close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

кРМРК_7_1 Полупроводн_Резисторы

код для вставкиСкачать
Полупроводниковые резисторы
1
К полупроводниковым резисторам относятся резисторы, принцип действия которых
основан на изменении электрического сопротивления полупроводниковых материалов под
воздействием
различных
управляющих
факторов: электрического напряжения, температуры, светового и теплового излучения,
магнитного поля. Полупроводниковые резисторы имеют нелинейную вольт-амперную характеристику (ВАХ) и их часто называют нелинейными резисторами.
2
Классификация полупроводниковых
резисторов
Полупроводниковые
резисторы
Варисторы
Терморезисторы
Фоторезисторы
Магниторезисторы
Термисторы
Позисторы
3
Варисторы
21
I, мА
1
2
5
15
10
4
U/I
А
–80
5
–40
40
U, В
–5
–10
3
–15
а
0,8
б
Рис. 7.13. Варистор типа ВР-1: а – конструкция (1– резистивный элемент,
2 – контактный электрод, 3 – проволочный вывод, 4 – пайка вывода к
электроду, 5 – защитное эмалевое покрытие); б – вольтамперная
характеристика варистора
4
Варисторы
Это полупроводниковые резисторы, сопротивление
которых сильно зависит от приложенного электрического
напряжения. Варисторы изготавливают методом спекания
смеси из мелкокристаллического порошка карбида кремния
(карборунда, SiC), окиси цинка (ZnO) c добавками или селена
(Se) и связующих веществ (керамических материалов,
жидкого стекла, кремнийорганических лаков и т. п.).
Вольтамперная характеристика варистора описывается
приближен-ным уравнением для узкого диапазона токов и
напряжений:
I = BUb,
(7.13)
где B – постоянный коэффициент, b – коэффициент
нелинейности.
5
Параметры варисторов 1
1. Статическое сопротивление Rст – сопротивление постоянному току:
Rст = U/I.
2. Динамическое сопротивление Rдин – дифференциальное
сопротивление в заданной точке ВАХ (точка А на рис. 7.13, б): Rдин =
dU/dI≈U/I.
3. Номинальная мощность рассеяния Рн – максимальная мощность,
которую может рассеять варистор в течение срока службы при сохранении
параметров в установленных пределах. Мощность серийно выпускаемых
варисторов составляет 0,013 Вт и определяется конструкцией варистора,
а также физическими свойствами применяемых материалов.
4. Классификационное напряжение Uкл – условный параметр,
определяющий значение постоянного напряжения, при котором через
варистор протекает заданный классификационный ток Iкл (равный 125
мА, а для высоковольтных и маломощных варисторов – до 0,02 мА).
Для большинства варисторов Uкл = 151500 В и более. Допускаемые
отклонения по классификационному напряжению составляют ±5, ±10 и
±20%.
6
Параметры варисторов 2
5. Коэффициент нелинейности b характеризует степень
нелинейности ВАХ и равен отношению сопротивления
постоянному току Rст к динамическому сопротивлению Rдин в
b R ст R д и н U dI I dU
заданной точке характеристики:
. Для
варисторов b = 330 (для линейных резисторов b = 1).
6. Температурный коэффициент тока ТКI – относительное изменение тока, протекающего через варистор, при изменении температуры окружающей среды на 1 K и неизменном приложенном напряжении.
7. Температурный коэффициент напряжения ТКU – относительное изменение напряжения, приложенного к варистору, при изменении температуры окружающей среды на 1 K
и неизменном протекающем токе.
7
Системы обозначения варисторов
Согласно ОСТ 11.074.009-78 сокращенное условное обозначение
варисторов состоит из сочетания букв и цифр. Буквы обозначают
подкласс резисторов: ВР – варисторы постоянные; ВРП – варисторы
переменные. Цифры означают порядковый номер разработки
конкретного типа прибора. В полное условное обозначение варисторов
входят дополнительно классификационное напряжение (ток) с
обозначением единицы измерения и вариант конструктивного
оформления (при необходимости).
В обозначениях варисторов выпуска до 1978 г.: первый элемент –
сочетание букв СН (сопротивление нелинейное); второй элемент – цифра,
обозначающая код исходного полупроводникового материала (1 – карбид
кремния, 2 – селен); третий элемент – цифра (через дефис), означающая
вид конструкции (1 – цилиндрическая, 2 – дисковая); четвертый элемент
– цифра, означающая порядковый номер разработки; пятый и шестой
элемент – цифры, обозначающие классификационное напряжение и
допуск. Третий, пятый и шестой элементы в сокращенном обозначении
варистора могут не использоваться.
8
Терморезисторы
100
6
100
R
1,5
а
48
40
1
2
3
4
9,5
2
t
1
o
T
в
I
3
4
б
г
г
U
Рис. 7.14. Терморезисторы: а – терморезистор прямого подогрева типа ТР-1; б – терморезистор косвенного подогрева типа
СТ1-21 и его электрическая схема; в – температурная зависимость сопротивления резистора с отрицательным ТКС;
г – ВАХ терморезистора
9
Материалы для терморезисторов
В технологии производства терморезисторов широкое
распространение получили медно-марганцевые (CuOMn3O4), кобальто-марганцевые (Co3O4-Mn3O4), меднокобальто-марганцевые (CuO-Co3O4-Mn3O4) и некоторые
другие окисные поликристаллические полупроводники
с большим отрицательным ТКС (порядка 10–210–11/K).
Терморезисторы с положительным ТКС выполняют
главным образом на основе титаната бария (BaTiO3),
удельное сопротивление которого значительно снижено за
счет добавления примесей редкоземельных элементов.
Для изготовления терморезисторов применяют также
монокристаллические полупроводниковые материалы – Ge
и Si. Перспективно применение широкозонных монокристаллических полупроводников, таких как SiC, InP
(фосфид индия), обеспечивающих более высокую
10
температурную чувствительность термоэлемента.
Параметры терморезисторов 1
1. Номинальное сопротивление Rн – электрическое сопротивление
терморезисторов, измеренное при определенной температуре
окружающей среды; соответствует ряду Е6 или E12. Допуски на
номинальное сопротивление составляют ±1%, ±2%, ±5%, ±10%,
±30%.
Сопротивление терморезистора с отрицательным ТКС в интервале
рабочих температур меняется по экспоненциальному закону
R = Aexp(B/T),
(7.14)
где А – постоянная, определяемая физическими свойствами
материала; В – коэффициент температурной чувствительности (см.
ниже). График функции R = f(T) представлен на рис. 7.13, в.
Для позисторов, сопротивление которых увеличивается с ростом
температуры, температурная зависимость сопротивления в довольно
широком интервале температур может аппроксимироваться формулой
R = Aexp(aT),
(7.15)
где a – ТКС позистора при температуре Т, А – постоянная.
11
Параметры терморезисторов 2
2. Коэффициент температурной чувствительности В определяется
видом зависимости концентрации носителей заряда в используемом
полупроводниковом материале от температуры, а также температурной
зависимостью подвижности носителей заряда. Постоянная В имеет
размерность температуры и находится в диапазоне 700...1600 К для
большинства терморезисторов.
3. Максимальная мощность рассеяния Рмакс – наибольшая мощность,
которую может рассеивать терморезистор без необратимых изменений
остальных параметров при температуре, не превышающей предельно
(максимально) допустимую. Диапазон значений Рмакс для терморезисторов
находится в пределах от нескольких милливатт до единиц ватт.
4. Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) или aR,T –
представляет (как и для обычных резисторов) относительное изменение
сопротивления при изменении температуры на 1 градус.
Зная коэффициент температурной чувствительности В, можно рассчитать
ТКС для любой температуры Т:
a R ,T 1 dR
R dT
B
T
2
.
(7.16)
12
Параметры терморезисторов 3
5. Коэффициент рассеяния Н – значение мощности,
рассеивае-мой
терморезистором,
при
которой
температура
термочувстви-тельного элемента повышается на 1 градус по
отношению к темпе-ратуре окружающей среды. Обычно Н = 0,0136
мВт/К.
6. Коэффициент энергетической чувствительности G –
зна-чение мощности, которую необходимо подвести к терморезистору,
чтобы его сопротивление уменьшилось на 1%: G = 0,0210 мВт.
Величины G, H и ТКС связаны соотношением G = H/100aR, T.
Для измерителей СВЧ мощности указывается энергетическая
чувствительность терморезистора в рабочей точке – это изменение
его сопротивления при изменении мощности рассеяния на 1 мВт при
Т = +20 оС.
7. Постоянная времени t, характеризующая тепловую
инерционность терморезистора, – это время, в течение которого
температура терморезистора при охлаждении в воздухе уменьшится
на 63%. Для разных типов приборов значение t составляет 0,5140 c.
13
Параметры терморезисторов
Предельные значения параметров терморезисторов
Диапазон
номинальных сопротивлений
, Ом
10...106
ТКС,
10–2 1/К
Рмакс, Вт
В, К
Н, мВт/К
t,c
Диапазон
рабочих
температур, оС
–(2,48,4)
0,041
36007200
0,813
0,4900
–60+300
14
Система обзначений терморезисторов
Сокращенное условное обозначение терморезисторов (ТР и ТРП) осуществляется в
соответствии с ОСТ 11.074.009–78. Полное условное обозначение, необходимое для
заказа терморезисторов и записи их в конструкторской документации, включает в
себя дополнительно номинальное сопротивление с обозначением единицы измерения
(Ом, КОм) и допускаемое отклонение сопротивления (допуск), %.
До введения ОСТ 11.074.009–78 в основу обозначения терморезистора входил
состав материала, из которого изготовлялся их термочувствительный элемент:
СТ1 – кобальто-марганцевые (ранее обозначались КМТ);
СТ2 – медно-марганцевые (ранее обозначались ММТ);
СТ3 – медно-кобальто-марганцевые (ранее обозначались МКМТ);
СТ4 – никель-кобальто-марганцевые;
СТ5 – на основе титаната бария, с ТКС>0;
СТ6 – на основе легированных твердых растворов в системе BaTiO3×BaSnO3, с
ТКС>0;
СТ8 – на основе окиси ванадия и ряда поликристаллических твердых растворов, с
ТКС>0;
СТ9 – на основе двуокиси ванадия;
СТ10 – на основе системы (Ba, Sr)TiO3, с ТКС>0;
СТ11 – на основе системы (Ba, Sr)(Ti, Sn)O3, легированной цезием, с ТКС>0 и др.
Стабилизаторы напряжения обозначаются буквами ТП (терморезистор прямого
подогрева) и цифрами в виде дроби (в числителе указывается напряжение в вольтах, в
знаменателе – рабочий ток в миллиамперах).
Измерители СВЧ мощности обозначаются буквами и цифрами: Т8, Т9, ТШ-1 (Ш –
с малой шунтирующей емкостью), СТ3-29, СТ3-32.
Терморезисторы косвенного подогрева обозначаются буквами и цифрами: ТКП-20,
ТКП-50, ТКП-350 (цифры означают сопротивление в Ом при номинальной мощности
15
в подогревателе), а также СТ1-21, СТ1-27, СТ3-21, СТ3-27 и др.
Фоторезисторы
Фоторезисторы – это фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения, принцип
действия которых основан на эффекте фотопроводимости. Эффект фотопроводимости (фоторезистивный эффект) заключается в уменьшении
электросопротивления полупроводникового материала при освещении.
Наиболее распространенными являются фоторезисторы на основе сернистого свинца (PbS), cеленистого свинца (PbSe), сернистого кадмия (CdS)
и селенистого кадмия (CdSe). Высокая фоточувствительность сульфида и селенида кадмия обеспечивается введением в их состав сенсибилизирующих примесей, способствующих увеличению времени жизни основных носителей заряда.
Донорной примесью обычно служит хлор, в
качестве акцепторных примесей используются
медь или серебро. Существенную роль в
механизме
про-водимости
играют
также
структурные
дефекты
фо-точувствительных
полупроводниковых материа-лов.
Поток
излучения
3
1
2
Рис. 7.15. Принципиальное
устройство фоторезистора
1 – светочувствительный
полупроводниковый слой,
2 – изоляционное основание,
3 – металлические электроды
16
Характеристики фоторезисторов
Iф, мкА
R, Ом
Ф>0
Iт
Ф=0
U, В
а
S, отн.
ед.
1,0
CdS CdSe
б
PbS
Ф, лм
PbSe
0,6
0,2
1,0
2,0
3,0
, мкм
в
Рис. 7.16. Характеристики фоторезисторов: а – вольтамперные характеристики; б – функциональная характеристика
R=f(Ф); в – спектральные характеристики различных фоточувствительных элементов
17
Параметры фоторезисторов 1
1. Темновое сопротивление Rт – это сопротивление фоторезистора при
полной защите чувствительного элемента от излучения. В зависимости от
материала
фоточувствительного
элемента
значение
Rт
составляет
(0,022100)×106 Ом.
2. Кратность изменения сопротивления
– отношение темнового
сопротивления Rт фоторезистора к световому сопротивлению Rсв измеренному
при освещенности в 200 лк. Значение отношения Rт/Rсв для различных типов
фоторезисторов на основе CdS и CdSe колеблется в широком диапазоне от 3,5 до
1,5×106 (обычно 150...1500), для фоторезисторов на основе PbS значение Rт/Rсв
постоянно и равно 1,2 отн. ед.
3. Рабочее напряжение Uр – это напряжение, при котором фоторезистор
работоспособен в течение заданного срока службы. Для различных типов
фоторезисторов значение Uр находится в пределах 2100 В.
4. Номинальная мощность рассеяния Рн – максимально допустимая мощность, которую фоторезистор может рассеивать при непрерывной электрической
нагрузке и температуре окружающей среды, указанной в технической
документации, при атмосферном давлении 105 Н/м2 и рабочем напряжении на
фоторезисторе. Значение Рн для фоторезисторов невелико и составляет 0,010,35
Вт.
18
Параметры фоторезисторов 2
5. Темновой ток Iт – величина тока через фоторезистор,
определяемая при рабочем напряжении и полной защите
фоточувствительного элемента от излучения. Величина Iт =
0,01100 мкА.
6. Световой ток Iсв – величина тока через фоторезистор,
определяемая при рабочем напряжении и освещенности 200 лк.
Величина Iсв = 0,36 мА.
7. Удельная чувствительность К – это отношение фототока Iф
к падающему на фоторезистор световому потоку Ф, лм, и
приложенному к нему напряжению U, В:
I ф ,
(7.17)
K ФU
где Iф = Iсв – Iт – фототок, равный разности светового и
темнового токов, протекающих через фоторезистор. Значение К для
различных фоторезисторов составляет от 500 до 600×103 мкА/лм×В.
19
Параметры фоторезисторов 3
8. Спектральная характеристика, S(), представляет зависимость монохроматической чувствительности фоторезистора, К, отнесенную к значению максимальной чувствительности, Кmax, от длины волны l регистрируемого потока излуx
m ax
чения. Очевидно, S= I ф / I фm aгде
,
–I фзначение фототока, соответст-вующее
максимальной чувствительности фоторезистора.
9. Инерционность t – это длительность промежутка времени, в течение
которого фототок после включения или выключения источника света
увеличивается или уменьшается в 2,73 раза.
I ф ( f м од ) I ф ( 0)
1 ( 2 f м од t )
,
(7.18)
2
где Iф(0) – значение фототока при постоянном световом потоке, падающем на
фоторезистор (fмод = 0).
10. Температурный коэффициент фототока (ТКIф) представляет собой
относительное изменение фототока при изменении температуры на 1 градус:
aI,Т =
I ф
1
T I ф
. Значение ТКIф является отрицательной величиной,
поскольку общий фототок уменьшается с увеличением температуры.
20
Система обозначений фоторезисторов
До введения ОСТ 11.074.009–78 (согласно которому
фоторезистор обозначается буквами ФР) в основу
обозначения фоторезисторов входил состав материала, из
которого изготовлялся их термочувствительный элемент:
СФ1 – на основе сульфида свинца (ранее обозначались
ФСА);
СФ2 – сернисто-кадмиевые (ранее обозначались ФСК);
СФ3 – селенисто-кадмиевые (ранее обозначались ФСД);
СФ4 – на основе селенида свинца.
Далее через дефис указывается номер разработки и
вариант конструктивного исполнения.
где Uш – действующее напряжение шума, мкВ.
21
Конструкции фоторезисторов
ФСК-0, ФСК-1а
ФСК-1, ФСК-М1
ФСК-Г1
21
8,4
2
14,5
2,4
9
11,6 16
9
фоточувствительный
элемент
28
8,5
5,5
22
электроды
а
б
в
Рис. 7.17. Конструкции фоторезисторов: а – бескорпусная;
б – в пластмассовом корпусе; в – в металлостеклянном корпусе
22
Оптопары
8,5
3
5
6,6
А
А
1
5
2
1
4
3
2 3 4 6
б
0,5
3
А-А
6
2
2
Вход
Выход
4
3
a
в
Рис. 7.18. Устройство резисторных оптронов:
а – составной оптрон (1– изоляционная подложка, 2 – полупроводниковый
светочувствительный слой, 3 – металлические контакты, 4 – миниатюрный источник света, 5 – светонепроницаемый корпус, 6 – основание светонепроницаемого корпуса); б – пленочный оптрон (1 – стеклянная изоляционная подложка,
2 – полупроводниковый светочувствительный слой, 3 – металлические электроды, 4 – электролюминофор (электролюминесцентный излучатель), 5 – прозрачные электроды); в – электрическая схема оптрона
23
Магниторезисторы
Это радиокомпоненты, у которых электросопротивление изменяется под
воздействием внешнего магнитного поля. Регулируя напряженность управляющего магнитного поля в зазоре или перемещая магниторезистивный элемент в поле
постоянного магнита, можно управлять сопротивлением и другими электрическими характеристиками резистора.
Из анализа эффекта Холла в полупроводниках следует, что tg j = –mB, где m –
подвижность носителей заряда (электронов или дырок). Для малых углов j можно
полагать, что j –mB. В данном случае за время свободного пробега t вдоль
электрического поля Е носитель заряда пройдет путь В , меньший, чем l, а именно
≈cosj ≈(1- j2/2)=(1- m2B2/2).
(7.19)
Поскольку за время t носитель заряда проходит меньший путь вдоль поля Е, то
это равносильно уменьшению дрейфовой скорости vдр, или подвижности, а тем
самым и увеличению электросопротивления полупроводника. Очевидно, что
В
rВ r
rВ
2
m B
2
.
(7.20)
2
Обозначив r = rВ – r и учитывая статистический разброс времени и длин
свободного пробега, окончательно получим
.
(7.21)
2
2
r rВ m
B
24
Конструкция магниторезистора
4,0
2
1
3
4
N
1,5
2
3
S
45
a
б
Рис. 7.19. Магнитоуправляемый резистор:
а – конструкция магниторезистивного элемента; б – принципиальное
устройство магнитоуправляемого резистора
1 – магниторезистивный элемент, 2 – подложка, 3 – выводы, 4 - магнитопровод
В качестве магниторезистивных элементов применяют в основном два
полупроводниковых соединения из класса А3В5, обладающих выраженным
магниторезистивным эффектом: антимонид индия (InSb) и арсенид индия (InAs).
Эти материалы характеризуются небольшой шириной запрещенной зоны Wg
(0,17 эВ и 0,36 эВ, соответственно) и очень высокой подвижностью электронов mn
(7,6 и 3,3 м2/В·с).
25
Параметры магниторезисторов
1. Номинальное сопротивление Rн – сопротивление
магниторезистора в отсутствие магнитного поля.
2. Номинальная мощность рассеяния Рн – максимально
допустимая мощность рассеяния резистора в течение
гарантированного срока службы.
3. Отношение сопротивления RB в поперечном
магнитном поле с определенным значением индукции
(обычно 0,5 или 1 Т) к номинальному значению Rн , RВ / Rн .
4. Функциональная характеристика R = f(B) – зависимость сопротивления магниторезистора от величины
индукции воздействующего магнитного поля.
5. Температурный коэффициент сопротивления (ТКС).
26
Проектирование проволочных
резисторов
постоянного сопротивления
27
Техническое задание на проектирование
проволочного резистора
1) Rн dRн – номинальное сопротивление и отклонение от
номинала, Ом;
2) Рн – номинальная мощность рассеяния, Вт;
3) Tmax – допустимый нагрев резистивного элемента, С;
4) условия эксплутации по ГОСТ 15150;
5) массогабаритные характеристики (размеры, масса).
А
Lн
dк
А-А
Dн
Dк
Lк
А
Рис. 7.20. Конструктивные размеры проволочного резистора на цилиндрическом каркасе: Lн – длина намотки,
Dн – наружный диаметр намотки, Lк – длина каркаса,
Dк – диаметр каркаса, dк – толщина щеки
28
Порядок проектирования проволочного
резистора 1
1. Выбор материала провода (манганин, константан, нихром).
Производится исходя из условий эксплуатации, допустимой рабочей
температуры и требований к стабильности параметров.
2. Расчет диаметра обмоточного провода без изоляции d0. С этой
целью воспользуемся формулой для допустимой плотности тока j,
протекающего через резистивный элемент:
j Iн
qo
4I н
2
do
, А/мм2,
(7.22)
где Iн – значение тока через резистор, А; q0 – сечение провода, мм2.
Из формулы (7.22) следует, что диаметр провода резистивного
элемента без изоляции равен
do 4Iн
j
1, 2 7
Iн
.
(7.23)
j
29
Порядок проектирования проволочного
резистора 2
В формуле (7.23) величина тока Iн через резистивный элемент
рассчитывается исходя из номинальной мощности рассеяния
резистора Рн и номинального сопротивления Rн:
Iн Pн
Rн
.
(7.24)
Плотность тока j выбирается в зависимости от допустимого
нагрева резистора, диаметра провода и условий охлаждения; для
расчетов могут быть приняты следующие значения плотности тока:
для стабильных резисторов 12 А/мм2, для нагрузочных (гасящих)
резисторов 510 А/мм2, для резисторов из микропровода 200300
А/мм2.
По рассчитанному диаметру провода d0 из справочника
выбирается ближайшее стандартное значение диаметра и, в
соответствии с допустимой температурой нагрева,
величина
30
диаметра провода в изоляции dиз.
Порядок проектирования проволочного
резистора 3
3. Определение длины обмоточного провода lпр. Для этого воспользуемся
формулой lпр = R н ( q o r) R н ( d o 2 4 r)
, из которой, после преобразований,
следует
2
R н do
lп р , м,
(7.25)
1,27 r
где r – удельное сопротивление провода, Ом×мм2/м.
4. Расчет площади поверхности охлаждения резистора Sохл. Приближенно
можно считать, что она равна площади наружной поверхности
изоляционного основания. Для этого воспользуемся формулой (7.2), из
которой получим, что
S о хл Pн
Р уд
.
(7.26)
Для точных резисторов с допусками 0,25; 0,5; 1,0% значение удельной
мощности рассеяния Руд = 50500 Вт/м2; для резисторов общего применения
с
допустимой
температурой
перегрева
5060
С
величина
Руд = 10001500 Вт/м2, для нагрузочных резисторов (например, в цепях
питания аппаратуры) Руд = 30005000 Вт/м2.
31
Разработка конструкции резистора
Определяем длину
формуле
Lн S о хл
D к
намотки по
А
.
(7.27)
Для гасящих резисторов значение
Dк = 1230 мм, для точных резисторов Dк = 619 мм.
Определив длину намотки, следует
произвести
проверочный
расчет
размещения обмотки на каркасе,
проверив выполнение условия где N –
число витков намотки, a = 1,11,3 –
коэффициент неплотности укладки
провода. Число витков намотки можно
оценить по формуле
N lп р
(D к + d из )
Lн
.
dк
А-А
Dн
Dк
Lк
А
Рис. 7.20. Конструктивные размеры проволочного резистора на цилиндрическом каркасе: Lн – длина намотки,
Dн – наружный диаметр намотки, Lк – длина каркаса,
Dк – диаметр каркаса, dк – толщина щеки
(7.28)
32
Расчёт производственной погрешности
dRн и расчет ТКС aR,T
Для расчета производственной погрешности сопротивления резистора используем
формулу для сопротивления проволочного резистора:
Rн r
4 lп р
do
2
.
Подставляя в эту формулу значение lпр = NDк, получим:
Rн r
4N D к
do
2
.
(7.29)
рассчитаем относительные коэффициенты влияния Br = 1, = –2, = 1. Таким
образом,
относительное
среднеквадратическое
отклонение
сопротивления
проволочного резистора равно
2
2
2
vR vr 4 vd vD
.
(7.30)
н
o
к
Полагая, что погрешности входных параметров распределены по нормальному
закону (п. 6.3), для производственной погрешности сопротивления проволочного
резистора получим следующее выражение:
dRн, % = ±3 v R н , % .
(7.31)
Температурный коэффициент сопротивления резистора рассчитывается по
формуле (7.22)
a R ,T a r ,T 2 a d ,T a D ,T ,1/К.
(7.32)
к
o
33
34
Документ
Категория
Презентации
Просмотров
67
Размер файла
482 Кб
Теги
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа