close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

bd000102614

код для вставкиСкачать
На правах рукописи
БАГДАСАРЯН СЕРГЕЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ
КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ
СОЗДАНИЯ П А С С И В Н Ы Х А К У С Т О Э Л Е К Т Р О Н Н Ы Х
ПРИБОРОВ ПРИЕМО-ПЕРЕДАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
Специальность 05.27.06 - Технология и оборудование для
производства полупроводников, материалов и приборов электронной
техники
Автореферат диссертации
на соискание ученой степени
кандидата технических наук
Москва, 2005 г.
Работа выполнена в лаборатории ионно-плазменных технологий и
вакуумных процессов ОАО Центральный научно-исследовательский
технологический институт «Техномаш» (Москва)
Научный руководитель -
академик РАН,
профессор, Ю.В.Гуляев
Официальные оппоненты:
доктор физико-математических наук,
профессор А.Ю.МИТЯГИН
доктор технических наук,
профессор В.М.Елинсон
Ведущая организация:
ОАО «Авангард»
г. Санкт-Петербург
Защита диссертации состоится «30» ноября 2005 года в 14-00 часов на
заседании диссертационного совета Д 409.007.01 в ОАО «Центральный
научно-исследовательский технологический институт «Техномаш» по
адресу 121108, г. Москва, ул. Ивана Франко, д.4.
С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ОАО «ЦНИТИ
«Техномаш»
Автореферат разослан «29» октября 2005 г.
Отзывы просим направлять по адресу: 121108, г. Москва, ул. Ивана
Франко, д.4, ОАО «ЦНИТИ «Техномаш», ученому секретарю
диссертационного совета.
Ученый секретарь диссертационного совета
кандидат технических наук,
^.^^v
доцент
ч/
Э.А.Сахно
Аютальность
1.
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
темы.
Благодаря
классической
работе
Ю В.Гуляева
и
В.И.Пустовойта [1], в которой впервые указывалось на перспективное использование
поверхностных акустических
волн (ПАВ)
для обработки сигналов, состоялось
становление и началось активное развитие акустоэлектроники - нового направления
электроники.
Среди всех акустоэлектронных устройств господствующее положение на рынке
информационных систем занимают пассивные акустоэлектронные приборы приемо­
передающих устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ) [2] (свыше 12
млрд. долларов С Ш А в 2004 г.).
Важнейшей особенностью, обеспечивающей
постоянное и быстрое внедрение акустоэлектронных приборов в современные
информационные системы, является отсутствие настройки и возможность совмещения
процессов изготовления с микро и нано технологиями, высокая температурная
стабильность, высокая надежность, малые массогабаритные характеристики.
Обработка в реальном масштабе времени, отсутствие настройки, совместимость с
планарной микро- и наноэлектронной технологией изготовления, воспроизводимость
х^актеристик и другие уникальные свойства акустоэлектронных приборов позволяют
реализовать такие важные функции, как частотную селекцию, обработку в реальном
масштабе
времени, псевдослучайный
стабилизацию частоты и др.
поиск
рабочих
частот,
эталонирование,
Вместе с тем, для ряда системных применений, таких как частотная селекция во
входных
трактах
приемо-передающих
устройств
(ППУ),
межсимвольная
интерференция, плотность информационньк каналов, высокая надежность, малые
массогабаритные характеристики и низкая цена при крупносерийном производстве,
требуется достижение предельных высокоизбирательных характеристик пассивных
акустоэлектронных приборов ППУ
по предельному уровню вносимого затухания,
высокому коэффициенту прямоугольности и малым уровнем осцилляции в полосе
пропускания, предельных характеристик по неравномерности группового времени
запаздывания. Эти требования постоянно вьшвигают необходимость разработки
приборов на П А В новых поколений с достижением предельных характеристик
нескольких
одновременно
основных
информационной задачи зависит:
функций.
Решение
этой
важнейшей
•
Во-первых, от достигнутого технологического уровня производства.
•
Во-вторых,
от
успехов
в
области
фундаментальных
и
прикладных
исследований, развития методов проектирования и разработки новых конструктивно-
технологических решений.
Первый
фактор
реализуется
за
счет
совершенствования
специального
технологического оборудования и пьезоэлектрических материалов. Перспективность
РОС ВАЦИОНАЛЬИАЯ 1
БЙСЛИОТЕКА
I
^-ХФо\
4
использования слоистых структур, включающих слои алмаза, AIN и ZnO для
разработки пассивныз акустоэлектронных приборов новых поколений в частотном
диапазоне
2-5 ГГц
с
использованием
хорошо
освоенной
в
промышленности
фотолитографии очевидна из-за высокой скорости распространения П А В (более
10 км/с).
В России работы в области получения, исследования и применения алмазных
пленок ведутся в Институте физической химии РАН, НИИ ядерной физики МГУ,
Институте общей физики РАН, ОАО
«Центральный
научно-исследовательский
технологический институт «Техномаш», Бурятском научном центре СО
РАН,
Институте кристаллографии РАН, Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе
Р А Н и др. организациях.
Второй фактор позволяет практически с использованием одного и того же парка
оборудования, материалов и составляющих инфраструктуры акустоэлектроники,
получить ощутимый выигрыш в улучшении основных характеристик и получении
новых параметров недостижимых аналогами, а также создании новых классов
приборов на ПАВ.
До недавнего времени применение этих приборов было ограничено только
фильтрами ПЧ. Это связано с тем, что стандарпгные конструктивно-технологические
решения обеспечивали уровень вносимого затухания не менее 15 дБ. Тем не менее,
такие устройства нашли широкое применение в технике средств связи благодаря
возможности сложной частотно-селективной обработки сигналов. В
частности,
разработка телевизионных многостачдартньк фильтров для аналого-цифровых и
цифровых телевизионных приемников, фильтров для спутниковой связи, режекторных
фильтров
для
кабельных
сетей,
а
также
фильтров
для
профессиональной
телевизионной аппаратуры, позволила существенно расширить границы и улучшить
качество телевизионного вешания.
В России работы в области пассивной акустоэлектроники интенсивно ведутся в
Институте радиотехники и электроники РАН, в высшей школе: М Ф Т И , М И Ф И , М Э И ,
РГУ, Нов.ГУ и др., отраслевьк организациях: Санкт-Петербургском ОАО «Авангард»,
Московском
и Ростовском
Воронежском НИИ связи и др.
Несмотря
на
широкие
НИИ
радиосвязи, Омском НИИ
перспективы
использования
приборостроения.
приборов
на
ПАВ
и
значительный професс в разработке их моделей и конструкций, основным вопросом
до недавнего времени оставались уровень вносимого затухания и расширение
частотного диапазона. Уменьшение потерь в фильтре до 1-6 дБ увеличивает
отношение сигнал/шум системы, позволяя использовать ПАВ-фильтр во входных
цепях радиотракта, снижает уровень интермодуляционных искажений, уменьшает ее
стоимость, габариты и потребление энергии за счет сокращения количества
5
компенсирующих потери усилителей В связи с этим становится актуальной задача
разработки новых структур и приборов, в которых минимизированы потери на
двунаправленность излучения ПАВ, и методов их расчета
и компенсации,
учитывающих основные искажающие факторы в расширенных частотных диапазонах.
Целью
работы
являлась
разработка
новых
пассивных
акустоэлектронных
приборов с малым вносимым затуханием и конструктивно-технологических решений,
обеспечивающих достижение предельных характеристик по вносимому зат)тсанию и
избирательности в расширенных частотных диапазонах.
Объектами исследований являлись различные ориентащ1и пьезоэлектрических
кристаллов, слоистые структуры, содержащие алмазные углеродные пленки (АУП),
A1N и ZnO, а также, входящие в состав акустоэлектронных приборов, элементы на
ПАВ. К последним относятся встречно-штыревые преобразователи (ВШП), различные
отражательные структуры и многополосковые ответвители (МПО). К пассивными
акустоэлектронным приборам ППУ относятся фильтры и радиочастотные метки (РМ)
на ПАВ.
Для достижения поставленной цели в диссертационной работе необходимо было
решить следующие основные задачи;
•
проведение экспериментальных исследований многослойных структур А У П ,
A I N и ZnO с высокой скоростью П А В ;
•
проведение
теоретических
и
экспериментальных
исследований
однонаправленных структур различных типов и приборов на П А В на их основе;
•
поиск новых конструкций отражательных элементов и В Ш П ;
•
исследование и разработка новых технологических маршрутов изготовления
фильтров и Р М на ПАВ.
Научная новизна работы. При выполнении диссертационной работы получены
следующие новые научные результаты:
•
Показана
возможность
использования
слоистой
структуры
подложка/А1К(гпО), (подложка - ситалл, сапфир, слой поликристаллического алмаза и
др.) при изготовлении Р М на П А В .
•
Впервые показано на возможность использования частоты антирезонанса
В Ш П при конструировании ПАВ-фильтров импедансного типа
•
Проведены
исследования
различных
конструкций
ПАВ-фильтров
импедансного типа. Осуществлен синтез высокоизбирательных характеристик и
разработана методика расчета с использованием программного пакета MathCAD.
•
Осуществлен
синтез
импедансных фильтров на П А В .
высокоизбирательных
характеристик
мостовых
6
•
Разработаны новые конструкции и методы расчета телевизионных канальных
ПАВ-фильтров импедансного типа ФТТСП для метрового и дециметрового диапазонов
частот Уровень подавления таких фильтров в полосе задержания более 20-30 дБ в
большинстве случаев
достаточен для того, чтобы обеспечить высокое качество
изображения.
•
Впервые разработаны и исследованы конструкции импедансного фильтра для
селектора каналов гибридных телевизионных приемников.
•
Разработан однонаправленный однофазный преобразователь
на основе
внутренних отражений поверхностных акустических волн.
Научные положения, выносимые на защиту;
•
На частотах выше резонансной (центральной) реактивная составляющая
проводимости
ВШП
носит
индуктивный
характер
и
существует
частота
антирезонанса, на которой она полностью компенсирует статическую емкость.
•
Конструктивно-технологические решения высокоизбирательных фильтров на
1IAB приемо-передающих устройств.
•
Конструктивно-технологические
решения
в
области
применения
магнетронного распыления для выращивания слоистых структуры Ayn/AlN(ZnO),
пригодных для разработок микроминиатюрных радиочастотных меток на П А В в
расширенных частотных диапазонах.
•
Конструктивно-технологические
решения
микроминиатюрных
радиочастотных меток на П А В и способ их кодирования в условиях крупносерийного
производства.
Практическая ценность работы:
•
Канальные фильтры на П А В импедансного типа являются перспективными
для повышения помехозащищенности ТВ каналов и уменьшения взаимного влияния
одного
канала
на другой. При
этом,
они имеют
малые размеры, высокие
воспроизводимость и надежность, малые вносимые потери (не более 4-5 дБ), полосу
пропускания, равную 8 МГц для всех ТВ каналов, включая 1ый и 2ой каналы,
неравномерность А Ч Х в полосе пропускания не более 1 дБ, с тем, чтобы не искажать
Т В сигнал, уровень подавления в полосе задержания более 20 дБ.
•
Разработана и внедрена в промышленность серия импедансных фильтров на
П А В для основных трактов аппаратуры кабельного телевидения, в т.ч. для первого
канала
системы
кабельного
телевидения,
позволяющая
обеспечить
высокие
эксплуатационные характеристики аппаратл)ы по отечественному и европейскому
стандартам.
7
•
Разработан импедансный фильтр на приповерхностных акустических волнах
•
Разработаны
•
Разработаны рекомендации по модернизации технологических процессов
•
Разработаны
для Т В Ч с малой неравномерностью А Ч Х в полосе пропускания
рекомендации
по
технологические операции.
величине
допусков
на
основные
изготовления акустоэлектронных приборов ППУ.
оборудование
и
технологии
магнетронного
распыления,
позволяющие формировать рентеноаморфные и выращивать при температурах <600 К
на неориентирующих подложках пленки A1N и ZnO с упорядоченным строением
кристаллической фазы, по внутреннему строению близких к монокристаллу и
обладающих воспроизводимыми характеристиками; легировать при выращивании эти
пленки различными примесями; изготавливать многослойные структуры с заданными
функциональными
характеристиками,
электронной техники.
•
Технология П А В
необходимыми
для
создания
устройств
в радиочастотной идентификации (РЧИД)
наиболее
перспективна в микроволновом диапазоне частот и может с успехом реализовать
системный подход в области контроля и учета движения объектов и товарных потоков
(транспортные средства, контейнеры, мелкие товары, людской персонал, животные и
т. п.), найти широкое применение: на транспорте (интермодальные перевозки,
контроль, управление движением и определение местонахождения транспорта); в
обеспечении безопасности (санкционированный доступ транспорта, персонала или
объектов, а также системы поиска людей и объектов в завалах при возникновении
кризисных ситуаций); в связи (идентификация средств связи); при производстве и
доставке товаров, материально-техническом снабжении и торговле (логистическое
управление ресурсами); в медицине (индивидуальные носимые информационные
средства и рекомендации в кризисньге ситуациях); в животноводстве (идентификация
животных) и др
Апробация работы.
Основные результаты работы докладывались и обсуждались на Международных
научно-технических
конференциях «Беспроводные
системы телекоммуникаций»,
г. Воронеж, сентябрь 2000 г.; «Перспективные технологии в средствах передачи
информации-ПТСПИ», г. Владимир, июль 2003 г.; «Моделирование и исследование
сложных систем», г. Севастополь, сентябрь 2003 г.; «Информационные технологии в
науке, технике и образовании», г Аланья, Турция, май 2004 г., «Информационные
технологии в науке, технике и образовании», г. Севастополь, Украина, сентябрь
2004 г.,
«Современные
телевизионные
технологии.
Состояние
и
перспективы
развития», г. Москва, ноябрь 2004 г., «Информационные технологии в науке, технике и
образовании», г. Хургада, Египет, март 2005 г.; на X I международной научно-
8
техничской конференции «Высокие технологии в промышленности России», X Y I I
Международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике», Москва, сентябрь
2005 г.
Разработанные образцы импедансных фильтров на П А В демонстрировались на
международных выставках «Связь-экспоком» г.Москва 2002, 2003.
Работа «Устройства приема и обработки телевизионных сигналов», отмечена 2-ой
премией на Всероссийском КОНКУРСе ВНТО РЭС им. А.С.Попова научных работ
аспирантов и студентов в области радиоэлектроники и связи за 2003г.
Работы по разработке пассивных акустоэлектронных приборов для радиочастотной
идентификации легли в основу:
•
проекта 05-07-08003-офи_п «Исследование вопросов проектирования и
реадизации
средств
обеспечения
информационной
безопасности,
связанных
с
радиочастотной идентификацией, и изготовление лабораторного образца системы
радиочастотной
идентификации
на
основе
современных
акустоэлектронных
технологий», одобренного Российским фондом фундаментальных исследований;
•
инновационного проекта «Разработка и серийное освоение высокоточных
систем радиочастотной идентификации и определения местонахождения объекта и
информационных
систем
управления
доступа
на
основе
сверхминиатюрных
высокостабильных акустоэлектронных устройств импедансного типа» - победителя
программы «СТАРТ 05» Фонда содействия развитию малых форм предприятий в
научно-технической сфере.
Публикация результатов работы
По результатам выполненньге исследований опубликовано 28 научных работ, в том
числе в 8 статьях, 5 патентах и 15 тезисах докладов международных конференций.
Экономический эффект и внедрение результатов работы
Экономический эффеет- от внедрения результатов работ за период 2000-2004 г
превышает 450 тыс. рублей.
Структура и объем диссертации
Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка использованных
источников. Диссертация содержит 146 страниц машинописного текста, из них 69.
рисунков, 14 таблиц, ссылки на 122 библиографических источника.
Личный вклад автора
В диссертации изложены результаты работ, которые были выполнены автором
лично и в соавторстве. В части работ, выполненных в соавторстве и включенных в
диссертацию, автор является инициатором проведенных работ (выдвигал идею,
формулировал задачу, намечал пути ее решения) и внес определяющий вклад в
проведение экспериментов, разработку конструктивно-технологических решений и
методик исследований, проведение теоретических и машинных расчетов. Кроме того.
автор осуществлял обработку, анализ и обобщение результатов Соавторы,
принимавшие участие в исследованиях по отдельным направлениям, указаны в списке
основных публикаций по теме диссергации Все результаты, составляющие научную
новизну диссертации и выносимые на защиту, получены автором лично
2. КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ
Во введении показана актуальность работы, обоснована тема диссертации,
сформулированы цель и задачи работы
Первая глава посвящена проблемам проектирования фильтров на П А В
с
высокими селективными требованиями. Разделы 1.1, 1.2 являются в основном
обзорными.
Полосовой фильтр на П А В (рис. 1) представляет собой пьезоэлектрическую
подложку
1
с
преобразователями
расположенными
2,
которые
на
ее
служат
поверхности
для
встречно-штыревыми
взаимного
преобразования
электромагнитного сигнала в акустическую волну. Параметры полосовых фильтров на
П А В определяются гео.метрией В Ш П и электрофизическими свойствами материала
подложки.
Сложный характер распределения электрических
полей и упрзтих
смещений, возникающих при подаче на В Ш П высокочастотного сигнала, делает
трудной задачу построения строгой теории, пригодной для всех случаев расчета.
3
1
4
2
Рис. 1. Схематическое представление фильтра на П А В :
1 - пьезоэлектрическая подложка; 2 - В Ш П ;
3 - акустопоглотитель; 4 - электрический экран.
Для
инженерных
расчетов
используют
различные
упрощенные
модели,
основанные на прямом соответствии между геометрией В Ш П и электрическими
характеристиками. В разделе 1.1 приводятся сведения о модельном представлении
В Ш П , дается сравнительный анализ методов расчета преобразователей и фильтров на
их основе; обоснован выбор
метода расчета проводимости В Ш П
на основе
квазистатической теории. В данной работе в качестве основного метода синтеза
принят метод частотных выборок, позволяющий получать произвольные А Ч Х и Ф Ч Х
фильтров.
10
Раздел 1.2 посвящен выбору материала подложки, элементов конструкции
фильтров и анализу В Ш П методом связанных мод.
Для расчета частотного коэффициента передачи использовалась теория связанных
мод (coupling-of-modes-COM) [3,4], а именно представление В Ш П в ввде Р-матрицы
(рис. 2). Акустические порты В Ш П расположены на его краях и соответствуют
входящим и выходящим волнам.
ai
]'
•-—
1
/
• аг
Р
bi
Ьг
Рис. 2. Представление В Ш П в виде Р-матрицы
Р-матрица для однородного преобразователя имеет вид:
'31
'32
■■ 33 J
L
где 6, и а, - амплитуды входящих и выходящих волн, соответственно;
InU-
ток и напряжение на преобразователе;
Коэффициенты Р-матрицы:
P\\~Pz2= R:
Рц^Рп^
Pn^Pix- Т;
РЦ-РП^
Рп
= ОЛа>) II;
~2Рп,
Ргъ = С^ю) +УГ5«(ш)+а);
где Л и Г- коэффициенты отражения и прохождения волны;
Ga(a)), ВЛр), Ct - активная, реактивная составляющая проводимости и статическая
емкость В Ш П , для расчета которых применяются формулы расчета проводимости
В Ш П на основе квазистатической теории [2].
Для
анализа
электрическая
работы
фильтра
эквивалентная
с учетом
схема
внешних
четырехполюсника,
нагрузок
использована
включенного
между
генератором и нагрузкой (рис. 1). Частотный коэффициент передачи такого устройства
является основной частотной характеристикой Я(со) фильтра:
H{(Si)=UJUG
Используя
полученные
коэффициенты
в
матрице
проводимости
четырехполюсника для случаев короткого замьпсания и холостого хода, получаем
полную входную/выходную и передаточную проводимости фильтра.
и
Р-, * jwCp-
Y
Л * exp( - j{m „ - jy
= 2P °
•■12
-"^13
J ' z i = Pii
.)d)
* /■«' Q » ' '
где Cp - паразитная емкость В Ш П ;
d - расстояние между В Ш П ;
Ур - коэффициент затухания волны;
а и 6 - индексы, соответствующие входному и выходному В Ш П .
Определение конструкции фильтра,
выбор входного и выходного ВШП
±
I
1
Ввод геометрических
параметров фильтра'
- число электродов ВШП;
- апертура,
- коэффициент металлизации,
- расстояние между ВШП
Ввод парметров материала'
- коэффициент связи;
- диэлектрическая проницаемость;
- коэффициент затухания ПАВ при
распространении;
- эффективная скорость
Расчет фильтра на ПАВ
Расчет фильтра на ПАВ с
по модели 5-источников
учетом вторичных эффектов
Корреция импульсной
характеристики выходного
ВШП по расчету или
эксперименту
Вывод информации
для фотошаблона
Получение и анализ
экспериментальных
результатов
Рис. 3. Блок-схема программы синтеза высокоизбирательных ПАВ-фильтров
Таким образом, решена задача связи геометрических параметров В Ш П
электрофизическими параметрами подложки.
с
Представленный комплексный метод проектирования фильтров на П А В является
достаточно универсальным, поскольку пригоден для расчета В Ш П взвешенных как
12
методом аиодизации, так и другими методами, при сохранении эквидистантного
распределения электродов В Ш П
На основе полученных теоретических результатов разработана программа синтеза
высокоизбирательных ПАВ-фильтров, блок-схема которой приведена на рис. 3
В
процэамме учитываются параметры материала звукопровода (коэффициент связи,
диэлектрическую проницаемость, коэффициент затухания П А В при распространении,
эффективную скорость), электрические нагрузки и геометрические характеристики
фильтра (число штырей в преобразователях, апертуру, коэффициент металлизации и
расстояние между преобразователями, геометрию многополоскового ответвителя
(МПО) - при необходимости).
Программа реализована в пакете MathCAD в среде Windows IBM PC и позволяет:
•
проводить синтез преобразователей по требуемым характеристикам;
•
использовать в конструкции фильтра как аподизованные, так и взвешенные
другими методами В Ш П ; проводить анализ теоретических и экспериментальных
данных с целью учета влияния вторичньк эффектов [17] и технологии изготовления
на выходные характеристики фильтров;
•
осуществлять
коррекцию
гфеобразователей
с
учетом
полученных
эксперимекгальных данных;
•
автоматизировать цикл проектирования от задания технических требований
до получения файлов весов импульсной характеристики.
На рис. 4-6 представлены этапы синтеза и экспериментальные характеристики
высокоизбиратсльного фильтра с веерными В Ш П [9] (раздел 1.3.)
В, дБ
Р,МГц
Рис. 4. Расчетные А Ч Х фильтра с учетом (кривая 1) и без учета (кривая 2)
электрических нагрузок.
Рис. 5 Экспериментальная А Ч Х фильтра и траф^ег по заданным требованиям .
к
38
Рис. 6. Экспериментальная ГВЗ фильтра.
т. НС
Э9
Р,МГц
Анализ приведенных экспериментальных характеристик показал, что фильтр на
П А В с веерными В Ш П может быть с успехом использован в составе селектора
каналов гибридного аналого-цифрового телевизионного приемника
Проблему уменьшения уровня вносимого затухания кардинальным образом
удается решить с использованием работы преобразователей П А В , в качестве аналогов
LC-контуров (Раздел 1 4.). Из строгого рассмотрения задачи о возбуждении nABf2]
легко
определить
проводимость
ВШП
Увшп
(рис.7),
как
сзтиму
активной
составляющей G,(f), реактивной Ba(f) и электростатической емкости Ст в виде:
Увшп = G.(/)+j[B.(/)+2 Ж_/Ст]; (1)
14
G.(f) = 8fok^CTN
f sinX
V X
^va2X-lX
Ba(f) = 8fok'CTN-
;
;(2)
X= TtN
f-fo
2X^
CT = 9.06(£-n+l)LN;(4)
—
Л
;(3)
O a
—
i
c^ О
E
--—=^»_-/
j
-'
" ^~
^-^B«
CO
— •o o
-**
о
CO
DO
e oo
ЭО
1 Z
Рис. 7.
Условие резонанса: Ba(fo) = 0; Ga(fo) = S^k^CrN;
Условие антирезонанса: В,ф+2 я/
Наличие
активной
7Г
Cr=0, Ga(f) = О —> Л'^ >
Jk'
составляющей
проводимости излучения
указывает
на
возбуждение П А В в подложку звукопровода. Реактивная составляющая проводимости
указывает на обратный процесс преобразование возбужденных внзтри В Ш П ПАВ в
электрический сигнал. Активная составляющая на резонансной (центральной частоте)
имеет максимум, тогда как реактивная составляющая обращается в нуль На частотах
выще
резонансной
реактивная
составляющая,
как
видно
из
графика,
носит
индуктивный характер, и существует частота антирезонанса, на которой реактивная
составляющая преобразователя полностью компенсирует статическую емкость, а
активная составляющая обращается в нуль. Выбирая преобразователи с периодом
акустического синхронизма на частотах резонанса и антирезонанса и выполняя
15
условия резонанса и антирезонанса реализованы конструкции импедансных фильтров
на П А В П о аналогии с LC-фильтрами из таких преобразователей можно собирать Г,
П, Т звенья, соединять в многозвенные структуры, мостовые схемы
экспериментальные
характеристики
синтезированных
фильтров
Полученные
(см таблицу 1),
находятся в хорошем согласии с расчетными и разработаны для профессиональной
аппаратуры: подвижных средств связи [21], телевидения высокой четкости [15],
режекторных фильтров для закрытия ТВ-каналов [16], узко- и широко-полосных
фильтров [21].
Таблица 1
Основные характеристики импедансных ПАВ-фильтров для профессиональной аппаратуры
Параметры фильтра
[21]псс
[15]
[16]
[21]У
[21]ш*
Номинальная частота, М Г ц
850
479,5
110.
380
160
Вносимое затухание, дБ
1-2
6-7
40
5
3-4
5,9
5,6
0,1-1
0,07
31,2
2,0
1,8
-
более 3
1,6
0,4
ОД
-
-
0,9
45
38
1-2
3540
45
линейная
линейная
"
линейная
линейная
±2
±2
±4
±5
50
50
75
75
75
320
210
440
1020
40
300
150
250
700
296
300
200
700
296
Относительная
полоса
пропускания,%
Коэффициент
ПрЯМОуГОЛЬНОСТИ, А" 40/3
Неравномерность в полосе
пропускания
Уровень
внеполосного
затухания, не менее, дБ
Форма Г В З , НС
Нагрузка Кг=Кн, Ом
Рабочая апертура В Ш П в
мкм
Число
электродов
ВШП
вход/выход
Размер электрода, мкм
Размер пьезоэлемента, мм^
Температурный диапазон
200
718
1,35
2,39
1,0 X 0,5
1,6x0,5
2,0 X 0,8
термо-
термо-
-10 +60
стабилиз
стабилиза
ация
дня
-10 +60
5
1,0
2,63
6.25
3x3
4,0 X 0,8*
-10 . +60
* Примечание: Фильтр « 21]ш» также содержит симметричный трансформатор
диаметром 4мм и две индуктивностисЬ=0.15 м к Г н размером 5x2 мм^
16
Проведенные исследования показали' в импедансных фильтрах на П А В (ИФ)
сочетаются преимущества LC-фильтров (малое вносимое затухание, малые пульсации
АЧХ и ГВЗ, больщая рассеиваемая мощность) с преимуществами ПАВ-устройств
(высокая технологичность, воспроизводимость, малые габариты). Впервые обеспечены
такие параметры, которые недостижимы в других фильтрах на П А В ; вносимое
затухание до 1 дБ на частотах свьш1е 800 МГц, пульсации Г В З до 2 не, до нескольких
Вт мощности сигналов, подаваемые на вход ИФ. В И Ф реализованы одновременно
предельные характеристики следующих аппаратных функций: вносимое затухание,
межсимвольная
интерференция,
надежность,
габариты,
частотная
селекция,
рассеиваемая мощность при очень низкой стоимости в условиях крупносерийного
производства.
Канальные телевизионные (ТВ) фильтры на П А В в связи с возросшим числом
каналов в системах кабельного телевидения (СКТ) нашли широкое применение для
повышения помехозащищенности ТВ каналов и уменьшения взаимного влияния
одного канала на другой. ПАВ фильтры для Т В каналов должны иметь малые
вносимые потери (~4-5 дБ), полосу пропускания равную 8 МГц независимо от номера
канала, неравномерность А Ч Х в полосе пропускания не более 1 дБ, чтобы не искажать
ТВ сигнал, а также подавлять остальные ТВ каналы вне полосы пропускания более
чем на 20-30 дБ. Как показывает практика использования таких фильтров подавления
более 20 дБ в большинстве случаев
качество изображения. Однако
достаточно, чтобы существенно улучшить
вьшолнить
это условие
на соседнем канале,
находящимся справа от того канала, который необходимо пропустить, очень сложно в
сочетании
с
малыми
потерями.
Поэтому
подавление
более
20 дБ
обеспечивается через один канал. Решить эту проблему удалось
справа
впервые с
использованием канальных И Ф (раздел 1.5.) [13-14, 19-20]. Схема импедансного
фильтра на П А В в качестве канального ТВ фильтра показана на рис. 8а.
В11Ш1 С,
Li
Рис.8 а Схема мостового И Ф с симметричным трансформатором.
И Ф представляет собой мостовую схему с симметричным трансформатором и
содержит всего два обычных В Ш П с малой апертурой (две длины ПАВ на частоте
несущей изображения). Он также содержит две индуктивности и два конденсатора, что
позволяет получить потери около 3 дБ при полосе пропускания 8 МГц и достаточную
17
прямоугольность для полавления соседних каналов Трансформатор выполнен на
кольце диаметром 5 мм из В Ч феррита и содержит 8 витков провода диаметром 0,1 мм
Индуктивности выполнены на половинках ферритового кольца и содержат по 16
витков провода диаметром 0,1 мм.
о оо
В. Д Б
1
-20.00
40.00
}
во.оо
20 ОО
F, М Г ч
40.00
во.оо
SO.0O
100 00
Рис. 8 б. Частотная зависимость вносимого затухания мостового импедансного
фильтра с симметричным трансформатором на первый канал СКТ
Как видно из рис. 8 б, характеристики фильтра выгодно отличаются от
характеристик
известных
канальных
фильтров,
так как кроме
обеспечения
внеполосного подавления более 35 дБ во всем метровом ТВ диапазоне, его А Ч Х имеет
плоскую вершину во всей полосе пропускания, что недостижимо в канальных П А В
фильтрах других конструкций. Неравномерность А Ч Х в полосе пропускания не
превышает 1 дБ. Эта неравномерность объясняется отражениями П А В внутри В Ш П -
резонатора, которое происходит вблизи частоты его акустического синхронизма.
Поэтому пульсации А Ч Х присутствуют лишь на краях полосы пропускания фильтра,
так как В Ш П настроены на крайние частоты 1-го канала СКТ. Таким образом
вьшолнены фильтры 2, 6-12 и 15-25 ТВ каналы СКТ (раздел 1.6.) [13].
Схема И Ф
для селектора каналов гибридных аналого-цифровых
ТВ
приемников показана на рис. 9 (раздел 1.6.). В с е В Ш П 1 - 4 имеют апертуру
равную 290 мкм, а В Ш П 5 — 2 5 0 мкм. В о вех В Ш П число электродов равно
401.
Ы=ЬЗ=1,27мкГн,
R1=R3=13 О м ,
R2=160OM.
L2=14=l,15 мкГн.
Эти
резисторы
С1=С2=СЗ=С4=20 п Ф .
представляют
собой
3-х
децибельный аттенюатор для развязки звеньев. В Ш П 5 служит для увеличения
18
крутизны правого фронта АЧХ, а индуктивность L5 предназначена для
выравнивания АЧХ в полосе пропускания. Для расчета фильтра был
комплексный метод проектирования фильтров на ПАВ, учитывающий
параметры материала, электрические нагрузки и геометрию B U M , и
описанный в разделе 1.1.
ВШП1 С, L,
и
czb-fl-mw^
R,
Сз ВШПЗ
R3 T-^WYV-4HCD—^^-^^
ВШР5'
■
^
и
Рис. 9. Схема ИФ для селектора каналов гибридных телевизионных приемников.
1>»ДЬ
"
/
/
0
Р,МГц
Рис. 10. АЧХ ИФ для селектора каналов гибридных телевизионных приемников.
На рис. 10 представлены типичная экспериментальная АЧХ фильтра.
Неравномерность АЧХ в полосе пропускания не более 1 дБ. АЧХ соответствует
станд^пу, предъявляемым к гибридным ТВ приемникам..
Вторая глава посвящена теоретическим и экспериментальным исследованиям
радиочастотных меток на ПАВ.
19
Частотный спектр на территории РФ (особенно на Европейской части) находится в
полном насыщении, поэюму к В Ш П , осуществляющему основную частотноселективную функцию Р М на ПАВ, предъявляются жесткие требования, как по
потерям ПАВ, так и увеличению рабочих частот. Технологическому решению задачи
расширения частотного диапазона посвящена третья глава.
В
разделе
однофазных
2.1
рассмотрены
преобразователей
поверхностных
преобразователей
акустических
ПАВ
принципы
на
основе
волн
[8].
использованы
работы
однонаправленных
внутренних
Для
отражений
разработки
пьезоматериалы
с
таких
высоким
коэффициентом электромеханической связи и слабым уровнем возбуждения
объемных акустических волн ( О А В ) , например, 07/128° LiNbO}.
В
разделе
2.2.
описаны
принципы
организации
радиочастотной
идентификации с использованием акустоэлектронных технологий [22], а
также
конструктивные
особенности
радиочастотных
меток
и
датчиков
дистанционного контроля физических величин на основе однонаправленных
преобразователей П А В [9-10,25].
Радиоволны
Mgnta на ПЛВ
Считывающе
e устоойство
Антенна
.
'
♦
ВШП
••♦•
**3»\.
Импульсы ПАВ
Рис. 11.
Принцип действия Р М
основан на использовании эффекта формирования
модулированного сигнала линией задержки на поверхностных акустических волнах
при ее возбуждении широкополосным сигналом. Электромагнитный сигнал, принятый
антенной метки с помощью В Ш П преобразуется в поверхностно акустическую волну
(рис. И ) . Далее волна распространяется по кристаллу до системы отражателей,
которые находятся на различном расстоянии от В Ш П , так что отраженные пакеты
приходят на В Ш П в различные моменты времени. Далее В Ш П выполняет обратное
преобразование П А В в электромагнитный сигнал, который и излучается антенной
метки. Варьируя пространственное расположение отражателей, легко изменять
временное положение отраженного пакета. Импульсный отклик Р М на ПАВ
представлен на рис. 12[28]. На рис. 13 - топологический файл Р М [12].
20
А, дБ
Рис. 12.
t, НС
I разделе 2.3 рассмотрены вопросы практической реализации Р М на П А В .
Проанализированы
решения,
конструктивные
обоснована
целесообразность
применения многоканальной Р М [26-29].
Проведен
поиск
наилучших
конструктивных решений по следующим
направлениям
:-
выбор
однонаправленного
ВШП,
обеспечивающего минимальные потери;
- применение волноводного эффекта с
целью снижения габаритных размеров Р М ;
-
снижение материалоемкости за счет
-
оптимизация
уменьшения размера пьезоэлемента;
групповьге
ческих операций;
технологи­
- разработка способа кодирования Р М ;
-
снижение
себестоимости
операциях сборки.
При
расчетах
учитывалась
распространения
РМ
конструкции
разность
ПАВ
для
на
РМ
скоростей
сильных
пьезоэлектриков (таких как ниобат лития)
в структурах с разным коэффициентом
металлизации.
применена
С
этой
модель
целью
была
волноводного
распространения П А В в преобразователях
в
Рис. 13.
части использования дисперсионных
соотношений.
21
Третья
глава
посвящена технологическим
особенностям разработки и
производства рассмотренных в предыдущих главах пассивных акустоэлектронных
приборов ППУ • фильтров и Р М на ПАВ.
Раздел 3.1 носит в основном обзорный характер, в котором рассмотрены
основные вопросы технологии изготовления П А В структур: методы фотолитографии,
способы нанесения тонких пленок в вакууме, проблемы получения качественных
фотошаблонов.
Химическая активность П А В структур потребовала проведения
модернизации технологического процесса в части фотолитографии [29, 30], а
сравнительно низкая механическая прочность - изменение порядка рифления и резки
пластин с целью снижения уровня паразитных ОАВ.
Разделы 3.2. и 3.3. посвящены конструктивно-технологическим особенностям
специально разработанной установки магнетронного распыления (рис. 14) [31] и
условиям формирования пленок A1N и ZnO с контролируемыми содержанием и
строением кристаллической фазы, а также условиям получения и эксплуатационным
характеристикам
слоистых
структур,
включающих
A1N,
ZnO,
алмаза
и
алмазоподобного углерода [32], при их применении в пассивных акустоэлектронных
приборах [33].
Рис. 14. Конструкции вакуумных камер установки, кинематическая схема привода
подложкодержателя и электрическая схема управления приводом подложкодержателя.
1 - контакт; 2 - изолятор; 3 - подложкодержатель; 4 - нагреватель; 5 - шиберный
затвор; 6 - измерительный генератор; 7 - электромагнитный ввод 8 - держатели
кварцев; 9 - магнетроны; 10 - асинхронный двигатель с внешним ротором; 1 1 магниты; Y1-Y3 - электромагнитные муфты.
22
Преимущество структур алмаз(АУП)/А1К(2пО) при изготовлении С В Ч устройств
на ПАВ по сравнению с другими звукопроводами (монокристаллы и слоистые
структуры, не содержащие слой алмаза) связано с повышением в 1,5-3 раза частоты
обработки
сигнала
изготовленные
на
при
одинаковой
структурах
геометрии
ВШП.
Устройства
Si/aлмaз/BШШZnO;
на
ПАВ,
Si/aлмaз/ZnO/BШП
и
\\'(51)/алмаз/А^/ВШП, работают в частотном диапазоне 0,8-3,5 ГГц при ширине
электродов В Ш П 3-0,75 мкм [6-7]. Для звукопровода устройств на П А В пригодны
слои поликристаллического алмаза и А У П , осажденные из водород-углеводородной
газовой смеси, активированной любым из известных методов: дуговым, тлеющим; В Ч
и СВЧ разрядами, близкими к ЭЦР; методом нагретой нити; а также методами
распыления графитовой мишени ионным HJ^KOM, В Ч
и на постоянном токе
магнетронным распылением и др. Важно применять метод, обеспечивающий
формирование беспористых углеродных слоев с гладкой поверхностью. Последнее
условие
выполняется
только
при
формировании
рентгеноаморфных
пленок
алмазоподобного углерода. Строение слоистой структуры алмаз/ZnO, использованной
при изготовлении линий задержки, показано на рис. 15
1
• ■
'
к
20
е. rPW-
Рис. 15. а) Фотография линии задержки на П А В на слоистом звукопроводе
81/алмаз/2пО. б) Штрихренггенограмма (Си ка излучение) от слоистой структуры
\Л'/алмаз/2пО{0001}. в) Дифракгограмма качания отражения (0002) ZnO.
3. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
1. Разработан комплексный метод проектирования на основе квазистатической теории
и Р-матричной модели В Ш П , увеличивающий точность расчета ПАВ-фильтра.
Разработана
учитывающая
программа
параметры
преобразователей.
2. Предложены
импедансных
и
синтеза
разработаны
фильтров
высокоизбирательных
материала,
на
электрические
типовые
ПАВ
ППУ
с
фильтров
нагрузки
конструкщ!и
вносимыми
и
на
ПАВ,
геометрию
высокоизбирательных
потерями
1-6 дБ
относительной полосой пропускания 0,07-31%, обеспечивающая значительное
и
23
улучшение частотной селекции 40-60 дБ, неравномерности Г В З до 2 не и высокую
технологичность.
3
Практически реализованы высокоселективные фильтры для профессиональной
аппаратуры
селекторов
каналов
гибридных
аналого-цифровых
телевизионных
приемников, подвижных средств связи, телевидения высокой четкости, режекторных
фильтров для закрьяия ТВ-каналов, узкополосных и широкополосных фильтров.
4 . Разработаны и внедрены в производство телевизионные канальные фильтры на
1-2S эфирные каналы.
5.
Впервые
предложены
и
разработаны
радиочастотные
метки
различных
конструкгшй, в т.ч. многоканальные с волноводным распространением П А В
и
однонаправленным преобразователем, для систем радиочастотной идентификации и
систем управления доступом..
6 . Проведена модернизация технологических процессов изготовления пассивных
акустоэлектронных приборов ППУ.
7. Разработаны конструктивно-технологические решения в области применения
магнетронного распыления для выращивания слоистых структуры Ayn/AIN(ZnO),
пригодных для разработок микроминиатюрных радиочастотных меток на П А В в
расширенных частотных диапазонах.
8 . Впервые предложен способ кодирования радиочастотных меток на ПАВ в условиях
крупносерийного производства.
Литература
1. Ю.В.Гуляев, В.И.Пустовойт. Усиление поверхностных волн в полупроводниках //
Ж Э Т Ф . 1964.Т.47.С.2251-2253.
2. Ю.В.Гуляев. Акустоэлектроника - Российский приоритет // Радиоэлектроника и
управление». 2002. 2-3. С.55-61.
3. C.S.Hartmann. А fast accurate method for calculating the S A W and bulk wave radiation
admittance of a S A W transducer// Proc. I E E E Ultrason. Symp. 1988. P.39-46.
4. B.Abbott, C.Hartmann, D.Malocha. Transduction magnitude and phase for COM
modeling of S A W devices, I E E E Trans, on Ultrason., Ferroel. and Freq. Cont. Vol.39. № 1 .
1992,P.54-60.
5. Акустические кристаллы Под ред. М.П.Шаскольской. М.: Наука. 1982. 632 с.
6. A.F.Belyanin, A.N.Blaut-Blachev, L.L.Bouilov, B.V.Spitsyn. Growth of AIN Films and
diamond/AlN layer system application in acoustoelectronics // Journal of Chemical Vapour
Deposition. 1997. V. 5. № 3. P.267-272.
7. S.Shikata, H.Nakahata, K.Higaki, S.Fujii, A.Hachigo, N.Fujimori. 2,5 G H z S A W
bandpass filter using polycrystalline diamond // Advances in N e w Diamond Science
and Technology. M Y U . Tokyo. 1994. P.697-700.
24
Основные положения отражены в следующих публикациях:
8. С.А.Багдасарян,
Г.Я.Карапетьян,
Н.А.Нефедова.
Однонаправленный
преобразователь поверхностных акустических волн // Патент на изобретение 2195069.
М. Гос. реестр изобретений Р Ф Бюл. №35 20.12.2002.
9. С.А.Багдасарян, С.С.Громов, Г.Я.Карапетьян, О.В.Машинин, В.В.Семенов.
Устройство на поверхностных акустических волнах // Патент на изобретение 2242838.
М. Гос. реестр изобретений Р Ф Бюл. №35. 20.12.2004.
10. С.А.Багдасарян,
Ю.В.Гуляев,
А.С.Багдасарян,
Г.Я.Карапетьян.
Датчик
дистанционного контроля физической величины на поверхностных акустических
волнах // Заявка на изобретение № 2004126502 с приоритетом от 03.09.2004.
11 С.А.Багдасарян, Ю.В.Гуляев, А.С.Багдасарян, Г.Я.Карапетьян. Устройство
идентификации на поверхностных акустических волнах // Заявка на изобретение
№ 2005105835 с приоритетом ог 03.03.2005.
12. С.А.Багдасарян, Ю.В.Гуляев, А.С.Багдасарян, Г.Я.Карапетьян. Устройство
идентификации на поверхностных акустических волнах // Заявка на изобретение
№ 2005127344 с приоритетом ог 31.08.2005.
13. С А.Багдасарян, Ю.В.Гуляев, О.В.Машинин. Импедансные фильтры для систем
кабельного телевидения // Тезисы докладов 5-ой международной научно-технической
конференции «Перспективные технологии в средствах передачи информации-ПТСПИ.
Владимир. 2003.С.149-150.
14. С.А.Багдасарян, Г.Я.Карапетьян. Импедансные фильтры на поверхностных
акустических волнах для первого канала системы кабельного телевидения // Труды
международной научно-технической конференции «Моделирование и исследование
сложных систем». Севастополь. 2003. T.I. С.3-6.
15. С.А.Багдасарян, Г.Я.Карапетьян, О.В.Машинин. ПАВ-фильтры для телевидения
высокой четкости // Тезисы докладов 5-ой международной научно-технической
конференции «Перспективные технологии в средствах передачи информации-ПТСПИ.
Владимир. 2003.С.152-154.
16. С.А.Багдасарян, Г.Я.Карапетьян, О.В.Машинин. Режекторные импедансные
фильтры для защиты от несанкционированного доступа.// Тезисы докладов 5-ой
международной на)^но-технической конференции «Перспективные технологии в
средствах передачи информации-ПТСПИ. Владимир. 2003. С. 152-154
17. С.А.Багдасарян, Е.Ю.Шермагина. Расчетный метод компенсации вторичных
эффектов высокоизбирательных фильтров на поверхностных акустических волнах //
Труды
международной
научно-технической
конференции
«Моделирование
электронных приборов и аппаратуры». Севастополь. .2003. Т.1. С.24-27.
18. Ю.В.Гуляев, С.А.Багдасарян, О.В.Машинин. Импедансные фильтры на П А В для
систем кабельного телевидения // Тезисы докладов 5-ой международной научнотехнической конференции «Перспективные технологии в средствах передачи
информации ПТСПИ 2003». 2003. Влавдмир. С. 199.
19. С.А.Багдасарян, О.В.Машинин. ПАВ-технологии в системах кабельного
телевидения // Тезисы докладов Международной научно-технической конференции
«Современные телевизионные технологии. Состояние и развитие» 2004. М. МНИТИ.
С.56-58.
25
20. С.А.Багдасарян, Г.Я.Карапетьян Импелансные фильтры на поверхностных
акустических волнах лестничного типа на подложках из ниобата и танталата лития //
Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. 2005. Вып.1, С.37-38.
21. S.A.Bagdasarian, А S.Bagdasarian, G.Ya.Karapetyan, G A.Semyenov. Power Capture
Acoustic Electronic Units for Telecommunication networks // International Conference
"Wireless Telecommunication Systems". 2000. Voronezh. P.98-101.
22. С.А.Багдасарян, А.С.Багдасарян, А.И.Бурди, С.С.Громов. Технические средства
идентификации автомобилей на основе акустоэлектронных устройств // Системы и
средства связи, телевидения и раоиовещания. М. 2000. .Вып.1. С.63-69.
23. С.А-Багдасарян.
ПАВ-Технологии
в
системах
радиочастотной
идентификации // Труды международной научно-технической конференции
«Информационные технологии в науке, технике и образованию). 2004.
Аланья. Севастополь. Т.П. С.41-42.
24. С.А.Багдасарян. Системы контроля и управления доступом на основе
акустоэлектронных элементов // Труды международной научно-технической
конференции
«Информационные
технологии
в
науке,
технике
и
образовании». 2004. Аланья. Севастополь. Т.П. С.37-40.
25. С.А.Багдасарян, Г.Я.Карапетьян. Использование линий задержки на П А В для
дистанционного контроля различных физических параметров (температуры, давления,
влажности, радиационного фона) // Труды международной научно-технической
конференции
«Информационные
технологии
в
науке,
технике
и
образовании». 2004. Аланья. Севастополь. Т.П. С.65-66.
26. С.А.Багдасарян. ПАВ-Технологии в системах радиочастотной идентификации //
Электронная промышленность. 2004 .3. С. 170-171.
27. С.А.Багдасарян, Ю.В.Гуляев. Радиочастотная идентификация с использованием
технологии П А В // Chip-news. Инженерная микроэлектроника 2005. №3 (96).
С.46-48.
28. С.А.Багдасарян, Ю.В.Гуляев. Технологии П А В в радиочастотной идентификации
// Наука и технологии в промышленности. 2005. №1. С.54-60.
29. С.А.Багдасарян, В.Г.Днепровский. Очистка подложек при изготовлении устройств
на поверхностных акустических волнах // Труды международной научно-технической
конференции «Моделирование и исследование сложных систем». 2003. Севастополь.
С.21-23.
30. С.А.Багдасарян,
В.Г.Днепровский.
Подгонка
частоты
резонаторов
на
поверхностных акустических волнах // Труды международной научно-технической
конференции «Информационные технологии в науке, технике и образовании» 2004.
Аланья. Севастополь. T.III. С.123-124.
31. П.В.Пащенко, Г.Е.Адамов, С.А.Багдасарян, А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович.
Установки для получения пьезоэлектрических пленок на основе формирования
многослойных структур, содержащих пленки бактериородопсина // Системы и
средства связи, телевидения и радиовещания. 2004. >fol,2. С 58-63.
32. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, П.В.Пащенко, С.А.Багдасарян. Слоистые
структуры алмазоподобный углерод/А1К(2пО) в устройствах на поверхностных
26
акустических волнах // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. №1,2.
2004. С.64-70.
33. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, К А.Ковальский, П.В.Пащенко, С.А.Багдасарян,
К.Ю.Петухов. Наноструктурированные пленки AIN и ZnO в электронной технике //
Наука и технологии в промышленности. 2005. №2. С.46-57.
34. 34. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, К.А.Ковальский, П.В.Пащенко, М.А.Тимофеев,
С.А.Багдасарян, К.Ю.Петухов. Пленки A1N и ZnO: получение, строение и применение
в электронной технике // Труды X I международной конференции «Высокие
технологии в промьшшенности России». 2005. С.416-435.
35. А.Ф.Белянин, П.В.Пащенко, Н.В.Суетин, С.А.Багдасарян, Л.В.Павлушкин.
Устройство импульсного напуска газа для установок магнетронного распыления //
Труды X I международной конференции «Высокие технологии в промьппленности
России». 2005. С.534-536.
БАГДАСАРЯН СЕРГЕЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ
КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ
СОЗДАНИЯ ПАССИВНЫХ АКУСТОЭЛЕКТРОННЫХ
ПРИБОРОВ ПРИЕМО-ПЕРЕДАЮПЩХ УСТРОЙСТВ
АВТОРЕФЕРАТ
диссертации на соискание ученой степени
кандидата технических наук
Лицензия ПЛД №53-472 от 30.07.99
Подписано в печать 12.10.2005. Формат 64x84/16
Бумага офсетная. Усл.печ.л.1,0. Тираж 100 экз. Заказ 3314
Отпечано в ОАО «ЦНИТИ «Техномаш». 121108 Москва, ул.Ив.Франко,4
1119995
Р Н Б Русский фонд
2006-4
22787
Документ
Категория
Без категории
Просмотров
0
Размер файла
1 093 Кб
Теги
bd000102614
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа