close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

МДП транзисторы

код для вставкиСкачать
МДП транзисторы
МДП транзистор
Полевой
транзистор
с
изолированным
затвором - это полевой транзистор,
затвор которого отделен в электрическом
отношении от канала слоем диэлектрика.
Полевой транзистор с изолированным
затвором
состоит
из
пластины
полупроводника
(подложки)
с
относительно
высоким
удельным
сопротивлением, в которой созданы две
области с противоположным типом
электропроводности). На эти области
нанесены металлические электроды исток
и
сток.
Поверхность
полупроводника между истоком и стоком
покрыта тонким слоем диэлектрика
(обычно слоем оксида кремния). На слой
диэлектрика
нанесен
металлический
электрод - затвор. Получается структура,
состоящая из металла, диэлектрика и
полупроводника.
Поэтому
полевые
транзисторы с изолированным затвором
часто называют МДП- транзисторами.
Конструкция МДП транзистора
Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, в котором управление
током, протекающим между двумя электродами, достигается с помощью напряжения,
приложенного к третьему. Электроды, между которыми протекает рабочий ток, носят
название истока и стока. Третий электрод называется затвором. Две основные
структуры МДП транзисторов показаны на рисунке. Первая характерна наличием
специально осуществленного (собственного или встроенного} канала, проводимость
которого модулируется смещением на затворе. В случае канала р-типа положительный
потенциал Us отталкивает дырки из канала (режим обеднения), а отрицательный притягивает их (режим обогащения). Соответственно проводимость канала либо
уменьшается, либо увеличивается по сравнению с ее значением при нулевом
смещении.
Зонные диаграммы МДПтранзистора в режиме
обогащения
Если Vg<0 из объема
п/п притягиваются
дополнительно
основные носители
(для канала p-типа
это дырки). Это
приводит к
увеличению
проводимости
канала.
Зонные диаграммы МДПструктуры в режиме обеднения
При положительном Vg
основные носители
уходят из канала
уменьшая его
проводимость.
Эффект влияния подложки
ВАХ МДП ПТ выглядит так:
Исходя из этого, можно изменять Jd ,
изменяя Vt при Vg и Vds = const.
Пороговое напряжение (Vt) зависит
от суммы зарядов ионизованных
доноров(акцепторов):
Т. о., меняя Vss, меняем пороговое
напряжение (Vt) и тем самым
меняем ток в инверсионном
канале.
Изменяя напряжение на
подложке, можно
регулировать ток в
канале. – Подложка –
второй управляющий
электрод.
ВАХ транзистора с учетом
влияния подложки
Переходные и проходные
характеристики МДП ПТ.
Переходные характеристики
МДП-транзистора при нулевом
напряжении смещения каналподложка и при напряжении
не равном нулю.
Влияние напряжения
смещения канал-подложка Vss
на проходные характеристики
транзистора в области
плавного канала .
THE END.
Документ
Категория
Презентации
Просмотров
14
Размер файла
194 Кб
Теги
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа