close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

FR2522442A1

код для вставкиСкачать
 [loading]
«
Click the Minesoft logo at anytime to completely reset the Document
Explorer.
[1][(4)__Full Text.......]
Discovered items are automatically translated into English so that you
can easily identify them.<br/><br/>If you would like to see them in
the original text, please use this button to switch between the two
options . Discoveries: ([2]Submit) English
Click to view (and print) basic analytics showing the makeup of
discovered items in this publication. [help.png]
[3][_] (45/ 99)
You can use the refine box to refine the discovered items in the
sections below.<br/>Simply type what you are looking for, any items
that do not match will be temporarily hidden. [4]____________________
[5][_]
Molecule
(18/ 53)
[6][_]
SILICON NITRIDE
(10)
[7][_]
InGaAs
(8)
[8][_]
InP
(6)
[9][_]
SiN
(5)
[10][_]
GaAs
(4)
[11][_]
DES
(3)
[12][_]
aluminium
(3)
[13][_]
MES
(2)
[14][_]
silane
(2)
[15][_]
ammonia
(2)
[16][_]
INDIUM GALLIUM ARSENIDE
(1)
[17][_]
silicon
(1)
[18][_]
Gals
(1)
[19][_]
GaO
(1)
[20][_]
indium
(1)
[21][_]
HCl
(1)
[22][_]
nitre
(1)
[23][_]
citric acid
(1)
[24][_]
Physical
(21/ 21)
[25][_]
150 to 1000 microns
(1)
[26][_]
50 percent
(1)
[27][_]
de 0,2 eV
(1)
[28][_]
5 x 1016 cm
(1)
[29][_]
8 x 1016 cm
(1)
[30][_]
1015 cm
(1)
[31][_]
8 x 1018 cl
(1)
[32][_]
100 nm
(1)
[33][_]
25 nm
(1)
[34][_]
10 percent de
(1)
[35][_]
0,01 ohm
(1)
[36][_]
120 mA
(1)
[37][_]
1,8 m
(1)
[38][_]
6 x 1016 cm
(1)
[39][_]
de 4,5 volts
(1)
[40][_]
de 130 mm
(1)
[41][_]
de 4,2 pF/mm
(1)
[42][_]
de 1,3 pF/mm
(1)
[43][_]
4 volts
(1)
[44][_]
107 cm/s
(1)
[45][_]
0,35 m
(1)
[46][_]
Gene Or Protein
(5/ 15)
[47][_]
Etre
(7)
[48][_]
CHAMP
(3)
[49][_]
Est-a
(3)
[50][_]
ED1
(1)
[51][_]
In1
(1)
[52][_]
Generic
(1/ 10)
[53][_]
METAL
(10)
Export to file:
Export Document and discoveries to Excel
Export Document and discoveries to PDF
Images Mosaic View
Publication
_________________________________________________________________
Number FR2522442A1
Family ID 2423115
Probable Assignee Western Electric Co
Publication Year 1983
Title
_________________________________________________________________
FR Title TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP EN INGAAS
EN Title INDIUM GALLIUM ARSENIDE FET - INCLUDES THIN FILM OF SILICON
NITRIDE AND HAS HIGH TRANSCONDUCTANCE
Abstract
_________________________________________________________________
L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES SEMICONDUCTEURS.
UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP EN INGAAS COMPREND NOTAMMENT UN
SUBSTRAT 10, UNE COUCHE TAMPON 13, UNE COUCHE DE CANAL 16, UNE COUCHE
DE CONTACT DE SOURCE-DRAIN 19, DES ELECTRODES DE SOURCE ET DE DRAIN
22, 25, UN CONTACT 31 ET UNE COUCHE D'ISOLANT 28 CONSISTANT EN silicon
nitride. CETTE COUCHE D'ISOLANT SITUEE ENTRE LE METAL DU CONTACT ET LA
COUCHE DE CANAL, REDUIT LE COURANT DE FUITE DE GRILLE ET DONNE AU
TRANSISTOR DES CARACTERISTIQUES SOUHAITABLES, EN PARTICULIER UNE
TRANSCONDUCTANCE ELEVEE.
APPLICATION AUX TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ULTRA-RAPIDES.
Field effect transistor contains semi-conducting regions of source,
drain and canal all with the same type of conductivity but the source
and drain regions more highly doped than the canal which is of In Ga
As. The source and drain electrodes are in contact with the source and
drain regions and the grid electrode is separated from the canal
region by a thin layer of SiN. The canal region has a crystalline
network coinciding with a semi-conducting layer of higher resistivity
which in turn coincides with the network of a semi-insulating
substrate of SiN of thickness 150 to 1000 microns. Useful in memories,
signal treatment and microwave transmission. Transistors have a
reduced grid leakage current and a high trans-conductance.
Description
_________________________________________________________________
La presente invention concerne un transistor a effet de champ
comprenant des regions semiconductrices de source de drain et de canal
ayant toutes le meme type de conductivite, la region de canal
consistant en InGaAs, des electrodes de source et de drain venant en
contact avec les regions de source et de drain, et une electrode de
grille recouvrant la region de canal.
De nombreuses applications technologiques modernes, comme les memoires
ou le traitement des signaux utilisant des circuits integres et la
transmission micro-onde utilisant des dispositifs discrets tels que
des transistors a effet de champ, necessitent un fonctionnement a une
vitesse plus elevee que celle qui est possible actuellement. De
nombreuses tentatives ont ete faites pour parvenir a un tel
fonctionnement plus rapide. Par exemple, une technique utilise des
dispositifs supraconducteurs a jonction Josephson pour obtenir un
fonctionnement rapide. Une autre technique utilise des matieres
semiconductrices autres que le silicon couramment utilise, pour
obtenir un fonctionnement plus rapide.La premiere matiere
semiconductrice de ce type qui ait fait l'objet de recherches
approfondies a ete incontestablement le Gals, qui presente de
l'interet du fait de la valeur elevee de sa mobilite des electrons a
la temperature ambiante, qui est superieure a la mobilite du Si. Une
autre matiere semiconductrice qui presente actuellement un interet,
bien que n'ayant pas fait l'objet de recherches aussi approfondies que
le GaAs, est le 1n0,53Ga0,47
As, qu'on peut faire croitre avec coincidence des reseaux cristallins
sur des substrats semi-isolants en InP.Cette matiere semiconductrice
presente de l'interet pour les dispositifs, en particulier pour les
applications concernant les transistors a effet de champ (TEC), a
cause de parametres tels que sa mobilite elevee des electrons, qui est
superieure d'environ 50 percent a celle du GaAs. Elle presente
egalement un interet pour les dispositifs a cause de sa faible masse
electronique effective et de la grande separation d'energie entre les
minimums central et satellite de la bande de conduction. Ces
caracteristique suggerent que les electrons se deplacent plus
rapidement dans le InGaAs que dans le GaAs ou le Si.
Bien que ces parametres fassent apparaitrent le
InGaAs comme une matiere tres interessante pour la realisation de
dispositifs, la fabrication de transistors a effet de champ dont les
performances beneficient reellement de ces parametres favorables s'est
averee difficile a cause de la faible hauteur de barriere de Schottky
pour les metals sur des matieres de type n. La hauteur de barriere de
Schottky n'est que de 0,2 eV et on ne peut pas fabriquer des grilles
de transistors a effet de champ metal-semiconducteur classiques (TEC
MES), a cause du courant de fuite grille-canal de valeur elevee. De ce
fait, les chercheurs travaillant dans ce domaine ont etudie divers
moyens pour obtenir une structure de grille a faible fuite effective
qui pourrait moduler la circulation des electrons dans la region de
canal en InGaAs.Une technique a utilise des
TEC a jonction diffusee et est decrite dans la revue Electronics
Setters, 16, pages 353-355, 8 mai 1980. Une seconde technique utilise
la croissance de transistors a effet de champ a grille assitee par
barriere de Schottky et est decrite dans la revue Electron Device
Letters, Eue1, pages 154-155, aout 1980. Ces deux techniques souffrent
actuellement d'exiger des techniques de croissance et de traitement
specialement concues, pour obtenir un dispositif qui fonctionne, et
les perspectives d'obtention de l'uniformite sur une zone etendue dans
les caracteristiques des dispositifs sont relativement reduites. Une
autre technique encore utilise des structures
metal-isolantsemiconducteur (MIS) en mode d'inversion. De telles
structures sont avantageuses du fait qu'elles offrent une plus grande
facilite dans la fabrication de TEC.Une structure qui utilise cette
technique est decrite dans la revue Electron Device
Setters, ED1-2, pages 73-74, mars 1981. Bien que cette technique
attenue quelque peu les difficultes de fabrication, les performances
obtenuespour les dispositifs, mesurees par la transconductance, ont
ete jusqu'a present decevantes. les problemes sont resolus
conformement a l'invention dans un transistor a effet de champ en
InGaAs dans lequel l'electrode de grille est separee de la region de
canal par un isolant mince en SiN. D'autres caracteristiques de
structure s'associent pour donner de meilleures caracteristiques de
dis positif, comme on le decrira ci-apres.
L'invention sera mieux comprise a la lecture de la description qui va
suivre d'un mode de realisation et en se referant aux dessins annexes
sur lesquels: ra figure 1 est une coupe d'un mode de realisation d'un
dispositif conforme a l'invention la figure 2 est une vue de dessus
d'un mode de realisation d'un dispositif conforme a l'invention
La figure 3 montre les caracteristiques de drain en mode
d'appauvrissement d'un dispositif conforme a l'invention et la figure
4 est une representation graphique de la racine carree de la tension
de grille effective, portee horizontalement, en fonction du courant de
drain, porte verticalement.
On a trouve que des transistors a effet de champ fabrique sur du
InGaAs de type n et ayant une electrode de grille assistee par un
isolant, avec une couche isolante dtin- terface entre le metal et les
couches de canal, ont des caracteristiques de dispositif souhaitables
telles qutun courant de fuite de grille reduit et une transconductance
elevee. La matiere semiconductrice de la couche de canal consiste en
Ga1 xAsyP1 y. Des modes de realisation dans lesquels y est
approximativement egal a 1 sont preferes, du fait de la mobilite
superieure des electrons pour ces compositions. Dans un mode de
realisation preferable, la couche isolante consiste en silicon
nitride. Dans un mode de realisation encore plus preferable, le
dispositif comporte une couche de canal en In0,53Ga0,4##s placee sur
une couche tampon a resistivite elevee consistant en Al0,48In0,52As,
des electrodes de source et de drain en contact electrique avec la
couche de canal en
InGaAs et une electrode de grille qui comporte un metal et une couche
de silicon nitride entre le metal et la couche en In#,53Ga0,4#s. Des
dispositifs ayant une longueur de grille de 1,2 pm et une
concentration de dopage nette de type donneur dans le canal d'environ
5 x 1016 cm 3 ont presente une transconductance en continu de 130
k##1/mm. On a observe un fonctionnement en mode d'appauvrissement
comme en mode d'enrichis sement.
On fait commodement crolatre les couches par epitaxie par jet
moleculaire (caracterisee par uneoeincidence des reseaux cristallins)
sur des substrats semi-isolants en InP. On fait commodement croitre la
couche de silicon nitride par depot chimique en phase vapeur renforce
par plasma. La technologie de grille assistee par isolant de
l'invention presente des avantages importants en ce qui concerne la
souplesse et la maitrise de la fabrication, par rapport a d'autres
techniques.
Dans un but de clarte, les figures ne sont pas dessinees a l'echelle.
Un dispositif conforme a l'invention, designe de facon generale par la
reference 1, est represente en coupe sur la figure 1. le dispositif
comprend un substrat 10, une couche tampon 13, une couche de canal 16,
une couche de contact source-drain 19, des electrodes respectives de
source et de drain 22 et 25, une couche d'isolant 28 et un contact 31.
Le substrat est de facon caracteristique du InP semi-isolant, dope
avec Fe. la couche de canal consiste en Ga1In1 As P de
-x y 1-y type n ayant une concentration resultante de type donneur
dans la plage de 2 x 1016 a 8 x 1016 cm 3 et une epaisseur qui est
comprise de facon caracteristique entre 0,35 et 1,8 FIL. L'epaisseur
electrique du canal, qui depend du dopage du canal, doit entre egale a
la largeur d'appauvrissement calculee maximale.Des concentrations plus
faibles en donneur ne sont generalement pas souhaitables du fait que
le canal ne conduit pas un courant suffisant et des concentrations
superieures ne sont pas souhaitables du fait que la mobilite des
electrons commence a diminuer. la concentration de dopage et
llepaisseur sont determinees par l'exigence, pour le mode de
fonctionnement d'appauvrissement, qui consiste en ce que le canal doit
Qtre appauvri a la tension de fonctionnement de grille prevue. Cette
conditions depend egalement de llepaisseur de la couche isolante 28
ainsi que des constantes dielectriques de l'isolant et du
semiconducteur.
Ia couche tampon, qui doit egalement avoir une resistivite elevee,
consiste de facon caracteristique en A#,48In0,5#s nominalement non
dope, bien qu'on puisse uti liser d'autres compositions ayant des
resistivites elevees et un reseau cristallin qui coincide avec celui
de InP.La resistivite de cette couche doit de facon generale etre
superieure a 106 a.cm. La couche tampon a de facon caracteristique une
epaisseur comprise entre 0,2 et 0,5 lun, et bien que nominalement non
dopee, elle consiste generalement en Al0,481n0,52As de type n avec une
concentration en donneur d'environ 2 X 1015 cm 3. Si on peut obtenir
des surfaces de substrat de qualite suffisamment elevee, on peut faire
croire directement la couche de canal sur le substrat semi-isolant,
c'est-a-dire qu'on peut supprimer la couche tampon a resistivite
elevee.
La couche de contact destinee a former la region de source et de drain
19 est fortement dopee, de facon caracteristique avec le type n et une
concentration en donneur d'environ 8 x 1018 cl 3, et elle reduit les
resistances parasites de source et de drain. les electrodes de source
et de drain 22, 25 sont de facon caracteristique des contacts ohmiques
qui sont formes par exemple par une metallisation et un alliage avec
Ge/Au.
L'isolant 28 est une couche mince de silicon nitride (d'une epaisseur
qui est generalement comprise entre 15 et 100 nm environ). la couche
d'isolant doit etre aussi mince que possible et l'epaisseur minimale
est determinee par le courant de fuite maximal acceptable en
polarisation inverse. Ia couche d'isolant doit egalement entre
suffisamlent mince pour donner lieu a une region d'appauvrissement
etendue sans inversion. Pour le fonctionnement en mode
d'appauvrissement, les trous penetrent dans le metal par effet tunnel
et il n'y a pas d'accumulation de trous pres de l'interface
isolant-semiconducteur.Il n'y a aucune limite superieure absolue a
l'epaisseur de la couche d'isolant, mais des epaisseurs superieures a
environ 25 nm peuvent degrader les caracteristiques du dispositif. On
peut utiliser d'autres matieres pour l'isolant mais le silicon nitride
a les proprietes de pouvoir etre aisement mattrise et de reduire
apparamment les etats de surface. Pour le fonctionnement en mode
d'enrichissement, on desire un courant de fuite tres faible. Le
silicon nitride ne subit apparamment pas de reactions chimiques
nuisibles avec la matiere semiconductrice, et il cree un minimum
d'etats d'energie de surface a l'interface avec le semiconducteur. Ia
matiere de l'isolant doit avoir une constante dielectrique aussi
elevee que possible et etre thermiquement compatible avec la matiere
semiconductrice.Le contact 31 consiste en un metal tel que l'aluminium
et forme l'elec- trode de grille.
C'est dans le fonctionnement en mode d'appauvris~ sement qu'on peut
beneficier au maximum des avantages du dispositif, et ce dernier n'est
pas concu pour le fonctionnement en mode d'inversion.
Dans un mode de realisation prefere, y est approximativement egal a
1,0 et x est approximativement egal a 0,47, du fait que cette
combinaison de parametres definit la combinaison ayant la mobilite
d'electrons la plus elevee possible avec coincidence des reseaux
cristallins vis-a-vis de
InP.
La fabrication d'un dispositif commence commodement par la croissance
de couches epitaxiales comprenant, pour le mode de realisation decrit,
Al0,48In0,5#s, Ga0,47In0,5#s et GaO,47InO,53As fortement dope, la
croissance de ces couches s'effectuant sur le substrat semi-i#solant
en InP. On fait commodement croitre ces couches par epitaxie par jet
moleculaire, bien qu'on puisse employer d'autres procedes. On a trouve
que le fait de recouvrir la surface arriere du substrat, c'est-adire
de la tranche, avec du silicon nitride, empeche une decomposition du
substrat qui est produite par reaction de la tranche avec l'indium
qu'on utilise pour le montage de la tranche pour le traitement de
croissance. La fabrication du dispositif se poursuit ensuite avec
l'isolation par mesa qui commence par la formation d'un motif qui
definit les mesas, sur une tranche revetue de matiere de reserve. On
accomplit commodement l'isolation par erosion ionique sous un angle de
450. L'erosion ioni#que se poursuit jusqu'# ce que le substrat soit
atteint. Un angle d'environ 450 est preferable du fait que la forme de
la paroi des mesas facilite la formation de bons contacts de source,
de drain et de grille. Be substrat peut alors etre conducteur et, dans
ce cas, on peut enlever la partie conductrice par un agent d'attaque
tel que 10 percent de
HCl dans H20, ou un melange dans les proportions 5:1:1 de
H2S04, H202 et H20.Dans certains modes de realisation, les contacts de
source et de drain peuvent ne pas venir en contact avec le substrat.
Dans ces modes de realisation, il n'est pas necessaire d'enlever la
partie conductrice de la tranche.
Selon une variante, on pourrait definir la structure mesa par attaque
chimique.
On forme ensuite des electrodes de source et de drain par l'ouverture
de fengtres pour les contacts et par evaporation d'une metallisation
AuGe/Ag/Au. Ceci est suivi par des operations de decollement et
d'alliage a une temperature comprise entre 4000C et 4600C pendant une
duree d'environ 10 a 20 secondes. Cette procedure donne de tres
faibles resistances de contacts sur du Ino 53Ga0,47As ayant des
couches de contact dopees de type n. En utilisant le procede de la
ligne de transmission, on a estime la resistance de contact specifique
a environ 5X 10 8SL -cm2, ce qui correspond a 0,01 ohm - millimetre de
largeur dec lergeurj Xbl- dispositif.On appelle lar- geur la
dim#ension perpendiculaire a la circulation du courant, et longueur la
dimension parallele a la circulation du courant. la longueur doit Qtre
aussi courte que possible pour avoir un fonctionnement rapide. On peut
evidemment utiliser d'autres metallisations et pour certaines, aucun
alliage avec la couche de contact n+ peut nitre necessaire.
On definit ensuite un motif correspondant a la region de canal et on
procede a une attaque en utilisant une solution d'attaque telle qu'un
melange citric acid/H202 dans la proportion 5:1, et un masque de
matiere de reserve photographique. On controle commodement l'attaque
en mesurant le courant entre les electrodes de source et de drain 22
et 25 et en arretant l'attaque lorsque le courant de canal sature
atteint une valeur predeterminee, habituellement 80 a 120 mA par
millimetre de largeur de dispositif. L'attaque traverse la couche n et
penetre dans la couche de canal. Cette procedure d'attaque permet de
fabriquer un canal ayant l'epaisseur desiree. On enleve ensuite la
matiere de reserve photographique et on nettoie la matiere
semiconductrice.On depose ensuite une couche mince de silicon nitride,
en procedant par dep8t chimique en phase vapeur assiste par plasma, a
partir de silane (SiH4) et d'ammonia (ammonia), a une temperature de
substrat qui est de facon caracteristique d'environ 30000. Ce procede
permet de realiser un traitement de depot a basse temperature ayant un
pouvoir de nettoyage a l'endroit meme du de plot. On forme ensuite la
metallisation de grille, ayant de facon caracteristique des longueurs
comprises entre 1,2 et 1,8 m, en procedant par evaporation d'aluminium
et decollement.Ia metallisation de grille semble venir en contact avec
la couche de canal, mais ceci n'a pas d'effet defavorable sur les
performances du dispositif dans la mesure ou le dielectrique a ete
depose partout et. ou le recouvrement de la couche active ne
correspond qu'a une aire tres faible. On peut utiliser n'importe quel
metal mais l'aluminium convient bien a l'utilisation avec le
decollement. Des dispositifs effective ment testes ont fait apparaitre
des largeurs de grille d'environ 250)un.
Ia reference 11 sur la figure 2 designe de facon generale une vue de
dessus d'un dispositif fabrique conformement a cette sequence de
traitement. On voit un substrat 100, une structure mesa 110, une
electrode de source 220, une electrode de drain 250 et une electrode
de grille 311.
Ia figure 3 montre les caracteristiques courant de drain-tension d'un
dispositif ayant une longueur de grille d'environ 1,2 FIL et un dopage
de canal d'environ 6 x 1016 cm 3.cm#3.
On a estime le dopage de canal a partir de mesures de capacite de
grille en fonction de la tension et de la caracterisation par effet
Hall d'echantillons qu'on a fait croitre dans des conditions
similaires. Te transconductance en continu pour une polarisation de
drain de 4,5 volts etait de 130 mm. L'unite utilisee est le (kilo-ohm)
1 par millimetre de largeur de grille. On a observe a la fois le mode
d'appauvrissement, c'est-a-dire VGS inferieur a zero, et le mode
d'enrichissement, c'est-a-dire VGS superieur a zero, avec un courant
de grille negligeable.Avec ce dispositif, la transconductance
intrinseque, g##, etait d'environ 150 a 170 k Q 1/mm. La capacite
grille-source etait de 4,2 pF/mm pour une polarisation egale a zero et
de 1,3 pF/mm pour VGS = O et VDS = 4 volts.
On a determine la vitesse effective calculee des electrons dans le
canal en employant la relation dans laquelle Vs est la vitesse des
electrons, a est l'epais- seur du canal, ND est la concentration en
donneurs en volume, s est la constante dielectrique du semiconducteur,
~ est le potentiel de diffusion du a la courbure de bandes a
l'interface, et VG est la tension de canal de grille effective,
comprenant les effets d'auto-polarisation. En differentiant par
rapport a VG, on obtient
1DSS est trace en fonction de vu112 sur la figure 4, en utilisant une
resistance de source de 4L.mm et un champ critique de 3 x
103V/cm.Comme on peut le voir, cette courbe s'ecarte de la relation
lineaire prevue par l'equation (2) et ceci est probablement du aux
effets negliges du potentiel interne ~ et des reductions de la tension
de l'isolant aux tensions de grille faibles, ainsi qu'a la degradation
de la vitesse pres de l'interface avec la couche tampon, pour des
valeurs absolues elevees de VG. En utilisant la partie centrale de la
figure 4, on a trouve une vitesse effective des electrons de(2,0 i 107
cm/s. Cette valeur est superieure d'environ 60 a 70 fio aux valeurs
couramment observees dans des TEC MES au GaAs a la temperature
ambiante, et elle est un peu inferieure a la vite sa se maximale des
electrons que prevoit la theorie pour cette composition particuliere.
Dans les dispositifs consideres, les electrons sont a moins de
quelques centaines de nanometres d'une hetero-interface, et ceci peut
entralner une diminution de la vitesse par rapport a celle dans le
volume de la matiere.
Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent etre apportees au
mode de realisation particulier decrit et represente, sans sortir du
cadre de ltinvention. Par exemple, on peut fabriquer des dispositifs
avec une electrode de grille comportant deux doigts pour augmenter la
capacite d'acheminement de courant. On peut en outre construire le
dispositif avec des modes de realisation plans. Dans ces modes de
reali sation, l'isolation electrique entre dispositifs est obtenue par
exemple par une implantation ionique rendant non conducteur le volume
situe entre des dispositifs individuels. On peut evidemment utiliser
d'autres procedes.
On envisage egalement la presence de plusieurs dispositifs sur un seul
substrat. les dispositifs de l'invention peuvent egalement etre
integres sur un seul substrat avec des sources lumineuses ou des
photodetecteurs. Une detection de lumiere peut egalement avoir lieu
dans les dispositifs de l'invention.
Claims
_________________________________________________________________
REVENDICATIONS
1. Transistor a effet de champ comprenant des regions semiconductrices
de source (19), de drain (19) et de canal (16) toutes du meme type de
conductivite, la region de canal consistant en InGaAs, des electrodes
de source et de drain (22, 25) venant en contact avec les regions de
source et de drain, et une electrode de grille (31) recouvrant la
region de canal, caracterise en ce que l'electrode de grille est
separee de la region de canal par un couche mince (28) de SiN.
2. Transistor selon la revendication 1, caracterise en ce que les
regions de source et de drain sont plus fortement dopees que la region
de canal.
3. Transistor selon la revendication 2, caracterise en ce que la
region semiconductrice de canal a un reseau cristallin qui coincide
avec celui d'une couche semiconductrice (13) ayant une resistivite
notablement plus elevee que celle de la region de canal.
4. Transistor selon la revendication 3, caracterise en ce que la
couche de resistivite elevee a un reseau cristallin qui coincide avec
celui d'un substrat semi-isolant.
5. Transistor selon la revendication 4, caracterise en ce que
l'epaisseur de la couche d'isolant consistant en SiN est de 150 a 1000
po.
6. Transistor selon la revendication 5, caracterise en ce que les
parametres de structure du dispositif sont concus de facon a donner
lieu a un fonctionnement dans un mode autre qu'un mode de
fonctionnement d'inversion.
7. Transistor selon la-revendication 6, caracterise en ce que les
couches de source, de drain et de canal consistent en In1~xGaxAsyP1~y
dop
8. Transistor selon la revendication 7, caracterise en ce que y est
approximativement egal a 1,0 et x est approximativement egal a 0,47.
9. Transistor selon la revendication 8, caracterise en ce que la
couche de resistivite elevee (13) consiste en B10,48In0.cPs.
10. Transistor selon la revendication 8, caracterise en ce que la
region de canal a une concentration de dopage 16 3 comprise entre 2 x
1016/cm3 et8 x 1016 /cm.
11. Transistor selon la revendication 10, caracterise en ce que la
region de canal a une epaisseur comprise entre 0,35 m et 1,8;nn.
? ?
Display vertical position markers.<br/><br/>This option will display
the relative positions of currently selected key terms within the full
document length.<br/><br/>You can then click the markers to jump to
general locations within the document, or to specific discoveries if
you know whereabouts in the document they occur. [56][_]
Open a preview window.<br/><br/>This window will provide a preview of
any discovery (or vertical marker) when you mouse over
it.<br/><br/>The preview window is draggable so you may place it
wherever you like on the page. [57][_]
[static.png]
[close.png]
Discovery Preview
(Mouse over discovery items)
[textmine.svg] textmine Discovery
« Previous
Multiple Definitions ()
Next »
Enlarge Image (BUTTON) ChemSpider (BUTTON) PubChem (BUTTON) Close
(BUTTON) X
(BUTTON) Close
(BUTTON) X
TextMine: Publication Composition
FR2522442
(BUTTON) Print/ Download (BUTTON) Close
1. Welcome to TextMine.
The TextMine service has been carefully designed to help you
investigate, understand, assess and make discoveries within patent
publications, quickly, easily and efficiently.
This tour will quickly guide you through the main features.
Please use the "Next" button in each case to move to the next step
of the tour (or you can use [Esc] to quit early if you don't want
to finish the tour).
2. The main menu (on the left) contains features that will help you
delve into the patent and better understand the publication.
The main feature being the list of found items (seperated into
colour coded categories).
3. Click the Minesoft logo at any time to reset TextMine to it's
initial (start) state.
4. You can select which part of the document you'd like to view by
using the pull down menu here.
You can select "Full Text" to view the entire document.
5. For non-latin languages, (in most cases) full text translations
are available, you can toggle them on and off here.
You can also toggle the inline discovery translations between
English and their original language.
6. The pie chart icon will open a basic statistical breakdown of the
publication.
7. The sort icon allows you to sort the listed categories based on
the number of instances found.
Click to toggle between ascending and descending.
8. You can use the refine box to refine the discovered items in the
sections below.
Simply type what you are looking for, any items that do not match
will be temporarily hidden.
9. The publication has been analysed and we have identified items
within it that fit into these categories.
The specific items found are listed within the category headings.
Click the section header to open that section and view all the
identitfied items in that section.
If you click the checkbox all items in that section will be
highlighted in the publication (to the right).
The best thing to do is to experiment by opening the sections and
selecting and unselecting checkboxes.
10. The main output window contains the publication full text (or part
thereof if selected).
11. The Tools section contains tools to help you navigate the
"discovered" (highlighted) items of interest.
The arrows and counter let you move through the highlighted items
in order.
12. Other tools include a "Preview" option [ [preview.png] ] and the
ability to mark the relative locations of highlighted items by
using the "Marker" option [ [marker.png] ].
Try these out to best understand how they work, and to discover if
they are of use to you.
13. Items selected from the menu on the left will be highlighted in
the main publication section (here in the middle of the screen).
Click them for further information and insights (including
chemical structure diagrams where available).
14. Please experiment with TextMine - you cannot make any permanent
changes or break anything and once your session is closed (you've
log out) all your activity is destroyed.
Please contact Minesoft Customer Support if you have any questions
or queries at: support@minesoft.com
[58]____________________
[59]____________________
[60]____________________
[61]____________________
[62]____________________
[63]____________________
[64]____________________
[65]____________________
[66]____________________
[67]____________________
[BUTTON Input] (not implemented)_____ [BUTTON Input] (not
implemented)_____
Документ
Категория
Без категории
Просмотров
1
Размер файла
34 Кб
Теги
fr2522442a1
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа