close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

ЭЛЛИПСОМЕТРЫ ПРИБОРЫ КОНТРОЛЯ

код для вставкиСкачать
ЭЛЛИПСОМЕТРЫ – ПРИБОРЫ КОНТРОЛЯ НАНОТЕХНОЛОГИЙ
БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ЛАЗЕРНЫЙ
ЭЛЛИПСОМЕТР «ПРОФИЛЬ-ИФП»
Характеристика
Прибор предназначен для прецизионного, высокопроизводительного и неразрушающего
контроля оптических постоянных и толщин пленок в ростовых процессах в реальном масштабе
времени. Принцип действия основан на измерении состояния поляризации света, отраженного от
поверхности образца.
Прибор позволяет проводить:
• in-situ мониторинг ростовых (адсорбционных) процессов с чувствительностью < 0,001
монослоя;
• контроль быстропротекающих ростовых (адсорбционных) процессов с временным разрешением до 40 микросекунд;
• измерение толщин тонкопленочных слоев с погрешностью единиц ангстрем;
• измерение показателей преломления и поглощения слоев с погрешностью 0,001;
• измерение профиля состава синтезируемых многослойных гетероэпитаксиальных структур с погрешностью 0,002 в процессе роста.
Технико-экономические преимущества
По своему научно-техническому и конъюнктурному уровню разрабатываемый эллипсометр
превышает уровень лучших зарубежных аналогов (в России и странах СНГ эллипсометрическая
аппаратура не разрабатывается и не производится), что подтверждается результатами сравнения
его технических показателей и ценовой характеристики с лучшими аналогами (табл.№1).
Таблица 1
WOOLSopra/
SENTECH Jobin-Yvon|
№ Характеристики Профиль-ИФП LAM/
Франция
Германия
Франция
п/п
США
ES4G
SE850
UVISEL
Модель
М88
1.
Погрешность
Нет
Sin(∆)-0,0005
Sin(∆)∆<0,1
cos(∆)-0,001
измерений
информа0,002
tg(ψ)-0,0003
ψ<0,05
tg(ψ)-0,001
ции
tg(ψ)0,001
2.
Время единич- 0,05
45
300
250
1,0
ного измерения,
(млсек)
3.
Цена базисного
20 000
110 880
Нет
147 285
128 255
комплекта
информа(USD)
ции
Использование прибора позволяет увеличить выход годной продукции на 30-70%.
Области применения
• Микроэлектроника: неразрушающий прецизионный контроль технологических процессов роста многослойных полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур в реальном масштабе времени (толщины слоев, оптические параметры, состав, разупорядочение, микрорельеф, дефектность и др.), контроль межфазных границ и процессов ионной имплантации, контроль квантово-размерных структур, контроль микроструктуры выращиваемых материалов, контроль качества поверхности полупроводников и процессов адсорбции.
• Оптика: контроль процессов синтеза многослойных тонкопленочных диэлектрических
покрытий с заданными характеристиками (интерференционные фильтры, узко- и широкополосные
лазерные зеркала, поляризационные лазерные элементы и др.), контроль оптических констант материалов, контроль лучевой прочности лазерных элементов.
• Органическая химия: контроль адсорбционно-десорбционных процессов и начальных
стадий роста органических пленок, контроль параметров монослойных и субмонослойных полимерных покрытий и др.
• Электрохимия и коррозия металлов: контроль окислительно-восстановительных процессов на электродах, контроль коррозионной стойкости металлов и др.
• Биология и медицина: контроль процессов адсорбции белков и иммунологических реакций, контроль свертываемости крови, контроль параметров клеточных структур, мембран и покровного клеточного материала, контроль характеристик сетчатки глаза и др.
• Космос: контроль процессов синтеза новых полупроводниковых материалов в условиях
открытого космоса, контроль уровня загрязнения околоземного пространства и др.
• Экология: контроль наличия и величины нефтепленок на водных поверхностях, контроль состояния приземного атмосферного слоя и др.
Уровень и место практической реализации
Опытный образец.
Патентная защита
Патент РФ, 2001 г.
Предложения по сотрудничеству
Инвестиционный договор для коммерциализации разработки.
Договор на изготовление и поставку продукции.
Контактная информация
Институт физики полупроводников СО РАН,
пр. Лаврентьева 13, г. Новосибирск, 630090.
Ученый секретарь по выставочной деятельности
к.ф.-м.н. Придачин Николай Борисович
тел. (383) 333-34-74 факс: (383) 333-27-71
E-mail: nbp@isp.nsc.ru
http://www.isp.nsc.ru
2
Документ
Категория
Типовые договоры
Просмотров
13
Размер файла
88 Кб
Теги
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа