close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

FR2522200A1

код для вставкиСкачать
 [loading]
«
Click the Minesoft logo at anytime to completely reset the Document
Explorer.
[1][(4)__Full Text.......]
Discovered items are automatically translated into English so that you
can easily identify them.<br/><br/>If you would like to see them in
the original text, please use this button to switch between the two
options . Discoveries: ([2]Submit) English
Click to view (and print) basic analytics showing the makeup of
discovered items in this publication. [help.png]
[3][_] (34/ 49)
You can use the refine box to refine the discovered items in the
sections below.<br/>Simply type what you are looking for, any items
that do not match will be temporarily hidden. [4]____________________
[5][_]
Molecule
(12/ 21)
[6][_]
TMTSF
(5)
[7][_]
silicon
(3)
[8][_]
Me
(3)
[9][_]
Se
(2)
[10][_]
DES
(1)
[11][_]
nitrogen
(1)
[12][_]
TTF-TCNQ
(1)
[13][_]
TMTTF
(1)
[14][_]
TCNQ
(1)
[15][_]
sulfur
(1)
[16][_]
selenium
(1)
[17][_]
DMTCN
(1)
[18][_]
Physical
(14/ 16)
[19][_]
4,2 K
(2)
[20][_]
1 m
(2)
[21][_]
770 K
(1)
[22][_]
100 Angstroms
(1)
[23][_]
de 300 m
(1)
[24][_]
de 6,50 cm
(1)
[25][_]
2 cm
(1)
[26][_]
110 cm
(1)
[27][_]
de 0,75 m
(1)
[28][_]
3 m
(1)
[29][_]
2 m
(1)
[30][_]
4 m
(1)
[31][_]
4 mm
(1)
[32][_]
77 K
(1)
[33][_]
Gene Or Protein
(3/ 6)
[34][_]
DANS
(3)
[35][_]
Etre
(2)
[36][_]
Cer
(1)
[37][_]
Generic
(3/ 4)
[38][_]
anion
(2)
[39][_]
cation
(1)
[40][_]
salt
(1)
[41][_]
Substituent
(2/ 2)
[42][_]
4,5-dimethyl
(1)
[43][_]
2,5-dimethyl
(1)
Export to file:
Export Document and discoveries to Excel
Export Document and discoveries to PDF
Images Mosaic View
Publication
_________________________________________________________________
Number FR2522200A1
Family ID 5014562
Probable Assignee Centre National De La Recherche Scientifique
Publication Year 1983
Title
_________________________________________________________________
FR Title MICROCIRCUITS ET PROCEDE DE FABRICATION, NOTAMMENT POUR
TECHNOLOGIE A EFFET JOSEPHSON
Abstract
_________________________________________________________________
LE MICROCIRCUIT COMPREND UN SUBSTRAT S D'UN CONDUCTEUR
QUASI-UNIDIMENSIONNEL Q1D DANS LEQUEL EST FORME, PAR BALAYAGE D'UN
FAISCEAU HAUTE ENERGIE, UN MOTIF DE ZONES CONDUCTRICES 11 ET ISOLANTES
10 ALTERNEES. DANS UN MODE DE REALISATION, LE CONDUCTEUR Q1D, PAR
EXEMPLE (TMTSF)C1O EST TEL QU'IL DEVIENT SUPRACONDUCTEUR A TRES BASSE
TEMPERATURE, LE BALAYAGE DU FAISCEAU DE PARTICULES FORMANT
IRREVERSIBLEMENT DES ZONES ISOLANTES 10 DANS LE SUBSTRAT. APPLICATION
NOTAMMENT AUX TECHNOLOGIES UTILISANT LES JONCTIONS A EFFET JOSEPHSON
SUPRACONDUCTEUR-ISOLANT-SUPRACONDUCTEUR.
Description
_________________________________________________________________
1. La presente invention concerne les techniques de realisation de
microcircuits pour applications en micro- electronique, et notamment
pour les circuits du type a jonc- tions Josephson.
Les developpements foudroyants des microcomposants electroniques a
l'etat solide ont abouti, ces dernieres an- nees, a la realisation de
circuits ultra-compacts dans la technique dite a grande integration
(Large Scale Integration, L.S I) permettant de former quelques
milliers de composants actifs, tels que des transistors, sur un meme
substrat de silicon Cette technologie se trouve actuellement confron-
tee, pour passer au stade suivant de-la tres grande integra- tion
(Very Large Scale Integration V L S I), aux problemes de resolution
pour la realisation des motifs actifs Malgre les prouesses de la
microphotolithographie, la realisation du masque notamment au travers
duquel s'effectue l'exposi- tion des differentes couches formees sur
le substrat semi- conducteur ne permet guere de descendre au-dessous
d'une resolution de l'ordre d'une paire de microns (malgre des propos
theoriques annoncant une resolution de l'ord-re du de- mi-micron) La
realisation de tels masques est obtenue par faisceaux d'electrons
pilotes par calculateur Une fois le masque mis en place, la couche
sensible est exposee a un rayonnement ou soumise selectivement a des
reactions chimi- ques C'est ainsi que des zones d'une couche de
silicon
2522200 O
2. peuvent etre rendues selectivement isolantes par oxydation du
silicon en silice.
Le domaine des conducteurs de basse dimensionnali- te, et notamment
les conducteurs unidimensionnels a fait l'objet depuis quelques temps
de recherches poussees, essen- tiellement de la part des equipes
auxquelles appartiennent les inventeurs de la presente demande,
notamment pour les proprietes,dans certaines conditions, de
supraconduction de ces conducteurs On peut definir de facon generique,
les conducteurs de basse dimensionnalite interessant la presente
invention, comme des materiaux ayant une su face de Fermi ou- verte
Les conducteurs quasi-unidimensionnels (Q 1 D) et leurs alliages
possedent en particulier une surface de Fermi quasi- planaire Il a
ainsi ete constate que les conducteurs organi- ques potentiellement
supraconducteurs devenaient isolants sous l'application d'un champ
magnetique transverse important, de l'ordre de quelques Tesla
Toutefois, des la supression de ce champ magnetique, le conducteur
recouvre Instantanement son etat de conduction electrique.
La presente invention a pour objet de proposer un procede de
realisation de microcircuits, et les microcircuits ainsi obtenus,
constitues d'un substrat d'un conducteur qua- si-unidimensionnel (Q 1
D) dans lequel sont formes selective- ment des motifs de zones
conductrices et isolantes.
Les inventeurs ont en effet constate que, a la dif- ference de
l'application d'un champ magnetique, par irradia- tion de particules
de moyenne ou haute energie, les conduc- teurs quasi-unidimensionnels
devenaient irreversiblement isolants. Ainsi, selon une caracteristique
de l'invention, pour l'obtention d'un microcircuit du type
susmentionne,le substrat de conducteur quasi-unidimensionnel est
irradie sui- vant des zones determinees par un faisceau fin de
particules d'energie superieure ou egale a 1 ke V.
Une constatation similaire a ete faite pour cer- tains conducteurs
quasi-unidimensionnels presentant normale- ment,a basse temperature
des caracteristiques d'isolants et qui,irradies dans les memes
conditions,deviennent irreversible-
3 2522200 ment conducteurs a ces memes basses temperatures.
Dans le premier cas susmentionne, l'irradiation fournit des zones
isolantes ayant une structure d'isolant dite desordonnee, les zones
non irradiees conservant leurs qualites de conduction, voire de
supraconduction a basse temperature.
Dans le second cas, le materiau quasi-unidimen- sionnel ayant une
structure isolante dite de Peierls ou de Slater voit les zones
irradiees devenir irreversiblement conductrices.
Les microcircuits obtenus suivant le procede de l'invention se
revelent particulierement interessants dans des utilisations a basses
temperatures, a partir de la tem- perature de l'nitrogen liquide (770
K), et notamment aux tres basses temperatures pour la realisation de
circuits supra- conducteurs utilisant des jonctions tunnel du type
Josephson immediatement realisables par pilotage du faisceau de
particules lors de la formation des zones conductrices et isolantes.
D'autres caracteristiques et avantages de la pre- sente invention
ressortiront de la description suivante, faite notamment en relation
avec le dessin annexe, sur le- quel: -
La figure unique represente schematiquement la rea- lisation de
jonctions Josephson directement sur un substrat de conducteur
quasi-unidimensionnel suivant le procede de l'invention.
La majeure partie des conducteurs quasi-unidimen- sionnels sont
constitues de conducteurs organiques, quoique certains composes non
organiques presentent egalement des caracteristiques similaires, comme
on le verra par la suite.
De nombreux conducteurs organiques ont ete realises On peut ainsi
citer les composes TTF-TCNQ, (TTT)2 13, TMTTF-TCNQ et les mo- lecules
correspondantes dans lesquelles le sulfur est rem- place par du
selenium Une classe particulierement importan- te de ces produits est
constituee par la famille (TMTSF)2 X, o TMTSFle 2
'2-Bi-4,5-dimethyl-1,3-diselenolylidenel est la molecule organique
constituant l'element de base et X est un
4 2522200 anion inorganique assurant la formation du cationsalt
radicalaire, X etant choisi parmi le groupe comprenant PF 6,
As F 6, Sb F, Ta F 6, Re O 4 et cl O 4 et autres anions monovalents.
Les composes de cette derniere famille presentent tous des
caracteristiques de supra-conduction a des temperatures bas- ses, les
temperatures de transition pouvant etre augmentees pour les composes
reticules obtenus par le procede decrit dans la demande de brevet
francais n O 81/14291 du 22 juillet 1981. Comme susmentionne, en
irradiant ces composes avec un faisceau fin de particules ionisantes
(ruyon X ou y) ou encore d'electrons, avec une energie superieure a 1
ke V, de preference superieure a 8 ke V, les zones irradiees pren-
nent de facon irreversible une structure d'isolant desordon- ne qui se
conserve par exemple quand le compose est amene de la temperature
ambiante a la temperature cryogenique o les zones non irradiees
deviennent supraconductrices On peut ob- tenir, une resolution
sub-micronique, pouvant descendre jus- qu'a 100 Angstroms et realiser
ainsi des motifs alternati- vement conducteurs et isolants sur un
substrat cristallin,ou un film polycristallin ou oriente obtenu par
exemple par evaporation en surface On a represente sur la figure uni-
que un procede de realisation de microcircuits o le faisceau de
particules I, pilote par ordinateur est en train de for- mer sur la
surface du substrat S une zone isolante 10 inter- rompant un ruban
conducteur 11 pour la realisation d'une jonction tunnel Josephson Ce
procede permet de realiser des jonctions Josephson en serie, comme
represente sur la partie gauche de la figure Sur la partie droite de
la figure, on a represente, obtenue de la meme facon par balayage d'un
faisceau, une structure "SQUID" II l OOOP (4,2 K).
Cette relation reste vraie sur tout le parcours de l'electron.
-J
6 2522200
TABLEAU
Comme mentionne plus haut, un comportement similai- re se retrouve
chez des supraconducteurs quasi-unidimen- sionnels inorganiques tels
que Nb Se 3 Toutefois, dans ce cas, il faut travailler avec des flux
de particules de plusieurs centaines de ke V penetrant plusieurs
centaines de microns du substrat Avec Nb Se 3, par exemple, il faut
une dose de 300 m C/cm 2 (pour des electrons d'energie 3 Me V) pour
passer d'un etat de tres faible resistivite de 20 A cm a un etat
isolant desordonne de 6,50 cm.
Dans la seconde approche evoquee plus haut, o l'irradiation forme dans
un substrat isolant a structure de Peierls des zones conductrices, on
peut citer, parmi les
2 composes presentant a basse temperature ces proprietes iso- lantes,
TMTSF-DMTCN QflDMTCNQ = 2,5-dimethyl-7,7 ',8,8 '-tetra- cyanoquino
dimethanel Ce compose a, par exemple, a 4,2 K une resistivite P 42
10,4 2 cm Pour faire passer, a cet- te meme temperature, certaines
parties du compose cristal- lin de cet etat isolant a un etat 1 000
fois plus conduc- teur (p(C, 4,2) = 110 cm), il suffit d'une dose de
0,75 m C/cm d'electrons de 40 ke V ou 3 m C/cn 2 d'electrons de 1 Me
V. Quoique la presente invention ait ete decrite en relation avec des
modes de realisation particuliers, elle ne s'en trouve pas limitee
mais est au contraire susceptible de modifications et de variantes qui
apparaitront a l'homme de l'art. Energie des elec Profondeur de trons
_penetration ke V 1 m C/cm 2 200 pm ke V 2 m C/cm 2 100 1 m 1 Me V 4 m
C/cm 2 4 mm
7 2522200
Claims
_________________________________________________________________
REVENDICATIONS
1 Microcircuit, caracterise en ce qu'il com- prend un substrat d'un
conducteur de basse dimensionnalite (S) dans lequel est forme un motif
de zones conductrices (11) et isolantes (10) alternees.
2 Microcircuit selon la revendication 1, caracte- rise en ce que le
substrat (1) est un conducteur quasi-uni- dimensionnel -
3 Microcircuit selon la revendication 1 ou la revendication 2,
caracterise en ce que les zones isolantes (10) sont a structure de
type isolant desordonne.
4 Microcircuit selon la revendication 1 ou la revendication 2,
caracterise en ce que les zones isolantes (10) sont a structure
d'isolant du type de Peierls.
5 Microcircuit selon l'une des revendications 1 a 4, caracterise en ce
qu'il est utilise a une temperature inferieure a 77 K.
6 Microcircuit selon la revendication 4 et la revendication 5,
caracterise en ce que le substrat (S) est TMTSF DMTCNQ.
7 Microcircuit selon la revendication 3 et la revendication 5,
caracterise en ce que le substrat (S) est (TMTSF)2 C 104.
8 Microcircuit selon la revendication 3 et la revendication 5,
caracterise en ce que le substrat (S) est un compose non-organique -
9 Microcircuit selon la revendication 3, caracte- rise en ce qu'il est
utilise dans des conditions de tempe- rature o les zones conductrices
(11) sont supraconductrices.
10 Microcircuit selon la revendication 9, carac- terise en ce que le
motif des zones conductrices (11) et iso- lantes (10) forme des
jonctions Josephson.
11 Procede de realisation d'un microcircuit selon la revendication 1,
caracterise en ce qu'il consiste a irra- dier des zones determinees du
substrat (S) avec un fais- ceau fin de particules d'energie superieure
a 1 ke V.
12 Procede selon la revendication 11, pour la 8 2522200 realisation de
microcircuits selon la revendication 3, carac- terise en ce que le
balayage du faisceau forme les zones isolantes (10).
13 Procede selon la revendication 11 pour la realisation de
microcircuits selon la revendication 4, caracterise en ce que le
balayage du faisceau forme des zo- nes conductrices (11).
? ?
Display vertical position markers.<br/><br/>This option will display
the relative positions of currently selected key terms within the full
document length.<br/><br/>You can then click the markers to jump to
general locations within the document, or to specific discoveries if
you know whereabouts in the document they occur. [46][_]
Open a preview window.<br/><br/>This window will provide a preview of
any discovery (or vertical marker) when you mouse over
it.<br/><br/>The preview window is draggable so you may place it
wherever you like on the page. [47][_]
[static.png]
[close.png]
Discovery Preview
(Mouse over discovery items)
[textmine.svg] textmine Discovery
« Previous
Multiple Definitions ()
Next »
Enlarge Image (BUTTON) ChemSpider (BUTTON) PubChem (BUTTON) Close
(BUTTON) X
(BUTTON) Close
(BUTTON) X
TextMine: Publication Composition
FR2522200
(BUTTON) Print/ Download (BUTTON) Close
1. Welcome to TextMine.
The TextMine service has been carefully designed to help you
investigate, understand, assess and make discoveries within patent
publications, quickly, easily and efficiently.
This tour will quickly guide you through the main features.
Please use the "Next" button in each case to move to the next step
of the tour (or you can use [Esc] to quit early if you don't want
to finish the tour).
2. The main menu (on the left) contains features that will help you
delve into the patent and better understand the publication.
The main feature being the list of found items (seperated into
colour coded categories).
3. Click the Minesoft logo at any time to reset TextMine to it's
initial (start) state.
4. You can select which part of the document you'd like to view by
using the pull down menu here.
You can select "Full Text" to view the entire document.
5. For non-latin languages, (in most cases) full text translations
are available, you can toggle them on and off here.
You can also toggle the inline discovery translations between
English and their original language.
6. The pie chart icon will open a basic statistical breakdown of the
publication.
7. The sort icon allows you to sort the listed categories based on
the number of instances found.
Click to toggle between ascending and descending.
8. You can use the refine box to refine the discovered items in the
sections below.
Simply type what you are looking for, any items that do not match
will be temporarily hidden.
9. The publication has been analysed and we have identified items
within it that fit into these categories.
The specific items found are listed within the category headings.
Click the section header to open that section and view all the
identitfied items in that section.
If you click the checkbox all items in that section will be
highlighted in the publication (to the right).
The best thing to do is to experiment by opening the sections and
selecting and unselecting checkboxes.
10. The main output window contains the publication full text (or part
thereof if selected).
11. The Tools section contains tools to help you navigate the
"discovered" (highlighted) items of interest.
The arrows and counter let you move through the highlighted items
in order.
12. Other tools include a "Preview" option [ [preview.png] ] and the
ability to mark the relative locations of highlighted items by
using the "Marker" option [ [marker.png] ].
Try these out to best understand how they work, and to discover if
they are of use to you.
13. Items selected from the menu on the left will be highlighted in
the main publication section (here in the middle of the screen).
Click them for further information and insights (including
chemical structure diagrams where available).
14. Please experiment with TextMine - you cannot make any permanent
changes or break anything and once your session is closed (you've
log out) all your activity is destroyed.
Please contact Minesoft Customer Support if you have any questions
or queries at: support@minesoft.com
[48]____________________
[49]____________________
[50]____________________
[51]____________________
[52]____________________
[53]____________________
[54]____________________
[55]____________________
[56]____________________
[57]____________________
[BUTTON Input] (not implemented)_____ [BUTTON Input] (not
implemented)_____
Документ
Категория
Без категории
Просмотров
1
Размер файла
20 Кб
Теги
fr2522200a1
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа