close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

10302

код для вставкиСкачать
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К ПАТЕНТУ
РЕСПУБЛИКА БЕЛАРУСЬ
(46) 2008.02.28
(12)
(51) МПК (2006)
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ЦЕНТР
ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ
СОБСТВЕННОСТИ
(54)
C 04B 35/01
H 01G 4/12
ШИХТА КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА
ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ
(21) Номер заявки: a 20051324
(22) 2005.12.29
(43) 2007.08.30
(71) Заявитель: Государственное научное
учреждение "Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Беларуси" (BY)
(72) Авторы: Акимов Александр Иванович; Савчук Галина Казимировна
(BY)
BY 10302 C1 2008.02.28
BY (11) 10302
(13) C1
(19)
(73) Патентообладатель: Государственное
научное учреждение "Объединенный
институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Беларуси" (BY)
(56) Акимов А.И. и др. Неорганические материалы. - 2004. - Т. 40. - № 7. - С. 820825.
Fukuda K. et al. Jpn. J. Appl. Phys.,
1993. - V. 32. - № 10. - Р. 4584-4588.
RU 2035435 C1, 1995.
SU 654580, 1979.
JP 9-153710 A, 1997.
DE 19909089 A1, 2000.
EP 0717018 B1, 2002.
(57)
Шихта керамического материала для высокочастотных конденсаторов, содержащая
оксид титана и оксид висмута, отличающаяся тем, что дополнительно содержит карбонат
марганца при следующем соотношении компонентов, мас. %:
TiO2
38,5-42,0
Bi2O
58,0-60,5
MnCO3
0,8-3,0.
Изобретение принадлежит к области получения керамических материалов, обладающих высоким значением диэлектрической проницаемости и может быть использовано в
керамическом конденсаторостроении, преимущественно для изготовления высокочастотных конденсаторов.
Известен керамический материал для высокочастотных конденсаторов, включающий
Вi2О3, TiO2, который имеет диэлектрическую проницаемость [1], значение которой для
ряда применений имеет слишком низкое значение.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому изобретению является диэлектрический материал на основе соединения Bi2Ti4O11, шихта которого содержит Вi2О3,
TiO2 [2].
Существенным недостатком материала является то, что материал имеет недостаточно
высокую (53) относительную диэлектрическую проницаемость.
BY 10302 C1 2008.02.28
Предлагаемая шихта керамического материала позволяет устранить недостатки известных материалов такого же назначения и обеспечивает достижение более высокого
значения диэлектрической проницаемости (до 118).
Сущность изобретения заключается в том, что в предлагаемой шихте керамического
материала, преимущественно для высокочастотных конденсаторов, включающем Вi2О3 и
TiO2, вышеуказанный технический результат обеспечивается тем, что материал дополнительно содержит МnСО3 при следующих соотношениях компонентов, мас. %:
Bi2O3
(58,0-60,5)
TiO2
(38,5-42,0)
МnСО3
(0,8-3,0).
Получение керамического материала осуществляется следующим образом. В смесь из
исходных компонент Bi2O3 и TiO2, взятых в необходимом соотношении, дополнительно
вводится МnСО3. В порошки добавляется этиловый спирт до получения консистенции
"густой сметаны". Полученная смесь подвергается помолу в вибромельнице в течение
600 мин. Высушенная смесь после помола прессуется в таблетки при давлении 0,1 ГПа.
Синтез образцов проводится в электрической печи в атмосфере воздуха в алундовых тиглях при температурах (1050-1150) °С в течение 4-8 ч. После синтеза керамический материал измельчается и подвергается помолу. В порошок после помола добавляется пластификатор, после чего полученная смесь формовалась в диски, обжиг которых производился
в электропечах при температурах 1210-1240 °С в течение 2-6 ч. Полученные керамические
образцы имели высокую плотность и соответственно низкое водопоглощение. Конкретными примерами заявляемой шихты керамического материала, иллюстрирующими изобретение, являются следующие составы:
Компонент,
мас. %
Bi2O3
TiO2
МnСО3
Состав 1
Состав 2
Состав 3
Состав 4
Состав 5
57,3
42,6
0,1
58,0
41,2
0,8
59,2
38,8
2,0
60,5
36,5
3,0
61,0
35,0
4,0
Свойства керамического материала подтверждаются результатами экспериментальной
проверки, данные о которых приведены в таблице.
Характеристики
керамического
материала
Диэлектрическая
проницаемость
Состав 1
78
Составы керамического материала
Заявляемые
Состав 2 Состав 3 Состав 4 Состав 5
105
118
115
75
Прототип
53
Как следует из таблицы, предлагаемая шихта керамического материала в сравнении с
прототипом позволяет повысить диэлектрическую проницаемость на 123 %. Это свидетельствует о преимуществах предлагаемой шихты керамического материала предназначенного преимущественно для высокочастотных конденсаторов. Анализ результатов исследования характеристик керамических образцов, полученных из шихты с различными
добавками МnСО3 показывает, что наилучшие показатели имеет состав 3. Оптимальность
состава предлагаемой шихты керамического материала подтверждается тем, что при введении добавки МnСО3 более максимального количества 4 мас. % (состав 5), а при введении его менее минимального количества (состав 1) 0,1 мас. % происходит уменьшение
значения относительной диэлектрической проницаемости.
Экспериментально установлено, что наилучший технический результат достигается
при заявляемом соотношении компонентов материалов.
2
BY 10302 C1 2008.02.28
Технология изготовления керамического материала проста и промышленно применима.
Практическое применение керамического материала, изготовленного из заявляемой
шихты обеспечивает малые экономические затраты при получении материала и низкую
себестоимость высокочастотных конденсаторов на его основе.
В настоящее время разработана рецептура и техпроцесс получения шихты керамического материала заявляемого состава, а также изготовлены опытные партии материала и
изделий из него и проведены их испытания, результаты которых подтверждают получение
технического результата.
Источники информации:
1. Kahlenberg V., Böhm H. The Structure of α- and β - Bi2Ti4O11 // Acta Cryst. - 1995. V.B51. - P. 11-18.
2. Акимов А.И., Савчук Г.К. Синтез соединения Bi2Ti4O11 и спекание керамических
материалов на его основе. Неорганические материалы. - 2004. - Т. 40. - № 7 - С. 716-721.
Национальный центр интеллектуальной собственности.
220034, г. Минск, ул. Козлова, 20.
3
Документ
Категория
Без категории
Просмотров
0
Размер файла
74 Кб
Теги
10302
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа