close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

FR2522158A1

код для вставкиСкачать
 [loading]
«
Click the Minesoft logo at anytime to completely reset the Document
Explorer.
[1][(4)__Full Text.......]
Discovered items are automatically translated into English so that you
can easily identify them.<br/><br/>If you would like to see them in
the original text, please use this button to switch between the two
options . Discoveries: ([2]Submit) English
Click to view (and print) basic analytics showing the makeup of
discovered items in this publication. [help.png]
[3][_] (5/ 21)
You can use the refine box to refine the discovered items in the
sections below.<br/>Simply type what you are looking for, any items
that do not match will be temporarily hidden. [4]____________________
[5][_]
Gene Or Protein
(4/ 15)
[6][_]
Est A
(6)
[7][_]
Etre
(5)
[8][_]
DANS
(3)
[9][_]
CES
(1)
[10][_]
Molecule
(1/ 6)
[11][_]
DES
(6)
Export to file:
Export Document and discoveries to Excel
Export Document and discoveries to PDF
Images Mosaic View
Publication
_________________________________________________________________
Number FR2522158A1
Family ID 8131689
Probable Assignee Thomson Csf
Publication Year 1983
Title
_________________________________________________________________
FR Title DISPOSITIF DE DETECTION DE PRESENCE OU D'ABSENCE D'UNE
QUANTITE DE CHARGE, ET DE MEMORISATION DU RESULTAT DE CETTE DETECTION
EN Title CHARGE QUANTITY DETECTION AND MEMORISATION DEVICE - USES
CAPACITOR AND INPUT-OUTPUT POTENTIAL RESPONSE CURVED OF INVERTER UNIT
Abstract
_________________________________________________________________
CE DISPOSITIF COMPORTE UN CONDENSATEUR 1, DES PREMIERS MOYENS 2 POUR
PRENDRE EN COMPTE, SOUS FORME LOGIQUE, LE POTENTIEL DU CONDENSATEUR 1,
DES DEUXIEMES MOYENS 9 POUR, DANS UN PREMIER TEMPS, FIXER LE POTENTIEL
DU CONDENSATEUR 1 A UNE VALEUR DONNEE, DES TROISIEMES MOYENS POUR,
DANS UN DEUXIEME TEMPS, MODIFIER OU NON LE POTENTIEL DU CONDENSATEUR 1
SUIVANT QU'IL Y A PRESENCE OU ABSENCE DE QUANTITE DE CHARGE A
DETECTER, ET DES QUATRIEMES MOYENS POUR DANS UN TROISIEME TEMPS,
REBOUCLER LA SORTIE DES PREMIERS MOYENS 2 SUR L'ENTREE DE CES PREMIERS
MOYENS, LA SORTIE DES PREMIERS MOYENS 2 CONSTITUANT LA SORTIE DU
DISPOSITIF DE DETECTION ET DE MEMORISATION.
APPLICATION AUX FILTRES PROGRAMMABLES NUMERIQUEMENT.
The circuit has a capacitor (1) whose first terminal is connected to
earth and whose second terminal is connected to a first unit (2) which
takes into account, in logical form, the potential VE of the
capacitor. The first unit has two inverters (3,6) connected in series,
the output of the unit constituting the output of the detection and
memorisation device. The input and output have high and low impedance
respectively. The output potential VS may take two stable stakes and
the response curve VS(VE) has a gain greater than 1 in the transition
zone between the two stable states. The capacitor is also connected to
a second unit (9) for setting, in a first time, the capacitor
potential to a given value, to have a functioning point situated in a
first zone of the response curve VS(VE) of the first unit or (VS/VE)-1
to a first sign. The unit is comprised of an MOS transistor (10). A
third unit (11), comprising a switch (12), modifies or not the
capacitor potential in a second time according to the presence or
absence of a quantity of charge in order to arrange the functioning
point in a second zone of the response curve VS(VE) or (VS/VE)-1 to a
second sign, or to maintain it in the first zone according to the
presence or absence of a quantity of charge. A fourth unit (13)
comprising an MOS transistor (14) sets, in a third time, the input
potential VE of a first unit equal to the output potential VS so that
the output potential is situated on the stable state of the response
curve VS(VE) corresponding to the second or first zone according to
the presence or absence of a quantity of charge.
Description
_________________________________________________________________
DISPOSITIF DE DETECTION DE PRESENCE OU D'ABSENCE
D'UNE QUANTITE DE CHARTE, DE MEMORISATION
DU RESULTAT DE CETTE DETECTION
La presente invention concerne un dispositif de detection de presence
ou d'absence d'une quantite de charge, et de memorisation du resultat
de cette detection.
Un tel dispositif trouve notamment a s'appliquer dans les dispositifs
a transfert de charge, et plus particulierement dans les filtres
utilisant la technique des dispositifs a transfert de charge et
programmables numeriquement. Dans ce type de filtre, les M
coefficients utiles a l'elaboration de la fonction de transfert du
filtre, codes dans un code a N elements binaires, sont memorises dans
N registres a transfert de charge a M etages, appeles registres
coefficient, et le signal a filtrer est applique a l'entree de N
autres registres a transfert de charge a M etages, appeles registres
signal.
Chacun des N registres signal est associe a l'un des N registres
coefficient, (la taille des differents registres signal augmentant
avec le poids des elements binaires stockes dans les registres
coefficient associes), et les etages de meme rang de chaque couple de
registres ainsi forme se correspondent.
A chaque couple de registres ainsi forme est associe un dispositif de
prise en compte, ou de non prise en compte, de la quantite de charge
obtenue en sortie de chacun des etages du registre signal, selon que
l'element binaire memorise dans l'etage correspondant du registre
coefficient associe a la valeur binaire un ou la valeur binaire zero.
Enfin, un systeme d'additionneurs, fournissant le signal de sortie du
filtre, est prevu en sortie des differents dispositifs de prise en
compte associes aux differents couples registre signal-registre
coefficient.
Un filtre programmable numeriquement de ce type est decrit dans la
demande de brevet francais deposee au nom de la deman deresse sous le
numero 78.32#38. lI est donc necessaire de prevoir entre la sortie de
chacun des etages des differents registres coefficient et l'entree
correspondante de chacun des differents dispositifs de prise en
compte, un dispositif de detection de presence ou d'absence de la
quantite de charge obtenue en sortie de l'etage considere du registre
coefficient, le resultat de cette detection conditionnant en fait
l'operation de prise en compte.
Les coefficients devant par ailleurs etre memorises pendant toute la
duree de traitement du signal, il est necessaire que ce dispositif de
detection de presence ou d'absence de quantite de charge assure
egalement une fonction de memorisation. Un dispositif de detection de
presence ou d'absence de quantite de charge et de memorisation du
resultat de cette detection est decrit dans la demande de brevet
francais deposee au nom de la demanderesse sous le numero 78.26552.
Ce dispositif comporte un substrat semi-conducteur sur lequel est
dispose un ensemble de grilles commandees par des potentiels
periodiques.
Parmi ces grilles se trouvent essentiellement une premiere et une
deuxieme grilles, situees dans le prolongement l'une de l'autre, et
alimentees d'un premier cote, la premiere par la quantite de charge a
detecter, la deuxieme par une quantite de charge donnee et d'un
deuxieme cote, par la quantite de charge obtenue en sortie d'une serie
de troisiemes grilles disposees parallelement aux deux grilles
precedentes, la premiere grille de cette serie etant alimentee par une
quantite de charge donnee.
Toutes ces grilles sont commandees de telle sorte que dans un premier
temps, la premiere et la deuxieme grilles soient alterna- tivement
bloquees puis passantes, permettant ainsi l'introduction d'un
echantillon de la quantite de charge a detecter. On obtient alors en
sortie de ces deux grilles, soit un signal presentant un niveau
pratiquement constant, soit un signal carre, suivant qu'il y a
presence ou absence de quantite de charge a detecter, ce qui permet
bien de faire une distinction entre la presence et l'absence d'une
quantite de charge.
Dans un deuxieme temps, la premiere et la deuxieme grilles sont
simultanement isolees de leurs alimentations respectives situees du
premier cote, permettant ainsi de memoriser le resultat de cette
detection.
Cependant la structure du dispositif de detection de presence ou
d'absence de quantite de charge decrit dans la demande de brevet
precitee est telle que le niveau du signal carre obtenu en sortie de
la premiere et de la deuxieme grille dans ce deuxieme temps en cas de
presence de quantite de charge a detecter, est identique au niveau
constant du signal obtenu sur cette meme sortie en cas d'absence de
quantite de charges a detecter.Pour maintenir la distinction entre
presence et absence de quantite de charge possible au cours de la
memorisation du resultat de cette detection, il est alors prevu
pendant le premier temps, et en cas de presence de charges a detecter,
de faire progresser sous la serie des troisiemes grilles la quantite
de charge donnee presente a l'entree de la premiere d'entre elles, de
la premiere a la derniere d'entre elles, de maniere a creer, au cours
du deuxieme temps, une variation de niveau du signal de sortie de la
premiere et de la deuxieme grille en cas de presence de quantite de
charge a detecter.
Le dispositif de detection de presence ou d'absence de quantite de
charge et de memorisation du resultat de cette detection, decrit dans
la demande de brevet precitee, presente une structure et un
fonctionnement complexes, se traduisant notamment par une grande
complexite des signaux de commande appliques sur les differentes
grilles.
La presente invention a pour objet un dispositif de detection de
presence ou d'absence de quantite de charge et de memorisation du
resultat de cette detection, permettant d'obtenir les memes resultats,
mais presentant une structure et un fonctionnement tres simplifies.
Le dispositif conforme a l'invention presente en outre une grande
sensibilite a la detection de faibles quantites de charge et une
grande stabilite de memorisation en depit de variations de temperature
ou d'ecarts de polarisation.
Selon l'invention, le dispositif de detection de presence ou d'absence
de quantite de charge et de memorisation du resultat de cette
detection, comporte:
- un condensateur,
- des premiers moyens pour prendre en compte, sous forme logique, le
potentiel VE du condensateur, la sortie des premiers moyens
constituant la sortie du dispositif de detection et de memorisation,
l'entree et la sortie de ces premiers moyens etant respectivement
haute et basse impedance, le potentiel Vs de cette sortie pouvant
prendre deux etats stables, et la courbe de reponse
V5 (VE) de ces premiers moyens presentant un gain superieur a 1 dans
la zone de transition entre les deux etats stables,
- des deuxiemes moyens pour fixer, dans un premier temps, le potentiel
du condensateur a une valeur donnee, de maniere a avoir un point de
fonctionnement situe dans une premiere zone de la courbe de reponse VS
(VE) des premiers moyens ou (VS/VE) - 1 a un premier signe,
- des troisiemes moyens pour, dans un deuxieme temps, modifier ou non
le potentiel du condensateur, selon qu'il y a presence ou absence de
quantite de charge, de maniere a amener le point de fonctionnement
dans une deuxieme zone de la courbe de reponse Vs (VE) des premiers
moyens ou (VS/VE) - I a un second signe, ou a le maintenir dans la
premiere zone, selon qu'il y a presence ou absence de quantite de
charge,
- des quatriemes moyens pour dans un troisieme temps, fixer le
potentiel VE d'entree des premiers moyens egal au potentiel Vs de
sortie des premiers moyens, de maniere que le potentiel Vs de sortie
des premiers moyens se situe sur l'etat stable de la courbe de reponse
Vs (VE) coroespondant a la deuxieme ou a la premiere zone, selon qu'il
y a presence ou absence de quantite de charge.
Les objets et caracteristiques de la presente invention d'un exemple
de realisation, ladite description etant faite en relation avec les
dessins ci-annexes dans lesquels
- la figure 1 est un schema d'un dispositif de detection et de
memorisation conforme a l'invention
- la figure 2 est un diagramme des temps des differents signaux
utilises pour la commande du dispositif represente a la figure 1;
- la figure 3 represente la courbe de transfert VS (VE) des premiers
moyens faisant partie du dispositif de detection et de memorisation
conforme a l'invention.
Le dispositif de detection et de memorisation represente a la figure 1
comporte un condensateur 1, de capacite CE greater than muni d'une
premiere borne reliee a la masse et d'une deuxieme borne reliee a
l'entree E de premiers moyens 2 aptes a prendre en compte, sous forme
logique, le potentiel VE du condensateur 1. Ces premiers moyens 2 sont
munis d'une sortie S basse impedance, leur entree E etant haute
impedance. Le potentiel V5 de sortie des premiers moyens 2 peut
prendre deux etats stables, la courbe de reponse Vs (VE) des premiers
moyens 2 presentant un gain superieur a I dans la zone de transition
entre ces deux etats stables.
A titre d'exemple correspondant a l'illustration qui en est faite sur
la figure 1, les premiers moyens 2 sont constitues par deux inverseurs
en serie. Un premier inverseur 3 est realise au moyen d'un transistor
MOS 4 a canal enrichi et d'un transistor MOS 5 a canal deplete
fonctionnant tous les deux en amplificateurs.
Le transistor MOS 4 est muni d'une electrode de commande G qui
constitue l'entree E des premiers moyens 2, d'une electrode E1 qui
recoit un potentiel continu Vss, et d'une electrode E2 qui est reliee
a la source du transistor MOS 5.
L'electrode de commande G et l'electrode E2 du transistor
MOS 5 recoivent un potentiel continu VDD. La sortie du premier
inverseur 3 est prise au point commun constitue par l'electrode E2 du
transistor MOS 4 et par l'electrode El du transistor MOS 5.
L'inverseur 6 est realise de maniere identique au moyen d'un
L'inverseur 6 est realise de maniere identique au moyen d'un
transistor MOS 7 a canal enrichi et d'un transistor MOS 8 a canal
deplete montes de maniere identique aux transistors 4 et 5, a ceci
pres que l'electrode de commande G du transistor MOS 7 est reliee a la
sortie S de l'inverseur 3. Le point commun a l'electrode E2 du
transistor MOS 7 et a l'electrode E1 du transistor MOS 8 constitue la
sortie S des premiers moyens 2.
La seconde borne du condensateur 1 est egalement reliee a la sortie de
deuxiemes moyens 9 permettant, dans un premier temps, de fixer le
potentiel VE du condensateur I a une valeur donnee Vl. A titre
d'exemple correspondant a l'illustration qui en est faite sur la
figure 1, les deuxiemes moyens 9 sont realises a l'aide d'un
transistor
MOS 10 fonctionnant en commutation. Ce transistor MOS 10 est muni
d'une electrode de commande G qui recoit un signal de commande #,
d'une electrode E1 qui recoit le potentiel Vl donne et d'une electrode
E2 qui est reliee a la deuxieme borne du condensateur 1.
La seconde borne du condensateur 1 est egalement reliee a la sortie de
troisiemes moyens 11 permettant, dans un deuxieme temps, de modifier
ou non le potentiel VE du condensateur 1 suivant qu'il y a presence ou
absence de quantite de charge.Les troisiemes moyens Il sont
representes de maniere symbolique sur la figure 1 a l'aide d'un
interrupteur 12 muni d'une entree de commande qui recoit un signal de
commande jp, d'une entree qui recoit la quantite de charge QO a
detecter, et d'une sortie qui est reliee a la deuxieme borne du
condensateur 1.
Dans le cadre de l'application aux filtres programmables numeriquement
envisagee precedemment, l'entree des troisiemes moyens 11 serait
reliee a la portion de substrat semi-conducteur correspondant a un
etage d'un registre coefficient, l'entree de commande des troisiemes
moyens 11 recevrait le signal de commande autorisant le transfert de
charge vers l'etage considere du registre coefficient, et la sortie
des troisiemes moyens de commande 11 serait egalement reliee a la
deuxieme borne du condensateur 1.
Le dispositif de detection et de memorisation comporte enfin des
quatriemes moyens 13 permettant, dans un troisieme temps, de rendre le
potentiel d'entree des premiers moyens 2 egal au potentiel de sortie
de ces premiers moyens.
A titre d'exemple correspondant a l'illustration qui en est faite sur
la figure 1, les quatriemes moyens 13 consistent en un transistor
MOS 14, muni d'une electrode de commande G sur laquelle est appliquee
un signal de commande XLs d'une electrode E1 reliee a l'entree E des
premiers moyens 2 et d'une electrode E2 reliee a la sortie S des
premiers moyens 2.
Le condensateur I peut etre constitue de maniere avantageuse par la
capacite parasite de diffusion drain et source des transistors 10 et
14 au point E.
Le fonctionnement du dispositif de detection et de memorisation
represente a la figure 1 est maintenant explique en relation avec les
figures 2 et 3.
La detection de quantite de charge et la memorisation du resultat de
cette detection font intervenir six instants successifs references tl,
t2, t3, t4, t5 et t6 sur le diagramme des temps de la figure 2.
L'allure des signaux de commande est donnee a titre d'exemple pour des
transistors MOS du type a canal N, mais des transistors
MOS du type a canal P pourraient egalement etre utilises en faisant
simplement subir aux signaux de commande les modifications imposees
par ce changement de signe.
Au temps tl, la commande percent passe de l'etat haut a l'etat bas, le
transistor 14 passant alors de l'etat passant a l'etat bloque. La
bascule definie par les deux inverseurs 3 et 6 en serie est alors en
boucle ouverte.
Au temps t2, alors que la bascule definie par les deux inverseurs 3 et
6 en serie est toujours en boucle ouverte, la commande @ passe de
l'etat bas a l'etat haut, le transistor 10 devenant alors conducteur.
Le condensateur 1 est alors precharge au potentiel Vl.
Le choix du potentiel Vl est determine d'apres les considerations
suivantes, qui sont faites en se referant a la figure 3. Sur la figure
3 on a represente en traits pointilles une courbe (a) qui est la
courbe de reponse de l'inverseur 3, et en traits pleins une courbe (b)
qui est la courbe de reponse VS (VE) des deux inverseurs 3 et 6 en
serie.
Sur la figure 3 on a egalement represente en traits pointilles plus
espaces la bissectrice (c), c'est a dire l'ensemble des points pour
lesquels Vs est egal a VE.
Les courbes (a) et (b) presentent chacune deux etats stables separes
par une zone de transistion.
Pour obtenir un fonctionnement correct du dispositif de detection et
de memorisation conforme a l'invention, il est necessaire que la
courbe de reponse Vs (VE) presente un gain superieur a 1 dans la zone
de transition, c'est a dire qu'elle coupe la bissectrice (c) en trois
points. L'un de ces points, M, est situe dans la zone de transition,
et les deux autres, B et H, sont situes sur les etats stables,
respectivement de niveau bas et de niveau haut.
Cette condition peut encore s'exprimer de la facon suivante. Si l'on
designe par L1 la longueur du canal des transistors 4 et 7,
(c'esta-dire la distance separant les deux diffusions constituant le
drain et la source de ces transistors), par W1 la largeur du canal des
transistors 4 et 7 (c'est-a-dire la dimension du canal dans un sens
transversal), par L2 et W2 respectivement la longueur et la largeur du
canal des transistors 5 et 8, par Bl le rapport W1/L1 et par B2 le
rapport W2/L2, il faut que B1 soit tres superieur a B2.
La bissectrice (c) delimite deux zones sur la courbe de reponse
VS (VE), une premiere zone ou VS est superieur a VE, c'est-a-dire ou
(VS/VE) - 1 est positif, et une seconde zone ou Vs est inferieur a
VE, c'est-a-dire ou (VS/VE) - I est negatif.
Le potentiel V1 doit etre tel que le point de fonctionnement
correspondant sur la courbe de reponse Vs (VE) soit dans la zone ou
Vs) VE ou dans la zone ou V5 less than VE suivant que les charges a
En d'autres termes, suivant que les charges a detecter sont des
electrons ou des trous, le potentiel Vl doit etre superieur ou
inferieur au potentiel VM greater than c'est-a-dire au potentiel VE
pour lequel le point de fonctionnement sur la courbe Vs (VE) est le
point M defini precedemment.
A titre d'exemple on a represente sur la figure 3 le cas ou les
charges a detecter sont des electrons, ce qui donne un point de
fonctionnement, correspondant au potentiel Vl, situe dans la zone de
la courbe Vs (VE)ou VS greater than VE Ce point de fonctionnement est
reference J sur la figure 3.
Au temps t3, la commande qiL etant toujours a l'etat bas, la commande
percent repasse a l'etat bas. Le potentiel du condensateur 1 devient
alors flottant.
Puis au temps t4, la commande L etant toujours a l'etat bas, la
commande jp passe de l'etat bas a l'etat haut, provoquant la fermeture
de l'interrupteur 12, et donc l'injection de la quantite de charge a
detecter. Si la quantite de charge QO a detecter existe et est
negative le potentiel du condensateur I decroit alors, a partir de la
valeur Vl, d'une quantite VE egale a Qo / CE, definissant un nouveau
point de fonctionnement K situe dans la zone de la courbe
VS (VE) ou V5 less than VE. En revanche, si la quantite de charge QO
est nulle, le potentiel VE du condensateur 1 reste constant et egal a
VI, et le point de fonctionnement se maintient en J.
Au temps t5, alors que la commande XL est encore a l'etat bas, la
commande jp repasse a l'etat bas, stoppant ainsi l'injection p des
eventuelles charges a detecter.
Au temps t6, la commande #L repasse a l'etat haut. Le transistor 14
devient alors conducteur et la bascule formee par les deux inverseurs
3 et 6 en serie est rebouclee. Comme la sortie S et l'entree E de
cette bascule sont respectivement basse et haute impedance, la sortie
S impose alors son potentiel a l'entree E.
Par consequent, s'il existe une quantite de charge negative a
detecter, comme le point de fonctionnement sur VS (VE) se situe dans
la zone ou Vs less than VE entre les instants t4 et t6, VE a tendance
a diminuer apres l'instant t6. Le point de fonctionnement se stabilise
donc dans la partie stable de niveau bas de la courbe VS (VE) et plus
precisement au point B puisque le point de fonctionnement se situe
alors necessairement sur la bissectrice (c). En revanche, s'il
n'existe pas de charges a detecter, comme le point de fonctionnement
sur V5 (VE) se situe dans la zone ou Vs greater than VE entre les
instants t4 et t6, VE a tendance a augmenter apres l'instant t6.Le
point de fonctionnement se stabilise donc dans la partie stable de
niveau haut de la courbe Vs (VE), et plus precisement au point H
puisque le point de fonctionnement se situe alors necessairement sur
la bissectrice (c).
Ce raisonnement serait analogue en cas de detection de quantite de
charge positive; seuls les sens de deplacement sur la courbe V5 (VE)
seraient inverses par rapport a la detection de quantite de charge
negative.
Apres l'instant t6 le resultat de la detection se trouve donc memorise
et disponible sur la sortie 5 de la bascule formee par les inverseurs
3 et 6 en serie.
On observe que le resultat complementaire se trouve disponible sur la
sortie 5 de l'inverseur 3, ce qui peut parfois presenter un interet.
Apres l'instant t6, il est possible de proceder a la detection de
presence ou d'absence d'une nouvelle quantite de charge, et a la
memorisation du resultat de cette detection.
En se referant a la figure 3, on observe que plus le potentiel Vl est
proche du potentiel VM, plus la quantite de charge que l'on peut
detecter est faible, car plus la chute de potentiel necessaire au
changement de zone sur la courbe Vs (VE) est faible. C'est donc l'un
des avantages du dispositif conforme a l'invention que de pouvoir
detecter une faible quantite de charge moyennant un reglage adequat du
potentiel de polarisation Vl.
Cette sensibilite a une faible quantite de charge est encore amelioree
si l'on reduit la capacite du condensateur 1, ce qui se produit par
exemple lorsque le condensateur 1 est reduit aux produit par exemple
lorsque le condensateur 1 est reduit aux capacites parasites de
diffusion drain et source des transistors 10 et 14 au point E.
De plus, le dispositif conforme a l'invention conserve une stabilite
de memorisation pour des ecarts de polarisation sur VDD ou des
variations de temperature accidentels.
Claims
_________________________________________________________________
REVENDICATIONS
1. Dispositif de detection de presence ou d'absence d'une quantite de
charge, et de memorisation du resultat de cette detection, caracterise
en ce qu'il comporte:- un condensateur (1),- des premiers moyens (2)
pour prendre en compte, sous forme logique, le potentiel VE du
condensateur (1), la sortie des premiers moyens (2) constituant la
sortie du dispositif de detection et de memorisation, l'entree et la
sortie des premiers moyens (2) etant respectivement haute et basse
impedance, le potentiel Vs de sortie des premiers moyens (2) pouvant
prendre deux etats stables, et la courbe de reponse Vs (VE) des
premiers moyens (2) presentant un gain superieur a 1 dans la zone de
transition entre les deux etats stables,- des deuxiemes moyens (9)
pour fixer, dans un premier temps, le potentiel du condensateur (I) a
une valeur donnee, de maniere a avoir un point de fonctionnement situe
dans une premiere zone de la courbe de reponse Vs (VE) des premiers
moyens (2) ou (VS/VE) - I a un premier signe;- des troisiemes moyens
(11) pour, dans un deuxieme temps, modifier ou non le potentiel du
condensateur (1) selon qu'il y a presence ou absence de quantite de
charge, de maniere a amener le point de fonctionnement dans une
deuxieme zone de la courbe de reponse V5 (VE) des premiers moyens (2)
ou (VS/VE) - 1 a une second signe, ou a le maintenir dans la premiere
zone, selon qu'il y a presence ou absence de quantite de charge,- des
quatriemes moyens (13) pour, dans un troisieme temps, fixer le
potentiel VE d'entree des premiers moyens (2) egal au potentiel Vs de
sortie des premiers moyens (2), de maniere que le potentiel V5 de
sortie des premiers moyens (2) se situe sur l'etat stable de la courbe
de reponse Vs (VE) correspondant a la deuxieme ou a la premiere zone,
selon qu'il y a presence ou absence de quantite de charge.
2. Dispositif selon la revendication 1, caracterise en ce que les
premiers moyens (2) comportent un premier et un deuxieme inverseurs
(3, 6) en serie, l'entree du premier inverseur (3) etant reliee a
l'une des bornes du condensateur (1), l'autre borne du condensateur
(1) etant mise a un potentiel de reference, et la sortie du deuxieme
inverseur constituant la sortie du dispositif de detection et de
memorisation.
3. Dispositif selon la revendication 1, caracterise en ce que les
deuxiemes moyens (9) comportent un transistor (10) du type MOS, muni
d'une premiere electrode qui recoit un potentiel donne (xi), d'une
deuxieme electrode qui est reliee a l'une des bornes du condensateur
(1), l'autre borne du condensateur (1) etant mise a un potentiel de
reference, et d'une electrode de commande qui recoit un signal de
commande (#) tel que ce transistor MOS (10) soit passant pendant le
premier temps et bloque en dehors de ce premier temps.
4. Dispositif selon la revendication 1, caracterise en ce que les
troisiemes moyens (11) comportent un interrupteur (12) muni d'une
entree qui recoit la quantite de charge a detecter, d'une sortie qui
est reliee a l'une des bornes du condensateur (1), l'autre borne du
condensateur (1) etant mise a un potentiel de reference, et d'une
entree de commande qui recoit un signal de commande tel que cet
interrupteur (12) soit ferme pendant le deuxieme temps et ouvert en
dehors de ce deuxieme temps.
5. Dispositif selon la revendication 1, caracterise en ce que les
quatriemes moyens (13) comportent un transistor du type MOS (14) muni
d'une premiere electrode reliee a l'entree des premiers moyens (2),
d'une deuxieme electrode reliee a la sortie des premiers moyens (2),
et d'une entree de commande qui recoit un signal de commande tel que
ce transistor MOS (14) soit passant pendant le troisieme temps, et
bloque en dehors de ce troisieme temps.6.Dispositif selon les
revendications 1, 3 et 5, caracterise en ce que le condensateur (1)
est constitue par la capacite parasite de diffusion drain et source
des deux transistors MOS (10, 14).
? ?
Display vertical position markers.<br/><br/>This option will display
the relative positions of currently selected key terms within the full
document length.<br/><br/>You can then click the markers to jump to
general locations within the document, or to specific discoveries if
you know whereabouts in the document they occur. [14][_]
Open a preview window.<br/><br/>This window will provide a preview of
any discovery (or vertical marker) when you mouse over
it.<br/><br/>The preview window is draggable so you may place it
wherever you like on the page. [15][_]
[static.png]
[close.png]
Discovery Preview
(Mouse over discovery items)
[textmine.svg] textmine Discovery
« Previous
Multiple Definitions ()
Next »
Enlarge Image (BUTTON) ChemSpider (BUTTON) PubChem (BUTTON) Close
(BUTTON) X
(BUTTON) Close
(BUTTON) X
TextMine: Publication Composition
FR2522158
(BUTTON) Print/ Download (BUTTON) Close
1. Welcome to TextMine.
The TextMine service has been carefully designed to help you
investigate, understand, assess and make discoveries within patent
publications, quickly, easily and efficiently.
This tour will quickly guide you through the main features.
Please use the "Next" button in each case to move to the next step
of the tour (or you can use [Esc] to quit early if you don't want
to finish the tour).
2. The main menu (on the left) contains features that will help you
delve into the patent and better understand the publication.
The main feature being the list of found items (seperated into
colour coded categories).
3. Click the Minesoft logo at any time to reset TextMine to it's
initial (start) state.
4. You can select which part of the document you'd like to view by
using the pull down menu here.
You can select "Full Text" to view the entire document.
5. For non-latin languages, (in most cases) full text translations
are available, you can toggle them on and off here.
You can also toggle the inline discovery translations between
English and their original language.
6. The pie chart icon will open a basic statistical breakdown of the
publication.
7. The sort icon allows you to sort the listed categories based on
the number of instances found.
Click to toggle between ascending and descending.
8. You can use the refine box to refine the discovered items in the
sections below.
Simply type what you are looking for, any items that do not match
will be temporarily hidden.
9. The publication has been analysed and we have identified items
within it that fit into these categories.
The specific items found are listed within the category headings.
Click the section header to open that section and view all the
identitfied items in that section.
If you click the checkbox all items in that section will be
highlighted in the publication (to the right).
The best thing to do is to experiment by opening the sections and
selecting and unselecting checkboxes.
10. The main output window contains the publication full text (or part
thereof if selected).
11. The Tools section contains tools to help you navigate the
"discovered" (highlighted) items of interest.
The arrows and counter let you move through the highlighted items
in order.
12. Other tools include a "Preview" option [ [preview.png] ] and the
ability to mark the relative locations of highlighted items by
using the "Marker" option [ [marker.png] ].
Try these out to best understand how they work, and to discover if
they are of use to you.
13. Items selected from the menu on the left will be highlighted in
the main publication section (here in the middle of the screen).
Click them for further information and insights (including
chemical structure diagrams where available).
14. Please experiment with TextMine - you cannot make any permanent
changes or break anything and once your session is closed (you've
log out) all your activity is destroyed.
Please contact Minesoft Customer Support if you have any questions
or queries at: support@minesoft.com
[16]____________________
[17]____________________
[18]____________________
[19]____________________
[20]____________________
[21]____________________
[22]____________________
[23]____________________
[24]____________________
[25]____________________
[BUTTON Input] (not implemented)_____ [BUTTON Input] (not
implemented)_____
Документ
Категория
Без категории
Просмотров
1
Размер файла
36 Кб
Теги
fr2522158a1
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа