close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

Презентация

код для вставкиСкачать
Оценка параметров
чувствительности БИС к
эффектам воздействия
отдельных ядерных частиц с
использованием лазерной и
импульсной гамма- установок
А.И. Чумаков1, А.Л. Васильев1, А.А. Печенкин1,
Д.В. Савченков2, А.С. Тарараксин2, А.В. Яненко2
1
ОАО «ЭНПО СПЭЛС»
2 НИЯУ «МИФИ»
dvsav@spels.ru
Содержание
• Основные параметры чувствительности БИС по
локальным радиационным эффектам;
• Эквивалентное значение ЛПЭ лазерного воздействия;
• Ионизационная реакция (ИР) в цепи питания БИС при
облучении;
• Режим фотодиода;
• Облучение одного и нескольких pn-переходов;
• Импульс ИР при лазерном и импульсном гаммаоблучении;
• Определение ЛПЭ из выражений для ИР для
лазерного имитатора и гамма-установки;
• Используемые установки;
• Распределение коэффициента потерь по кристаллу;
2
Основные параметры чувствительности БИС по
локальным радиационным эффектам
Сечение
насыщения
Пороговое значение ЛПЭ
3
Эквивалентное значение ЛПЭ лазерного
воздействия
коэффициент
поглощения
L z 0 1 R коэффициент
отражения
энергия образования одной
электронно-дырочной пары
энергия
лазерного
излучения
J ЛИ i 1
K m h коэффициент потерь
лазерного излучения на
оптических
неоднородностях
K
Km
J ЛИ
плотность
полупроводника
энергия кванта
лазерного излучения
4
Ионизационная реакция (ИР) в цепи питания БИС
при облучении
t U R (t ) i ( ) exp d
C 0
RC 1
t
5
Режим фотодиода
6
Облучение одного и нескольких pn-переходов
Осциллограммы
ионизационного тока
для отдельного p–n
перехода и для
структуры с пятью p–n
переходами,
равномерно
распределенными по
кристаллу при
воздействии импульса
ионизирующего
излучения
длительностью 70 пс.
7
Импульс ИР при воздействии лазерного и
импульсного гамма- излучения
Импульс ионизационной реакции для лазерного излучения
U ( t ) 10 q g o (1 R ) Rt
5
Ju
Cl
0
K
'
m
i
h
R in R t
1
L e _ l ( t ) exp( t / RC l )
Импульс ионизационной реакции для импульсного гаммаизлучения
U g (t ) Rt
R in R t
Dg go q 1
Cg
L e _ g ( t ) A g exp( t / RC g )
8
Определение ЛПЭ из выражений для ИР для
лазерного имитатора и гамма-установки
суммарная доза за
импульс
ионизирующего
излучения
значение энергии
сфокусированного
лазерного излучения
амплитуда напряжения
на интеграторе при
лазерном облучении
J 0 U lm C l
LET 6 . 25 10 D a A g J u U a C a
4
площадь
кристалла БИС,
находящаяся под
облучением
энергия лазерного излучения
при измерении амплитуды
ионизационной реакции в
цепи питания
амплитуда напряжения на
интеграторе при
воздействии импульсного
гамма-излучения
9
Используемые установки
Δ
Δ
Диафрагма –
свинцовая
пластинка с
отверстием
диаметром 1 мм
Источник
импульсного
гамма-излучения
«АРСА»
10
Используемые установки
Лазерный имитатор «ПИКО-4»
11
Осциллограммы импульсов ионизационной
реакции в БИС ОЗУ 1892ВМ2Я при локальном
облучении на лазерной и гамма- установках.
1.2.109 рад/с, АРСА
5.7 мкДж, лазер с длиной
волны =1.064 мкм
12
Распределение коэффициента потерь по кристаллу
Цифровой кристалл контроллера
мультиплексного
канала
стандарта
MIL-STD-1553A/B
BU-61580G3-192
Приемопередатчик 5559ИН26У
13
Распределение коэффициента потерь по кристаллу
ПЛИС XC95144-15TQ100
16 битный микроконтроллер
SAK-XC167CI-32F40FBB-A
14
Распределение коэффициента потерь по кристаллу
энергонезависимое ОЗУ с
микропрограммным
управлением, выполненное по
FRAM технологии FM33256
14-разрядный ЦАП DAC5675AMHFG-V
15
Распределение коэффициента потерь по кристаллу
Однократно программируемое ПЗУ фирмы Xilinx,
конфигурирования ПЛИС ф. Xilinx XC1765EL-S08I
применяемое
для
16
Заключение
В работе обоснована методика оценки эквивалентных
значений линейных потерь энергии по результатам
облучения
кристалла
БИС
локальным
лазерным
излучением и гамма-импульсом. Методика может быть
распространена для проведения испытаний БИС на
стойкость к воздействию ТЗЧ и основана на пересчете
энергии лазерного излучения в эквивалентные значения
ЛПЭ с использованием результатов измерений пороговой
энергии для возникновения эффекта и характеристик
ионизационной реакции в цепи питания БИС. В
предлагаемой
методике
устранены
погрешности,
обусловленные
заданием
числовых
параметров
взаимодействия
оптического
излучения
с
полупроводниковыми структурами и неопределенностью
характеристик полупроводниковых структур.
17
Спасибо за внимание!
18
Документ
Категория
Презентации по физике
Просмотров
42
Размер файла
6 596 Кб
Теги
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа