur la couche de substrat, et une
couche electriquement
conductrice et transparente deposee sur le corps semiconduc-
teur Le procede est caracterise par les operations consis-
tant a diviser le corps semiconducteur de grande surface en plusieurs
parties isolees electriquement en divisant la
couche transparente en plusieurs segments discrets corres-
pondant aux parties isolees electriquement et selon lesquelles le
corps semiconducteur a grande surface est divise, et a decouper le
dispositif semiconducteur a grande surface en des parties isolees pour
former au moins un dispositif semiconducteur discret de faible surface
Le dispositif semiconducteur discret de faible surface comprend un
segment du substrat commun, un segment correspondant du
corps semiconducteur de grande surface, et un segment dis-
cret correspondant de la couche transparente.
On decrira maintenant a titre d'exemple un mode de realisation prefere
de l'invention, avec reference aux dessins annexes Sur les dessins: La
fig 1 est une vue en coupe partielle d'une cellule photovoltalque en
cascade comprenant plusieurs cellules de type p-i-n, chaque couche des
cellules comprenant un alliage
semiconducteur amorphe.
La fig 2 a est une vue en plan de dessus et partielle
d'un mode de realisation de la presente invention, represen-
tant le motif en forme de grille electrique forme sur la couche
d'oxide conducteur transparent pour diviser le corps
semiconducteur en plusieurs parties isolees.
La fig 2 b est une vue en plan partielle de dessus representant un
autre mode de realisation de la presente invention o des segments
discrets de la couche d'oxide conducteur et transparent divisent le
corps semiconducteur
en plusieurs parties isolees.
La fig 3 est une vue en plan de dessus representant une
disposition preferee d'une connexion electrique entre plu-
sieurs cellules solaires pour former le panneau a cellules
solaires perfectionne de la presente invention.
La fig 4 est une vue en coupe de l'appareillage sous vide en deux
parties dans lequel l'agent de liaison flue et se polymerise pour
relier les couches d'encapsulage aux surfaces opposees d'une cellule
solaire de la presente invention.
I Cellule photovoltalque en tandem.
Si on se refere maintenant aux dessins et en particulier a la fig 1,
une cellule photovoltalque du type a empilement, en tandem ou en
cascade, formee par des couches successives p-i-n comportant chacune
un alliage semiconducteur amorphe, est indiquee dans son ensemble par
la reference 10 Selon un mode de realisation prefere, l'un des
procedes decrits dans
la presente invention est apte a produire une cellule photo-
voltalque amelioree de ce type Mais ce procede, et d'autres qui sont
egalement decrits ici, ne sont pas uniquement limites a la production
de cellules photovoltatques empilees de type p-i-n, mais sont
egalement valables pour la production
de cellules de Schottky ameliorees ou du type MIS (metal-
isolant semiconducteur) ameliorees, ou simplement a la production de
dispositifs semiconducteurs ameliores Quel que soit le type de la
cellule, les procedes de production nouveaux qui sont decrits ici sont
surtout utiles pour des
cellules photovoltalques constituees par des couches uni-
formes de materiaux semiconducteurs et une couche d'oxide conductrice,
transparente et uniforme deposee sur les
couches de materiaux semiconducteurs.
Plus particulierement, la fig 1 montre plusieurs cel-
lules solaires 12 a, 12 b et 12 c Au-dessous de la cellule 12 a qui
est le plus au-dessous est prevu un substrat 11 qui peut etre
transparent ou forme a partir d'une feuille a surface metallique Bien
que certaines applications puissent exiger l'utilisation d'une couche
d'oxide mince et/ou d'une serie de contacts de base avant
l'application du materiau amorphe,
le terme de substrat", dans le cadre de la presente deman-
de, est utilise pour designer non seulement un film souple,
mais aussi tous elements qui lui sont ajoutes par un traite-
ment preliminaire Habituellement, le substrat 11 peut 5 tre realise en
acier inoxydable, en aluminium, en tantalum, en
molybdenum ou en chromium.
Chacune des cellules 12 a, 12 b, 12 c comprend un corps
d'alliage amorphe comprenant au moins un alliage de sili-
cium Chacun des corps d'alliage comprend une region ou couche 20 a, 20
b, 20 c a conductivite de type n; une region ou couche intrinseque 18
a, 18 b, 18 c, et une region ou couche 16 a, 16 b, 16 c de
conductivite de type p Comme illustre, la cellule 12 b est une cellule
intermediaire, et comme indique
a la fig 1, il est possible'd'empiler des cellules inter-
mediaires et additionnelles sur les cellules illustrees sans
s'ecarter de l'esprit ou du champ d'application de la pre-
sente invention Donc et bien que ce soient des cellules de type p-i-n
empilees qui soient illustrees, l'invention
s'applique egalement a des cellules individuelles ou empi-
lees de type n-i-p.
Pour chacune des cellules 12 a, 12 b et 12 c, les couches de type p
sont caracterisees par des couches d'alliage a haute conductivite et
faible absorption de la lumiere Les couches d'alliages intrinseques
sont caracterisees par un seuil de longueur d'onde ajuste pour une
photoreponse solaire, une absorption elevee de la lumiere, une faible
conductivite d'obscurite et une forte photoconductivite, y
compris des quantites suffisantes d'un element ou de plu-
sieurs elements de reglage de l'intervalle de bande destines
a rendre cet intervalle de bande optimal en vue de l'appli-
cation particuliere de la cellule De preference, l'inter-
valle de bande des couches intrinseques est ajuste pour obtenir une
cellule 12 a ayant l'intervalle de bande le plus bas, une cellule 12 c
ayant l'intervalle de bande le plus haut, et une cellule 12 b ayant un
intervalle de bande situe
entre les deux autres Les couches de type N sont caracte-
risees par des couches d'alliages a haute conductivite et a faible
absorption de la lumiere L'epaisseur des couches de type N est situee
de preference dans la gamme de 25 a 500
angstroms environ L'epaisseur des couches d'alliages intrin-
seques amorphes dont l'intervalle de bande a ete ajuste est situee de
preference entre environ 2 000 angstroms et 30 000
angstroms L'epaisseur des couches de type p est de prefe-
rence comprise entre 50 et 500 angstr 5 ms En raison de la longueur de
diffusion plus courte des trous, les couches de type p sont en general
aussi minces que possible En outre, la couche externe, qui est dans le
cas present la couche de
type p 20 c, est aussi mince que possible pour eviter d'ab-
sorber la lumiere, et il n'est pas necessaire qu'elle com-
prenne le ou les elements d'ajustage de l'intervalle de bande.
On comprendra qu'a la suite du depot des couches d'al-
liages semiconducteurs, on realise une seconde operation de depot Au
cours de celle-ci, on ajoute une couche d'oxide 22 conductrice,
transparente et continue ou discontinue, sur la couche de type N 20 c,
ladite couche d'oxide conductrice et transparente pouvant etre
constituee par exemple par un mince film d'tin-indium oxide, de
cadmium stannate,
ou d'tin oxide dope, ayant une epaisseur de 500 angstrEms.
En outre,un motif 24 en forme de grille electriquement il conductrice,
qui sera decrit en detail plus loin, peut etre ajoute sur la surface
superieure de la couche d'oxide 22 conductrice et transparente, par
exemple, avec une pate electriquement conductrice Selon les principes
de la presente invention, on depose ou on trace sur le corps
semiconducteur une couche d'oxide 22 conductrice, transpa-
rente et discontinue (voir fig 2 b) lorsque la cellule empilee a une
surface suffisamment importante, ou lorsque la conductivite d'une
couche continue constituee par une couche d'oxide conductrice et
transparente reste insuffisante, de maniere a raccourcir le parcours
suivi par les porteurs et augmenter le rendement conducteur de la
cellule Du fait que dans la presente invention, chaque cellule solaire
10 est constituee de preference par un element de forme generale
plane de 0,0929 m 2 (un pied carre), la couche d'oxide con-
ductrice, transparente et discontinue est necessaire.
II Procede pour isoler electriquement une partie du corps
semiconducteur.
La fig 2 a represente une partie de la surface supe-
rieure de la couche d'oxide 22 conductrice et transparente d'une
cellule solaire unique 10 Comme on peut le voir facilement a l'examen
de cette fig, le corps semiconducteur de la cellule solaire unique 10
est divise en plusieurs parties 26 qui sont isolees electriquement
d'une maniere qui sera decrite ci-apres Bien que le nombre exact et la
disposition des parties isolees du corps semiconducteur puissent
varier sans s'ecarter de l'esprit ou du champ d'application de la
presente invention, on forme pour chaque cellule solaire 10 douze (
12) rangees paralleles de quinze ( 15) parties isolees 26 (soit au
total cent-quatre-vingt sous-cellules) L'expression "partie isolee"
est definie ici comme etant une partie d'un dispositif semiconducteur,
tel qu'une cellule solaire, qui est isolee electriquement
d'autres parties du dispositif semiconducteur, et qui par-
tage un substrat commun ou une electrode commune avec ces
autres parties.
Selon un mode de realisation prefere, les parties isolees 26 sont
formees par un segment discret de la couche d'oxide 22 conductrice et
transparente deposee sur le corps semiconducteur de la cellule
photovoltalque 10 Chaque partie isolee 26 peut etre constituee a
partir de la couche d'oxide 22 conductrice, transparente et continue
par tout procede connu de photo-lithographie et de decapage chimique.
Par exemple, on peut deposer une solution d'un enduit photo-
resistant sur la surface de la couche d'oxide 22 qui est conductrice
et transparente, et on peut la soumettre a un chauffage prealable pour
eliminer les solvants, en laissant ainsi un mince film en tant que
residu Le motif en forme de grille 24, dont la forme particuliere sera
decrite ci-apres, est alors applique sur le film, et les parties du
film qui ne sont pas recouvertes par le motif sont exposees a des
radiations electromagnetiques, habituellement dans la region
ultraviolette du spectre, ou a un faisceau d'electrons ayant
une energie apte a developper le film Pendant le develop-
pement du film, et en utilisant des procedes habituels de caractere
chimique ou a plasma, on elimine les parties exposees (enduit
photoresistant positif) ou les parties non exposees (enduit
photoresistant negatif) du film, ainsi que la couche d'oxide
sous-jacente 22 qui est conductrice et transparente Le film
photoresistant residuel est rince avec
un solvant pour l'eliminer de la surface de la couche d'oxy-
de 22 qui est conductrice et transparente Un motif en forme de grille
24 peut alors etre applique sur la surface des parties de la couche
d'oxide 22 qui est conductrice et
transparente et qui sont maintenant isolees.
Pendant que se deroule le processus indique ci-dessus, le processus de
sechage et de polymerisation comporte des operations dites de
*precuisson" et de upost-cuisson' qui peuvent etre obtenues en
chauffant la solution d'enduit photoresistant entre 95 et 120 environ
pendant 20 a 25 minutes En variante, on peut utiliser une
polymerisation par micro- ondes, ou toute autre technique de
polymerisation bien connue Ces autres techniques sont utilisees soit (
1) pour reduire la duree du sechage ou ( 2) pour maintenir les couches
inferieures de la triade de couches amorphes de la cellule solaire a
une temperature proche de la temperature ambiante Ces diverses
techniques de polymerisation sont toutes comprises dans le champ
d'application de la presente invention. Dans le mode de realisation
illustre a la fig 2 b, les parties isolees 26 du corps semiconducteur
peuvent etre formees en divisant la coucne d'oxide 22 qui est
conductrice et transparente en plusieurs segments discrets 22 a-22 u
sans lui appliquer un motif en forme de grille 24 On comprendra
que dans le cadre de cette description, la reference 26 se
refere a des parties isolees de la couche d'oxide 22 qui est
conductrice et transparente et sur laquelle a ete applique
un motif en forme de grille, alors que les references 22 a-
22 u se referent a des parties isolees de la couche d'oxide 22 qui est
conductrice et transparente mais qui ne comprend pas de motif en forme
de grille applique sur elle Les segments discrets 22 a-22 u de la
couche d'oxide 22 qui est conductrice et transparente peuvent etre
formes soit en commencant par deposer la couche d'oxide 22 qui est
conduc-
trice et transparente de facon discontinue de maniere a former
plusieurs segments discrets et espaces 22 a-22 u, soit en deposant une
couche d'oxide conductrice, transparente et continue, puis en
eliminant les parties intermediaires par la technique de
photolithographie et de decapage decrite precedemment. Comme indique
ci-dessus, on peut appliquer un motif en forme de grille 24 sur chaque
partie isolee 26, qu'elle soit formee par une couche d'acidconductrice
et transparente continue ou discontinue La dimension en largeur de
chaque motif en forme de grille 24 est definie par plusieurs raies 30
electriquement conductrices, paralleles, relativement
minces et pratiquement espacees de facon reguliere, s'eten-
dant perpendiculairement des deux cotes d'une raie de con-
nexion 32 pour barre omnibus qui est electriquement conduc-
trice, relativement epaisse et dont la largeur va en aug-
mentant, qui definit la dimension en longueur du motif en forme de
grille 24 La largeur totale de chaque partie isolee 26 est d'environ
19,05 mm ( 3/4 de pouce) et la longueur totale de chaque sous-cellule
26 est d'environ,54 mm (un pouce) Les motifs en forme de grille 24
sont formes de maniere a porter au maximum le courant collecte du
corps semiconducteur tout en reduisant au minimum la quan-
tite de lumiere que l'on empeche de penetrer dans le corps
semiconducteur Dans le mode de realisation prefere, une cellule
solaire 10 de 0,0929 m 2 est divisee en douze ( 12) rangees paralleles
de quinze ( 15) parties isolees 26, soit au total de cent-quatre-vingt
( 180) parties isolees 26 Il
est preferable que chaque motif en forme de grille 24 com-
prenne huit ( 8) raies paralleles 30 et que la raie de
connexion 32 pour barre omnibus augmente en epaisseur jus-
qu'a une dimension maximale d'environ 1,59 mm ( 1/16 de pouce) a son
extremite qui est eloignee du motif en forme de
grille 24 L'homme du metier et normalement qualifie compren-
dra facilement que la disposition des parties isolees 26, les
dimensions en longueur et en largeur des motifs en forme de grille 24
et des parties isolees 26, le nombre de raies paralleles 30, le nombre
de rangees paralleles des parties isolees 26, le nombre total de
parties isolees 26 formees
sur une cellule solaire donnee 10 et de ce fait les dimen-
sions et la configuration de la cellule solaire 10, ou autre
dispositif photovoltalque, peuvent varier sans s'ecarter de
l'esprit et du champ d'application de la presente invention.
Quelle que soit la disposition choisie, les motifs en forme de grilles
24 peuvent etre imprimes au moyen d'une technique connue quelconque
telle qu'une impression au pochoir sur les segments en oxide
conducteurs et transparents, au moyen d'un
materiau electriquement conducteur tel qu'une silver.
Bien qu'on ait decrit deux procedes pour former les parties isolees 26
du corps semiconducteur d'une cellule photovoltaique, d'autres
procedes pour "tracer' ces parties isolees sont compris dans le champ
d'application de la presente invention En outre, le mot de 'tracage'
tel qu'il est utilise ici couvre tous les procedes bien connus pour
eliminer le motif 22 en oxide conducteur et transparent, ledit procede
pouvant etre, sans y etre limite: (a) le decapage chimique, (b) le
decapage par plasma, (c) les diverses techniques a laser, (d) une
technique a jet d'water et (e) l'application sur la couche d'oxide
conductrice et transparente d'origine d'un masque pour former a
l'origine
lesdits segments discontinus et distincts.
III Utilitation des parties electriquement isolee d'un corps
semiconducteur Chaque partie isolee 26 d'une cellule solaire 10 peut
etre essayee individuellement pour determiner si sa sortie electrique
est suffisante pour la rendre "electriquement operationnelle' ou
"utilisable electriquement" Dans le contexte de la presente demande,
les expressions de "partie isolee electriquement operationnelle" et de
"partie isolee utilisable electriquement' se referent aux parties
isolees 26 du corps semiconducteur d'une cellule solaire 10 donnee
fournissant une tension de sortie satisfaisante On a determine que la
connexion electrique d'une partie isolee 26 d'un corps semiconducteur
ayant une sortie electrique non satisfaisante reduit le rendement
d'ensemble de la cellule solaire 10 En outre, du fait que les parties
isolees 26 de chaque cellule solaire 10 sont reliees en parallele, la
connexion electrique d'une partie isolee 26 quelconque de la cellule
solaire 10 fournissant en sortie une tension tres faible peut reduire
de facon importante la sortie electrique
de la totalite de la cellule solaire 10.
Apres avoir termine d'essayer individuellement chaque partie isolee
individuelle 26 d'une cellule solaire donnee, on fixe une bande ou une
barre-omnibus 34 en copper, electriquement conductrice et allongee sur
la surface de la couche d'oxide 22 qui est conductrice et transparente
ou du corps semiconducteur au moyen d'un adhesif electriquement
isolant au silicone L'adhesif au silicone peut etre appli-
que sous forme d'une couche tres mince du fait que les
barres omnibus 34 doivent etre positionnees entre des ran-
gees alternees de parties isolees 26 du corps semiconduc-
teur En d'autres termes, meme apres que les barres omnibus
34 aient ete fixees au dispositif semiconducteur, un inters-
tice subsiste entre segments discrets adjacents 22 a-22 u des
parties isolees en oxide 26 qui sont conductrices et trans-
parentes et la barre omnibus 34 associee Dans le mode de realisation
prefere o douze rangees de parties isolees 26
sont prevues, on utilise six bandes ou barres omnibus conduc-
trices 34 ayant une largeur d'environ 3,17 mm ( 1/8 de pouce) et une
epaisseur de 0,076 mm La raie 32 qui etablit la connexion avec la
barre omnibus a partir de chaque partie
isolee et electriquement operationnelle 26 d'un corps semi-
conducteur est reliee electriquement a une barre omnibus adjacente 34
en utilisant un point realise en un materiau
electriquement conducteur 35 tel que de la silver.
Les parties isolees 26 dont la sortie electrique tombe au-
dessous d'un niveau minimal satisfaisant que l'on a choisi restent
electriquement isolees par l'adhesif isolant au
silicone de la barre omnibus en copper 34 qui est electri-
quement conductrice A la figure 2 a, on peut voir que du fait de sa
sortie electrique non satisfaisante, la partie isolee 26 a sur
laquelle est applique le motif en forme de grille 24 a n'a pas ete
reliee electriquement par un point de
silver 35 a la barre omnibus 34.
Comme on peut le voir a l'examen du mode de realisation prefere qui
est illustre a la fig 3, les extremites des six
barres omnibus en copper 34 s'etendent au-dela de la peri-
pherie de chaque cellule solaire 10 Bien que non illustree, la surface
de fond ou arriere de chaque cellule solaire 10
est egalement munie d'une electrode ou d'un contact electri-
que, par exemple par un soudage par point En reliant les six barres
omnibus 34 et le contact du substrat, on peut essayer electriquement
la sortie electrique de la totalite de la cellule solaire 10 Les
cellules solaires 10 qui presentent des valeurs de sortie electrique
satisfaisantes sont alors pretes a etre encapsulees entre des couches
electriquement isolantes et protectrices constituees par des
feuilles, comme cela sera decrit en detail plus loin.
IV Appareillage a vide a double chambre Il faut utiliser un appareil
concu specialement pour encapsuler les cellules solaires 10 entre les
feuilles protectrices d'isolation Un mode de realisation prefere de
l'appareil permettant d'effectuer cet encapsulage est represente a la
fig 4, mais on comprendra que ce resultat peut etre atteint avec
d'autres appareils, qui sont tous
* compris dans le champ d'application de la presente invention.
Plus particulierement, une double chambre a vide est
designee dans son ensemble par la reference 36 a la fig 4.
Le dispositif a vide 36 comprend une chambre superieure 38, une
chambre inferieure 40 et un diaphragme 42 en caoutchouc de silicone et
tres flexi Zle, qui est apte ( 1) a former un joint etanche au vide
entre les chambres superieure et inferieure de l'appareil a vide 36,
et ( 2) a se conformer au
coutour d'un dispositif photovoltaique dans le but de trans-
mettre une force au dispositif Bien que cela ne soit pas
represente, on comprendra que l'acces a la chambre inferi-
eure 40 est necessaire pour y introduire et y fixer la cellule solaire
10 qui n'est pas encapsulee, ou tout autre dispositif photovoltalque,
pour sceller la cellule solaire
ou le dispositif photovoltalque entre une couche supe-
rieure et transparente 52 et une couche inferieure electri-
quement isolee 53 Un orifice a air 44 muni d'un clapet de non-retour
45 a forme un passage vers l'interieur de la chambre superieure 38 et
un orifice a air 46 muni d'un clapet de non-retour 45 b forme un
passage vers l'interieur
de la chambre inferieure 40 en vue de l'evacuation simulta-
nee de l'air des deux chambres et de la reintroduction subsequente de
l'air dans la chambre superieure 38 Plusieurs elements chauffants 50,
prevus dans la base de la chambre inferieure 40, permettent de
chauffer le dispositif a vide 36 aux temperatures qui conviennent pour
le fluage et la
polymerisation de l'agent de liaison.
En fonctionnement, on etale ou on vaporise une couche d'un agent de
liaison tel que de l'ethylvinyl acetate sur au moins les parties
importantes aussi bien de la couche d'oxide 22 qui est conductrice et
transparente que de la couche de substrat 11 de la cellule solaire 10
On place sur l'ethylvinyl acetate des couches encapsulantes 52 telles
que ( 1) en verre ou ( 2) en une resine synthetique plastique telle
que le TEDLAR (marque deposee de Dupont) ayant des dimensions en
longueur et en largeur legerement superieures aux dimensions en
longueur et en largeur de la cellule solaire 10 ou du dispositif
photovoltalque La fonction de l'ethylvinyl acetate est de solidariser
les couches encapsulantes 52 avec la cellule solaire 10 ou le
dispositif
photovoltaique La fonction de la couche encapsulante supe-
rieure ou exposee 52 est d'admettre la lumiere, d'isoler de
l'electricite et de proteger la cellule solaire 10 ou le dispositif
photovoltalque des conditions de l'environnement
quand la cellule solaire 10 ou le panneau a cellules solai-
res 9 est monte de facon operationnelle par exemple sur une toiture La
fonction de la couche encapsulante inferieure 53 est d'isoler
electriquement la couche de substrat 11 de la cellule solaire 10
d'elements electriquement conducteurs qui peuvent venir en contact
quand elle est montee de facon a
etre operationnelle.
Pour que l'agent de liaison puisse fluer et se polyme-
riser, un sandwich constitue par la couche encapsulante, l'ethylvinyl
acetate, la cellule solaire, l'ethylvinyl acetate et la couche
encapsulante est place dans la chambre inferieure 40 de l'ensemble a
vide 36, immediatement au-dessous du diaphragme en caoutchouc de
silicone 42 On commence par eliminer l'air simultanement de la chambre
superieure 38 et de la chambre inferieure 40, puis on repom-
pe ou en renvoie de l'air dans la chambre superieure 38 pour
amener le diaphragme en caoutchouc de silicone 42 a s'affais-
ser On poursuit le pompage jusqu'a ce que le diaphragme 42
exerce une pression d'une atmosphere sur le sandwich consti-
tue par la couche encapsulante, l'ethylvinyl acetate, la
cellule solaire, l'ethylvinyl acetate et la couche encap-
sulante Lorsque l'air est pompe dans la chambre superieure 38, le
diaphragme flexible 42 est pousse vers le bas a partir de sa position
d'equilibre normale, representee par la ligne 42 a a la fig 4, vers
une position qui s'adapte au contour de la cellule, represente par la
ligne en traits mixte 42 b de la fig 4, o le diaphragme vient buter et
se presser contre la cellule solaire 10 ou autre dispositif
photovoltalque et la surface inferieure de la chambre inte-
rieure 40 avec une pression d'une atmosphere La chambre inferieure 40
de l'ensemble a vide 36 est chauffee a 130 'C par des elements
chauffants 50 A la temperature de 1301 C et a la pression d'une
atmosphere, l'ethylvinyl acetate flue
et se polymerise, solidarisant ainsi les couches encapsu-
lantes superieure et inferieure au dispositif photovoltai-
que Du fait que l'ethylvinyl acetate est pulverise dans un vide, il ne
se forme pas de bulles lorsque le processus de fluage et de
polymerisation se deroule La fabrication du
dispositif photovoltalque est alors terminee et le disposi-
tif peut etre utilise soit individuellement, soit en combi-
naison, comme on le desire.
V Panneau a cellules solaires Le panneau a cellules solaires designe
dans son ensemble par la reference 9 est represente a la fig 3, et
dans cette
forme preferee, huit cellules solaires 10 a-l Oh sont dispo-
sees selon une matrice de quatre fois deux elements de maniere a
obtenir un panneau a cellules solaires 9 dont les dimensions sont
approximativement de 61 cm par 122 cm Dans le mode de realisation
illustre, les barres omnibus 34 de
chaque cellule solaire individuelle l Oa-l Oh sont intercon-
nectees, par exemple par des rubans electriquement conduc-
teurs 19 a-19 h, de maniere a determiner un unique contact par couche
transparente Le ruban 19 a de la cellule solaire 10 a est relie au
contact du substrat de la cellule solaire 10 b; le ruban 19 b de la
cellule solaire 10 b est relie au contact du substrat de la cellule
solaire 10 c; le ruban 19 c de la cellule solaire 10 c est relie au
contact du substrat de la cellule solaire 10 d; le ruban 19 d de la
cellule solaire 10 d est relie au contact du substrat de la cellule
solaire 10 h; le ruban 19 h de la cellule solaire 10 h est relie au
contact du substrat de la cellule solaire 10 g; le ruban 19 g de la
cellule solaire 10 g est relie au contact du substrat de la cellule
solaire 10 f; le ruban 19 f de la cellule solaire 10 f est relie au
contact du substrat de la cellule solaire 10 e; le ruban 19 e de la
cellule solaire 10 e et le contact du substrat de la cellule solaire
10 a determinent les contacts respectifs 2 ba et 21 b au moyen
desquels on peut connecter un panneau a cellules solaires 9 qui est
adjacent On peut ainsi recouvrir par exemple-la totalite d'une toiture
en
interconnectant plusieurs panneaux a cellules solaires 9.
VI Autres utilisations La division d'un corps semiconducteur a grande
surface en plusieurs parties electriquement isolees de plus petite
surface a d'autres usages importants Par exemple, alors que la
production en serie de bandes continues de dispositifs photovoltalques
est sur le point de commencer, on pourra realiser des dispositifs
ayant une surface pouvant atteindre une longueur de 305 metres ( 1000
pieds) et une largeur de 40,64 cm ( 16 pouces) Pour utiliser les
dispositifs tels que les cellules solaires discutees dans la presente
demande, il est necessaire de decouper la bande continue en cellules
ayant une surface de 0,0929 m 2 (un pied carre) Et meme lorsque les
dispositifs photovoltalques sont produits sous
forme de plaques discretes, ces plaques peuvent etre decou-
pees en des plaques plus petites pour les utiliser en tant
que dispositifs d'alimentation de puissance pour des calcu-
latrices, des montres, etc. On a constate que les essais effectues
pour decouper ou sectionner les dispositifs photovoltalques a grande
surface
en dispositifs de plus petite surface entrainent la forma-
tion de court-circuits qui rendent les dispositifs non
operants Cependant, si on commence par diviser le disposi-
tif semiconducteur a grande surface en plusieurs dispositifs de plus
petite surface en divisant leur corps semiconducteur en plusieurs
parties isolees electriquement, comme decrit ici, le dispositif
semiconducteur a grande surface peut alors etre decoupe le long des
espaces ou interstices prevus entre les parties isolees individuelles
pour former des dispositifs semiconducteurs de dimensions appropriees
et de petite surface sans provoquer de court-circuits electriques
dans le dispositif.
On a egalement constate que les parties isolees 26 du corps
semiconducteur dont la sortie electrique n'est pas suffisante peuvent
etre parfois recuperees, par exemple au moyen d'un balayage par laser
Lorsque le defaut a ete elimine, les parties isolees qui sont alors
acceptables et les parties isolees qui etaient acceptables des
l'origine peuvent etre toutes reliees electriquement Le rendement
d'ensemble du dispositif semiconducteur est ainsi ameliore.
On comprendra que la presente invention n'est pas limi-
tee a la structure precise des modes de realisation illus-
tres Il est entendu que la description ci-dessus des modes
de realisation actuellement preferes doit etre consideree
comme illustrative et non limitative de la presente inven-
tion.
Claims
_________________________________________________________________
REVENDICATIONS
1 Procede de fabrication de dispositifs photovoltaiques perfectionnes,
chaque dispositif photovoltaique comprenant une couche de substrat
commune et electriquement conductri- ce, un corps semiconducteur
depose sur la couche de subs- trat, et une couche electriquement
conductrice et transpa- rente deposee sur le corps semiconducteur,
caracterise en ce qu'il consiste a diviser le corps semiconducteur en
plusieurs parties, chaque partie etant pratiquement isolee
electriquement des autres parties, a essayer la sortie electrique de
chaque partie isolee du corps semiconducteur, a connecter seulement
les parties isolees qui fournis- sent une sortie electrique
satisfaisante a une bande elec- triquement conductrice, cette bande
conductrice determinant un contact electrique associe au corps
semiconducteur, et a determiner un contact electrique sur la couche du
substrat, ce qui permet d'ameliorer le rendement d'ensemble du
dispositif photovolta Xque en ne connectant electriquement que les
parties du corps semiconducteur fournissant une sortie electrique
satisfaisante.
2 Procede selon la revendication 1, caracterise en ce qu'il consiste
en outre a joindre structurellement et elec- triquement plusieurs
desdits dispositifs photovoltaiques pour former un panneau de
dispositifs photovoltalque dans lequel le contact de la couche
transparente de chacun de plusieurs dispositifs photovoltaiques et le
contact de la couche de substrat de chacun de plusieurs dispositifs
photo- voltalques sont relies electriquement.
3 Procede selon l'une des revendications 1 ou 2, carac- terise en ce
que la couche transparente est continue a l'origine, et en ce que le
corps semiconducteur est divise en plusieurs parties isolees en
tracant sur la couche transparente plusieurs segments discrets.
4 Procede selon la revendication 3, caracterise par l'application d'un
motif en forme de grille sur chaque segment discret de la couche
transparente.
5 Procede selon l'une des revendications 1 ou-2, carac- terise par
l'application de la couche transparente sous forme d'une couche
discontinue a l'origine, pour former plusieurs de parties
electriquement isolees.
6 Procede selon la revendication 5, caracterise en ce que plusieurs
parties isolees sont definies par plusieurs segments discrets de la
couche transparente.
7 Procede selon la revendication 6, caracterise par l'application d'un
motif en forme de grille sur chaque segment discret de la couche
transparente. g
8 Procede selon l'une des revendications 1 a 7, carac- terise en ce
qu'on encapsule supplementairement chaque dispositif photovoltalque
entre une couche protectrice superieure, laissant passer la lumiere et
electriquement isolante, et une couche inferieure electriquement
isolante.
9 Procede selon l'une des revendications 1 a 8, carac- terise par
l'operation supplementaire consistant a former le dispositif
photovoltalque sous forme d'un organe generale- ment plan et de grande
surface, divise en plusieurs rangees generalement paralleles, chaque
rangee etant definie par plusieurs parties isolees.
10 Procede selon la revendication 9, caracterise en ce que la bande
conductrice est une barre omnibus en copper fixee entre des rangees
alternees de parties isolees de ld couche transparente au moyen d'un
adhesif au silicone et electriquement isolant.
11 Cellule solaire perfectionnee comprenant une couche commune de
substrat electriquement conductrice, un corps semiconducteur depose
sur la couche de substrat, et une couche transparente deposee sur le
corps semiconducteur, la cellule solaire etant caracterisee par, en
combinaison, plusieurs parties ( 26) pratiquement isolees
electriquement qui subdivisent le corps semiconducteur, au moins une
bande electriquement conductrice ( 34), chaque partie isolee du corps
semiconducteur qui assure une sortie electrique satisfaisante etant
reliee electriquement a la ou aux bandes conductrices et la ou les
bandes conductrices determinant un contact electrique associe au corps
semiconducteur, un contact electrique sur la couche de substrat ( 11)
et une couche protectrice superieure ( 15) laissant passer la lumiere
et electriquement isolante ainsi qu'une couche inferieure ( 53)
electriquement isolante, les cellules solai- res (l Oa-l Oh et 12 a-12
c) etant encapsulees entre les couches superieure et inferieure de
maniere que seules les parties du corps semiconducteur assurant une
sortie-electrique satisfaisante soient connectees electriquement, en
amelio- rant ainsi le rendement d'ensemble de la cellule solaire.
12 Cellule solaire selon la revendication 11, caracte- risee en ce que
le corps semiconducteur comprend au moins une triade de couches, la ou
les triades de couches compre- nant une couche de conductivite p ( 16
a-16 c), une couche intrinseque ( 18 a-18 c) et une conche de
conductivite de type n ( 20 a-20 c).
13 Cellule solaire selon l'une des revendications 11 ou 12,
caracterisee par un motif en forme de grille ( 24) forme sur chaque
partie isolee ( 26) du corps semiconducteur.
14 Cellule solaire selon la revendication 13, caracte- risee en ce que
ladite cellule solaire (l Oa-l Oh et 12 a-12 c) est constituee par un
organe generalement plan et ayant une surface d'approximativement
0,0929 m 2 (un pied carre) divise en plusieurs rangees generalement
paralleles de parties isolees ( 26) du corps semiconducteur.
15 Cellule solaire selon l'une des revendications Il a 14,
caracterisee en ce que chacune desdites bandes conduc- trices ( 34)
est constituee par une barre omnibus en copper fixee entre les rangees
alternees de parties isolees ( 26) du corps semiconducteur.
16 Cellule solaire selon la revendication 15, caracteri- see en ce que
les barres omnibus en copper ( 34) sont fixees a des parties isolees (
26) du corps semiconducteur au moyen d'un adhesif au silicone et
electriquement isolant.
17 Procede de fabrication d'un dispositif semiconduc- teur a surface
relativement reduite a partir d'un dispositif semiconducteur de grande
surface, le dispositif semiconduc- teur de grande surface comprenant
une couche de substrat commune et electriquement conductrice, un corps
semiconduc- teur depose sur la couche de substrat, et une couche
trans- parente et electriquement conductrice deposee sur le corps
semiconducteur, procede caracterise en ce qu'il consiste a diviser le
corps semiconducteur de grande surface en plu- sieurs parties
electriquement isolees en divisant la couche transparente en plusieurs
segments discrets correspondant a plusieurs parties electriquement
isolees qui subdivisent le corps semiconducteur de grande surface, et
a sectionner le corps semiconducteur de grande surface entre les
parties isolees pour former au moins un dispositif semiconducteur
discret de petite surface qui comprend un segment du subs- trat
commun, un segment correspondant du corps semiconduc- teur de grande
surface, et un segment discret correspondant de la couche
transparente.
18 Procede selon la revendication 17, caracterise par la division du
corps semiconducteur en plusieurs segments discrets, lorsque la couche
transparente est ainsi divisee.
19 Procede selon l'une des revendications 17 ou 18, caracterise en ce
qu'avant le sectionnement dudit dispositif semiconducteur de grande
surface, on essaie la sortie elec- tric de chaque partie isolee du
corps semiconducteur et en ce que seules les parties isolees
fournissant une sortie electrique satisfaisante sont sectionnees.
20 Procede selon l'une des revendications 17 a 19, caracterise en ce
qu'on applique en outre un motif en forme de grille sur chaque partie
isolee de la couche transparente.
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